JP2013197568A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＤＭＤの取り付け位置、照射光学系の取り付け位置をチェック、調整する機能を備え、常に正常な描画を行えるようにする。
【解決手段】空間的光変調器（ＤＭＤ）により、ＤＭＤ位置調整、投射光学系の位置調整を行うためのチェックパターンを生成し、これを基板上に投影したものを検出センサで検出する。検出センサで検出されたチェックパターンは予め記憶されているチェックパターンと比較照合され、この比較結果に基づいて、ＤＭＤ及び投射光学系の位置調整がなされる。
【選択図】図７

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置、半導体製造装置等の露光装置において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法に関する。
より詳しくは、特に複数のミラーを二軸に配列した空間的光変調器を用いて基板へ照射する光ビームを変調する露光装置及び露光方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。

近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。通常、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画することで、高価なマスクが不要となる。また、描画データや走査のためのプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。

特許文献１には、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビームの駆動回路へ複数回供給し、この複数回供給する描画データの一部を、露光領域に隣接する位置の描画データとして光ビーム照射装置の駆動回路に供給する技術が記載されている。この特許文献１の技術によれば、描画パターンエッジのギザギザが目立たなくなるとともに、モアレの発生が抑制されて描画品質を向上することができるとされている。

特開２０１１−１８０２９７号公報

通常、光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等の空間的光変調器が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する装置である。現在市販されているＤＭＤは、各ミラーの寸法が１０〜１５μｍ角程度であり、隣接するミラー間には１μｍ程度の隙間が設けられている。

ＤＭＤにより変調された光ビームは、光ビーム照射装置の照射光学系を含むヘッド部から、基板へ照射される。ＤＭＤの各ミラーに対応する各光ビーム照射領域は、ミラーの形状と同じ正方形であり、基板に描画されるパターンは、微小な正方形のドットを重ねたものとなる。このような装置では、ＤＭＤの取り付け角度や照射光学系の取り付け角度などが経年変化等でずれてきた場合、正しい描画ができなくなる恐れがあった。

本発明の目的は、上記問題点に鑑み、常に正常な描画が可能な露光装置、及び露光方法を提供することにある。

上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックを備える。また、複数のミラーを二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置を備える。更に、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動機構と、空間的光変調器及び照射光学系の取付位置の良否をチェックするチェック機構部とを備える。

そして、移動機構によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動して、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する。また、チェック機構部は、空間的光変調器がチェック用パターンのビーム照射を維持するようにした上で、移動機構に設けられたセンサによって該チェック用パターンを検出する。そして、検出されたチェック用パターンと予め記憶されているパターンとを比較することで、空間的光変調器及び照射光学系が正しく取り付けられているかをチェックできるようにしている。

更に、本発明の一の形態の露光装置は、移動機構に設けられたセンサによって検出されたチェック用パターンに基づいて、空間的光変調器及び照射光学系の位置を調整する調整機構を備える。また、更に好ましい形態として、空間的光変調器及び照射光学系が正しく取り付けられているかを、予め定められた所定の時間間隔でチェックし、前記チェック用パターンの検出結果を基に、空間的光変調器及び照射光学系の位置を調整するようにしている。

また、本発明の露光方法は、以下(a)〜(g)の工程を含む。
(a)チャックによりフォトレジストが塗布された基板を支持する工程、
(b)描画データに基づいて空間的光変調器を駆動して、空間的光変調器により変調された光ビームを、光ビーム照射装置の照射光学系から基板上に照射し、描画する工程、
(c)チャックと光ビーム照射装置とを移動手段を用いて相対的に移動させる工程、
(d)チェック用パターンを生成する工程、
(e)光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、描画データに基づいて基板にパターンを描画する工程、
(f)基板に描画されたチェック用パターンを検出し、このチェック用パターンと予め記憶されているチェック用パターンとを照合することにより、空間的光変調器及び照射光学系が正しく取り付けられているかをチェックする工程、
(g)工程(f)のチェック結果に基づいて、空間的光変調器及び照射光学系の位置を調整する工程。

本発明によれば、ＤＭＤの取り付け角度、取り付けの高さなどの位置、照射光学系の取り付け角度、取り付けの高さ等の位置を監視する機能を備えたことで、常に正常な描画が可能な露光装置、及び露光方法を提供することができる。

