JP6826761B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1Aに示したように、基板1の上に、金属層10を形成する(第2準備工程)。金属層10は、第1金属及び第2金属を含む合金により構成されている。金属層10に含まれる合金の少なくとも一部は、固溶体や共晶では無く、第1金属からなる部分と、第2金属からなる部分と、を有する。
比較例に係る製造方法として、以下のものが挙げられる。まず、第1金属部11を形成せずに、金属層10上に第1接合層13を形成する。また、第2接合層23が設けられていない構造体20の第1面20Sに、凹部を埋め込むための厚い金属膜を形成する。次に、この金属膜の表面を研磨により平坦化する。続いて、平坦化された金属膜の表面に第2接合層23を形成する。その後、第1接合層13と第2接合層23を接合させることで、金属層10と構造体20を接合させる。
このとき、第1金属部11は多孔質状であるため、接合時に第1面20Sの形状に応じて容易に変形する。そのため、接合において、凹部20rの少なくとも一部が第1金属部11で埋め込まれるとともに、第1金属部11の別の一部における複数の孔10aの平均径が、第1金属部11の一部における複数の孔10aの平均径よりも小さくなる。
さらに、第1金属部11が第1面20Sとの接触時に容易に変形するため、接合時に基板1及び基板2に加える荷重を低減することができる。このため、接合時に基板1や基板2、構造体20などが損傷することを抑制でき、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、一方の部材の表面に凹部が設けられた2つの部材を接合する方法に、広く適用できる。ここでは、その一例として、半導体発光装置の製造方法に、実施形態に係る製造方法を適用した場合を説明する。
実施形態に係る製造方法を用いて半導体発光装置を製造する場合の、構造体20の構造を図2Aに示す。
半導体積層体21は、窒化物半導体層を含む。p側電極22a及び配線層22cは、チタンやニッケルなどの金属材料を含む。絶縁層22b及び絶縁層22eは、酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
図4は、図3のIV−IV断面図である。
第1金属部11は、複数の孔10aを有する。また、第1金属部11の一部は、上下方向において第1面20Sの凹部20rと重なる。第1金属部11の別の一部は、上下方向において、第1面20Sの凹部20rが設けられている面以外の面と重なる。そして、第1金属部11の別の一部における孔10aの平均径は、第1金属部11の一部における孔10aの平均径よりも小さい。また、第1金属部11の別の一部における孔10aの密度は、第1金属部11の一部における孔10aの密度よりも小さい。
Claims (13)
- 第1金属及び第2金属を含む金属層を基板の上に形成する準備工程と、
前記金属層の少なくとも一部における前記第2金属を除去することで、前記第1金属からなり、複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を前記基板の上に形成する形成工程と、
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する別の準備工程と、
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、
前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。 - 前記形成工程において、前記第1金属部の厚みが、前記金属層の前記第1金属部以外の第2金属部の厚みよりも大きくなるよう、前記第1金属部を形成する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接合工程において、前記第2金属部を溶融させることで、前記第1金属部の孔の少なくとも一部に、前記第2金属部を充填させる請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記準備工程において形成される前記金属層の厚みは、前記凹部の深さよりも大きい請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1金属は、金、銀、ニッケル、及びクロムからなる群より選択された少なくとも1つであり、
前記第2金属は、錫である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記形成工程において形成される前記第1金属部の厚みは、前記凹部の深さよりも大きい請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接合工程において、前記凹部の一部を前記第1金属部で埋め込むことで、前記凹部において前記第1面と前記第1金属部とに囲まれた空間を形成する請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記空間における圧力は、大気圧未満である請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体積層体は、n形半導体層と、p形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記p形半導体層及び前記発光層は、平面視において、前記n形半導体層の表面のうち前記凹部が設けられていない領域と重なる表面に設けられた請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記構造体には、前記n形半導体層と電気的に接続された導電層が前記第1面に沿って設けられ、
前記接合工程において、前記第1金属部と前記導電層とを接合する請求項9記載の半導体装置の製造方法。 - 前記凹部は、互いに離れて行列状に設けられた請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を基板の上に形成する形成工程と、
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する第1準備工程と、
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、
前記形成工程において形成される前記第1金属部の厚みは、前記凹部の深さよりも大きく、
前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。 - 複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を基板の上に形成する形成工程と、
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する第1準備工程と、
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、
前記接合工程において、前記凹部の一部を前記第1金属部で埋め込むことで、前記凹部において前記第1面と前記第1金属部とに囲まれた空間を形成するとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。
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