JP2013205757A - プロキシミティ露光装置 - Google Patents
プロキシミティ露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013205757A JP2013205757A JP2012077030A JP2012077030A JP2013205757A JP 2013205757 A JP2013205757 A JP 2013205757A JP 2012077030 A JP2012077030 A JP 2012077030A JP 2012077030 A JP2012077030 A JP 2012077030A JP 2013205757 A JP2013205757 A JP 2013205757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- holder
- gap
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】マスクと基板とを所定の間隔を空けて精度よく配置し、且つ、マスクホルダを移動又はチルトさせるアクチュエータの負荷を軽減する。
【解決手段】 プロキシミティ露光装置100は、基板1の上方でマスク2を保持するマスクホルダ20、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルト可能に支持するトップフレーム22、複数のZチルト機構30、複数の空気ばね23、主制御装置50を備えている。Zチルト機構30は、トップフレーム22に支持され、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせる。空気ばね23は、マスクホルダ20とトップフレーム22との間に配置され、内部に充填される空気による圧力の変化に伴って上下方向に伸縮する。主制御装置50は、マスク2と基板1とが所定の間隔を空けて略平行に配置されるように、気体ばね23の圧力とZチルト機構23の駆動とを制御して、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせる。
【選択図】図1
【解決手段】 プロキシミティ露光装置100は、基板1の上方でマスク2を保持するマスクホルダ20、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルト可能に支持するトップフレーム22、複数のZチルト機構30、複数の空気ばね23、主制御装置50を備えている。Zチルト機構30は、トップフレーム22に支持され、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせる。空気ばね23は、マスクホルダ20とトップフレーム22との間に配置され、内部に充填される空気による圧力の変化に伴って上下方向に伸縮する。主制御装置50は、マスク2と基板1とが所定の間隔を空けて略平行に配置されるように、気体ばね23の圧力とZチルト機構23の駆動とを制御して、マスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせる。
【選択図】図1
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置に関する。
この種のプロキシミティ露光装置として、特許文献1に記載のプロキシミティ露光装置が知られている。このプロキシミティ露光装置は、トップフレームと、ホルダフレームと、マスクホルダと、複数の空気圧支持装置と、複数のZチルト機構と、を有している。
露光位置に設置されているトップフレームには、空気圧支持装置を介して、ホルダフレームが取り付けられている。このホルダフレームには、マスクを保持するマスクホルダが取り付けられている。空気圧支持装置は、エアクッションで構成され、内部の空気圧により、マスクホルダ及びホルダフレームの荷重を支えている。
Zチルト機構は、モータと、ボールと、を有し、トップフレームに取り付けられている。Zチルト機構は、モータの回転によって、ホルダフレームの下面に設けられているチルト用腕を押すボールの高さを変更する。これによって、空気圧支持装置により支持されているホルダフレームの高さを変更して、マスクホルダをZ方向(上下方向)へ移動及びチルトさせる。
一般的にプロキシミティ露光装置では、マスクと基板とを所定の間隔を空けて略平行(平行を含む)に配置して露光を行う。特許文献1に記載のプロキシミティ露光装置では、マスクと基板とを所定の間隔を空けて略平行に配置させるために、Zチルト機構のみでホルダフレームを上下方向へ移動及びチルトさせる。このため、マスクと基板とを平行度を均一に配置すること、すなわちマスク全面に亘って略平行に精度よく配置することが難しかった。
また、マスクの大型化に伴ってZチルト機構のモータに大きな負荷がかかっていた。
そこで、本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、マスクと基板とを所定の間隔を空けて精度よく配置することができ、且つ、マスクホルダを移動又はチルトさせるアクチュエータの負荷を軽減することができるプロキシミティ露光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のプロキシミティ露光装置は、マスクと基板との間に所定の間隔を設けて、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置であって、マスクホルダと、支持体と、複数のアクチュエータと、複数の気体ばねと、制御部と、を備える。
マスクホルダは、基板の上方でマスクを保持する。支持体は、マスクホルダを上下方向に移動及びチルト可能に支持する。アクチュエータは、支持体に支持され、マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる。気体ばねは、マスクホルダと支持体との間に配置され、内部に充填される気体による圧力の変化に伴って上下方向に伸縮可能である。制御部は、マスクと基板とが所定の間隔を空けて略平行に配置されるように、各気体ばねの圧力とアクチュエータの駆動とを制御して、マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる。
上記構成のプロキシミティ露光装置では、制御部が、各気体ばねの圧力を制御し、且つ、各アクチュエータの駆動を制御して、マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる
ことによって、マスクと基板とを所定の間隔を空けて略平行に配置する。このため、アクチュエータのみでマスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる場合に比べて、マスクと基板とをマスク全面に亘って略平行に精度よく配置することができる。
ことによって、マスクと基板とを所定の間隔を空けて略平行に配置する。このため、アクチュエータのみでマスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる場合に比べて、マスクと基板とをマスク全面に亘って略平行に精度よく配置することができる。
また、マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせるときのアクチュエータの負荷を軽減することができる。
