JP2013197382A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、上面と下面と側面とを有する金属板と、電極端子が形成された上面と下面と側面とを有し、前記金属板の上面に接合された半導体チップと、前記金属板の下面に接して前記金属板の下面を被覆する第１絶縁層と、前記金属板の上面及び側面に接して前記金属板の上面及び側面を被覆し、前記半導体チップの上面及び側面に接して前記半導体チップの上面及び側面を被覆し、前記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有し、前記第２絶縁層上に積層された配線構造と、を有し、前記半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合され、前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、前記金属板は、平板であり、外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に形成されている。

Claims (12)

1. 上面と下面と側面とを有する金属板と、
   電極端子が形成された上面と下面と側面とを有し、前記金属板の上面に接合された半導体チップと、
   前記金属板の下面に接して前記金属板の下面を被覆する第１絶縁層と、
   前記金属板の上面及び側面に接して前記金属板の上面及び側面を被覆し、前記半導体チップの上面及び側面に接して前記半導体チップの上面及び側面を被覆し、前記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、
   前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有し、前記第２絶縁層上に積層された配線構造と、を有し、
   前記半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合され、
   前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、
   前記金属板は、平板であり、外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
2. 前記第１絶縁層の下面は、当該半導体パッケージの最表面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
3. 前記層間絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記層間絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
4. 上面と下面とを有する導電層を有し、
   前記導電層の上面は、前記金属板の上面と同一平面上に形成され、
   前記導電層の下面は、前記金属板の下面と面一に形成され、
   前記導電層の下面の少なくとも一部は、他の半導体パッケージと接続されるパッドとして前記第１絶縁層から露出され、
   前記導電層と前記金属板とが同一平面上に形成され、前記導電層と前記金属板とが互いに分離されて形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
5. 前記第２絶縁層の厚さ方向の中途位置に導電層が形成され、
   前記導電層の下面の少なくとも一部は、他の半導体パッケージと接続されるパッドとして前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層から露出されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
6. 前記配線構造における前記配線層は、複数の配線層を有し、
   前記配線構造における前記層間絶縁層は、複数の層間絶縁層を有し、
   前記複数の層間絶縁層のうち前記第１絶縁層とは反対側の最外層の層間絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記最外層の層間絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
7. 前記金属板は、当該半導体パッケージの外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に延在して形成され、
   前記金属板の外形寸法は、当該半導体パッケージの外形寸法よりも小さく、且つ、前記半導体チップの外形寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
8. 前記半導体チップを中心とした厚さ方向の物性値の分布が対称な分布となるように設定されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
9. 請求項４又は５に記載の半導体パッケージと、
   前記パッドと電気的に接続された別の半導体パッケージと、を有することを特徴とする半導体装置。
10. 上面と下面と側面とを有する第１絶縁層を支持基板上に形成する工程と、
    外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に、前記第１絶縁層よりも外形寸法の小さい金属板を形成する工程と、
    上面と下面と側面とを有する半導体チップを、該半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合されるように、前記金属板の上面に搭載する工程と、
    前記金属板の上面及び側面を被覆するとともに、前記半導体チップの上面及び側面を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
    前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有する配線構造を前記第２絶縁層上に形成する工程と、
    前記支持基板を除去する工程と、を有し、
    前記金属板は、平板であり、
    前記金属板の厚さは、前記半導体チップよりも薄く形成されていることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
11. 支持基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１絶縁層よりも外形寸法の小さい金属板を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
    前記金属板と該金属板の上面に接合された半導体チップとを被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
    前記半導体チップと電気的に接続される配線層と、前記配線層上に積層される補強材入りの層間絶縁層とを有する配線構造を前記第２絶縁層上に形成する工程と、
    前記支持基板を除去する工程と、を有し、
    前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、
    前記第２絶縁層を形成する工程は、
    前記金属板を被覆する第３絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
    前記金属板の一部が露出するように、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通する開口部を形成する工程と、
    前記開口部から露出する前記金属板の上面に前記半導体チップを接合する工程と、
    前記金属板の上面と、前記第３絶縁層の上面と、前記半導体チップの上面及び側面を被覆するように第４絶縁層を形成する工程と、を有し、
    前記第２絶縁層は、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層とを有し、
    前記半導体チップを接合する工程では、前記第３絶縁層の上面が前記半導体チップの上面よりも高くなることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
12. 前記開口部は、前記金属板側から前記第３絶縁層の上面に向かうに連れて径が大きくなるように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。