TWI403003B - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents

Description

發光二極體及其製造方法

本發明是有關於一種發光元件，且特別是有關於一種發光二極體(LED)及其製造方法。

目前，發光二極體的封裝製程主要係將發光二極體晶片固定在可提供保護之封裝支架上，再覆蓋一層封膠來保護發光二極體晶片。封裝支架除了提供發光二極體晶片良好的保護外，也需要將外部電路的電源供應給發光二極體晶片，以供發光二極體晶片操作之用。

然而，為了達到上述之封裝目的，通常會使得封裝結構的體積大幅增加，也會增加製作成本。因此，亟需一種可縮減發光二極體之體積與降低製作成本的技術，以降低元件成本，並可符合元件之輕薄短小趨勢。

因此，本發明之一態樣就是在提供一種發光二極體及其製造方法，其成長基板可取代封裝支架，故可縮減發光二極體之封裝結構的體積，並可降低製作成本。

本發明之另一態樣是在提供一種發光二極體及其製造方法，其可將水平電極式之發光二極體的二電極的傳導位置調整至封裝結構之同一側，因此可省略打線接合步驟，並可直接將發光二極體設置於電路板。故，可增加發光二極體元件之出光面積，更可避免掉傳統設計中打線接合良率不佳的問題。

本發明之又一態樣是在提供一種發光二極體及其製造方法，其可利用基板置換技術，來提升發光二極體之散熱效率，因此可提升發光二極體之壽命與光電特性穩定度。

根據本發明之上述目的，提出一種發光二極體。此發光二極體包含接合基板、第一電性電極、接合層、磊晶結構、第二電性電極、成長基板以及封膠層。其中，第一電性與第二電性為不同電性。接合基板包含相對之第一表面與第二表面。第一電性電極設於接合基板之第二表面上。接合層設於接合基板之第一表面上。磊晶結構包含依序堆疊在接合層上之第一電性半導體層、主動層與第二電性半導體層，其中磊晶結構之外圍環設有一溝槽，此溝槽自第二電性半導體層延伸至第一電性半導體層。第二電性電極與第二電性半導體層電性接合。成長基板設於磊晶結構上，其中成長基板具有一凹槽暴露出部分之磊晶結構與溝槽。封膠層填設於凹槽中。

依據本發明之一實施例，上述之第二電性電極位於第二電性半導體層上，且凹槽暴露出第二電性電極。

依據本發明之另一實施例，上述之發光二極體更包含一接觸孔，其中接觸孔自第一電性電極延伸至第二電性半導體層，且接觸孔暴露出第二電性半導體層之一部分。

根據本發明之上述目的，另提出一種發光二極體之製造方法，包含下列步驟。提供成長基板。形成磊晶結構於成長基板上，其中此磊晶結構包含依序堆疊在成長基板上之第二電性半導體層、主動層與第一電性半導體層。第一電性半導體層與第二電性半導體層之電性不同。利用接合層來接合第一電性半導體層與接合基板之第一表面，其中接合基板更包含第二表面相對於第一表面。形成一凹槽於成長基板中，其中凹槽暴露出部分之磊晶結構。形成一溝槽於磊晶結構中，其中溝槽環設於磊晶結構之外圍，且自第二電性半導體層延伸至第一電性半導體層。形成第二電性電極與第二電性半導體層電性接合。形成第一電性電極於接合基板之第二表面上。形成封膠層填入凹槽中。

依據本發明之一實施例，上述形成第二電性電極之步驟更包含使第二電性電極位於第二電性半導體層之暴露部分上。

依據本發明之另一實施例，上述方法於形成第二電性電極之步驟前，更包含形成一接觸孔自第一電性電極延伸至第二電性半導體層中，其中接觸孔暴露出第二電性半導體層之一部分。此外，上述之第二電性電極係形成於第二電性半導體層之暴露部分上。