本発明によれば、マスクと基板とを所定の間隔を空けて精度よく配置することができ、且つ、マスクホルダを移動又はチルトさせるアクチュエータの負荷を軽減することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態によるプロキシミティ露光装置100の概略構成を示す図である。プロキシミティ露光装置100は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック支持台9、チャック10を備えている。また、マスクホルダ20、ホルダフレーム21、トップフレーム(支持体)22、空気ばね23、Zチルト機構(アクチュエータ)30を備えている。また、ギャップセンサー40、主制御装置(制御部)50、Xステージ駆動部61、Yステージ駆動部62、θステージ駆動部63、Zチルト機構駆動部64及び空気圧制御部70を備えている。プロキシミティ露光装置100は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、露光光を照射する照射光学系、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
ベース3は、プロキシミティ露光装置100の下部に設けられている略平板状の部材である。ベース3の上面には、レール状のXガイド4が設けられている。Xガイド4は、基板1がチャック10へ搬入され、また基板1がチャック10から搬出される基板受け/渡し位置Aと、チャック10に搭載された基板1を露光する露光位置Bと、の間におけるチャック10の移動をガイドする。以下の説明において、ベース3の水平面上の一方向をX方向とし、ベース3の水平面上であってX方向に直交する方向をY方向とする。また、X方向及びY方向に直交する方向をZ方向(上下方向)とする。
プロキシミティ露光装置100は、基板1をXY方向へ間歇的に移動させて(ステップ移動させて)、基板1の一面を複数のショットに分けて露光する。
図1において、基板1が搭載されたチャック10は、露光を行う露光位置Bにある。露光位置Bの上方には、トップフレーム22が設置されている。図2に示すように、トップフレーム22は、矩形枠状に形成されている。トップフレーム22は、X方向に沿って延びる一対の短辺部221と、Y方向に添って延びる一対の長辺部222とを有している。長辺部222は、短辺部221よりも長く形成されている。各短辺部221のY方向の外側端部には、下方に延びる支持脚部(図示省略)が形成されている。支持脚部の先端部は、ベース3の側面部に固定されている。したがって、トップフレーム22は、ベース3に支持されている。
なお、以下の説明において、Y方向の一方側に位置する短辺部221を短辺部221aと称し、Y方向の他方側に位置する短辺部221を短辺部221bと称することがある。また、X方向の一方側に位置する長辺部222を長辺部222aと称し、X方向の他方側に位置する長辺部222を長辺部222bと称することがある。
図2に示すように、トップフレーム22には、3つのZチルト機構30a,30b,30c(以下、Zチルト機構30で総称することがある。)が設けられている。Zチルト機構30aは、短辺部221aのX方向における略中央部の内側面に設けられている。Zチルト機構30b,30cは、短辺部221bのX方向における両端部付近の内側面に、それぞれ設けられている。
また、トップフレーム22の短辺部221及び長辺部222には、8つの空気ばね23a,23b,23c,23d,23e,23f,23g,23h(以下、空気ばね23で総称することがある。)をそれぞれ下方から支持する8つの空気ばね支持台27が形成されている。空気ばね支持台27は、平板状の部材である。空気ばね支持台27は、短辺部221のX方向における略中央部に間隔を空けて一対に形成されている。また、長辺部222のY方向における略中央部に間隔を空けて一対に形成されている。また、各空気ばね支持台27は、短辺部221又は長辺部222の内側面の下端部から内側に延びている。
空気ばね23は、図3に示すように、Z方向に延在し上下両端部が封止された筒部231と、筒部231の上下両端部にそれぞれ配設されている略円板状の上取付け部材232及び下取付け部材233と、を備えている。下取付け部材233の下面は、空気ばね支持台27の上面に固定されている。
筒部231は、弾性体材料(例えばゴムなど)で形成され、Z方向の略中央部がくびれている。筒部231の上下両端部はそれぞれ、上取付け部材232、下取付け部材233によって封止され、筒部231の内部には空気室(図示省略)が区画されている。空気室には、チューブ75を介して後述する空気圧制御部70の空気源74から供給される圧縮空気が充填される。空気ばね23は、空気室に充填される圧縮空気による内部の圧力(空気圧)の変化によって上下方向に伸縮する。
図2に示すように、空気ばね23a及び空気ばね23bは、短辺部221aに形成されている空気ばね支持台27に支持されている。空気ばね23aは空気ばね23bよりも基板受け/渡し位置A側に配置されている。空気ばね23c及び空気ばね23dは、長辺部222aに形成されている空気ばね支持台27に支持されている。空気ばね23cは空気ばね23dよりも短辺部221a側に配置されている。空気ばね23e及び空気ばね23fは、短辺部221bに形成されている空気ばね支持台27に支持されている。空気ばね23fは空気ばね23eよりも基板受け/渡し位置A側に配置されている。空気ばね23g及び空気ばね23hは、長辺部222bに形成されている空気ばね支持台27に支持されている。空気ばね23hは空気ばね23gよりも短辺部221a側に配置されている。
図2に示すように、ホルダフレーム21は、矩形枠状に形成され、トップフレーム22の内側に配置されている。ホルダフレーム21は、X方向に沿って延びる一対のホルダ短辺部211と、Y方向に添って延びる一対のホルダ長辺部212とを有している。ホルダ長辺部212は、ホルダ短辺部211よりも長く形成されている。なお、以下の説明において、トップフレーム22の短辺部221a側に位置するホルダ短辺部211をホルダ短辺部211aと称し、短辺部221b側に位置するホルダ短辺部211をホルダ短辺部211bと称することがある。また、長辺部222a側に位置するホルダ長辺部212をホルダ長辺部212aと称し、長辺部222b側に位置するホルダ長辺部212をホルダ長辺部212bと称することがある。
ホルダフレーム21には、3つのチルト用腕24が形成されている。チルト用腕24は、平板状の部材であり、Zチルト機構30の設置位置に対応する位置に形成されている。すなわち、チルト用腕24は、ホルダ短辺部211aのX方向における略中央部と、ホルダ短辺部211bのX方向における両端部付近に、それぞれ形成されている。また、各チルト用腕24は、ホルダ短辺部211の外側面の下端部から外側に向かって延びている。チルト用腕24の上面にZチルト機構30の下端部が当接している。
また、ホルダフレーム21には、空気ばね支持台27の上方で、空気ばね支持台27の上面と対向する8つの空気ばね当接部28が形成されている。空気ばね当接部28は、平板状の部材であり、各ホルダ短辺部211のX方向における略中央部に間隔を空けて一対に形成されている。また、各ホルダ長辺部212のY方向における略中央部に間隔を空けて一対に形成されている。また、各空気ばね当接部28は、ホルダ短辺部211又はホルダ長辺部212の外側面における上下方向の略中央部から外側に延びている。
