CN104894538A - 还原低温基底上的薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了还原低温基底上的薄膜的方法，具体地涉及在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。

Description

还原低温基底上的薄膜的方法
本申请是申请号为200980150327.4、申请日为2009年3月25日、发明名称为“还原低温基底上的薄膜的方法”的专利申请的分案申请。
本申请是2007年5月24日提交的名为“金属纳米材料复合物的电用途、镀覆用途和催化用途(Electrical,Plating and Catalytic Uses of MetalNanomaterial Composition)”的美国系列号No.11/720,171的部分继续申请案，其经此引用并入本文。
相关申请
本申请与2008年10月17日提交的名为“使低温基底上的薄膜高速反应的方法和装置(Method and Apparatus for Reacting Thin Films on LowTemperature Substrates at High Speeds)”的美国系列号No.61/196,531相关，其经此引用并入本文。
技术领域
概括而言，本发明涉及固化法，特别涉及还原低温基底上的薄膜的方法。
背景技术
制造电子电路的一种方法是用金属油墨将电导体印刷到基底上，然后加热该基底以将金属油墨粒子烧结，从而形成导电轨迹。通常，适于导电的大多数印刷金属需要加热至非常高的温度，这通常在它们熔点的数百摄氏度内，以便烧结和变得导电。
用于制造印刷电子部件中导电轨迹的两种最常用的元素是银和铜。银具有胜过铜的两个优点，因为银可以在空气中加热但氧化程度很低，且其氧化物(电导率比较低)在相对较低的温度分解。在制造导电轨迹时，与其高成本相比，这两个品质以及银是导电性最强的金属这一事实通常更受重视。因此，即使铜的电导率为银的大约90％，且按质量计其通常便宜50至100倍，但银油墨仍然占据印刷电子部件市场的主流，因为制造和加工铜油墨以避免氧化的额外成本通常高于材料成本的差异。
现有技术中公知的是，一些金属氧化物如果具有正还原电位，则可以在升高的温度被氢或烃还原。例如，可以首先通过将含氧化铜的矿石与木炭混合并同时施热来提取铜。在还原剂存在下加热氧化铜粒子或甚至纯氧化铜时，氧化铜粒子可烧结而形成导体。
在通过印刷铜粒子来制造薄膜导体时，如果在惰性或还原气氛中将粒子加热至它们的烧结温度，可以形成导电性非常强的轨迹。由于铜的熔点接近1,085℃，因此烧结所需的温度决定了只能使用高温基底，例如玻璃或陶瓷。这种高温要求阻碍了廉价基底(例如纸或塑料)的使用。
或者，如果在低温基底上沉积铜粒子薄膜，可以将其加热至接近基底分解温度，然后置于还原气氛中，但根据薄膜厚度和温度，该低温将固化所需的时间量从数秒显著增加至数分钟或甚至数小时。在低温下，烧结非常有限，因此薄膜电阻率变高。此外，对惰性或还原气氛的需要也显著提高了加工成本。因此，需要提供一种改进的方法，以在环境气氛中迅速还原低温基底上的金属氧化物。
发明内容
根据本发明的一个优选实施方案，先将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体(例如水)中。然后将该分散体以薄膜形式沉积在基底上。然后使所述薄膜与所述基底一起暴露于脉冲电磁发射，以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂进行化学反应，从而使所述薄膜变导电。
在下列详细书面描述中可看出本发明的所有特征和优点。
附图说明
在结合附图阅读时，参照示例性实施方案的下列详述很好地理解本发明本身及其优选使用模式、进一步目的和优点，其中：
图1是根据本发明一个优选实施方案的固化低温基底上的薄膜的方法的流程图；且
图2是根据本发明的一个优选实施方案的固化装置的图。
具体实施方式
对本发明而言，固化是指热加工，其包括还原低温基底上的薄膜内所含的金属化合物。薄膜是指小于100微米厚的涂层。低温基底的实例包括纸、塑料或聚合物。
本发明是提供活化能以利用强脉冲光进行薄膜中的还原-氧化反应的方法。氧化还原反应可以是通过有机化合物还原金属氧化物，并可以在低温基底上进行。
现在参照附图且特别参照图1，其中描绘了根据本发明一个优选实施方案的将低温基底上的薄膜固化的方法的流程图。在方框100中开始，如方框110中所示，使用各种普通分散剂，例如聚乙烯基吡咯烷酮或聚苯乙烯-丙烯酸酯共聚物，将非导电金属氧化物分散在液体(例如水)中。该分散体还包括至少一种还原剂。该还原剂可以是多种化合物，包括醇、醛、羧酸和炭黑。还原剂优选包括甘油、抗坏血酸、1,2-己二醇和戊二酸。其它添加剂可包括用于表面润湿的各种表面活性剂、润湿剂、助溶剂和粘合剂树脂。所述分散体可包括导电粒子，例如银、铜或金。该分散体还可含有部分氧化的金属粒子。非导电的金属氧化物可以是表I中所列的任何金属氧化物。
表I
然后如方框120中所示将分散体以薄膜形式沉积在低温基底上。该低温基底可以是聚合物(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯，等)、纸等。可以通过任何普通印刷技术，包括喷墨、凹版印刷、苯胺印刷、辊涂、丝网印刷等，将分散体沉积在低温基底上。或者，可以使用干沉积法，例如静电印刷术，将非导电金属氧化物和还原剂以薄膜形式沉积在低温基底上。
然后如方框130中所示，使所述薄膜与低温基底一起暴露于脉冲电磁发射，以引发低温基底上的非导电金属氧化物与还原剂之间的氧化还原反应。脉冲电磁源可以是能够传送小于20ms脉冲长度的激光器、闪光灯、定向等离子弧灯、微波或射频感应加热器。另一实施方案是在使薄膜传送经过辐射源时使用电子束或强弧光灯将热沉积到薄膜中，以引发氧化还原反应。就电子束和弧光灯源而言，活动基底和静态源的组合具有为薄膜提供脉冲加热的作用。电磁源应具有大于500W/cm2的发射。由于所述暴露，在氧化还原反应后使该薄膜导电。