根據上述實施例，應用本揭示可縮減發光二極體之封裝結構的體積、降低製作成本，增加發光二極體元件之出光面積、提升製程良率、以及增進發光二極體之壽命與光電特性穩定度。

請參照第1A圖至第1F圖，其係繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。在本實施方式中，製作發光二極體時，先提供成長基板100。成長基板100具有相對之表面102與104。成長基板100之材料可例如包含氧化鋁(Al₂ O₃ )、碳化矽(SiC)或砷化鎵(GaAs)。

接著，利用例如磊晶成長方式，於成長基板100之表面102上形成磊晶結構116。在一實施例中，磊晶結構116可包含依序堆疊在成長基板100之表面102上的第二電性半導體層110、主動層112與第一電性半導體層114。其中，第一電性半導體層114與第二電性半導體層110具有不同之電性。例如，第一電性半導體層114與第二電性半導體層110之其中一者為n型，另一者則為p型。在第1A圖所示之實施例中，磊晶結構116更進一步包含緩衝層106與未摻雜半導體層108。其中，緩衝層106先形成於成長基板100之表面102上，未摻雜半導體層108再成長於緩衝層106，接著才依序成長第二電性半導體層110、主動層112與第一電性半導體層114。磊晶結構116之材料可包含氮化銦鋁鎵(InAlGaN)系列材料或磷化銦鋁鎵(InAlGaP)系列材料。

在一實施例中，可選擇性地形成第一電性接觸層118覆蓋在第一電性半導體層114上，以提升元件之電性品質。第一電性接觸層118可與第一電性半導體層114形成歐姆接觸。第一電性接觸層118可為單層結構或多層結構，例如可為鎳/金結構、鎳/銀結構、氧化銦錫層、氧化鋅層、氧化鋅鎵(GZO)層、氧化鋅鋁(AZO)層或氧化銦層。此外，如第1A圖所示，更可依產品需求，而選擇性地形成反射層120覆蓋在第一電性接觸層118上，以提升元件之發光亮度。反射層120可例如包含高反射特性之金屬層或布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector；DBR)。在一實施例中，反射層120之材料可包含鋁、銀或鉑。

接著，如第1B圖所示，可形成接合層122於反射層120上。接合層122之材料可例如為金屬。接下來，先提供接合基板124，其中此接合基板124包含相對之表面126與128。接合基板124之材料可採用高導電與高散熱特性之材料。在一實施例中，接合基板124之材料可包含矽、鋁、銅、鉬、鎳、或銅鎢合金。再利用接合層122來接合反射層120與接合基板124之表面126，以接合磊晶結構116之第一電性半導體層114與接合基板124，如第1C圖所示。在另一實施例中，接合層122亦可先形成於接合基板124之表面126上，再利用接合層122來結合磊晶結構116與接合基板124。

接著，利用例如乾蝕刻或濕蝕刻方式移除部分之成長基板100，以在成長基板100中形成凹槽130，而使成長基板100形成具有側壁134之環狀結構。其中，凹槽130暴露出大部分之磊晶結構116。在一實施例中，成長基板100之高度142可例如介於0.5微米至400微米之間，側壁134之厚度144可例如介於1微米至200微米之間。此外，側壁134與磊晶結構116之間的夾角θ可例如介於90度與180度之間，以利將光朝元件之外側反射。凹槽130之正視圖的形狀可例如為矩形、圓形、橢圓形、正方形或菱形。

然後，利用蝕刻方式來移除部分之磊晶結構116，以在磊晶結構116中形成溝槽132。其中，溝槽132環設於磊晶結構116之外圍。此外，如第1D圖所示，溝槽132自緩衝層106並經由第二電性半導體層110而延伸至第一電性半導體層114。溝槽132包含側面138與140、以及底面136，其中側面138與側壁134之內側接合。

接著，如第1E圖所示，形成第二電性電極146於凹槽130所暴露出之磊晶結構116上，並使第二電性電極146直接或間接地與第二電性半導體層110接合。而且，形成第一電性電極152覆蓋在接合基板124之表面128上。在一實施例中，第一電性電極152可例如包含共晶金屬(eutectic metal)或非共晶金屬。共晶金屬可包含金錫、銀錫、銀錫銅、金錫銅或金鈹。而非共晶金屬可包含金、鉑、鉻、鈦、鎳或鋁。

