JP2018131691A - 低温基板上の薄膜を還元する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Use of Metal Nanomaterial Composition」)の一部継続出願であり、この出願は本明細書において参照として援用される。
本発明は、2008年10月17日に出願された米国特許出願第61/196,531号(発明の名称「Method and Apparatus for Reacting Thin Films on Low Temperature Substrates at High Speeds」)に関し、この出願は本明細書において参照として援用される。
1.技術分野
本発明は、一般に、硬化法に関し、特に、低温基板上の薄膜を還元する方法に関する。
電子回路を作製するための1つのアプローチは、金属インクを用いて導電体を基板上に印刷した後、その基板を加熱して金属インクの粒子を焼結させ、導電線(trace)を形成することである。一般に、電気伝導(electrically conduction)に適した印刷される金属の多くは、焼結させて導電性になるために、多くの場合、それらの融点から200℃以内までの非常に高い温度まで加熱することを必要とする。
本発明の好ましい実施形態においては、以下が提供される。
(項1)
基板上に導電性薄膜を作製する方法であって、
還元性金属化合物および還元剤を液体中に分散させる工程と、
該分散液を薄膜として基板上に堆積させる工程と、
周囲雰囲気中において、該薄膜を該基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、該還元性金属化合物と該還元剤とを化学的に反応させて該薄膜を導電性にする工程と、
を包含する、方法。
(項2)
上記基板は紙である、項1に記載の方法。
(項3)
上記紙はインク受容層でコーティングされる、項2に記載の方法。
(項4)
上記基板はポリマーである、項1に記載の方法。
(項5)
上記ポリマーはインク受容層でコーティングされる、項4に記載の方法。
(項6)
上記パルス電磁放射線は、レーザー、閃光ランプ、指向性プラズマアークランプ、マイクロ波、高周波誘導加熱器、電子ビーム、およびアークランプのいずれか1つにより発生される、項1に記載の方法。
(項7)
上記液体は水である、項1に記載の方法。
(項8)
上記曝露する工程は、上記基板が硬化する間に、上記パルス電磁放射線源を通過するように該基板を搬送する工程をさらに含む、項1に記載の方法。
(項9)
上記還元性金属化合物は金属酸化物である、項1に記載の方法。
(項10)
上記還元性金属化合物は、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化鉄、酸化ルテニウム、酸化オスミウム、酸化コバルト、酸化ロジウム、酸化イリジウム、酸化ニッケル、酸化パラジウム、酸化白金、酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化亜鉛、酸化カド
ミウム、酸化インジウム、酸化ゲルマニウム、酸化スズ、酸化鉛、酸化アンチモン、および酸化ビスマスからなる群から選択される化合物である、項1に記載の方法。
(項11)
上記還元性金属化合物は金属塩である、項1に記載の方法。
(項12)
上記還元剤は、アルコール類、アルデヒド類、カルボン酸類、およびカーボンブラックからなる群から選択される化合物である、項1に記載の方法。
(項13)
上記還元剤は、アルミニウム、マグネシウム、およびリチウムの群から選択される、項1に記載の方法。
(項14)
上記還元剤は、グリセロール、アスコルビン酸、1,2−ヘキサンジオール、およびグルタル酸をさらに含む、項1に記載の方法。
(項15)
上記分散させる工程は、ポリビニルピロリドンまたはポリスチレン−アクリレート共重合体を含む任意の数の分散剤を用いて上記還元性金属化合物および上記還元剤を分散させる工程をさらに含む、項1に記載の方法。
(項16)
上記堆積は印刷により行われる、項1に記載の方法。
(項17)
上記パルス電磁放射線は20ms未満のパルス長を有する、項1に記載の方法。
(項18)
上記パルス電磁放射線は500W/cm2よりも強い、項1に記載の方法。
(項19)
基板上に導電性薄膜を作製する方法であって、
金属および還元剤を液体中に分散させる工程と、
該分散液を薄膜として基板上に堆積させる工程と、
周囲雰囲気中において、該薄膜を該基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、該還元性金属化合物と、形成し得る金属酸化物および該還元剤とを化学的に反応させて該薄膜を導電性にする工程と、
を包含する、方法。
(項20)
低温基板上の薄膜を還元する方法であって、
還元性金属化合物を第1の液体中に分散させる工程と、
還元剤を第2の液体中に分散させる工程と、
該第1の分散液および該第2の分散液を薄膜として基板上に堆積させる工程と、
周囲雰囲気中において、該薄膜を該基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、該基板上で該還元性金属化合物と該還元剤とのレドックス反応を開始する工程と、
を包含する、方法。
刷、ロールコーティング、スクリーン印刷等を含む任意の一般的な印刷技術により低温基板上に堆積させてもよい。反対に、ゼログラフィー等の乾式堆積処理を用いて、上記非導電性金属酸化物およびリデューサー(すなわち、還元剤)を薄膜として低温基板上に堆積させてもよい。
to rell)供給システム240を含む。硬化装置200は、相対的に高速でストロボヘッド220を通過するように搬送されているウェブ上に位置する低温基板203上に載せられた薄膜202を硬化することができる。コンベヤシステム210は、2〜1000フィート/分の速度で動作して基板203を移動できることが好ましい。硬化装置200は、あらゆるウェブ幅に対して6インチ単位の増分で対応できることが好ましい。スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア、レーザー印刷、ゼログラフィー、パッド印刷、塗装、ディップペン、シリンジ、エアブラシ、フレキソ印刷、CVD、PECVD、蒸着、スパッタリング等の既存の技術の1つまたはそれらの組み合わせにより、基板203に薄膜202を加えることができる。基板203上への薄膜202の堆積は、上記硬化処理と併せて行ってもよい。
lamp)とすることができる。
ルスを発生することができる。調節可能電源は、パルスキセノン閃光ランプ221に接続され、パルスキセノン閃光ランプ221からの放射光の輝度は、パルスキセノン閃光ランプ221に流れる電流量を制御することにより変更することができる。
f=0.2*s*o/w
ここで、s=ウェブ速度[フィート/分]
o=重複係数
w=硬化ヘッド幅[インチ]
重複係数は、基板が任意の1ヶ所で受ける平均ストロボパルス数である。例えば、ウェブ速度200フィート/分、重複係数5、硬化ヘッド幅2.75インチの場合、ストロボのパルス率は72.7Hzである。
は、基板を損傷することなく、金属粒子を焼結して高伝導性線を形成するという付加的な利益がある。還元および焼結の両方が光のパルス毎に起きると思われる。
アルコルビン酸リデューサー
3.0gの<50nm酸化銅(II)、3.6gの脱イオン水、0.15gのPVP
K−30、0.3gのエチレングリコール、0.04gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.02gのDynol(登録商標)604、0.02gのBYK(登録商標)−020、および0.66gのアスコルビン酸を20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
エチレングリコール/グリセロールリデューサー
2.0gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.7gの脱イオン水、0.10gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.03gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.32gのグリセロールを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
