JP2013149628A - ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス - Google Patents
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Abstract
ナノチューブの成長は、通常、シリコンまたはその他の半導体基板上で行われる。導電金属基板または金属下層上でのそのような金属触媒からの成長は、ほとんど乏しい。
【解決手段】
本発明は、金属下層上にナノ構造体を成長させる方法およびそれを作る方法を提供する。請求の範囲の方法に基づいて成長されたナノ構造体は、電子線描画器および電界放出表示装置のような電子デバイスを作製するのに適している。
【選択図】図7
Description
この出願は、2005年4月25日付けのスウェーデンへの仮出願第0500926−1号、2005年8月25日付けのスウェーデンへの仮出願第0501888−2号および2006年2月10日付けの米国仮出願第60/772,449号の優先権の特典を主張するものであり、それらの出願全ては、援用することによってその全体が本件に取り入れられる。
本発明は、広くは、ナノ構造体およびその成長方法に関する。より詳しくは、本発明は、電子線描画器および電界放出表示装置のような電子放出に基づくデバイスの製造を可能とする、カーボンナノファイバーのようなナノ構造体の成長を制御する方法に関する。
伝統的なCMOSデバイスは、絶え間ない縮小化の努力によって、デバイスの特性が量子現象によって左右されるという限界にまで達しており、そのような事象においては、完全な制御を達成するのが不可能である。このために、現存するCMOSデバイスと少なくとも同等であるか、より良い性能を有するデバイスを、より良く制御して作製する代替の新しい材料を見出すことが必要となっている。
導電基板と、該導電基板によって支えられるナノ構造体と、該導電基板と該ナノ構造体との間の複数の中間層であって、該ナノ構造体の形態に影響する少なくとも一つの層と、該導電基板と該ナノ構造体との間の界面の電気特性に影響する少なくとも一つの層とを含む該複数の中間層とを備えるナノ構造体組み立て体である。
(概要)
本発明は、導電基板上に単体でまたはアレイにおいてナノ構造体を作製する方法に向けられる。より詳しくは、本発明の方法では、基板とナノ構造体のベースとの間に横たわる材料および材料の順序を選択して、ナノ構造体と基板との間の界面の種々の特性、ナノ構造体の本体の特性およびナノ構造体の先端の構成を制御することが可能となる。ナノ構造体は、基板から上方に垂直にまたはほぼ垂直に成長する柱を形成するのが好ましい。しかしながら、これによって、ナノ構造体が基板から他の角度で成長する、例えば基板上に(すなわち基板と平行に)または90°以外の傾斜角で成長する可能性が除外されるものではない。
したがって、本発明は、現存するCMOS技術を用いてナノ構造体を成長する/蒸着する方法、CMOSと適合する導電基板上および薄膜技術を用いる分野におけるガラス基板およびフレキシブル高分子基板上にナノ構造体を成長する方法、相互化学反応を制御し、それゆえナノ構造体における最終化合物を制御する方法、および基板と触媒層との間の少なくとも一つの中間層であって、触媒層や導電基板と同じ材料ではない中間層からなる多層の材料の積み重ねを有することによって化学反応を制御する方法に関する。
(ナノ構造体)
(界面)
本発明には、基板から成長するナノ構造体とその間に位置する界面層が含まれ、以下の特性を有する。基板は、好ましくは、金属層であって支持体上に配置される。その支持体は、典型的には、薄膜技術で用いられる、シリコンまたはその他の半導体材料、ガラスまたは適当なフレキシブルポリマーのウェハである。金属は、モリブデン、タングステン、白金、パラジウムおよびタンタルからなるグループから選択される。金属層の厚さは、好ましくは1nmから1μmの範囲にあり、より好ましくは1nmから50nmの範囲にある。金属層は、好ましくは、当技術分野で周知のいくつかの方法のうちの一つによって堆積され、その方法には、熱または真空蒸着、分子線エピタキシャルおよび電子線蒸着のような蒸着方法と、当技術分野で周知のいくつかのスパッタリング方法のいずれかのようなグロー放電方法と、CVDのような気相成長法、イオン注入、メッキのような液層成長法および液相エピタキシャルを含む化学方法とが含まれるが、それらに限定されるものではない。堆積技術の例については、薄膜蒸着ハンドブック、K.セシャン編、第二版(ウィリアムアンドリュー社、2002年)を参照のこと。
本発明は、さらにナノ構造体を形成するプロセスを備える。そのプロセスは、まず基板上に電極を蒸着することを含む。その基板は、ここでさらに説明するとおりシリコンのウェハであり、好ましくは、酸化物、例えば、SiO2のような絶縁被覆を有する。電極は、ナノ構造体の下層として機能し、導電材料、好ましくはモリブデン、ニオブまたはタングステンのような金属からなる。電極を蒸着する方法は、当業者になじみのある任意のものであり得るが、好ましくは、電子線蒸着のような方法である。電極層は、10nm厚と100nm厚の間であって、好ましくは50nm厚である。