空気ばね当接部28の下面は、空気ばね23の上取付け部材232(図3参照)に固定されている。したがって、ホルダフレーム21は、空気ばね23を介してトップフレーム22に下方から支持されている。
ホルダフレーム21の内側面の下端部、すなわちホルダ短辺部211及びホルダ長辺部212の内側面の下端部には、平板状のマスクホルダ20が固定されている。マスクホルダ20の略中央部には、Z方向に貫通する開口20aが設けられている。マスクホルダ20の下面における開口20aの周囲には、図示しない吸着孔が設けられている。吸着孔は、図示しない真空ポンプに接続されている。真空ポンプがマスクホルダ20の下面とマスク2の周辺部との間の空気を吸引することで、マスクホルダ20は、マスク2を吸着保持している。
また、マスクホルダ20の開口20aの周囲には、4つのギャップセンサー40a,40b,40c,40d(以下、ギャップセンサー40で総称することがある。)が設けられている。後述するマスク2と基板1とのギャップ合わせを行う際、各ギャップセンサー40は、図示しない移動機構により、マスクホルダ20の開口20aの四隅の上方へ移動され、マスク2と基板1とのギャップを、マスク2の四隅で測定する。マスク2と基板1とのギャップ合わせが終了した後、各ギャップセンサー40は、移動機構により、マスクホルダ20の開口20aの外側へ移動される。
図2に示すように、ギャップセンサー40aは、ホルダ短辺部211a側で、且つ、基板受け/渡し位置A側に配置される。ギャップセンサー40bは、ホルダ短辺部211a側で、且つ、ギャップセンサー40aよりもホルダ長辺部212a側に配置される。ギャップセンサー40dは、ホルダ短辺部211b側で、且つ、基板受け/渡し位置A側に配置される。ギャップセンサー40cは、ホルダ短辺部211b側で、且つ、ギャップセンサー40dよりもホルダ長辺部212a側に配置される。
トップフレーム22の上方には、図示しない反射部材、例えばミラーが設けられている。ミラーは、ベース3の近傍に設けられた照射光学系、例えばハロゲンランプからの露光光を反射して、露光光を開口20aが設けられている下方へ導く。ミラーによって反射した露光光は、マスク2を透過し、基板1に照射する。これによって、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
図4に示すように、Zチルト機構30は、ケーシング31、直動ガイド32、可動ブロック33、モータ34、軸継手35、ボールねじ36a、ナット36b、及びボール37を含んで構成されている。図4(a)に示すように、ケーシング31の内部には、直動ガイド32が設けられており、直動ガイド32には、可動ブロック33が搭載されている。ケーシング31の上方には、モータ34が設置されており、モータ34の回転軸には、軸継手35を介して、ボールねじ36aが接続されている。可動ブロック33には、ボールねじ36aにより移動されるナット36bが取り付けられており、可動ブロック33は、モータ34の回転により、直動ガイド32に沿って上下に移動する。
図4(b)に示すように、可動ブロック33の下面には、ボール37が取り付けられており、ボール37は、可動ブロック33によりチルト用腕24の上面に押し付けられている。Zチルト機構30は、可動ブロック33を上下に移動して、チルト用腕24を押すボール37の高さをそれぞれ変更する。
図5は、マスクホルダ20の開口20aの内側(検出位置)へ移動したギャップセンサー40の概略構成を示す図である。ギャップセンサー40は、レーザー光源41、コリメーションレンズ群42、投影レンズ43、ミラー44,45、結像レンズ46、及びCCDラインセンサー47を含んで構成されている。レーザー光源41から発生されたレーザー光は、コリメーションレンズ群42及び投影レンズ43を通り、ミラー44からマスク2へ斜めに照射される。マスク2へ照射されたレーザー光は、その一部がマスク2の上面で反射され、一部がマスク2の内部へ透過する。マスク2の内部へ透過したレーザー光は、その一部がマスク2の下面で反射され、一部がマスク2の下面から基板1の表面へ照射される。基板1の表面へ照射されたレーザー光は、その一部が基板1の表面で反射され、一部が基板1の内部へ透過する。マスク2の下面で反射されたレーザー光及び基板1の表面で反射されたレーザー光は、マスク2の上面から射出された後、ミラー45で反射され、結像レンズ46を通って、CCDラインセンサー47の受光面に結像する。CCDラインセンサー47は、受光面で受光した光の強度に応じた検出信号を主制御装置50へ出力する。
図6は、チャック10を基板受け/渡し位置Aへ移動した状態を示す図である。基板受け/渡し位置Aにおいて、図示しない基板搬送ロボットにより、基板1がチャック10へ搬入され、また基板1がチャック10から搬出される。チャック10への基板1のロード及びチャック10からの基板1のアンロードは、チャック10に設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック10の内部に収納されており、チャック10の内部から上昇して、基板1をチャック10にロードする際、基板搬送ロボットから基板1を受け取り、基板1をチャック10からアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板1を受け渡す。
図1及び図6において、チャック10は、チャック支持台9を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台9は、θステージ8に搭載され、チャック10を複数箇所で支持する。
Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10は、基板受け/渡し位置Aと露光位置Bとの間を移動する。基板受け/渡し位置Aにおいて、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1のプリアライメントが行われる。露光位置Bにおいて、Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10に搭載された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、基板1のアライメントが行われる。また、トップフレーム22の側面に設けたZチルト機構30及び空気ばね23により、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることによって、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。
Xステージ5、Yステージ7、及びθステージ8には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられている。
主制御装置50(図1参照)は、図示しないCPU、ROM、RAMを有する。主制御装置50は、ROMに記憶されている各種プログラムをRAMに読み出して各種処理を実行する。主制御装置50は、ROMに記憶されているXステージ駆動制御プログラムに従ってXステージ駆動制御処理を実行して、Xステージ駆動部61(図1参照)に制御信号を送信する。Xステージ駆動部61は、図示しない信号受信部及び駆動指示部とを有しており、受信した制御信号に応じて、駆動指示部が駆動機構を駆動してXステージ5を駆動する。