优选地，如下所述，在使用自动化固化装置将所述低温基底传送经过光源的同时使所述薄膜固化。
现在参照图2，其中显示了根据本发明一个优选实施方案的用于固化低温基底上的薄膜的固化装置的图。如图所示，固化装置200包括传送***210、选通脉冲头220、继电器架230、和卷到卷给料***240。固化装置200能够使位于低温基底203上的薄膜202固化，该低温基底203位于以相对高速传送经过选通脉冲头220的网幅上。传送***210可优选地以2至1000英尺/分钟的速度运行，以移动基底203。优选地，固化装置200可适应以6英寸为增幅的任何宽度的幅宽。可通过现有技术(例如丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷、激光印刷、静电印刷、压印、上漆、蘸水笔(dip-pen)、注射器、喷枪、苯胺印刷、CVD、PECVD、蒸发、溅射等)之一或组合，在基底203上添加薄膜202。可以与固化法联机进行薄膜202沉积到基底203上。
选通脉冲头220(其优选是水冷的)包括用于固化位于基底203上的薄膜202的高强度脉冲氙闪光灯221。脉冲氙闪光灯221可提供具有不同强度、脉冲长度和脉冲重复频率的脉冲。例如，脉冲氙闪光灯221可以以最多1kHz的脉冲重复速率提供具有3"×6"宽的足迹的10μs至10ms脉冲。来自脉冲氙闪光灯221的发射的光谱范围为200纳米至2,500纳米。通过将石英灯换成铈掺杂的石英灯，可以调节光谱，以除去低于350纳米的大多数发射。也可以将石英灯换成蓝宝石灯，以发出大约140纳米至大约4,500纳米的发射。也可以添加滤光器以除去光谱的其它部分。闪光灯221也可以是水冷壁闪光灯，其有时被称作定向等离子弧(DPA)灯。
继电器架230包括可调节电源、传送控制模件和选通脉冲控制模件。所述可调节电源可产生能量最多为4千焦/脉冲的脉冲。可调节电源与脉冲氙闪光灯221相连，并可以通过控制经过脉冲氙闪光灯221的电流量来改变来自脉冲氙闪光灯221的发射强度。
可调节电源控制脉冲氙闪光灯221的发射强度。对来自脉冲氙闪光灯221的发射的功率、脉冲持续时间和脉冲重复频率进行电子调节，并与幅速度同步，以根据薄膜202和基底203的光学、热和几何性质在不破坏基底203的情况下实现薄膜202的最佳固化。
在固化操作过程中，传送***210使基底203以及薄膜202移动。传送***210使薄膜202在选通脉冲头220下方移动，其中通过来自脉冲氙闪光灯221的快速脉冲使薄膜202固化。来自脉冲氙闪光灯221的发射的功率、持续时间和重复速率由选通脉冲控制模件控制，基底203移动经过选通脉冲头220的速度由传送控制模件决定。
使用传感器250(其可以是机械、电或光学传感器)感测传送***210的速度。例如，可以通过检测来自轴编码器的信号来感测传送带***210的传送带速度，其中轴编码器连向与活动传送带接触的轮。而脉冲重复速率可以与传送带***210的传送带速度同步。选通脉冲速率f的同步由下式给出：
f＝0.2*s*o/w
其中s＝幅速度[ft/min]
o＝重叠因子
w＝固化头宽度[in]
重叠因子是基底在任一位置接收的选通脉冲的平均数。例如，在幅速度为200ft/min、重叠因子为5和固化头宽度为2.75英寸时，选通脉冲速率为72.7Hz。
当闪光灯221脉冲时，薄膜202被瞬时加热，以提供用于氧化还原反应的活化能。当快速脉冲列与活动基底203结合时，可以在任意大的面积上获得均匀固化，因为薄膜202的各区段可以暴露在多脉冲下，这与连续固化***(例如炉)近似。
不同于现有技术——其中在固化之前引入还原剂或助熔剂以从金属粒子中除去氧化物，本发明的方法将还原剂与要通过强脉冲光还原的氧化物一起直接置于薄膜中。该方法可以在空气中进行，因为短的反应时间消除了对惰性或还原环境的要求。基本上，将薄膜短暂加热至足够高的温度，以使还原剂和氧化物反应，但反应时间足够短，以防止与空气的显著化学反应。
由于强脉冲光，金属氧化物被薄膜中的还原剂还原，产生金属薄膜。尽管来自脉冲光源的每单位面积的辐射功率非常高(～2KW/cm2)，但脉冲持续时间如此短，以致在基底103上沉积很少的能量(～2J/cm2)。因此，基底103未被破坏。因此，本发明的方法使得高温氧化还原反应可以在不耐热基底(例如塑料或纸)上发生。该方法发生得如此快，以致金属在空气中的氧化非常低，因此不需要惰性或还原气氛。除还原金属氧化物外，强脉冲光具有在不破坏基底的情况下烧结金属粒子以形成高导电轨迹的额外益处。每次光脉冲看起来既造成还原又造成烧结。
作为另一实施方案，还原剂是具有负还原电位的金属，例如铝、镁或锂。这可以使没有正还原电位的材料还原。该还原性金属可以是微粒或薄膜形式。
作为另一实施方案，通过在表面上沉积反应薄膜并使该薄膜暴露在强脉冲光下以使该薄膜与该表面反应，进行清洁或与表面反应的方法。简言之，加热至非常高温度的相对无害的化学品具有与在室温下相对危险的化学品类似的化学活性。用途包括清洁剂、表面处理等。由于相对无害的试剂仅在高温下非常活性，这意味着可以使用较安全的和可能较环保的清洁剂代替较危险的材料。这种试剂的储存更安全，而且这种试剂在使用后的处置成本更低、更环保。
下一段阐述在本发明方法的过程中在薄膜中发生的情况。薄膜的典型厚度为1微米，基底的典型厚度为150微米(6密尔)。氧化铜/有机还原剂基薄膜上的优选脉冲为330V，脉冲长度为1,000微秒。这一设置相当于1.7J/cm2的辐射曝露量或1.7KW/cm2的平均辐射功率。假设界面处的天然对流损失，忽略辐射损失、溶剂蒸发吸收的能量、薄膜界面处的PET熔融吸收的能量和由氧化还原反应释放的能量，进行该***的热模拟。假设来自图1的固化装置在脉冲前处在室温(25℃)，在1ms脉冲结束时计算出的薄膜的峰值温度为大约1,040℃。整个薄膜/基底在25ms内恢复至低于PET的公开分解温度150℃。这种加热在对基底无表观破坏的情况下进行。但是，不同于设定在PET的公开分解温度下的典型对流炉，明显较高的峰值温度提供了足以发生氧化还原反应的活化能。由于氧化还原反应在短于25ms的时间范围内肯定完成，时间不足以使铜被空气还原。因此，发生氧化还原反应而不发生铜的氧化。因此，产生高导电的铜薄膜。此外，考虑到薄膜达到的温度，光脉冲还使所得铜粒子烧结。该烧结具有提高薄膜的电导率和稳定性的作用。