接下來，可選擇性地形成保護層148覆蓋在部分之第二電性電極146、磊晶結構116之暴露部分、以及溝槽132之側面140與底面136上，以避免元件操作時產生短路。保護層148之材料可例如包含二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃、二氧化鈦或氧化鋁。接下來，形成反射層150覆蓋在側壁134與溝槽132之側面138上，以利將元件所發出之光朝外反射。反射層150可例如包含高反射特性之金屬層或布拉格反射鏡。在一實施例中，金屬層150之材料可包含鋁、銀或鉑。

接著，如第1F圖所示，可選擇性地形成光學材料層154，例如光譜轉換材料層或光散射材料層，覆蓋在凹槽130中磊晶結構116之暴露部分之上。光學材料層154係光譜轉換材料層時，例如螢光粉層，光學材料層154可改變元件之發光光譜的頻寬。另外，光學材料層154係光散射材料層時，其可提升元件之光取出效率。然後，形成封膠層156填入凹槽130中，以保護磊晶結構116，而完成發光二極體158的製作。

請參照第2A圖至第2F圖，其係繪示依照本發明之另一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。在本實施方式中，先形成如第1B圖所示之結構。再利用例如微影蝕刻方式進行定義，以移除部分之接合層122、部分之反射層120、部分之第一電性接觸層118、部分之第一電性半導體層114、部分之主動層112與部分之第二電性半導體層110，而形成第一接觸孔160自接合層122經第一電性半導體層而延伸至第二電性半導體層110如第2A圖所示。第一接觸孔160暴露出部分之第二電性半導體層110。

接下來，形成第二電性電極146於第二電性半導體層110之暴露部分上。如第2B圖所示，再形成隔離層164填充第一接觸孔160，以在後續製程中保護第二電性電極146。

接著，提供接合基板124。再利用接合層122來接合磊晶結構116上之反射層120與接合基板124之表面126。接下來，可依產品需求，而選擇性地移除部分之接合基板124，以縮減接合基板124之厚度。然後，如第2C圖所示。形成第一電性電極152於接合基板124之表面128上。

接下來，利用例如微影與蝕刻方式，對第一電性電極152與接合基板124進行定義，以在第一電性電極152與接合基板124中形成第二接觸孔166。再移除隔離層164，以打開第一接觸孔160。第二接觸孔166與第一接觸孔160接合而構成接觸孔168。因此，接觸孔168自第一電性電極152延伸至第二電性半導體層110中，且接觸孔168暴露出第二電性半導體層110之一部分。接觸孔168包含底面170與側面172。在一實施例中，接觸孔168之孔徑可例如≧1微米且≦100微米。此外，接觸孔168之深度可例如介於10微米與400微米之間。

在另一實施例中，可先在接合基板124之表面126中形成第二接觸孔166的一部分，待薄化接合基板124後，即可將第二接觸孔166的此一部分開啟。因此，無需再對接合基板124進行蝕刻。

接著，形成第二電性電極146於第二電性半導體層110之暴露部分上。第二電性電極146僅位於接觸孔168之底面170的一部分上。然後，如第2D圖所示，形成絕緣層174覆蓋在第二電性電極146之一部分、以及接觸孔168暴露出之底面170與側面172上，以電性隔離後續形成之第二電性金屬電極層162(請參照第2F圖)與接觸孔168之側面172。絕緣層174可進一步延伸於接觸孔168之開口附近的第一電性電極152上。

接著，利用例如乾蝕刻或濕蝕刻方式移除部分之成長基板100，以在成長基板100中形成凹槽130，而使成長基板100形成具有側壁134之環狀結構。凹槽130暴露出大部分之磊晶結構116。如第2E圖所示，再利用蝕刻方式來移除部分之磊晶結構116，以在磊晶結構116中形成溝槽132。溝槽132環設於磊晶結構116之外圍，且溝槽132自緩衝層106並經由第二電性半導體層110而延伸至第一電性半導體層114。溝槽132之側面138與側壁134之內側接合。

