JP2013239699A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013239699A5 JP2013239699A5 JP2013052938A JP2013052938A JP2013239699A5 JP 2013239699 A5 JP2013239699 A5 JP 2013239699A5 JP 2013052938 A JP2013052938 A JP 2013052938A JP 2013052938 A JP2013052938 A JP 2013052938A JP 2013239699 A5 JP2013239699 A5 JP 2013239699A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- light emitting
- emitting element
- electrode
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(oxoalumanyloxy)titanium Chemical compound O=[Al]O[Ti](=O)O[Al]=O CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CFRNXBBHKHHBQM-UHFFFAOYSA-N titanium(4+);silicate Chemical compound [Ti+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] CFRNXBBHKHHBQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
Claims (15)
- 支持基板と、
第1半導体層と発光層と第2半導体層とを有してなり、前記支持基板上に設けられた半導体積層構造体と、
前記第1半導体層と電気的に接続される第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続される第2電極と、
前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆い、前記第1及び第2電極と電気的に分離された遮光部材と、
前記遮光部材で覆われていない前記半導体積層構造体の上面を覆う波長変換部材と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記支持基板と前記半導体積層構造体の間に、前記第1電極と前記第2電極とを有する請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記波長変換部材は、さらに前記遮光部材の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層構造体の側面は傾斜が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆う前記遮光部材は、同一材料であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極と前記第2電極とが、絶縁膜を介して重なっている請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記第2電極は、前記支持基板上において前記半導体積層構造体外部に延在するように形成されており、その外部に延在した第2電極上にパッド電極が形成された請求項1乃至6のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子が矩形状であって、前記パッド電極が前記半導体発光素子の角部以外の領域に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子。
- 前記遮光部材は、金属を含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記遮光部材は、Ni、Ti、Rh、Al、Ag、Ptからなる群から選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子。
- 前記遮光部材は、反射性物質を含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記反射性物質は、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化シリコンからなる群から選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層構造体の上面は、粗面又は凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記遮光部材で被覆された前記半導体積層構造体の上面は、平坦面であることを特徴とする請求項13に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層構造体の上面の一部は、保護膜を介して前記遮光部材で覆われていることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052938A JP6135213B2 (ja) | 2012-04-18 | 2013-03-15 | 半導体発光素子 |
US13/851,727 US10381524B2 (en) | 2012-04-18 | 2013-03-27 | Semiconductor light emitting element including protective film and light shielding member |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012094699 | 2012-04-18 | ||
JP2012094699 | 2012-04-18 | ||
JP2013052938A JP6135213B2 (ja) | 2012-04-18 | 2013-03-15 | 半導体発光素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013239699A JP2013239699A (ja) | 2013-11-28 |
JP2013239699A5 true JP2013239699A5 (ja) | 2016-04-28 |
JP6135213B2 JP6135213B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=49379284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013052938A Active JP6135213B2 (ja) | 2012-04-18 | 2013-03-15 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10381524B2 (ja) |
JP (1) | JP6135213B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10797188B2 (en) * | 2014-05-24 | 2020-10-06 | Hiphoton Co., Ltd | Optical semiconductor structure for emitting light through aperture |
KR102181398B1 (ko) * | 2014-06-11 | 2020-11-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
JP6299540B2 (ja) | 2014-09-16 | 2018-03-28 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US10069041B2 (en) * | 2016-08-05 | 2018-09-04 | Innolux Corporation | Display apparatus and manufacturing method thereof |
KR102594815B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2023-10-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP6826761B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10741523B2 (en) * | 2018-10-11 | 2020-08-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
US11271141B2 (en) * | 2018-11-26 | 2022-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting device with wavelenght conversion layer having quantum dots |
JP7174247B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP7518374B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-07-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318731A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-11-15 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
JPH11145519A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-05-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置 |
JP2002280601A (ja) | 2000-06-08 | 2002-09-27 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
US6952025B2 (en) | 2000-06-08 | 2005-10-04 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting device |
EP1603170B1 (en) * | 2003-03-10 | 2018-08-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a solid-state optical element device |
JP2004363380A (ja) | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP4667803B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7679097B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-03-16 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
DE102007022947B4 (de) | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
TWI344709B (en) * | 2007-06-14 | 2011-07-01 | Epistar Corp | Light emitting device |
CN101578714B (zh) | 2007-08-03 | 2011-02-09 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置 |
JP5470689B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
EP2348551A2 (en) * | 2008-10-01 | 2011-07-27 | Samsung LED Co., Ltd. | Light-emitting diode package using a liquid crystal polymer |
JP5226449B2 (ja) | 2008-10-03 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US8008683B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
DE102009033686A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optoelektronischen Halbleiterbauteils |
JP2011040425A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US8471288B2 (en) | 2009-09-15 | 2013-06-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device including an auxiliary electrode in contact with a back surface of an n-type layer |
JP5304563B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-10-02 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
WO2011033516A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Viagan Ltd. | Wafer level packaging of electronic devices |
TWI403003B (zh) * | 2009-10-02 | 2013-07-21 | Chi Mei Lighting Tech Corp | 發光二極體及其製造方法 |
KR100974787B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101020963B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101114191B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR101752663B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2017-06-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 제조방법 |
DE102011016302A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP4989773B1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US8497146B2 (en) * | 2011-08-25 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods |
JP6555907B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2019-08-07 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013052938A patent/JP6135213B2/ja active Active
- 2013-03-27 US US13/851,727 patent/US10381524B2/en active Active