本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。 光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。 レーザー測長系の動作を説明する図である。 描画制御部の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態によるチェック用パターン検出機構及び空間的光変調器及び投影レンズの位置調整機構の一例を示す図である。 チェック用パターンの一例を示す図である。 ８本の光ビームにより４回に分けて基板の走査をする第１段階の図である。 ８本の光ビームにより４回に分けて基板の走査をする第２段階の図である。 ８本の光ビームにより４回に分けて基板の走査をする第３段階の図である。 ８本の光ビームにより４回に分けて基板の走査をする第４段階の図である。 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。

＜露光装置の概要＞
図１は、本発明の一実施の形態例（以下、「本例」ともいう。）による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は、本例の露光装置の側面図、図３は本例の露光装置の正面図である。
図１〜図３に示すように、本例の露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０を備える。また、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を備えている。

なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。

なお、以下に説明する本発明の実施の形態例では、図に示すＸＹ方向はあくまでも例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。

図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。

基板１の露光を行う露光位置の上側に、ベース３をまたいで複数の光ビーム照射装置２０が搭載されたゲート１１が設けられている。なお、本例の露光装置では、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数は８つに限らない。本発明は、１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。

図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、図示されていないが、ボールねじ及びモータにより構成される駆動機構やリニアモータ等の駆動機構が設けられている。なお、各駆動機構は、図１に示すステージ駆動回路６０によって駆動されるものである。

θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向くように回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動する。本例の露光位置においては、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動する。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。

なお、本例の露光装置では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っている。しかし、本例の露光装置では、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行うようにしてもよい。また、本例の露光装置では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更している。これに対して、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更するようにしてもよい。

図１及び図２に示すように、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が設けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３も設置されている。このリニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が設けられている。

また、図１及び図３に示すように、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。また、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。Ｘステージ５及びＹステージ７により、本例の移動機構が構成される。

＜光ビーム照射装置の説明＞
図４は、光ビーム照射装置２０の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を備える。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含む光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。

図５は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図５においては、図１に示したゲート１１、及び光ビーム照射装置２０が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含む。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられ、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。

レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及びθ方向の回転を検出する。

一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。

＜描画制御部の説明＞
図６は、図４に示す主制御装置７０の主たる構成要素である描画制御部７１の概略構成を示すブロック図である。図６に示すように、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データは描画制御部７１に供給される。描画制御部７１は、メモリ７２，７６、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５、及び補正回路７７を備える。メモリ７２は、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶している。

バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。

レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。

本例の露光装置では、図１に示すように、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。また、主制御装置７０は、基板１の走査領域を移動する際に、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。
図６に示すように、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２、３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。

座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７６には、メモリ７２から読み出す描画データの座標を補正するための補正値が記憶されている。

＜照射パターンチェック機構の説明＞
図７は、照射パターンチェック機構及びＤＭＤ２５及び投影レンズ２６の位置調整機構の一例を説明するための図である。
レーザー光源ユニット２１から発生される光ビームは、光ファイバー２２経由で光ビーム照射装置２０に供給される。この光ビーム照射装置２０に供給された光ビームは、レンズ２３，ミラー２４、プリズム２８を経由してＤＭＤ２５に供給される。そして、ＤＭＤ２５において所定のチェック用パターン（図８参照）で変調され、この変調された光ビームが投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａ（図４参照）から基板１上に結像するように照射される。

そして、基板１上に照射された光ビームは、予め結像面に焦点が合うように調整された検出用センサ４６によって検出される。検出用センサ４６はＣＣＤカメラ５０、対物レンズ５１、カメラ用レンズ５２から構成される。検出用センサ４６としては、ＣＣＤカメラ５０の代わりに光電子増倍管（ホトマルチプライアー）などの素子を用いてもよい。そして、検出用センサ４６で検出された画像信号は、画像処理部（ボード）５６を経由して主制御装置７０に送られる。

主制御装置７０は、検出用センサ４６の検出結果を基に、後述するＤＭＤ調整機構及び投影レンズ調整機構の必要動作量を算出し、ＤＭＤ調整用ドライバ５７、及び投影レンズ調整用ドライバ５８を駆動して、ＤＭＤ調整機構及び投影レンズ調整機構の調整を行う。なお、ＤＭＤ調整用ドライバ５７及び投影レンズ調整用ドライバ５８としては、微調整可能なピエゾ素子などが用いられる。ここで検出用センサ４６は、基板１の下側に配置されて、基板１からの透過光を検出する構成になっているが、基板１の上側に設けて基板１からの反射光を検出するようにしてもよい。