在本實施方式中，凹槽130與接觸孔168之製作順序可依製程需求而改變，亦即可先製作凹槽130再製作接觸孔168。

接著，可形成第二電性金屬電極層162填滿接觸孔168。第二電性金屬電極層162與第二電性電極146接觸而呈電性連接。此外，可選擇性地形成保護層148覆蓋在磊晶結構116之暴露部分、以及溝槽132之側面140與底面136上，以避免元件操作時產生短路。接下來，形成反射層150覆蓋在側壁134與溝槽132之側面138上，以利將元件所發出之光朝外反射。

接著，可選擇性地形成光學材料層154，例如光譜轉換材料層或光散射材料層，覆蓋在凹槽130中磊晶結構116之暴露部分之上。然後，如第2F圖所示，形成封膠層156填入凹槽130中，以保護磊晶結構116，而完成發光二極體176的製作。

請參照第3A圖與第3B圖，其係繪示依照本發明之又一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。在本實施方式中，先形成如第2D圖所示之結構。再利用例如蝕刻方式，移除部分之成長基板100，以在成長基板100中形成凹槽130。在形成凹槽130的同時，可藉由控制蝕刻製程參數，使成長基板100成為包含光學結構178與側壁134之環狀結構。光學結構178可位於磊晶結構116之中央區域上。光學結構178之側視形狀可例如為矩形、圓錐、角錐或半橢球形等。在另一實施例中，光學結構178之側視形狀可為多循環結構，例如凸狀循環結構、波浪狀結構、三角狀循環結構等。其中，光學結構178可為規則排列之結構或不規則排列之結構，例如為菲涅耳透鏡(Fresnel Lens)、光柵或光子晶體等。光學結構178之高度可例如介於0.5微米與400微米之間。

如第3A圖所示，再利用蝕刻方式來移除部分之磊晶結構116，以在磊晶結構116中形成溝槽132。溝槽132環設於磊晶結構116之外圍，且溝槽132自緩衝層106並經由第二電性半導體層110而延伸至第一電性半導體層114。溝槽132之側面138與側壁134之內側接合。

接著，可形成第二電性金屬電極層162填滿接觸孔168。第二電性金屬電極層162與第二電性電極146接觸而呈電性連接。此外，可選擇性地形成保護層148覆蓋在溝槽132之側面140與底面136上，以避免元件操作時產生短路。接下來，形成反射層150覆蓋在側壁134與溝槽132之側面138上，以利將元件所發出之光朝外反射。

接著，可選擇性地形成光學材料層154，例如光譜轉換材料層或光散射材料層，覆蓋在光學結構178上。然後，如第3B圖所示，形成封膠層156填入凹槽130中，以保護磊晶結構116，而完成發光二極體180的製作。

由上述可知，本發明之實施方式之一優點就是因為可利用成長基板取代封裝支架，因此可縮減發光二極體之封裝結構的體積，並可降低製作成本。

由上述可知，本發明之實施方式之另一優點為其可將水平電極式之發光二極體的二電極的傳導位置調整至封裝結構之同一側，因此可省略打線接合步驟，並可直接將發光二極體設置於電路板。故，可增加發光二極體元件之出光面積，更可避免掉傳統設計中打線接合良率不佳的問題。

由上述可知，本發明之實施方式之又一優點為其可利用基板置換技術，來提升發光二極體之散熱效率，因此可提升發光二極體之壽命與光電特性穩定度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．成長基板

102．．．表面

104．．．表面

106．．．緩衝層

108．．．未摻雜半導體層

110．．．第二電性半導體層

112．．．主動層

114．．．第一電性半導體層

116．．．磊晶結構

118．．．第一電性接觸層

120．．．反射層

122．．．接合層

124．．．接合基板

126．．．表面

128．．．表面

130．．．凹槽

132．．．溝槽

134．．．側壁

136．．．底面

138．．．側面

140．．．側面

142．．．高度

144．．．厚度

146．．．第二電性電極

148．．．保護層

150．．．反射層

152．．．第一電性電極

154．．．光學材料層

156．．．封膠層

158．．．發光二極體

160．．．第一接觸孔

162．．．第二電性金屬電極層

164．．．隔離層

166．．．第二接觸孔

168．．．接觸孔

170．．．底面

172．．．側面

174．．．絕緣層

176．．．發光二極體

178．．．光學結構

180．．．發光二極體

θ．．．夾角

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1A圖至第1F圖係繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。

