JP2003249163A - 抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造 - Google Patents

抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造

Info

Publication number
JP2003249163A
JP2003249163A JP2003039716A JP2003039716A JP2003249163A JP 2003249163 A JP2003249163 A JP 2003249163A JP 2003039716 A JP2003039716 A JP 2003039716A JP 2003039716 A JP2003039716 A JP 2003039716A JP 2003249163 A JP2003249163 A JP 2003249163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
layer
cathode structure
material layer
structure according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003039716A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean Dijon
ジャン・デジョン
Adeline Fournier
アドリーヌ・フルニエ
Brigitte Montmayeul
ブリジット・モンマユール
Aime Perrin
エーメ・ペラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of JP2003249163A publication Critical patent/JP2003249163A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、抵抗層上に形成された放出層を有
する陰極構造に関する。 【解決手段】 本発明の３極管型陰極構造は、陰極電極
（３３）を含む陰極アセンブリと、電子放出材料層（３
４）と、陰極電極（３３）と電子放出材料層（３４）と
の間に陰極電極（３３）と電子放出材料層（３４）とが
互いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層（３
６）と、電気的絶縁層（３１）によって陰極アセンブリ
から隔離されたグリッド電極（３５）と、を備える。陰
極電極（３３）及び電子放出材料層（３４）は、並んで
配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗層上に形成さ
れた放出層を有する陰極構造に関し、この陰極構造は電
界放出フラットスクリーンに利用できる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電界放
出によって励起されたカソードルミネッセンスによる表
示装置は、陰極又は電界放出構造と、ルミネッセンス層
で被覆された陰極に対向する陽極とを備える。陽極と陰
極とは、真空状態の空間によって隔離されている。
【０００３】陰極は、マイクロチップをベースにしたソ
ースか、又はしきい値電解（threshold field）の低い
放出層をベースにしたソースかのどちらかである。放出
層は、カーボンナノチューブ層、又は炭素又は他の材料
をベースにした他の構造のナノチューブ層、又は多層
（ＡｌＮ，ＢＮ）とすることができる。
【０００４】陰極構造は、ダイオード型又は３極管型と
することができる。３極管構造は、放出源からの電子の
抽出を促進するグリッドと呼ばれる付加的な電極を有す
る。いくつかの３極管構造はすでに考えられている。そ
れら３極管構造は、陰極に対するグリッドの位置に応じ
て２つの主なグループに分類することができる。
【０００５】３極管構造の第１のグループは、絶縁層に
形成されたホールの底部に陰極導体が堆積し、かつその
絶縁層上にグリッドが位置する構造を含む。これら３極
管構造を以下タイプＩ構造と称する。この種の３極管構
造は、特許文献１（特許文献２の対応出願）で規定され
ており、電界放出によって励起されたカソードルミネッ
センスによる表示装置の製造方法を開示している。電子
放出材料は、電子放出グリッドを支持する絶縁層に形成
されたホールの底部に見られる導電層上に堆積される。
【０００６】
【特許文献１】仏国特許出願公開第２５９３９５３号明
細書
【特許文献２】米国特許第４８５７１６１号明細書
【０００７】図１は、電界放出によって励起されたカソ
ードルミネッセンス表示装置の、従来技術に係るタイプ
Ｉ陰極構造の概略断面図を示す。この図には一つの放出
装置が示されている。円形ホール２が、電気的絶縁材料
で作られた層１を介して形成されている。導電層３が、
陰極を形成しかつ電子放出材料層４を支持するホール２
の底部に配置されている。絶縁層１の上面は、抽出グリ
ッドを形成しかつホール２を囲む金属層５を支持してい
る。
【０００８】３極管構造の第２のグループは、陰極導体
が絶縁層上に堆積され、かつその絶縁層の下にグリッド
が位置している構造を含む。これら３極管構造を以下タ
イプＩＩ構造と称する。この種の３極管構造は、特許文
献３及び特許文献４に記述されている。
【０００９】
【特許文献３】仏国特許出願公開第２７９８５０７号明