エチレングリコール/グリセロールリデューサー
2.0gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.4gの脱イオン水、0.10gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.03gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.67gのグリセロールを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
エチレングリコール/グリセロールリデューサー
2.0gのNanoArc(登録商標)酸化銅、4.9gの脱イオン水、0.10gのPVP K−30、0.5gのエチレングリコール、0.03gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および1.32gのグリセロールを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
グルコースリデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.79gのグルコースを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
グルコースリデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および1.59gのグルコースを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
ヘキサンジオールリデューサー
1.5gのNanoArc(登録商標)酸化銅、7.5gの脱イオン水、0.08gのPVP K−30、0.8gのエチレングリコール、0.03gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.02gのDynol(登録商標)604、および0.47gの1,2−ヘキサンジオールを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
グルタル酸リデューサー
1.5gの<50nm酸化銅(II)、6.8gの脱イオン水、0.08gのPVP K−30、0.8gのエチレングリコール、0.03gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.02gのDynol(登録商標)604、および0.47gのグルタル酸を20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
ポリアクリルアミドリデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および1.25gのポリアクリルアミドを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
ペンタエリスリトールリデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.90gのペンタエリスリトールを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
コハク酸リデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.71gのコハク酸(ナトリウム塩)を20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
炭素リデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.32gのカーボンブラックを20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
尿酸リデューサー
1.75gのNanoArc(登録商標)酸化銅、5.3gの脱イオン水、0.09gのPVP K−30、0.6gのエチレングリコール、0.02gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.01gのDynol(登録商標)604、および0.89の尿酸を20mLバイアル内で混合して酸化銅分散液を作製した。5gの酸化ジルコニウム粉砕媒体を加え、バイアルを60分間撹拌した。
グリセロールリデューサーを加えたインクジェット
まず、52.5gのNanoArc(登録商標)酸化銅、2.6gのPVP K−30、および294.9gの脱イオン水の混合物を粉砕して酸化銅分散液を作製した。その結果得られた平均粒径は115nmであった。8.4gの粉砕酸化銅分散液、1.0gのグ
リセロール、0.5gのエチレングリコール、0.04gのTriton(登録商標)X−100、および0.03gのBYK(登録商標)−020を混合してインクジェット用インクを作製した。
アスコルビン酸およびグリセロールリデューサーを加えた銅粉
2.5gの三井製銅粉、0.04gのBYK(登録商標)−020、0.04gのTergitol(登録商標)TMN−6、0.25gのPVP K−30、0.89gのグリセロール、0.45gのエチレングリコール、0.76gのアスコルビン酸を7.57gの脱イオン水中で混合して銅分散液を作製した。
アスコルビン酸リデューサーを加えたインクジェット
まず、52.5gのNanoArc(登録商標)酸化銅、2.6gのPVP K−30、および294.9gの脱イオン水の混合物を粉砕して酸化銅分散液を作製した。その結果得られた平均粒径は115nmであった。8.4gの粉砕酸化銅分散液、1.0gのグリセロール、0.5gのエチレングリコール、0.04gのTriton(登録商標)X−100、および0.03gのBYK(登録商標)−020を混合して第1のインクジェット用インクを作製した。0.1gのBYK(登録商標)−020、0.2gのTriton(登録商標)X−100、10.0gのアスコルビン酸、3.0gのエチレングリコール、4.5gのグリセロールを42.5gの脱イオン水中で混合して第2のインクジェット用インクを作製した。
なかった。PETの最高作業温度は150℃であるため、オーブンの温度を上げることはできなかった。カプタン(Kaptan)またはガラス等、より高温の基板を用いた場合、800℃までの温度でさえ転化は見られなかった。
アスコルビン酸リデューサーを加えた硫酸銅
脱イオン水中に20wt%のCuSO4・5H2Oを入れて第1の溶液を作製した。0.1gのBYK(登録商標)−020、0.2gのTriton(登録商標)X−100、10.0gのアスコルビン酸、3.0gのエチレングリコール、4.5gのグリセロールを42.5gの脱イオン水中で混合して第2の溶液を作製した。
アルミニウムリデューサー
0.29gのValimet−H2アルミニウム粉、0.77gのSigma−Aldrich製<5ミクロン酸化銅(II)、0.11gのPVP K−30を6.0gの脱イオン水に入れて分散液を作製した。
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---|---|---|---|---|
US8410712B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-04-02 | Ncc Nano, Llc | Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds |
US8834957B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Lg Chem, Ltd. | Preparation method for an electroconductive patterned copper layer |
US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