第2A圖至第2F圖係繪示依照本發明之另一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。

第3A圖與第3B圖係繪示依照本發明之又一實施方式的一種發光二極體之製程剖面圖。

100．．．成長基板

106．．．緩衝層

108．．．未摻雜半導體層

110．．．第二電性半導體層

112．．．主動層

114．．．第一電性半導體層

116．．．磊晶結構

118．．．第一電性接觸層

120．．．反射層

122．．．接合層

124．．．接合基板

126．．．表面

128．．．表面

130．．．凹槽

132．．．溝槽

134．．．側壁

146．．．第二電性電極

148．．．保護層

150．．．反射層

152．．．第一電性電極

154．．．光學材料層

156．．．封膠層

158．．．發光二極體

Claims (58)

1. 一種發光二極體，包含：一接合基板，包含相對之一第一表面與一第二表面；一第一電性電極，設於該接合基板之該第二表面上；一接合層，設於該接合基板之該第一表面上；一磊晶結構，包含依序堆疊在該接合層上之一第一電性半導體層、一主動層與一第二電性半導體層，該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之電性不同，其中該磊晶結構中環設有一溝槽，該溝槽自該第二電性半導體層延伸至該第一電性半導體層；一第二電性電極，與該第二電性半導體層電性接合；一成長基板，設於該磊晶結構上，其中該成長基板具有一凹槽暴露出部分之該磊晶結構與該溝槽；以及一封膠層，填設於該凹槽中。
2. 如請求項1所述之發光二極體，其中該接合基板之材料包含矽、鋁、銅、鉬、鎳、或銅鎢合金。
3. 如請求項1所述之發光二極體，其中該第一電性電極包含一共晶金屬或一非共晶金屬，該共晶金屬包含金錫、銀錫、銀錫銅、金錫銅或金鈹，該非共晶金屬包含金、鉑、鉻、鈦、鎳或鋁。
4. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一第一電性 接觸層介於該接合層與該第一電性半導體層之間。
5. 如請求項4所述之發光二極體，其中該第一電性接觸層包含一鎳/金結構、一鎳/銀結構、一氧化銦錫層、一氧化鋅層、一氧化鋅鎵(GZO)層、一氧化鋅鋁(AZO)層或一氧化銦層。
6. 如請求項4所述之發光二極體，更包含一反射層介於該第一電性接觸層與該第一電性半導體層之間。
7. 如請求項6所述之發光二極體，其中該反射層包含一金屬層或一布拉格反射鏡(DBR)，該金屬層之材料包含鋁、銀或鉑。
8. 如請求項1所述之發光二極體，其中該磊晶結構之材料包含氮化銦鋁鎵(InAlGaN)系列材料或磷化銦鋁鎵(InAlGaP)系列材料。
9. 如請求項1所述之發光二極體，其中該磊晶結構更包含：一未摻雜半導體層，位於該第二電性半導體層上；以及一緩衝層，位於該成長基板與該未摻雜半導體層之間。
10. 如請求項1所述之發光二極體，其中該第二電性電極位於該第二電性半導體層上，且該凹槽暴露出該第二電性電極。
11. 如請求項10所述之發光二極體，更包含一保護層，其中該保護層覆蓋在部分之該第二電性電極、該磊晶結構之該暴露部分上、以及該溝槽之另一側面與一底面上。
12. 如請求項11所述之發光二極體，其中該保護層之材料包含二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃(SOG)、二氧化鈦或氧化鋁。
13. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一接觸孔，其中該接觸孔自該第一電性電極延伸至該第二電性半導體層，且該接觸孔暴露出該第二電性半導體層之一部分。
14. 如請求項13所述之發光二極體，其中該第二電性電極位於該第二電性半導體層之該部分上。
15. 如請求項14所述之發光二極體，更包含：一絕緣層，覆蓋在部分之該第二電性電極、以及該接觸孔之一底面與一側面上；以及一第二電性金屬電極層，填滿該接觸孔。