細書
【特許文献４】仏国特許出願公開第２７９８５０８号明
細書
【００１０】図２は、放出によって励起されたカソード
ルミネッセンス表示装置の、従来技術に係るタイプＩＩ
陰極構造の概略断面図を示す。この図には一つの放出装
置が示されている。電気的絶縁材料層１１は、グリッド
電極１５を層１１の下面で支持している。グリッド電極
５は、層１１の上面に配置された陰極１３を囲みかつ電
子放出材料層１４を支持する２つの部分からなる。
【００１１】タイプＩ及びタイプＩＩの陰極構造が正確
に電子を放出するよう操作すべきであるならば、陰極に
おける積層は、特許文献５（特許文献６の対応出願）で
述べられているように、放出を一様にするための独立し
たエミッターから放出された電流を制限する目的で、陰
極導体と放出層との間に抵抗層を追加することによって
より複合的に形成されねばならない。
【００１２】
【特許文献５】欧州特許第０３１６２１４号明細書
【特許文献６】米国特許第９４０９１６号明細書
【００１３】放出層をスクリーンの精確な領域に位置づ
けるには、触媒層（通常Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、又はこれら
の材料の合金）をこれらの領域に堆積させる必要があ
り、かくして放出層の選択的な成長が可能となる。これ
らの領域は成長領域と称されている。
【００１４】図３は、放出層が成長した後の、タイプＩ
及びタイプＩＩの陰極構造に対する陰極導体上方の完成
した積層を示す。この図は、抵抗層２６、触媒層２７、
及び放出層２４を順番に支持している陰極導体２３の断
面図を示す。
【００１５】これらの素子を製造する際に直面する問題
は、高温（５００〜７００℃）で起こる放出層の成長に
関連する。このステップを実施すると、通常シリコンで
作られる抵抗層において金属触媒が一部拡散する。この
拡散によって、抵抗層の導電性がよくなり、放出調整と
しての基本的な役割が排除される。図４は、図３の素子
に対する、放出層２４の成長ステップ後における抵抗層
２６内の金属触媒の拡散体積２８を示す。この問題はタ
イプＩ及びタイプＩＩの陰極構造に共通している。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この問題を克服するため
に、この発明は、電子放出が一様であり、放出層を成長
させた後にも抵抗層の完全性が保持される構造を提案す
る。
【００１７】本発明の目的は、陰極電極を含む陰極アセ
ンブリと、成長領域から形成され、かつ放出面から電子
を放出するよう意図された電子放出材料層と、陰極電極
と電子放出材料層との間に、陰極電極と電子放出材料層
とが互いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層
と、電気的絶縁層によって陰極アセンブリから隔離され
たグリッド電極と、を備えた３極管型陰極構造におい
て、陰極電極と電子放出材料層とは、並んで配置されて
いることを特徴とする。
【００１８】特定の一実施形態によれば、成長領域は、
互いに隔離された複数の成長パッドから構成され、電子
放出材料層は、これらパッド上に分配されている。抵抗
層は、各成長パッドの間に存在しなくてもよい。
【００１９】陰極構造はタイプＩとしてよく、タイプＩ
の場合には、グリッド電極は、陰極アセンブリに対し、
電子放出材料層の放出面の存在している側に位置してい
る。電子放出材料層を露出するために、グリッド電極と
電気的絶縁層とに開口部が形成されている場合には、電
子放出材料層は、開口部の中央部に位置していてよい。
電子放出材料層は開口部の全幅を占めてもよく、陰極電
極は開口部の側面から隔離される。好都合には、開口部
は矩形のトレンチを形成するので、電子放出材料もまた
矩形である。上述のように、成長領域は互いに隔離され
た複数の成長パッドから構成されかつこれら成長パッド
は円形なので、開口部は、パッドの中央に、（接してい
るか又は接していない）相当数の円筒形のホールを備え
てよい。
【００２０】好都合には、陰極電極は、前記電子放出材
料層を囲む２つの部分を備える。
【００２１】陰極構造はタイプＩＩとしてよく、タイプ
ＩＩの場合には、グリッド電極は、陰極アセンブリに対
して、電子放出材料層の放出面が存在している側と反対
側に位置する。
【００２２】好都合には、グリッド電極は、陰極アセン
ブリを囲む２つの部分を備える。好ましくは、陰極電極
はグリッド電極２つの部分の間の中央にあり、成長領域
は、陰極電極の各側に位置する２つの成長パッドからな
る少なくとも一つのグループから構成される。
【００２３】陰極構造の種類にかかわらず、成長領域は
成長多層としてよい。この成長多層は、金属導体を介し
て抵抗層に電気的に接続されてよい。
【００２４】本発明の他の目的は、上で規定された複数
の陰極構造を備えた、電界放出フラットスクリーンであ
る。
【００２５】添付の図面に付随する制限されない例とし
て与えられた次の記述を読むことによって、本発明はよ
り良く理解され、他の優位点及び特異な特徴が明らかと
なる。
【００２６】
【発明の実施の形態】図５は、この発明に係る放出層を
備えたタイプＩ陰極構造の断面図を示す。この陰極構造
は、２つの部分で陰極電極３３が重畳された支持体３０
と、２つの部分の陰極電極３３とこれら２つの部分の間
に位置する支持面３０とを覆う抵抗層３６と、絶縁層３
１と、電子抽出グリッド（electron extraction grid）