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US8907258B2 (en) * | 2010-04-08 | 2014-12-09 | Ncc Nano, Llc | Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate |
TW201210717A (en) * | 2010-07-21 | 2012-03-16 | Xenon Corp | Reduction of stray light during sintering |
DE102011089884B4 (de) * | 2011-08-19 | 2016-03-10 | Von Ardenne Gmbh | Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems |
TW201339279A (zh) * | 2011-11-24 | 2013-10-01 | Showa Denko Kk | 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物 |
TWI481326B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-04-11 | Showa Denko Kk | A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating |
TWI569700B (zh) * | 2011-11-25 | 2017-02-01 | 昭和電工股份有限公司 | 導電性圖案生成方法 |
JP5991830B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-09-14 | 国立大学法人大阪大学 | 導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物 |
WO2013182896A1 (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | Showa Denko K.K. | Substrate film and sintering method |
JP2014011256A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP5283291B1 (ja) * | 2012-07-03 | 2013-09-04 | 石原薬品株式会社 | 導電膜形成方法及び焼結進行剤 |
JP5275498B1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-08-28 | 石原薬品株式会社 | 導電膜形成方法及び焼結進行剤 |
US20140042342A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Xenon Corporation | Flash lamps in a continuous motion process |
JP6093136B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
KR102099090B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2020-04-09 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 도전 패턴의 제조방법 및 도전 패턴 형성 기판 |
CN104185378A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 群创光电股份有限公司 | 导电线路的制备方法、以及具有导电线路的装置 |
FR3008228B1 (fr) | 2013-07-02 | 2015-07-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip par recuit uv, assemblage obtenu |
KR101506504B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2015-03-30 | (주)유니버셜스탠다드테크놀러지 | 대면적 광소결 장치 |
DE102013113485A1 (de) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Struktur auf einem Kunststoffsubstrat |
JP2017510087A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-04-06 | ゼノン・コーポレイションXenon Corporation | 連続フラッシュランプシンタリング |
US10015890B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-07-03 | Fujikura Ltd. | Method of manufacturing conductive layer and wiring board |
JP6737773B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2020-08-12 | 昭和電工株式会社 | 導電パターン形成用組成物及び導電パターン形成方法 |
DE102016112836A1 (de) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Leander Kilian Gross | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrats |
WO2019088965A1 (en) | 2017-10-30 | 2019-05-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Three-dimensional printing |
KR102068285B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2020-01-20 | 한양대학교 산학협력단 | 환원된 금속 산화물의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬이온 이차 전지 |
US10959441B2 (en) | 2018-04-18 | 2021-03-30 | Xenon Corporation | Ultraviolet treatment of food products to kill microorganisms while retaining fruit bloom |
JP7263124B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2023-04-24 | 旭化成株式会社 | インクジェット用酸化銅インク及びこれを用いて導電性パターンを付与した導電性基板の製造方法 |
US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
US11174107B2 (en) | 2019-03-22 | 2021-11-16 | Xenon Corporation | Flash lamp system for disinfecting conveyors |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3239373A (en) * | 1962-04-24 | 1966-03-08 | Louis S Hoodwin | Printed circuit process |
US4526807A (en) * | 1984-04-27 | 1985-07-02 | General Electric Company | Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates |
US4668533A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of printed circuit boards |
JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
JPH0852933A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-27 | Agfa Gevaert Nv | インクジェットによる印刷版の製造方法 |
JP2004253794A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板 |
JP2004531875A (ja) * | 2000-12-15 | 2004-10-14 | ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2008522369A (ja) * | 2004-11-24 | 2008-06-26 | ノバセントリックス コーポレイション | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1427315A (fr) * | 1964-02-24 | 1966-02-04 | Yawata Iron & Steel Co | Procédé pour la formation de revêtements isolants électriques sur les tôles électriques |
US4159414A (en) * | 1978-04-25 | 1979-06-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for forming electrically conductive paths |
FR2537898A1 (fr) * | 1982-12-21 | 1984-06-22 | Univ Paris | Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede |
US4592929A (en) * | 1984-02-01 | 1986-06-03 | Shipley Company Inc. | Process for metallizing plastics |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
US5938848A (en) * | 1996-06-27 | 1999-08-17 | Nordson Corporation | Method and control system for applying solder flux to a printed circuit |
CN101024315A (zh) * | 2001-07-06 | 2007-08-29 | 钟渊化学工业株式会社 | 层压体及其制造方法 |
US20060159838A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
US20040185388A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-23 | Hiroyuki Hirai | Printed circuit board, method for producing same, and ink therefor |
JP2004277627A (ja) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Asahi Kasei Corp | インクジェット用インクおよびこれを用いた金属含有薄膜の形成方法 |
JP2004277868A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性組成物の作製方法 |
US20040234914A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-11-25 | Alexza Molecular Delivery Corporation | Percussively ignited or electrically ingnited self-contained heating unit and drug-supply unit employing same |
JP2005071805A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属酸化物及び/又は金属水酸化物の粒子と金属の粒子を含む組成物、組成物を用いたプリント配線基板、その製造方法及びそれに用いるインク |
US7547647B2 (en) * | 2004-07-06 | 2009-06-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a structure |
JP2008527169A (ja) * | 2005-01-10 | 2008-07-24 | イシウム リサーチ デベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブリュー ユニバーシティー オブ イエルサレム | 金属ナノ粒子の水系分散物 |
US20060258136A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Guangjin Li | Method of forming a metal trace |
US20070193026A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Chun Christine Dong | Electron attachment assisted formation of electrical conductors |
WO2008018719A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Inktec Co., Ltd. | Manufacturing methods for metal clad laminates |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3239373A (en) * | 1962-04-24 | 1966-03-08 | Louis S Hoodwin | Printed circuit process |
US4526807A (en) * | 1984-04-27 | 1985-07-02 | General Electric Company | Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates |
US4668533A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of printed circuit boards |
JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
JPH0852933A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-27 | Agfa Gevaert Nv | インクジェットによる印刷版の製造方法 |
JP2004531875A (ja) * | 2000-12-15 | 2004-10-14 | ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2004253794A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板 |
JP2008522369A (ja) * | 2004-11-24 | 2008-06-26 | ノバセントリックス コーポレイション | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
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