本发明的方法的一个优点在于，该还原可以非常快地完成，这使其与高速印刷和幅操作技术相容。因此，可以在廉价的低温基底(例如纸、塑料或聚合物)上进行高温加工。本发明的方法的另一优点在于，可以在周围环境(例如空气)中进行还原。本发明的方法的又一优点在于，可以在明显低于银的成本下在基底上沉积铜、氧化的铜或甚至氧化铜，并固化至与印刷银相当的电阻率。更具体地，铜在空气中加热时氧化。本发明能够使铜粒子在空气中固化产生高导电薄膜，而不用考虑它们的氧化程度。
如上所述，本发明提供了迅速还原低温基底上的薄膜的方法。
实施例
实施例1-抗坏血酸还原剂
在20毫升管瓶中混合3.0克＜50nm氧化铜(II)、3.6克去离子水、0.15克PVP K-30、0.3克乙二醇、0.04克TMN-6、0.02克604、0.02克-020和0.66克抗坏血酸，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505PET片上。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例2-乙二醇/甘油还原剂
在20毫升管瓶中混合2.0克氧化铜、5.7克去离子水、0.10克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.03克TMN-6、0.01克604和0.32克甘油，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用850微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例3-乙二醇/甘油还原剂
在20毫升管瓶中混合2.0克氧化铜、5.4克去离子水、0.10克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.03克TMN-6、0.01克604和0.67克甘油，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子3以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例4-乙二醇/甘油还原剂
在20毫升管瓶中混合2.0克氧化铜、4.9克去离子水、0.10克PVP K-30、0.5克乙二醇、0.03克TMN-6、0.01克604和1.32克甘油，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用750V的脉冲长度为2,300的单脉冲固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。该薄膜的薄层电阻为4.1Ω/sq。
实施例5-葡萄糖还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和0.79克葡萄糖，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。单独地，使用#5Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到Epson Photo Paper片上。
在空气环境中用400微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品3遍。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例6-葡萄糖还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和1.59克葡萄糖，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用500微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。该薄膜的薄层电阻为2.2Ω/sq。
实施例7-己二醇还原剂
在20毫升管瓶中混合1.5克氧化铜、7.5克去离子水、0.08克PVP K-30、0.8克乙二醇、0.03克TMN-6、0.02克604和0.47克1,2-己二醇，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用600微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例8-戊二酸还原剂
在20毫升管瓶中混合1.5克＜50nm氧化铜(II)、6.8克去离子水、0.08克PVP K-30、0.8克乙二醇、0.03克TMN-6、0.02克604和0.47克戊二酸，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用1,200微秒脉冲长度和重叠因子3以25英尺/分钟固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。该薄膜的薄层电阻为2.7Ω/sq。