主制御装置50は、ROMに記憶されているYステージ駆動制御プログラムに従ってYステージ駆動制御処理を実行して、Yステージ駆動部62(図1参照)に制御信号を送信する。Yステージ駆動部62は、図示しない信号受信部及び駆動指示部を有しており、受信した制御信号に応じて、駆動指示部が駆動機構を駆動してYステージ7を駆動する。
主制御装置50は、ROMに記憶されているθステージ駆動制御プログラムに従ってθステージ駆動制御処理を実行して、θステージ駆動部63(図1参照)に制御信号を送信する。θステージ駆動部63は、図示しない信号受信部及び駆動指示部を有しており、受信した制御信号に応じて、駆動指示部が駆動機構を駆動してθステージ8を駆動する。
主制御装置50は、ギャップ拡張プログラムに従ってギャップ拡張処理を実行して、マスク2と基板1との間のギャップを広げるようにZチルト機構駆動部64及び空気圧制御部70に制御信号を送信する。
また、主制御装置50は、ギャップ合わせプログラムに従ってギャップ合わせ処理を実行して、マスク2と基板1とが所定の間隔を空けて略平行に配置されるようにZチルト機構駆動部64及び空気圧制御部70に制御信号を送信する。
本実施形態におけるZチルト機構駆動部64に送信される制御信号はZチルト機構30a,30b,30cそれぞれについて、ボール37の高さを上げること、ボール37の高さを下げること、又は、現在のボール37の高さを維持することをZチルト機構駆動部64に指示する信号を含んでいる。
Zチルト機構駆動部64は、図示しない信号受信部及び駆動指示部を有しており、受信した制御信号に応じて、駆動指示部がZチルト機構30a,30b,30cを駆動する。
本実施形態における空気圧制御部70に送信される制御信号は、空気ばね23a,23b,23c,23d,23e,23f,23g,23hそれぞれについて、空気圧を上げること、空気圧を下げること、又は、現在の空気圧を維持することを空気圧制御部70に指示する信号を含んでいる。
空気圧制御部70は、図3に示すように、信号受信部71、レギュレータ制御部72、レギュレータ73、空気源74及びチューブ75を含んで構成されている。レギュレータ73は、空気ばね23a,23b,23c,23d,23e,23f,23g,23hのそれぞれに対応するように8つ設けられている。レギュレータ73は、圧縮空気を供給する空気源74と空気ばね23とを連通させるチューブ75に接続されており、図示しない電磁弁及び通気孔を有している。なお、図3においては、Zチルト機構30の図示を省略している。
レギュレータ制御部72は、信号受信部71が主制御装置50から受信した制御信号に基づいて、各空気ばね23のレギュレータ73を制御する。具体的には、レギュレータ制御部72は、制御信号によって空気圧を上げるように指示されている空気ばね23のレギュレータ73の電磁弁を開放する。これによって、空気ばね23内に圧縮空気が流入し、空気ばね23の空気圧を上げることができる。また、レギュレータ制御部72は、制御信号によって現在の空気圧を維持するように指示されている空気ばね23のレギュレータ73の電磁弁を閉止する。これによって、空気ばね23の空気圧を維持することができる。また、レギュレータ制御部72は、制御信号によって空気圧を下げるように指示されている空気ばね23のレギュレータ73の電磁弁を閉止すると共に、通気孔を開放する。これによって、空気ばね23内の圧縮空気が通気孔から機外へ流出し、空気ばね23の空気圧を下げることができる。
以下、本実施形態におけるプロキシミティ露光装置100の動作について説明する。本実施の形態のプロキシミティ露光装置100は、露光位置Bにおいて、基板1をXY方向へステップ移動して、基板1の一面を複数のショットに分けて露光する。図7は、ショットの領域の一例を示す図である。図7は、基板1の一面を6つのショットに分けて露光する例を示している。1回目のショットで基板1の領域1aが露光され、2回目のショットで基板1の領域1bが露光され、3回目のショットで基板1の領域1cが露光され、4回目のショットで基板1の領域1dが露光され、5回目のショットで基板1の領域1eが露光され、6回目のショットで基板1の領域1fが露光される。
本実施形態におけるプロキシミティ露光装置100が実行する露光処理について、図8のフローチャートを用いて説明する。まず、基板受け/渡し位置Aにおいて、チャック10への基板1のロードが行われる(ステップS1)。主制御装置50は、Xステージ駆動部61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動部62によりYステージ7を駆動し、θステージ駆動部63によりθステージ8を駆動して、基板受け/渡し位置Aにおいてチャック10をXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、基板1のプリアライメントを行う(ステップS2)。次に、主制御装置50は、Xステージ駆動部61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動部62によりYステージ7を駆動して、チャック10を露光位置Bへ移動させ、基板1を露光位置Bの1回目のショットを行う位置へ移動させる(ステップS3)。
次に、主制御装置50は、4つのギャップセンサー40の測定結果に基づき、ギャップ合わせ処理を実行する(ステップS4)。
次に、マスク2と基板1とのギャップ合わせ処理(ステップS4)を行った後、主制御装置50は、Xステージ駆動部61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動部62によりYステージ7を駆動し、θステージ駆動部63によりθステージ8を駆動して、チャック10をXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、基板1のアライメントを行う(ステップS5)。
なお、基板1のアライメント(ステップS5)は、マスク2と基板1とのギャップ合わせ処理(ステップS4)中に、アライメント用のセンサーが基板1及びマスク2に設けられたアライメント用のマークを検出できる距離にマスク2と基板1が接近した時点から開始してもよい。その場合、マスク2と基板1とのギャップ合わせ処理(ステップS4)と基板1のアライメント(ステップS5)を一部並行して行うことができるので、タクトタイムが短縮する。
マスク2と基板1とのギャップ合わせ処理が終了して、ショット(ステップS6)を行った後、主制御装置50は、全ショットが終了したか否かを判断する(ステップS7)。
全ショットが終了していない場合、主制御装置50は、ギャップ拡張処理を実行して、マスク2と基板1とのギャップを広げる(ステップS8)。ギャップ拡張処理において、主制御装置50は、全てのZチルト機構30におけるボール37の高さを上げることをZチルト機構駆動部64に指示する制御信号を送信する。また、全ての空気ばねの空気圧を上げることを空気圧制御部70に指示する制御信号を送信する。これによってZチルト機構30のボール37が上方へ移動し、また、全ての空気ばね23の空気圧が上がる。このため、空気ばね23は、Z方向に伸張する。これによって、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20が上方へ移動し、これに伴って、マスク2が上方へ移動してギャップが広がる。
