JP2013239699A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 支持基板と、
   第１半導体層と発光層と第２半導体層とを有してなり、前記支持基板上に設けられた半導体積層構造体と、
   前記第１半導体層と電気的に接続される第１電極と、
   前記第２半導体層と電気的に接続される第２電極と、
   前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆い、前記第１及び第２電極と電気的に分離された遮光部材と、
   前記遮光部材で覆われていない前記半導体積層構造体の上面を覆う波長変換部材と、
   を有することを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記支持基板と前記半導体積層構造体の間に、前記第１電極と前記第２電極とを有する請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記波長変換部材は、さらに前記遮光部材の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
4. 前記半導体積層構造体の側面は傾斜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
5. 前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆う前記遮光部材は、同一材料であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
6. 前記第１電極と前記第２電極とが、絶縁膜を介して重なっている請求項２に記載の半導体発光素子。
7. 前記第２電極は、前記支持基板上において前記半導体積層構造体外部に延在するように形成されており、その外部に延在した第２電極上にパッド電極が形成された請求項１乃至６のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
8. 前記半導体発光素子が矩形状であって、前記パッド電極が前記半導体発光素子の角部以外の領域に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
9. 前記遮光部材は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
10. 前記遮光部材は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔからなる群から選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
11. 前記遮光部材は、反射性物質を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
12. 前記反射性物質は、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化シリコンからなる群から選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光素子。
13. 前記半導体積層構造体の上面は、粗面又は凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
14. 前記遮光部材で被覆された前記半導体積層構造体の上面は、平坦面であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子。
15. 前記半導体積層構造体の上面の一部は、保護膜を介して前記遮光部材で覆われていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の半導体発光素子。