实施例9-聚丙烯酰胺还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和1.25克聚丙烯酰胺，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用800微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例10-季戊四醇还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和0.90克季戊四醇，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用600微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例11-琥珀酸还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和0.71克琥珀酸(钠盐)，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用700微秒脉冲长度和重叠因子4以24英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例12-碳还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和0.32克炭黑，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用500微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品四遍。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例13-尿酸还原剂
在20毫升管瓶中混合1.75克氧化铜、5.3克去离子水、0.09克PVP K-30、0.6克乙二醇、0.02克TMN-6、0.01克604和0.89克尿酸，由此制造氧化铜分散体。加入5克氧化锆研磨介质，并将该管瓶搅拌60分钟。
使用#5 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到ST505 PET片上。
在空气环境中用600微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品四遍。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。
实施例14-用甘油还原剂的喷墨印刷
首先研磨52.5克氧化铜、2.6克PVP K-30和294.9克去离子水的混合物，由此制造氧化铜分散体。所得平均粒度为115纳米。通过混合8.4克研磨的氧化铜分散体、1.0克甘油、0.5克乙二醇、0.04克X-100和0.03克-020，制造喷墨印刷油墨。
使用桌面喷墨印刷机将所述喷墨印刷油墨印刷到Pictorico牌PET上。
在空气环境中用300微秒脉冲长度和重叠因子2以24英尺/分钟固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。该薄膜的薄层电阻为1Ω/sq。
实施例15-含抗坏血酸和甘油还原剂的铜粉
在7.57克去离子水中混合2.5克Mitsui铜粉、0.04克-020、0.04克TMN-6、0.25克PVP K-30、0.89克甘油、0.45克乙二醇、0.76克抗坏血酸，由此制造铜分散体。
使用#10 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到Pictorico牌PET片上。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子4以24英尺/分钟固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。该薄膜的薄层电阻为40mΩ/sq。假设薄膜完全致密，其为1.3微米厚，因此其体积电导率为5.2microΩ-cm，或为纯铜体积电阻率的3倍。
实施例16-用抗坏血酸还原剂的喷墨印刷
首先研磨52.5克氧化铜、2.6克PVP K-30和294.9克去离子水的混合物，由此制造氧化铜分散体。所得平均粒度为115纳米。通过混合8.4克研磨的氧化铜分散体、1.0克甘油、0.5克乙二醇、0.04克X-100和0.03克-020，制造第一喷墨印刷油墨。通过在42.5克去离子水中混合0.1克-020、0.2克X-100、10.0克抗坏血酸、3.0克乙二醇、4.5克甘油，制造第二喷墨印刷油墨。
使用喷墨印刷机将这两种喷墨印刷油墨相继印刷到Pictorico牌PET上。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子1以24英尺/分钟固化该样品。薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。估计该薄膜为0.3微米厚，并具有140mΩ/sq的薄层电阻，表明其体积电导率为4.1microΩ-cm或为纯铜体积电阻率的2.4倍。
所有上述实施例相同地制备，并在含空气环境的炉中在150℃放置30分钟。在所有情况下，没有该薄膜转化或导电的直观迹象。更高的炉温不可行，因为PET的最高工作温度为150℃。在使用更高温基底，例如Kaptan或玻璃时，甚至在高达800℃的温度下也没有观察到转化。
实施例17-含抗坏血酸还原剂的硫酸铜
用去离子水中的20重量％CuSO4.5H2O制造第一溶液。通过在42.5克去离子水中混合0.1克-020、0.2克X-100、10.0克抗坏血酸、3.0克乙二醇、4.5克甘油，制造第二溶液。
使用#10 Meyer棒通过下引(drawdown)将第一溶液沉积在普通复印纸上。此后使用#5棒通过下引(drawdown)沉积第二溶液。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子4以24英尺/分钟固化该样品三遍。尽管该薄膜不导电，但薄膜颜色从深褐色变成铜色，表明氧化铜显著转化成铜。在低放大显微镜下，观察到铜涂布该纸的纤维。