ここに記述される方法により作られるカーボンナノ構造体のアプリケーションには、宇宙に送られるものに使われるであろう構造体のエンジニアリングにおいて用いられる化合物の構築、ならびに強度は高く、質量が軽い構造体。ライフサイエンスにおいて用いられるような、診断のための電気化学デバイスおよびセンサー。電子放出器、小型エックス線生成器および原子間力顕微鏡の探針のような研究用の道具。および配線、ダイオード、熱拡散メディア、高周波フィルターのようなエレクトロニクスで用いられる回路構成要素、光ダイオード、導波管、光電子工学回路のような光学デバイス、水素貯蔵デバイス、量子計算のための量子ビットおよびスーパーキャパシタへのアプリケーションが含まれる。
とりわけ、本発明のナノ構造体は、電界放出デバイスの基礎を形成する。図20A乃至図20Cは、そのようなデバイス2000の詳細な図を連続して示す。図20Aは、チャンバー2010に載置されるいくつかの画素を有する電界放出デバイスを概略的に示す。各画素は、金属基板2020とその上に載置される一つ以上のナノ構造体2080を有する。金属基板は、一つ以上の相互接続2070を経て金属陰極2060と電気的に通じている。陰極2060は、デバイスコントローラ2050および陽極2040と電気的に通じている。デバイスコントローラは、典型的には、特定の画素に電圧をかけることのできる電気構成要素である。デバイスコントローラは、好ましくは、例えば、能動的なアドレシング構成を用いることによって画素が個々にアドレスされるように、デバイスの多重化を制御できる。通常の動作において、陰極と陽極との間に電圧が印加されると、ナノ構造体2080は、陽極2040に向けて電子を発する。電子が、陽極と接触している蛍光体層2030に衝突し、それに一つ以上の可視光の光子を放出させる。光子が画素から遠ざかる方向に放出されるように、陽極2040は、透明であることが好ましい。好ましくは、チャンバー2010は、真空であるか、アルゴンのような不活性ガスが閉じ込められるように封止されている。このような構成によって、確実に、ナノ構造体が長い寿命を有して、分解したり、通常空気中にある酸素や水蒸気と反応したりしないようにする。
本発明のナノ構造体はまた、図21乃至図23に描かれるような電子線描画器のベースを形成する。そのようなデバイスは、前述のような電界放出デバイスの単一ナノ構造のバージョンとみなすことができる。図21乃至図23のデバイスには、非常に細くて焦点合わせが可能な電子線が必要とされる数多くの応用を見出すことができる。例えば、電子線リソグラフィーでそれを用いて、ナノメーター規模の線を作り出すことができる(それでナノリソグラフィーと称される)。それはまた、走査型電子顕微鏡および透過型電子顕微鏡のような電子顕微鏡の形で用いることもできる。
図25は、ナノ描画器として用いられる電子線描画器の実施例のSEM画像を示し、ここでDCNT=CNT/CNF/ナノ構造体の直径、LSD=絶縁体の厚さ、LCNT=CNT/CNF/ナノ構造体の長さ、Lg=CNT/CNF/ナノ構造体と電極との距離、FElas=CNT/CNF/ナノ構造体に働く静電力、FElec=静電力およびFvdW=ファンデルワールス力である。図25の電圧源は、応用によってDCまたはAC源である。
この実施例により、形態の制御と、成長するカーボンナノ構造体のベースおよび先端に存在する化学組成の制御の証拠となる結果が示される。図26Aおよび図26Bを参照のこと。図26Aは、W金属下層上に成長するカーボンナノファイバーを示す透過型電子顕微鏡(TEM)の顕微鏡写真である。図26Aは、サンプルを調製する処方によっていかに形態が異なり得るかを示す。
ここに記述するナノ構造体は、垂直相互接続としてCMOSデバイスに組み込むことができる。これを達成するために、絶縁体のような充填剤層が、基板とその上に位置するナノ構造体の上に蒸着され、そしてナノ構造体の先端が露呈するまで研磨/エッチバックされる。一旦ナノ構造体が成長すれば、必要なら、触媒層は例えばエッチングで取り除くことができる。
基板上の連続するフィルムからナノ構造体をアレイ状に形成するよりもむしろ、特定の位置に局部的にナノ構造体を作るという方法もまた、本発明に含まれる。この方法によると、触媒のフィルムをアニールして、制御が利かないまま触媒の個別の粒子を作り出す当該技術における他のプロセスが必要で無くなる。
これらの実施例において、六つのCMOSに適する金属下層(Cr、Ti、Pt、Pd、MoおよびW)上に、ニッケルを触媒として、独立して立つカーボンナノチューブをPECVD成長させることについての実験結果が報告されている。これらの実験では、DCPECVDを用いて金属基板上に垂直に配列されるカーボンナノチューブ(VACNT)を成長させるための最適な条件を決定することに部分的に焦点が当てられている。VACNTの成長を調査するために二組の実験が行われた。すなわち、(i)Niが直接金属下層上に蒸着され、および(ii)同じ厚さ(10nm)のNi触媒を蒸着する前にSiの薄いアモルファス層が蒸着された。金属電極と触媒との間にアモルファスSi層を導入することによって、大抵の場合に、成長の活発度が向上されることが見出された。
厚さ400nmの酸化物(SiO2)を備える面積1cm2で厚さ500μmの酸化シリコン基板が用いられた。調製された基板の断面図が、図27Aおよび図27Bに概略的に示されている。(層の厚さは相対的に縮尺されていない。)まず、金属電極層(例えば、Cr、Ti、Pt、Pd、MoまたはW)が、電子線蒸着によって基板上に直接50nmの厚さに蒸着された。その後、10nm厚のNiフィルムが蒸着されて下に横たわる金属層を部分的に被覆する(図27B)か、またはNi層の蒸着に先立って10nm厚のアモルファスシリコン中間層が蒸着される(図27A)かした。SiとNiは、〜3×10−7mbarのチャンバー圧で蒸着され、化学量論的でないSiOXが表面に形成されるのが避けられた。