16. 如請求項15所述之發光二極體，更包含一保護層，其中該保護層覆蓋在該磊晶結構之該暴露部分、以及該溝槽之另一側面與一底面上。
17. 如請求項16所述之發光二極體，其中該保護層之材料包含二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃、二氧化鈦或氧化鋁。
18. 如請求項16所述之發光二極體，更包含一光學結構位於該磊晶結構之該部分上。
19. 如請求項18所述之發光二極體，其中該光學結構為該成長基板之一部分。
20. 如請求項13所述之發光二極體，其中該接觸孔之孔徑≧1微米且≦100微米。
21. 如請求項13所述之發光二極體，其中該接觸孔之深度介於10微米與400微米之間。
22. 如請求項1所述之發光二極體，其中該成長基板之材料包含氧化鋁、碳化矽或砷化鎵。
23. 如請求項1所述之發光二極體，其中該成長基板 之高度介於0.5微米至400微米之間。
24. 如請求項1所述之發光二極體，其中該成長基板之該側壁的厚度介於1微米至200微米之間。
25. 如請求項1所述之發光二極體，其中該側壁與該磊晶結構之間具有一夾角，且該夾角介於90度與180度之間。
26. 如請求項1所述之發光二極體，其中該成長基板包含一側壁，且該發光二極體更包含一反射層延伸在該側壁與該溝槽之一側面上。
27. 如請求項26所述之發光二極體，其中該反射層包含一金屬層或一布拉格反射鏡，該金屬層之材料包含鋁、銀或鉑。
28. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一光譜轉換材料層或一光散射材料層覆蓋在該磊晶結構之該暴露部分上。
29. 一種發光二極體之製造方法，包含：提供一成長基板；形成一磊晶結構於該成長基板上，其中該磊晶結構包 含依序堆疊在該成長基板上之一第二電性半導體層、一主動層與一第一電性半導體層，該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之電性不同；利用一接合層來接合該第一電性半導體層與一接合基板之一第一表面，其中該接合基板更包含一第二表面相對於該第一表面；形成一凹槽於該成長基板中，其中該凹槽暴露出部分之該磊晶結構；形成一溝槽於該磊晶結構中，其中該溝槽環設於該磊晶結構中，且自該第二電性半導體層延伸至該第一電性半導體層；形成一第二電性電極與該第二電性半導體層電性接合；形成一第一電性電極於該接合基板之該第二表面上；以及形成一封膠層填入該凹槽中。
30. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該成長基板之材料包含氧化鋁、碳化矽或砷化鎵。
31. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該成長基板之高度介於0.5微米至400微米之間。
32. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中 形成該凹槽之步驟更包含使該成長基板包含一側壁。
33. 如請求項32所述之發光二極體之製造方法，其中該成長基板之該側壁的厚度介於1微米至200微米之間。
34. 如請求項32所述之發光二極體之製造方法，於形成該第一電性電極之步驟與形成該封膠層之步驟之間，更包含形成一反射層覆蓋在該側壁與該溝槽之一側面上。
35. 如請求項34所述之發光二極體之製造方法，其中該反射層包含一金屬層或一布拉格反射鏡，該金屬層之材料包含鋁、銀或鉑。
36. 如請求項34所述之發光二極體之製造方法，於形成該反射層之步驟與形成該封膠層之步驟之間，更包含形成一光譜轉換材料層或一光散射材料層覆蓋在該磊晶結構之該暴露部分上。
37. 如請求項32所述之發光二極體之製造方法，其中該側壁與該磊晶結構之間具有一夾角，且該夾角介於90度與180度之間。
38. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該磊晶結構之材料包含氮化銦鋁鎵系列材料或磷化銦鋁鎵 系列材料。
39. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該磊晶結構更包含：一未摻雜半導體層，位於該第二電性半導體層上；以及一緩衝層，位於該成長基板與該未摻雜半導體層之間。
40. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，於形成該磊晶結構之步驟和接合該第一電性半導體層與該接合基板之步驟之間，更包含形成一第一電性接觸層於該第一電性半導體層上。
41. 如請求項40所述之發光二極體之製造方法，其中該第一電性接觸層包含一鎳/金結構、一鎳/銀結構、一氧化銦錫層、一氧化鋅層、一氧化鋅鎵層、一氧化鋅鋁層或一氧化銦層。
42. 如請求項40所述之發光二極體之製造方法，於形成該第一電性接觸層之步驟和接合該第一電性半導體層與該接合基板之步驟之間，更包含形成一反射層於該第一電性接觸層上。
43. 如請求項42所述之發光二極體之製造方法，其中 該反射層包含一金屬層或一布拉格反射鏡，該金屬層之材料包含鋁、銀或鉑。
44. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該接合基板之材料包含矽、鋁、銅、鉬、鎳、或銅鎢合金。
45. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中形成該第二電性電極之步驟更包含使該第二電性電極位於該第二電性半導體層之該暴露部分上。
46. 如請求項45所述之發光二極體之製造方法，於形成該封膠層之步驟前，更包含形成一保護層覆蓋在部分之該第二電性電極、該磊晶結構之該暴露部分、以及該溝槽之一側面與一底面上。
47. 如請求項46所述之發光二極體之製造方法，其中該保護層之材料包含二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃、二氧化鈦或氧化鋁。
48. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，其中該第一電性電極包含一共晶金屬或一非共晶金屬，該共晶金屬包含金錫、銀錫、銀錫銅、金錫銅或金鈹，該非共晶金屬包含金、鉑、鉻、鈦、鎳或鋁。
49. 如請求項29所述之發光二極體之製造方法，於形成該第二電性電極之步驟前，更包含形成一接觸孔自該第一電性電極延伸至該第二電性半導體層中，其中該接觸孔暴露出該第二電性半導體層之一部分。
50. 如請求項49所述之發光二極體之製造方法，其中該第二電性電極係形成於該第二電性半導體層之該部分上。
51. 如請求項50所述之發光二極體之製造方法，於接合該第一電性半導體層與該接合基板之步驟以及形成該第二電性電極之步驟前，更包含形成一第一接觸孔自該第一電性半導體層延伸至該第二電性半導體層，其中該第一接觸孔暴露出該第二電性半導體層之該部分。
52. 如請求項51所述之發光二極體之製造方法，其中在該第一接觸孔形成後，該第二電性電極形成於該第二電性半導體層之該部分上，且該發光二極體之製造方法更包含形成一隔離層填充於該第一接觸孔中。
53. 如請求項52所述之發光二極體之製造方法，於形成該第一電性電極之步驟後，更包含：形成一第二接觸孔於該第一電性電極與該接合基板中，其中該第二接觸孔與該第一接觸孔接合而構成該接觸孔； 移除該隔離層；形成一絕緣層覆蓋在部分之該第二電性電極、以及該接觸孔之一底面與一側面上；以及形成一第二電性金屬電極層填滿該接觸孔。
54. 如請求項53所述之發光二極體之製造方法，於形成該封膠層之步驟前，更包含形成一保護層覆蓋在該磊晶結構之該暴露部分、以及該溝槽之一側面與一底面上。
55. 如請求項54所述之發光二極體之製造方法，其中該保護層之材料包含二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃、二氧化鈦或氧化鋁。
56. 如請求項54所述之發光二極體之製造方法，其中形成該凹槽於該成長基板之步驟更包含形成一光學結構於該磊晶結構之該暴露部分上。
57. 如請求項49所述之發光二極體之製造方法，其中該接觸孔之孔徑≧1微米且≦100微米。
58. 如請求項49所述之發光二極體之製造方法，其中該接觸孔之深度介於10微米與400微米之間。