続いて、主制御装置50は、Xステージ駆動部61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動部62によりYステージ7を駆動して、基板1のXY方向へのステップ移動を行い(ステップS9)、基板1を次のショットを行う位置へ移動させる。そして、ステップS4へ戻り、全ショットが終了するまで、ステップS4〜ステップS9を繰り返す。
全ショットが終了した場合、主制御装置50は、ギャップ拡張処理を実行して、マスク2と基板1とのギャップを広げる(ステップS10)。
次に、主制御装置50は、Xステージ駆動部61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動部62によりYステージ7を駆動して、チャック10を基板受け/渡し位置Aへ移動させる(ステップS11)。そして、基板受け/渡し位置Aにおいて、チャック10からの基板1のアンロードが行われる(ステップS12)。
次に、主制御装置50が実行するギャップ合わせ処理について、図9のフローチャートを用いて説明する。
主制御装置50は、ギャップ合わせ処理を開始すると、各ギャップセンサー40から検出信号を受信する(ステップS21)。具体的には、各ギャップセンサー40からマスク2の下面で反射されたレーザー光の検出信号と、基板1の表面で反射されたレーザー光の検出信号とを受信する。
次に、受信した検出信号に基づいて、各ギャップセンサー40の検出位置におけるマスク2と基板1とのギャップ量G(図5参照。以下、ギャップGと称する。)を測定する(ステップS22)。
次に、測定した各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS23)。含まれていない場合(ステップS23:NO)は、ステップS24に移行する。含まれている場合(ステップS23:YES)は、本処理を終了する。
ステップS24において、主制御装置50は、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが所定の範囲に含まれるようにZチルト機構駆動部64及び空気圧制御部70に制御信号を送信する。そして、ステップS21へ戻り、測定した各ギャップGが所定の範囲に含まれるまで、ステップS21〜S24を繰り返す。
ギャップ合わせ処理によって、Zチルト機構30a,30b,30cが駆動されてチルト用腕24を押すボール37の高さが設定される。また、空気ばね23a,23b,23c,23d,23e,23f,23g,23hの内部の空気圧が設定されて空気ばねが伸縮する。そして、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20が上下方向(Z方向)に移動及びチルトする。これによって、マスクホルダ20に吸着保持されているマスク2が上下方向(Z方向)へ移動及びチルトする。
例えば、ギャップセンサー40a,40b(図2参照)の検出位置におけるギャップGのみが所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)の下限値100μmよりも低いとき(例えば70μmのとき)、マスク2は、ホルダ短辺部211a側が下方に傾いている。このとき、主制御装置50は、ギャップ合わせ処理においてZチルト機構30b,30cについてはボール37の高さを維持し、Zチルト機構30aについてはボール37の高さを上げることをZチルト機構駆動部64に指示する制御信号を送信する。また、空気ばね23a,23b,23c,23hについては空気圧を上げ、空気ばね23d,23e,23f,23gについては現在の空気圧を維持することを空気圧制御部70に指示する制御信号を送信する。これによってZチルト機構30aのボール37が上方へ移動し、また、空気ばね23a,23b,23c,23h内の空気圧が上昇する。このため、空気ばね23a,23b,23c,23hは、ホルダフレーム21、マスクホルダ20及びマスク2の荷重(以下、単に荷重と称することがある)に抗してZ方向に伸張する。これによって、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20のホルダ短辺部211a側が上昇し(上方へチルトし)、これに伴って、マスク2のホルダ短辺部211a側が上昇する(上方へチルトする)。したがって、マスク2と基板1とを所定の間隔を空けて略平行に配置することができる。
また、例えば、ギャップセンサー40a,40bの検出位置におけるギャップGのみが所定の範囲の上限値300μmよりも高いとき(例えば400μmのとき)、マスク2は、ホルダ短辺部211a側が上方に傾いている。このとき、主制御装置50は、ギャップ合わせ処理においてZチルト機構30b,30cについてはボール37の高さを維持しZチルト機構30aについてはボール37の高さを下げることをZチルト機構駆動部64に指示する制御信号を送信する。また、空気ばね23a,23b,23c,23hについて空気圧を下げ、空気ばね23d,23e,23f,23gについては現在の空気圧を維持することを空気圧制御部70に指示する制御信号を送信する。これによってZチルト機構30aのボール37が下方へ移動してチルト用腕24を押圧し、また、空気ばね23a,23b,23c,23h内の空気圧が下がる。このため、空気ばね23a,23b,23c,23hは、Z方向に収縮する。これによって、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20のホルダ短辺部211a側が下降し(下方へチルトし)、これに伴って、マスク2のホルダ短辺部211a側が下降する(下方へチルトする)。したがって、マスク2と基板1とを所定の間隔を空けて略平行に配置することができる。
また、例えば、全てのギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが所定の範囲の下限値100μmよりも低いとき(例えば70μmのとき)、マスク2は、露光に好適な位置よりも下方に位置している。このとき、主制御装置50は、ギャップ合わせ処理において、全てのZチルト機構30についてボール37の高さを上げることをZチルト機構駆動部64に指示する制御信号を送信する。また、全ての空気ばねについて空気圧を上げることを空気圧制御部70に指示する制御信号を送信する。これによってZチルト機構30のボール37が上方へ移動し、また、全ての空気ばね23の空気圧が上がる。このため、空気ばね23は、Z方向に伸張する。これによって、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20が上方へ移動し、これに伴って、マスク2が上方へ移動する。したがって、マスク2と基板1とを所定の間隔を空けて略平行に配置することができる。