図28は、ニッケル触媒の層が金属下層の上に直接蒸着された成長シーケンスの後の基板のSEM画像を示す。大抵の場合、CNTの成長は、観察されない。CrとTiの双方の金属下層上への成長が充分観察されないのは、先の成果と反対である。例えば、TiとCrは、触媒とシリコン基板を被覆する自然酸化物との間のバッファ層として、カーボンナノチューブまたはナノファイバーをPECVDで成長させる間にニッケルシリサイドが形成されるのを防ぐため、以前用いられていた(例えば、J.H.ハン、およびH.J.キムによるMater.Sci.Eng.C16、65−8、(2001年)およびV.I.マークロフ、D.H.ローンデス、Y.Y.ウェイおよびG.エレスによるAppl.Phys.Lett.、76、3555、(2000年)を参照)。また、TiとCrは、NiとCo/Ni触媒を用いてナノチューブをプラズマ促進CVDで成長させるのに最適な金属下層であることが見出された(例えば、A.M.カッセル、Q.イェ、B.A.クルーデン、J.リー、P.C.サラージン、H.T.ング、J.ハンおよびM.メイヤッパンによるナノテクノロジー、15、9、(2004年)を参照)。しかしながら、当該の結果と以前に報告された結果との間の差異は、実験条件の違いに関係している。とりわけ、TiおよびCr層は、A.M.カッセル、Q.イェ、B.A.クルーデン、J.リー、P.C.サラージン、H.T.ング、J.ハンおよびM.メイヤッパンによるNanotechnology、15、9、(2004年)の場合には、ここのようなSiO2の厚い層上ではなく、自然酸化物を備えるSi基板上に直接蒸着されている。
Niフィルム上に垂直に配置されたナノチューブアレイを成長させるPECVDの最初の応用(Z.F.レン、G.P.ファン、J.W.シュー、J.H.ワン、P.ブッシュ、M.P.シーゲイおよびP.N.プロベンチョによるScience、282、1105−7、(1998年))から、研究者たちは表面形態の役割、触媒の厚さおよび触媒粒子を形成するための表面でのエッチング反応について議論した。シリサイドの形成は、ナノチューブの成長には不利であると考えられており、シリサイドの形成を防止するのに金属層が用いられた(例えば、J.H.ハンおよびH.J.キムによるMater.Sci.Eng.C16、65−8、(2001年)およびV.I.マークロフ、D.H.ローンデス、Y.Y.ウェイおよびG.エレスによるAppl.Phys.Lett.763555、(2000年)を参照)。最近では、鉄触媒上に成長するナノチューブに見られる触媒粒子の詳細な調査が、エネルギーにフィルタをかけたTEMで行われた(Y.ヤオ、L.K.L.フォーク、R.E.モージャン、O.A.ネルシェフおよびE.E.B.キャンベルによるJ.Mater.Sci.15、583−94、(2004年))。粒子には、著しい量のSiが含まれていることが示された。同様の観察が、Ni触媒上にPECVDで成長したCNTについても行われた。このように、シリサイドはナノチューブの成長を低下させるものではなく、最も好ましい触媒粒子の化学量論についての問題は未解決である。ここで報告された結果は、触媒の島を形成するためにシリサイド化プロセスを利用している。Siを触媒と金属下層との間のサンドイッチ層として導入することによって、異なる金属下層上へのナノチューブの成長が著しく改善された。これは、図30に示される一連のSEM画像ではっきりと見ることができる。Tiについて、その成長が非常に低密度であることが見出され(図30(a)部)、Cr金属(図30(b)部)下層については成長が無かった。Crの場合、プラズマ成長チャンバーにおいて15分後にフィルム上に多くのひび割れや隙間ができた。Tiの場合は、ナノチューブがいくつかの触媒のある場所から成長しているのが見られる。これらは、ランダムに成長しているナノチューブで、直径が10nmから50nmの範囲にあり、長さが数ミクロンまで延びているように見える。それらは、垂直の配列を示すものではなく、先端成長の証拠も無い。しかしながら、VACNTは、他の4つの基板上にうまく成長していた。Pdを備えるサンプル(図30(d)部)もまた、配列されていない長いフィラメント上の構造体を含んでいた。TEMの調査を行わなかったが、これらの二つのタイプのカーボンナノ構造体が共存するのは、他者によって得られた結果に非常に類似するように見える(例えば、A.V.メレチコ、V.I.マークロフ、D.H.ローンデス、M.A.ギローンおよびM.L.シンプソンによるChem.Phys.Lett.、356、527−33、(2002年)を参照)。このように、配列されていない長いフィラメントが、ベース成長モードによって成長するCNTに帰せられる。