实施例18-铝还原剂
在6.0克去离子水中用0.29克Valimet-H2铝粉、0.77克来自Sigma-Aldrich的＜5微米氧化铜(II)、0.11克PVP K-30制造分散体。
使用#10 Meyer棒通过下引(drawdown)将该分散体施用到Pictorico牌PET片上。
在空气环境中用1,000微秒脉冲长度和重叠因子2以28英尺/分钟固化该样品。尽管该薄膜不导电，但薄膜从深褐色变成铜色。
另一方面，将所有上述实施例中制成的相同薄膜在含空气气氛的炉中在150℃放置30分钟。选择150℃，因为其是PET的最高工作温度。没有观察到转化且薄膜无一具有可测的电阻(大于400MΩ/square)。
尽管已经参照优选实施方案特别显示和描述了本发明，但本领域技术人员会理解的是，可以在不偏离本发明的实质和保护范围的情况下在其中作出形式和细节的各种改变。

Claims (12)

1.在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：
将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和
使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。
2.权利要求1的方法，其中所述基底是纸。
3.权利要求1的方法，其中所述基底是PET。
4.权利要求1的方法，其中所述基底是聚合物。
5.权利要求1的方法，其中所述首先的氧化还原反应和所述随后的烧结在所述单脉冲电磁发射中进行。
6.权利要求1的方法，其中所述单脉冲电磁发射是由激光器、闪光灯、定向等离子弧灯、微波、射频感应加热器、电子束和弧光灯的任一种产生的。
7.权利要求1的方法，其中所述还原剂是铝。
8.权利要求1的方法，其中所述还原剂是镁。
9.权利要求1的方法，其中所述还原剂是锂。
10.权利要求1的方法，其中所述金属氧化物选自由钼氧化物、钨氧化物、铼氧化物、铁氧化物、钌氧化物、锇氧化物、钴氧化物、铑氧化物、铱氧化物、镍氧化物、钯氧化物、铂氧化物、铜氧化物、银氧化物、金氧化物、锌氧化物、镉氧化物、铟氧化物、锗氧化物、锡氧化物、铅氧化物、锑氧化物和铋氧化物组成的组。
11.权利要求1的方法，其中所述单脉冲电磁发射的辐射功率为约2KW/cm2。
12.权利要求1的方法，其中所述单脉冲电磁发射具有小于20ms的脉冲长度。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8410712B2 (en) * 2008-07-09 2013-04-02 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds
US8834957B2 (en) * 2008-11-05 2014-09-16 Lg Chem, Ltd. Preparation method for an electroconductive patterned copper layer
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8907258B2 (en) * 2010-04-08 2014-12-09 Ncc Nano, Llc Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate
TW201210717A (en) * 2010-07-21 2012-03-16 Xenon Corp Reduction of stray light during sintering
DE102011089884B4 (de) * 2011-08-19 2016-03-10 Von Ardenne Gmbh Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems
TW201339279A (zh) * 2011-11-24 2013-10-01 Showa Denko Kk 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物
TWI481326B (zh) * 2011-11-24 2015-04-11 Showa Denko Kk A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating
TWI569700B (zh) * 2011-11-25 2017-02-01 昭和電工股份有限公司 導電性圖案生成方法
JP5991830B2 (ja) * 2012-03-19 2016-09-14 国立大学法人大阪大学 導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物
KR20150016552A (ko) * 2012-06-05 2015-02-12 쇼와 덴코 가부시키가이샤 기재막 및 소결 방법
JP2014011256A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP5283291B1 (ja) * 2012-07-03 2013-09-04 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
JP5275498B1 (ja) 2012-07-03 2013-08-28 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
WO2014026187A2 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Karim Rezaoul Flash lamps in a continuous motion process