また、例えば、全てのギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが所定の範囲の上限値300μmよりも高いとき(例えば400μmのとき)、マスク2は、露光に好適な位置よりも上方に位置している。このとき、主制御装置50は、ギャップ合わせ処理において、全てのZチルト機構30についてボール37の高さを下げることをZチルト機構駆動部64に指示する制御信号を送信する。また、全ての空気ばねについて空気圧を下げることを空気圧制御部70に指示する制御信号を送信する。これによってZチルト機構30のボール37が下方へ移動してチルト用腕24を押圧し、また、全ての空気ばね23の空気圧が下がる。このため、空気ばね23は、Z方向に収縮する。これによって、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20が下方へ移動し、これに伴って、マスク2が下方へ移動する。したがって、マスク2と基板1とを所定の間隔を空けて略平行に配置することができる。
以上説明した実施の形態では、 主制御装置50が、8つの空気ばね23の空気圧を制御し、且つ、3とのZチルト機構30の駆動を制御して、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせることによって、マスク2と基板1とを所定の間隔を空けて略平行に配置する。このため、3とのZチルト機構30のみでマスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせる場合に比べて、マスク2と基板1とをマスク2全面に亘って略平行に精度よく配置することができる。
また、ホルダフレーム21及びマスクホルダ20を上下方向に移動及びチルトさせるときのZチルト機構30のモータ34の負荷を軽減することができる。
図10は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップS31)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップS32)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップS31)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップS33)では、プロキシミティ露光装置100や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップS34)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップS35)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップS31)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップS36)では、エッチング工程(ステップS35)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図11は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップS41)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップS42)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップS43)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップS44)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図10に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップS33)において、本実施形態のプロキシミティ露光装置100を適用することができる。また、図11に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップS41)及び着色パターン形成工程(ステップS42)の露光処理において、本実施形態のプロキシミティ露光装置100を適用することができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、主制御装置50が実行するギャップ合わせ処理の内容が第1の実施形態とは異なる。以下の第2の実施形態の説明において、第1の実施形態と共通する構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
第2の実施形態における主制御装置50が実行するギャップ合わせ処理について、図12のフローチャートを用いて説明する。
主制御装置50は、ギャップ合わせ処理を開始すると、各ギャップセンサー40から検出信号を受信する(ステップS51)。
次に、受信した検出信号に基づいて、各ギャップセンサー40の検出位置におけるマスク2と基板1とのギャップGを測定する(ステップS52)。
次に、測定した各ギャップGが第1の所定の範囲(本実施形態では0μm〜400μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS53)。含まれていない場合(ステップS53:NO)は、ステップS54に移行する。含まれている場合(ステップS53:YES)は、ステップS55に移行する。
ステップS54において、主制御装置50は、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第1の所定の範囲に含まれるようにZチルト機構駆動部64のみに制御信号を送信する。そして、ステップS51へ戻り、測定した各ギャップGが第1の所定の範囲に含まれるまで、ステップS51〜S54を繰り返す。
ステップS55において、主制御装置50は、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS55)。含まれていない場合(ステップS55:NO)は、ステップS56に移行する。含まれている場合(ステップS55:YES)は、本処理を終了する。
ステップS55において、主制御装置50は、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS55)。含まれていない場合(ステップS55:NO)は、ステップS56に移行する。含まれている場合(ステップS55:YES)は、本処理を終了する。
ステップS56において、主制御装置50は、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第2の所定の範囲に含まれるように、空気圧制御部70のみに制御信号を送信し、ステップS57に移行する。次に、主制御装置50は、各ギャップセンサー40から検出信号を受信し(ステップS57)、各ギャップセンサー40の検出位置におけるマスク2と基板1とのギャップGを測定する(ステップS58)。そして、ステップS55へ戻り、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲に含まれるまで、ステップS55〜S58を繰り返す。
本実施形態では、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第1の所定の範囲に含まれるようにZチルト機構30を駆動して、マスク2を上下方向に移動又はチルトさせる。したがって、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第1の所定の範囲に含まれるようにするためのタクトタイムを比較的短くすることができる。