プラズマ処理後の下に横たわる金属電極層の電気的な完全性および金属−ナノチューブのコンタクトの質は、CMOSに適するデバイスにCNTを応用するために重要な課題である。二探針I−V測定をフィルム上で行うために三つの異なる構成の電極が用いられた。すなわち、(i)双方の探針が金属層上、(ii)一つの探針が金属層上でもう一つがナノチューブの表面上、(iii)双方の探針がナノチューブの表面上である。図34は、これらの実施例の各々について測定の構成と等価DC回路図を示す。シールドされた箱を介してHP4156Bパラメータ分析器に接続される、先端の直径が約40μm乃至50μmの探針を用いて、室温で測定を行った。回路を流れる電流をモニタしながら、マイクロマニュピレーターを使って、探針を表面(特にCNT表面の場合について)と接触させた。そうして、探針がCNTの表面のみに触れ、フィルムの底に触れないように確認した。フィルムおよび金属下層についての量的な情報よりもむしろ質的な結果を得るために測定が行われた。金属をNi触媒から分離する、Si中間層の無いMoおよびW下層(図35(a)部の差込図)のためのCNT−金属構成について、線形I−Vプロフィールが測定された。I−Vのプロットの線形性により、ナノチューブと金属層との間がオーミックコンタクトであることが示唆されている。三つの異なる測定の構成のうち、この場合においては、ナノ構造体の密度が非常に低いことが期待されており、大きな導電性の変化が観察されない。図35(a)部の主要部には、アモルファスシリコン中間層を含むサンプルについてのプロットが示されている。アモルファスシリコンが無い状況については、期待できるよりも抵抗が高くなる。しかしながら、タングステンについて、プロットは、わずかな非線形性しかない顕著に線形的な振る舞いを示しており、CNTと各々の下にある金属との間のオーミックコンタクトの度合いが多様であることを示唆している。
重要な観点は、ナノ構造体が成長する触媒粒子のタイプと形態である。(例えば、J.H.ハンおよびH.J.キムによるMater.Sci.Eng.、C16、65−8、(2001年)およびC.デュカティ、I.アレクサンドロウ、M.チョワラ、J.ロバートソンおよびG.A.J.アマラツンガによるJ.Appl.Phys.、95、6387、(2004年)を参照)。本件の研究では、AFM分析によって、ほとんどの金属下層についての加熱ステップの後、1nm乃至5nmの粗い粒子状の構造体が形成されることが確認されたが、それら全てがカーボンナノ構造体の成長に触媒作用を及ぼす訳では無い。したがって、Niを含む島の形成およびそれらの大きさのみが、ナノ構造体の成長についての決定的な要素ではない。触媒粒子は、純粋な金属ではなく、NiおよびCを含む複合結晶相であることは以前から報告されており(C.デュカティ、I.アレクサンドロウ、M.チョワラ、J.ロバートソンおよびG.A.J.アマラツンガによるJ.Appl.Phys.、95、6387、(2004年))、またSiが含まれていてでさえ、鉄をベースとする触媒の働きを抑制するものではない(Y.ヤオ,L.K.L.フォーク、R.E.モージャン、O.A.ネルシェフおよびE.E.B.キャンベルによるJ.Mater.Sci.、15、583−94、(2004年))。
最近出版された結果によると、TiまたはCrフィルムが、自然酸化物を備えるSi基板上に蒸着されるとき、TiおよびCrがVACNT成長に関して最も有望な金属下層である(例えば、カッセルA.M.らによるナノテクノロジー、15、9、(2004年)、J.H.ハンおよびH.J.キムによるMater.Sci.Eng.、C16、65−8、(2001年)およびV.I.マークロフらによるAppl.Phys.Lett.、76、3555、(2000年)を参照)。ここに提示される結果は、反対の振る舞いを示している。これらの結果の間の矛盾は、金属層の下の支持層のタイプ、熱フィラメントシステムの有無、電流密度、加熱システムおよび基板の温度制御において異なる成長パラメータに帰することができる。
PdおよびPtの場合について、AFM測定によって、加熱ステップの後に小さな粒子が形成されることが明らかになっている。相図には、700℃でNi−PdとNi−Ptの間に支配的な合金の形成が行われていそうに無いことが示されている(T.B.マサルスキによる二元合金相図第二巻Fe−RuからZn−Zrまで(1986年メタルズパーク、OH:アメリカ金属学会))。本件の層構成Ni−Si−Pt/Ni−Si−Pdにおいて、最初の反応は、Pd−SiおよびPt−Si界面が結晶シリサイド(それぞれPd2SiおよびPt2Si)に変化することである(M.O.アボエルフォト、A.アレサンドリニおよびM.F.ダールによるAppl.Phys.Lett.、49、1242、(1986年)およびA.H.リーダー、A.H.ヴァンオーメン、P.J.Wウェイジス、R.A.M.ウォルターズおよびD.J.ウーストラによるRep.Prog.Phys.、56、1397−467、(1993年))。その後、より高い温度で、最上のNi層が残りのアモルファスSiと、かつ最もありそうなのは、Pt/Pdシリサイドと、相互反応し始め、それによって二元/三元合金を形成する(E.カンプショフ、N.ワークリおよびK.カーンによるSurf.Sci.、406、103、(1998年)、F.エデルマン、C.サイターマン、R.ブレナー、M.アイゼンバーグおよびR.ウェルによるJ.Appl.Phys.、71、289、(1992年)およびN.R.フランクリン、Q.ワン、T.W.ソブラー、A.ジャーベイ、M.シムおよびH.ダイによるAppl.Phys.Lett.、81、913、(2002年))。このように、PdとPtの双方の場合について、Siを除外するのと包含するのとの間には強い化学的な相違がある。さらには、傾斜段階およびプラズマ環境段階の双方で起こる強い反応によって、Siが包含される場合には、直径が小さなナノ構造体が集合的に形成される結果となるが、Siが除外される場合にはそのような成長は無い。後者の場合は、Ir下層上にCNTが粗悪に成長するのが観察されることと相関する(A.M.カッセルらによるNanotechnology、15、9、(2004年))。