次に、上述したＤＭＤ調整機構及び投影レンズ調整機構について説明する。ＤＭＤ調整機構は、ＤＭＤ２５の微小な傾き（位置）を調整するための機構であり、ＤＭＤ２５をＸ、Ｙ方向と回転方向θに調整するためのＸＹθ調整機構５３と、ＤＭＤ２５の取り付け角度及び取り付け高さを調整するためのＺ調整機構５４を備える。
また、投影レンズ調整機構は、投影レンズ２６を調整するための機構であり、投影レンズ２６の取り付け角度及び取り付け高さを調整するための投影レンズ―Ｚ調整機構５５を備える。

図８は、チェック用パターンの一例を説明する図である。図８（Ａ）は、基板上の照射領域の４隅に十字パターンが配置されるようにＤＭＤ２５で光ビームを変調した例である。図８（Ａ）の例では、４隅の十字パターンの照射位置、及び結像高さを検出用センサ４６で検出することにより、ＤＭＤ調整機構部の必要動作量及び投影レンズ調整機構部の必要動作量を算出する。なお、チェック用パターンとしての十字パターンは４隅に限らず、照射領域内に任意に配置可能であり、チェックする対象によって任意にパターンを変更してもよい。

例えば、ＤＭＤ２５の取り付け角度をチェックする場合は十字パターンを使用し、取り付け高さをチェックする場合には、図８（Ｂ）に示すような複数ラインのパターンを使用する。つまり、チェック対象に適合したチェック用パターンを使用することで、チェックの検出精度を上げることができる。特に、図８（Ｂ）のような複数ラインのパターンは、Ｚ軸方向のぼけの検出に有効である。例えば、図に示すような３本の線を用いた場合、線間の空白部分（図の白の部分）をＣＣＤカメラ５０で撮影すると、コントラストが明確（クリア）にならない場合が起りうる。このため、ＣＣＤカメラ５０で撮影した映像がクリアな３本の線となるように、主制御装置７０及び投影レンズ調整用ドライバ５８により投射レンズ−Ｚ調整機構５５によって投射レンズのＺ方向の位置の調整が行われる。

図８（Ａ）（Ｂ）の例では、２種類のチェックパターンを用意し、これらを順次基板に投影して、ＤＭＤ２５の取り付け角度及び投影レンズ２６の取り付け高さなどのチェックを行うようにした。この方法は、最初にＤＭＤ２５の位置調整を行い、その結果を見て投影レンズ２６のＺ方向の位置を調整する場合に有効である。しかし、本例に用いるチェックパターンはこれらのパターンに限られるものではなく様々なパターンのものが考えられる。例えば、「卍」のようなパターンを用いることで、１回の基板１への投射とパターンの検出で、ＤＭＤ調整機構部及び投影レンズ調整機構部の調整を同時に行うことも可能である。

図８（Ａ）（Ｂ）に示すチェックパターンは、約数万個の微小ミラーからなるＤＭＤ２５の４隅のミラーに対して、主制御装置７０がオン−オフ指令を出すことによって作成することができる。作成したチェックパターンは、検出用センサ４６で検出され、標準チェックパターンとしていったん描画データのメモリ７２に登録される。そして実際にＣＣＤカメラ５０で検出したチェックパターンとメモリ７２に記憶されている標準チェックパターンと比較照合することで、ＤＭＤ２５の位置調整及び投影レンズ２６のＺ軸方向の位置調整を行うようにする。なお、予め描画データの中の所定の画像を登録しておき、この決められた所定の画像をチェックパターンとして用いることもできる。

この図８（Ａ）の十字パターンと図８（Ｂ）の３本線パターンによる調整は、所定のインターバルで行われ、これによって、ＤＭＤ２５の取り付け角度及び投影レンズ２６の取り付け高さなどのチェックが自動的に行われる。このように、ＤＭＤ２５と投影レンズ２６の取り付け位置を自動調整することで、常に正常な描画を維持することができる。なお、このインターバルは、主制御装置７０により任意に設定することが可能である。

＜光ビームによる基板走査の説明＞
図９〜図１２は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図９〜図１２は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図９〜図１２においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。

図９は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図９に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動する。
図１０は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１０に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動する。

図１１は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１１に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動する。
図１２は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１２に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。この４回目の走査によって基板１全体の走査が終了する。

図９〜図１２に示すように、複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、これによってタクトタイムの短縮が可能となる。

なお、図９〜図１２では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。

以上説明したように、本例の露光装置によれば、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ複数回供給している。そして、複数回供給する描画データの一部を、露光領域の隣接する位置の描画データとして、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する。これにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくするとともに、モアレの発生を抑制して、描画品質を向上させた、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。