また、本実施形態では、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第2の所定の範囲に含まれるように、空気ばね23を上下方向に伸張又は縮小して、マスク2を上下方向に移動又はチルトさせる。したがって、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第2の所定の範囲に含まれるようにするための比較的微少な調整を正確に行うことができる。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、主制御装置50が実行するギャップ合わせ処理の内容が第1の実施形態とは異なる。以下の第3の実施形態の説明において、第1の実施形態と共通する構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態における主制御装置50が実行するギャップ合わせ処理について、図13のフローチャートを用いて説明する。
主制御装置50は、ギャップ合わせ処理を開始すると、各ギャップセンサー40から検出信号を受信する(ステップS61)。
次に、受信した検出信号に基づいて各ギャップセンサー40の検出位置におけるマスク2と基板1とのギャップGを測定する(ステップS62)。
次に、測定した各ギャップGが第1の所定の範囲(本実施形態では0μm〜400μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS63)。含まれていない場合(ステップS63:NO)は、ステップS64に移行する。含まれている場合(ステップS63:YES)は、ステップS65に移行する。
ステップS64において、主制御装置50は、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第1の所定の範囲に含まれるように、空気圧制御部70のみに制御信号を送信する。そして、ステップS61へ戻り、測定した各ギャップGが第1の所定の範囲に含まれるまで、ステップS61〜S64を繰り返す。
ステップS65において、主制御装置50は、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS65)。含まれていない場合(ステップS65:NO)は、ステップS66に移行する。含まれている場合(ステップS65:YES)は、本処理を終了する。
ステップS65において、主制御装置50は、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲(本実施形態では100μm〜300μm)に含まれているか否かを判定する(ステップS65)。含まれていない場合(ステップS65:NO)は、ステップS66に移行する。含まれている場合(ステップS65:YES)は、本処理を終了する。
ステップS66において、主制御装置50は、各ギャップセンサー40の検出位置におけるギャップGが第2の所定の範囲に含まれるようにZチルト機構駆動部64のみに制御信号を送信し、ステップS67に移行する。次に、主制御装置50は、各ギャップセンサー40から検出信号を受信し(ステップS67)、各ギャップセンサー40の検出位置におけるマスク2と基板1とのギャップGを測定する(ステップS68)。そして、ステップS65へ戻り、測定した各ギャップGが第2の所定の範囲に含まれるまで、ステップS65〜S68を繰り返す。
本実施形態では、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施形態について説明したが、本実施形態による発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。例えば、圧縮空気が充填される空気ばねの代わりに、他の気体、例えば窒素ガスを充填した気体ばねを用いてもよい。
また、空気ばね23の数は8つに限定されず、少なくとも1つ以上も設ければよい。また、ホルダ短辺部211a,211bとホルダ長辺部212a,212bにそれぞれ少なくとも1つずつ設けることが好ましい。
また、Zチルト機構30のボール37に代えて、チルト用腕24に固定される固定部を設けてもよい。この場合、可動ブロック33の上下方向の移動に伴って、ホルダフレーム21が上下方向に移動又はチルトする。
また、第1乃至第3の実施形態では、基板1の一面を複数のショットに分けて露光する態様を説明したが、基板1の一面を一括して露光してもよい。
また、制振用の気体ばねを空気ばね23とは別に別途設けてもよい。
すなわち、この実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
すなわち、この実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
1 基板
2 マスク
3 ベース
10 チャック
20 マスクホルダ
21 ホルダフレーム
22 トップフレーム(支持体)
24 チルト用腕
27 支持台
28 空気ばね当接部
30 Zチルト機構(アクチュエータ)
40 ギャップセンサー
50 主制御装置(制御部)
64 Zチルト機構駆動部
70 空気圧制御部
100 プロキシミティ露光装置
2 マスク
3 ベース
10 チャック
20 マスクホルダ
21 ホルダフレーム
22 トップフレーム(支持体)
24 チルト用腕
27 支持台
28 空気ばね当接部
30 Zチルト機構(アクチュエータ)
40 ギャップセンサー
50 主制御装置(制御部)
64 Zチルト機構駆動部
70 空気圧制御部
100 プロキシミティ露光装置
Claims (2)
- マスクと基板との間に所定の間隔を設けて、前記マスクのパターンを前記基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、
前記基板の上方でマスクを保持するマスクホルダと、
前記マスクホルダを上下方向に移動及びチルト可能に支持する支持体と、
前記支持体に支持され、前記マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる複数のアクチュエータと、
前記マスクホルダと支持体との間に配置され、内部に充填される気体による圧力の変化に伴って上下方向に伸縮可能な複数の気体ばねと、
前記マスクと前記基板とが所定の間隔を空けて略平行に配置されるように、前記各気体ばねの圧力と前記各アクチュエータの駆動とを制御して、前記マスクホルダを上下方向に移動及びチルトさせる制御部と、を備える
プロキシミティ露光装置。 - 前記複数の空気ばねのそれぞれに対応して設けられ、前記空気ばねに気体が充填されることを許容する許容状態と、前記空気ばねに気体が充填されることを規制する規制状態と、に設定可能な複数のレギュレータを、を備え、
前記制御部は、前記複数のレギュレータのそれぞれを許容状態又は規制状態に設定する
請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077030A JP2013205757A (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | プロキシミティ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077030A JP2013205757A (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | プロキシミティ露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013205757A true JP2013205757A (ja) | 2013-10-07 |