JP6093136B2 (ja) * 2012-09-26 2017-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
WO2014175163A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 昭和電工株式会社 導電パターンの製造方法及び導電パターン形成基板
CN104185378A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 群创光电股份有限公司 导电线路的制备方法、以及具有导电线路的装置
FR3008228B1 (fr) 2013-07-02 2015-07-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip par recuit uv, assemblage obtenu
KR101506504B1 (ko) * 2013-08-22 2015-03-30 (주)유니버셜스탠다드테크놀러지 대면적 광소결 장치
DE102013113485A1 (de) * 2013-12-04 2015-06-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Struktur auf einem Kunststoffsubstrat
EP3083034A4 (en) * 2013-12-20 2017-09-13 Xenon Corporation Continuous flash lamp sintering
KR101943605B1 (ko) 2015-01-06 2019-01-29 가부시키가이샤후지쿠라 도체층의 제조 방법 및 배선 기판
WO2016152722A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 昭和電工株式会社 導電パターン形成用組成物及び導電パターン形成方法
DE102016112836A1 (de) * 2016-06-14 2017-12-14 Leander Kilian Gross Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrats
US11759863B2 (en) 2017-10-30 2023-09-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Three-dimensional printing
KR102068285B1 (ko) * 2018-02-12 2020-01-20 한양대학교 산학협력단 환원된 금속 산화물의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬이온 이차 전지
US10959441B2 (en) 2018-04-18 2021-03-30 Xenon Corporation Ultraviolet treatment of food products to kill microorganisms while retaining fruit bloom
JP7263124B2 (ja) * 2018-05-30 2023-04-24 旭化成株式会社 インクジェット用酸化銅インク及びこれを用いて導電性パターンを付与した導電性基板の製造方法
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
WO2020198138A1 (en) 2019-03-22 2020-10-01 Xenon Corporation Flash lamp system for disinfecting conveyors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4526807A (en) * 1984-04-27 1985-07-02 General Electric Company Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates
US4668533A (en) * 1985-05-10 1987-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ink jet printing of printed circuit boards
US5751325A (en) * 1994-07-11 1998-05-12 Agfa-Gevaert, N.V. Ink jet printing process
CN1998066A (zh) * 2004-07-06 2007-07-11 惠普开发有限公司 结构形成

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239373A (en) * 1962-04-24 1966-03-08 Louis S Hoodwin Printed circuit process
FR1427315A (fr) * 1964-02-24 1966-02-04 Yawata Iron & Steel Co Procédé pour la formation de revêtements isolants électriques sur les tôles électriques
US4159414A (en) * 1978-04-25 1979-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Method for forming electrically conductive paths