Mo−NiとW−Niの相図には、700℃よりも高い温度で、Niのリッチな合金が形成されることが示されている。Mo/W上に蒸着されるNi層の集結度がある程度影響されてSiが除外される場合には、個々のナノ構造体の密度が非常に低いものとなる。これらのサンプルからのナノ構造体に均一性が欠如していて密度が低いのは、フランクリンらによって観察されたことと一致し(N.R.フランクリン、Q.ワン、T.W.ソブラー、A.ジャーベイ、M.シムおよびH.ダイによるAppl.Phys.Lett.、81、913、(2002年))、そこでは、触媒層の下にW/Mo電極があることでナノチューブの成長が抑制されているが、Mo/W化合物がナノチューブの成長のための触媒として用いられる、先に発表された結果とは一致しない(C.J.リー、S.C.リュウ、H.W.キム、J.W.パーク、H.M.ジュンおよびJ.パークによるChem.Phys.Lett.、361、469、(2002年)およびA.モイサーラ、A.G.ナシブリンおよびE.I.カウッピネンによるJ.Phys.:Condens.Matter、15、S3011、(2003年))。MoとWはそれぞれ〜800℃および〜950℃でSiを消費し始めて、シリサイドを形成する(M.O.アボエルフォト、A.アレサンドリニおよびM.F.ダールによるAppl.Phys.Lett.、49、1242、(1986年)およびS.P.ムラルカ、によるJ.Vac.Sci.Technol.、17、775、(1980年))。現在では、調査されたプロセスはこれらの温度より低い。このように、Si中間層を導入することによって、安定的なSi−MoおよびSi−Wシステムが達成されて、フィルムにおける個々のナノ構造体の密度を一見高める純粋なSi−Ni表面が促進される。さらには、これらの金属は、SiおよびNiの双方向への拡散に対してバリアを形成し、Niフィルムが自然酸化物層を有するバルクシリコン上に直接蒸着される場合と比べて、Niと反応できるSiの量を制限する。
この実施例は、垂直に独立して立つカーボンナノチューブ/ナノファイバーおよび、それらの機能性ナノデバイスへの組み込みを扱う。この実施例において、タングステンおよびモリブデン金属下層上にあらかじめ作製された触媒ドット上に独立して立つ個々のカーボンナノファイバーの成長が示されており、アモルファスシリコン層を触媒層の一部として用いている。要するに、触媒ドットの95%より多くが、W金属下層上への成長のための核生成を促進した。成長シーケンスの間に起こるシリサイド化は、成長速度論について極めて重要な役割を果たすことが示唆されている。EDX化学分析によって、ナノファイバーの先端は、Niの合金および下層金属からなり、ベースはNi、Siおよび下層金属のサインを示すことが明らかとなった。
この実施例では、単一の幾何学的なデザインからのPECVD成長における、CNT/CNFの直径および長さの分布の制御を記述する。電子線リソグラフィーのショット調整技法によって触媒ドットの直径を制御することで、結果が得られた。その方法は、単一の幾何学的デザインからサイズの異なるドットを作製することと、その結果として起こる、異なる金属下層上に垂直に配列されるカーボンナノファイバーを成長することへの効果とを含む。統計的な分析を行って、PECVDシステムで成長するCNF構造体の均一性を評価し、異なる金属下層の関数として、直径および長さの分布に関して達成可能な均一性を調査する。成長するナノファイバーの直径の変化量を2±1nmの精度に制御することが可能であり、その結果は統計的に予測可能である。そうして開発された技術は、カーボンをベースとしたナノ電子機械構造(NEMS)を作製するのに適切である。
(サンプルの調製と特性表示)
(異なる金属下層上への成長)
(統計上の評価)
(直径および長さの分布)
(ピッチの制限)
Claims (21)
- 導電基板と、
該導電基板によって支えられるナノ構造体と、
前記ナノ構造体に隣接し、前記ナノ構造体を支えるかあるいは前記ナノ構造体に支えられている触媒層と、
前記導電基板と、前記ナノ構造体と前記触媒層のうち前記導電基板に近いものとの間の複数の中間層とを含み、
前記複数の中間層は、前記触媒層とは同じ材料ではなく、
前記中間層は、前記ナノ構造体の成長を促進するために、前記導電基板と前記ナノ構造体の間の層間の相互拡散が可能になるように選択される
ナノ構造体組み立て体。 - 前記導電基板が金属を含む請求項1に記載のナノ構造体。
- 前記金属が、タングステン、モリブデン、ニオブ、白金およびパラジウムからなるグループから選択される請求項2に記載のナノ構造体。
- 前記複数の中間層が、金属層および半導体材料の層を含む請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記半導体材料の層が、アモルファスシリコンである請求項4に記載のナノ構造体。