さらに、本例の露光装置では、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを第１のメモリ７２に記憶し、描画データの座標を補正するための補正値を第２のメモリ７６に記憶している。そして、第２のメモリ７６に記憶した補正値に応じて、第１のメモリ７２から読み出す描画データの座標を補正することにより、リアルタイムで描画データの一部を露光領域の隣接する位置の描画データとすることができる。このため、本例の露光装置では、描画データの変更を事前に行わなくても、描画データをリアルタイムで光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することが可能である。

図１３は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップＳ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップＳ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップＳ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。

次に、露光工程（ステップＳ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップＳ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップＳ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップＳ１０６）では、エッチング工程（ステップＳ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。
これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。

また、図１４は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップＳ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップＳ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップＳ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップＳ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。

本発明の露光装置又は露光方法は、図１３に示したＴＦＴ基板の製造工程の中の露光工程（ステップＳ１０３）において適用される。また、図１４に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップＳ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップＳ２０２）の露光処理に適用される。

１・・・基板、２，２’・・・パターン、３・・・ベース、４・・・Ｘガイド、５・・・Ｘステージ、６・・・Ｙガイド、７・・・Ｙステージ、８・・・θステージ、１０・・・チャック、１１・・・ゲート、２０・・・光ビーム照射装置、２０ａ・・・ヘッド部、２１・・・レーザー光源ユニット、２２・・・光ファイバー、２３・・・レンズ、２４・・・ミラー、２５・・・ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）、２６・・・投影レンズ 、２７・・・ ＤＭＤ駆動回路、２８・・・プリズム、３１，３３・・・リニアスケール、３２，３４・・・エンコーダ、４０・・・レーザー測長系制御装置、４１・・・レーザー光源、４２，４４・・・レーザー干渉計 、 ４３，４５・・・バーミラー、４６・・・検出用センサ、５０・・・ＣＣＤカメラ、５１・・・対物レンズ、５２・・・カメラレンズ、５３・・・ＤＭＤ―ＸＹＲ調整機構、５４・・・ＤＭＤ―Ｚ調整機構、５５・・・投影レンズ―Ｚ調整機構、５７・・・ＤＭＤ調整用ドライバ、５８・・・投影レンズ調整用ドライバ、６０・・・ステージ駆動回路、７０・・・主制御装置、７１・・・描画制御部、７２，７６・・・メモリ、７３・・・バンド幅設定部、７４・・・中心点座標決定部、７５・・・座標決定部、７７・・・補正回路

Claims (4)

1. フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
   複数のミラーを二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置と、
   前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動機構と、
   前記空間的光変調器及び前記照射光学系の取付位置をチェックするチェック機構と、を備え
   前記移動機構により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画するとともに、
   前記チェック機構は、
   前記空間的光変調器がチェック用パターンのビーム照射を維持するようにした上で、
   前記移動機構に設けられたセンサによって該チェック用パターンを検出し、
   検出された前記チェック用パターンと、予め記憶されているパターンを比較することで前記空間的光変調器及び前記照射光学系の取付位置の良否をチェックすることを特徴とする露光装置。
2. 前記移動機構に設けられたセンサによって検出された前記チェック用パターンに基づいて、
   前記空間的光変調器及び前記照射光学系の位置を調整する調整機構を、更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記空間的光変調器及び前記照射光学系の取付位置を、予め定められた所定の時間間隔でチェックし、前記チェック用パターンの検出結果を基に、
   前記空間的光変調器及び前記照射光学系の位置を調整すること
   を特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
4. チャックによりフォトレジストが塗布された基板を支持する工程と、
   描画データに基づいて空間的光変調器を駆動して、前記空間的光変調器により変調された光ビームを光ビーム照射装置の照射光学系を介して前記基板上に照射して描画する工程と、
   前記チャックと前記光ビーム照射装置とを移動機構により相対的に移動させる工程と、
   前記空間的光変調器を用いてチェックパターンを生成する工程と、
   前記光ビーム照射装置からの光ビームにより前記基板を走査して、前記チェックパターンを基板上に描画する工程と、
   前記基板上に描画されたチェック用パターンと予め記憶されているチェック用パターンとを比較照合することにより、前記空間的光変調器及び前記照射光学系の取付位置の良否をチェックする工程と、
   前記チェックの結果を受けて、前記空間的光変調器及び前記照射光学系の位置を調整する工程と、を含む露光方法。