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
US4592929A (en) * 1984-02-01 1986-06-03 Shipley Company Inc. Process for metallizing plastics
JPH0537126A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Toshiba Corp 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体
US6326130B1 (en) * 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
US5938848A (en) * 1996-06-27 1999-08-17 Nordson Corporation Method and control system for applying solder flux to a printed circuit
WO2002048432A2 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 The Arizona Board Of Regents Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors
US20040231141A1 (en) * 2001-07-06 2004-11-25 Masaru Nishinaka Laminate and its producing method
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US20040185388A1 (en) * 2003-01-29 2004-09-23 Hiroyuki Hirai Printed circuit board, method for producing same, and ink therefor
JP4416080B2 (ja) * 2003-01-29 2010-02-17 富士フイルム株式会社 プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板
JP2004277627A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Asahi Kasei Corp インクジェット用インクおよびこれを用いた金属含有薄膜の形成方法
JP2004277868A (ja) * 2003-03-19 2004-10-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性組成物の作製方法
ATE510174T1 (de) * 2003-05-21 2011-06-15 Alexza Pharmaceuticals Inc Schlag gezündete unabhängige heizeinheit
JP2005071805A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd 金属酸化物及び／又は金属水酸化物の粒子と金属の粒子を含む組成物、組成物を用いたプリント配線基板、その製造方法及びそれに用いるインク
KR101500929B1 (ko) * 2004-11-24 2015-03-11 엔씨씨 나노, 엘엘씨 나노 물질 합성물의 전기적, 도금적, 및 촉매적 이용
US8227022B2 (en) * 2005-01-10 2012-07-24 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Method of forming aqueous-based dispersions of metal nanoparticles
US20060258136A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Guangjin Li Method of forming a metal trace
US20070193026A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Chun Christine Dong Electron attachment assisted formation of electrical conductors
JP5139429B2 (ja) * 2006-08-07 2013-02-06 インクテック カンパニー リミテッド 金属積層板の製造方法
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4526807A (en) * 1984-04-27 1985-07-02 General Electric Company Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates
US4668533A (en) * 1985-05-10 1987-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ink jet printing of printed circuit boards
US5751325A (en) * 1994-07-11 1998-05-12 Agfa-Gevaert, N.V. Ink jet printing process
CN1998066A (zh) * 2004-07-06 2007-07-11 惠普开发有限公司 结构形成

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