- 前記ナノ構造体が、カーボンナノチューブである請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記ナノ構造体が、カーボンナノファイバーである請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記ナノ構造体が、2°未満の円錐角を有する請求項7に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記ナノ構造体が、InP、GaAsおよびAlGaAsからなるグループから選択される化合物で作られる請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記複数の中間層が、オーミックコンタクトを形成する請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記複数の中間層が、ショットキーバリアを形成する請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記導電基板が、直接シリコンまたは酸化シリコンのウェハ上にある請求項1に記載のナノ構造体組み立て体のアレイ。
- 前記複数の中間層が、1nm厚と1μm厚との間にある請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記触媒層における前記触媒が、Ni、Fe、Mo、NiCrおよびPdからなるグループから選択される請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 前記触媒層が前記ナノ構造体を支えており、前記ナノ構造体によって支えられている第二の触媒層をさらに備える請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 2度未満の円錐角を有する実質的に真直ぐな概円筒形のカーボンナノ構造体を備える請求項1に記載のナノ構造体組み立て体。
- 基板上に支えられるカーボンナノ構造体のアレイであって、前記アレイの各カーボンナノ構造体は、請求項1によるナノ構造体組み立て体を備え、
前記各カーボンナノ構造体は、70nmから200nmだけ前記アレイの他のカーボンナノ構造体から間隔を空けられているカーボンナノ構造体のアレイ。 - 前記ナノ構造体は、70nmから120nmだけ間隔を空けられている請求項17に記載のカーボンナノ構造体組み立て体。
- 導電基板と、
触媒層と、
前記導電基板と前記触媒層との間の複数の中間層とを含み、
前記中間層は、前記ナノ構造体の成長を促進するために、前記触媒層上に形成される記導電基板と前記ナノ構造体との間の層間の相互拡散が可能になるように選択される
ナノ構造体組み立て体の前駆体。 - 導電基板を供給し、
該導電基板上に積み重ね層を堆積し、
前記積み重ね層上にナノ構造体を成長させる、
ことを含むナノ構造体を形成する方法において、
前記積み重ね層は複数の中間層と、少なくとも一つの前記中間層の上の触媒層とを含み、前記中間層のそれぞれは、前記触媒層とは異なる材料で作製されており、
前記複数の中間層は、前記ナノ構造体の成長を促進するために、記導電基板と前記ナノ構造体との間の層間の相互拡散が可能になるように選択される
方法。 - 支持体と、
該支持体上の絶縁層と、
空洞を形成するように配置される、前記絶縁層上の材料の第三の層と、
前記空洞中の、前記絶縁層上の金属電極と、
該金属電極上に構築されるナノ構造体と、
前記材料の第三の層上に蒸着される電極層と
を備え、前記ナノ構造体と前記金属電極がともに、請求項1〜18のいずれか一つに記載のナノ構造体組み立て体を構成する電子線描画器。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0500926 | 2005-04-25 | ||
SE0500926-1 | 2005-04-25 | ||
SE0501888 | 2005-08-26 | ||
SE0501888-2 | 2005-08-26 | ||
US77244906P | 2006-02-10 | 2006-02-10 | |
US60/772,449 | 2006-02-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008508795A Division JP5349956B2 (ja) | 2005-04-25 | 2006-04-25 | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149628A true JP2013149628A (ja) | 2013-08-01 |
Family
ID=36764632
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008508795A Active JP5349956B2 (ja) | 2005-04-25 | 2006-04-25 | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
JP2013069796A Pending JP2013149628A (ja) | 2005-04-25 | 2013-03-28 | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008508795A Active JP5349956B2 (ja) | 2005-04-25 | 2006-04-25 | ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7687876B2 (ja) |