Family
ID=49524866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012077030A Pending JP2013205757A (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | プロキシミティ露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013205757A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017058414A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | ウシオ電機株式会社 | プロキシミティ露光装置およびプロキシミティ露光方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11352698A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-12-24 | Orc Technol Inc | 基板を露光させるための装置及び方法 |
JP2010266764A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のマスク保護方法 |
JP2011085671A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Nikon Corp | 物体保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011186310A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077030A patent/JP2013205757A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11352698A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-12-24 | Orc Technol Inc | 基板を露光させるための装置及び方法 |
US6211945B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-03 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
JP2010266764A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のマスク保護方法 |
JP2011085671A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Nikon Corp | 物体保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011186310A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017058414A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | ウシオ電機株式会社 | プロキシミティ露光装置およびプロキシミティ露光方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101359185B (zh) | 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法 | |
JP4273679B2 (ja) | 分割逐次近接露光装置 | |
JP5349093B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
US10908507B2 (en) | Micro LED array illumination source | |
JP2013205757A (ja) | プロキシミティ露光装置 | |
KR20190041644A (ko) | 반도체 제조 장치의 구동 방법 | |
JPH10256355A (ja) | 位置決めデバイス、基板保持装置、及び該装置を備えた露光装置 | |
JP7212528B2 (ja) | リソグラフィ装置、計測方法、および物品の製造方法 | |
JP5537063B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP5392946B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク搬送方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2011007974A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP5687165B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
KR100678469B1 (ko) | 노광장치용 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼평행조절방법 | |
JP5441770B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2001313241A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2013054270A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2011123103A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP5306020B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
US20220187702A1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, article manufacturing method, and storage medium | |
JP2007086684A (ja) | 露光装置 | |
JP2013205678A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP2020166204A (ja) | 位置計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
KR101721189B1 (ko) | 광각 보정 장치와 이를 사용하는 노광 장치 및 광각 보정 방법 | |
JP2015079812A (ja) | 基板保持装置および露光装置 | |
JP2013197568A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150407 |