EP (2) | EP1874986B1 (ja) |
JP (2) | JP5349956B2 (ja) |
KR (1) | KR101361946B1 (ja) |
WO (1) | WO2006115453A1 (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057881B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc | Nanofiber surface based capacitors |
EP1874986B1 (en) * | 2005-04-25 | 2013-01-23 | Smoltek AB | Controlled growth of a nanostructure on a substrate, and electron emission devices based on the same |
US7777291B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-08-17 | Smoltek Ab | Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
KR101530379B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2015-06-22 | 삼성전자주식회사 | 다공성 글래스 템플릿을 이용한 실리콘 나노 와이어의제조방법 및 이에 의해 형성된 실리콘 나노 와이어를포함하는 소자 |
JP2007314391A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Ulvac Japan Ltd | カーボンナノチューブ成長用基板及びその基板を用いたカーボンナノチューブの作製方法 |
US8945970B2 (en) * | 2006-09-22 | 2015-02-03 | Carnegie Mellon University | Assembling and applying nano-electro-mechanical systems |
WO2008054283A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Smoltek Ab | Photonic crystals based on nanostructures |
US8729787B2 (en) * | 2006-12-18 | 2014-05-20 | Micron Technology, Inc. | Field emission devices and methods for making the same |
US7563425B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-07-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Carbonnitride nanotubes with nano-sized pores on their stems, their preparation method and control method of size and quantity of pore thereof |
KR101487346B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2015-01-28 | 스몰텍 에이비 | 인접 층들을 나노구조들과 연결하고 결합하는 방법 |
US7818816B1 (en) * | 2007-10-01 | 2010-10-19 | Clemson University Research Foundation | Substrate patterning by electron emission-induced displacement |
US8919428B2 (en) | 2007-10-17 | 2014-12-30 | Purdue Research Foundation | Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate |
US8262835B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-09-11 | Purdue Research Foundation | Method of bonding carbon nanotubes |
WO2009108101A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Smoltek Ab | Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing |
US20090236675A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | National Tsing Hua University | Self-aligned field-effect transistor structure and manufacturing method thereof |
FR2933106B1 (fr) * | 2008-06-27 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention de tapis de nanotubes de carbone sur substat conducteur ou semi-conducteur |
US8183164B2 (en) * | 2008-07-29 | 2012-05-22 | University Of Dayton | Method for preferential growth of semiconducting vertically aligned single walled carbon nanotubes |
CN102119363B (zh) * | 2008-08-05 | 2015-10-21 | 斯莫特克有限公司 | 用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用 |
US8058627B2 (en) * | 2008-08-13 | 2011-11-15 | Wisys Technology Foundation | Addressable transmission electron microscope grid |
US8169031B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-05-01 | International Business Machines Corporation | Continuous metal semiconductor alloy via for interconnects |
US8354291B2 (en) | 2008-11-24 | 2013-01-15 | University Of Southern California | Integrated circuits based on aligned nanotubes |
US8325947B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-12-04 | Bejing FUNATE Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic device |
EA201190076A1 (ru) * | 2009-01-16 | 2012-06-29 | Зе Боард Оф Трастиз Оф Зе Лилэнд Стенфорд Джуниор Юниверсити | Ультраконденсатор и электронная аккумуляторная батарея с квантовой точкой |
US8877367B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-11-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High energy storage capacitor by embedding tunneling nano-structures |
US8524398B2 (en) * | 2009-04-01 | 2013-09-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | All-electron battery having area-enhanced electrodes |
CN101811658B (zh) * | 2009-02-20 | 2012-09-19 | 清华大学 | 碳纳米管阵列传感器及其制备方法 |
CN102449748B (zh) * | 2009-05-13 | 2015-06-17 | 宾夕法尼亚大学理事会 | 与碳纳米结构的光蚀刻划定的接触 |
US8889235B2 (en) * | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor |
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US7977761B2 (en) | 2011-07-12 |
WO2006115453A1 (en) | 2006-11-02 |
EP1874986A1 (en) | 2008-01-09 |
JP5349956B2 (ja) | 2013-11-20 |
EP2586744B1 (en) | 2016-01-13 |
US20090108251A1 (en) | 2009-04-30 |
KR101361946B1 (ko) | 2014-02-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A602 | Written permission of extension of time |
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