を形成する金属層３５とを備える。抵抗層３６はホール
３２によって露出されている。成長領域から形成された
ホール３２の中央にある放射材料層３４は、抵抗層３６
上に支持されている。
【００２７】例えばホール３２は、絶縁層３１及び抽出
グリッド３５に形成された幅Ｌのトレンチである。放出
材料層３４の成長領域の幅ｄは幅Ｌと比較して小さい。
この成長領域は、陰極電極３３の部分から距離Ｓの箇所
に位置している。成長領域は、厚さｅの抵抗層３６を介
してこれら陰極電極３３の部分へ電気的に接続されてい
る。陰極電極３３の部分は、抽出グリッド３５と垂直方
向に列をなしている。これらの部分はまた、グリッドの
ラインから引込んでいる。
【００２８】この成長領域は、不連続とすることがで
き、図５に示した陰極構造が示し得る一の平面図である
図６に示すように、パッドに構成することができる。図
６は、放出材料層３４が、距離Ｓと同じオーダーの大き
さの距離Ｕだけ隔離された２つの成長パッドに分配され
ている様子を示す。
【００２９】図５における陰極構造が示し得る別の平面
図が図７に示されている。この変形実施例では、抵抗層
３６は、放出材料層３４の各成長パッドの間でエッチン
グされている。
【００３０】図８は、この発明に係る放出層を備えたタ
イプＩ陰極構造の断面図を示す。この陰極構造は、２つ
の部分に構成された陰極電極４３が上に重畳された支持
体４０と、該支持体４０に続く層であって、２つの部分
とされた前記陰極電極４３とこれら２つの部分の間に位
置する前記支持面４０とを覆う抵抗層４６と、絶縁層４
１と、電子抽出グリッドを形成する金属層４５とを備え
る。ホール４２、例えば幅Ｌのトレンチが、絶縁層４１
及び抽出グリッド４５に形成されている。
【００３１】放出材料層４４は、抵抗層４６上に堆積さ
れた成長領域から出発して形成されており、トレンチ４
２の深部全体を占める。したがって放出材料層４４は、
トレンチと同一の幅を有する。陰極電極は、距離Ｓだけ
トレンチから隔離されている。
【００３２】図９は、この発明に係る放出層を備えたま
た他のタイプＩ陰極構造の平面図を示す。この変形例に
おいて、放出層５４は、円形の成長パッド上に形成され
ており、かつ接触してもいなくてもよい状態でこれらパ
ッドの中央にある円筒形のホール５２の底部に位置して
いる。この図はまた、抽出グリッド５５及び２つの部分
の陰極電極５３と共に、成長パッドが上に形成された抵
抗層５６をも示す。
【００３３】図１０及び図１１はそれぞれ、この発明に
係る放出層を備えたタイプＩＩ陰極構造を示す断面図及
び平面図である。図１０は、図１１におけるＸ−Ｘ線に
沿った断面図である。
【００３４】図１０及び図１１を参照すると、支持体６
０はグリッド電極６５を２つの部分で支持しており、次
いで絶縁層６１と、グリッド電極６５の中央にある陰極
アセンブリとを支持している。陰極アセンブリは、陰極
電極６３と、この陰極電極６３上に堆積されかつこの電
極のどちらか一方の側を投影している幅Ｌの抵抗層６６
と、この陰極電極６３の投影部分に堆積された複数のパ
ッド上に形成された放出層６４とを備える。図１１に示
すように、抵抗層６６は、２つの成長パッドをそれぞれ
支持する２つのグループに分配されている。
【００３５】成長パッドの幅はｄであり、これら成長パ
ッドは陰極電極６３から距離Ｓの箇所に位置している。
【００３６】この場合、本発明の変形例は、ストリップ
にエッチングされているというよりはむしろ連続的な抵
抗層を有して構成される。
【００３７】本発明は、従来技術に係るタイプＩ及びタ
イプＩＩ構造が直面した困難を解決する。抵抗層に触媒
が拡散することによって従来技術に係る構造内で起こる
抵抗層の短絡は、陰極電極が取り除かれるので排除され
る。拡散は、抵抗層の厚さ内で選択的に起こり、それ故
に横方向の抵抗を破壊せず、十分な抵抗が残留するよう
隔絶距離が取られる。分離パッドにおける放出層の分配
はまた、異なる放出領域間における電気的な独立性を保
証し、それ故に各パッドに対する抵抗層の作用が独立し
て提供される。放射が一様である理由はここにある。
【００３８】経験的に最小距離を、Ｓに、換言すると成
長領域を陰極電極から隔離する距離に、割り当てること
が可能である。この距離は、触媒の横方向の拡散よりも
大きくなければならない。
【００３９】図１２は、本発明に係る陰極アセンブリの
一部を示す断面図である。図１２は、支持体７０上に体
積された抵抗層７６と、この抵抗層上に位置しかつ成長
領域として作用する触媒層７７とを示す。放出層が成長
している間、抵抗層７６の厚さｅと同様の距離に亘って
拡がっている拡散体積７８内で触媒の拡散が起こる。Ｓ
は厚さｅの数倍のオーダー、典型的には３〜５μｍでな
ければならないと判断できる。この値は、模範としての
み与えられたものであって、限定的な事項ではない。
【００４０】上述の例として示した実施形態において、
成長領域は単に触媒層から構成されている。この成長領
域は、電子を放出する炭素構造（carbonated structur
e）の成長を促進するよう選択された材料の積層で構成
することができる。抵抗層上に直接成長領域を形成せず
に、成長構造の一部を形成する金属導体を介して成長領
域を抵抗層と連結することもまた可能である。
【００４１】この様子は、本発明に係るタイプＩＩ陰極
構造に対する陰極アセンブリの一部の断面図である図１
３に示されている。絶縁層８１は、陰極電極８３と、こ
の陰極電極８３に重なる抵抗層８６とを支持する。抵抗
層８６の側部は、成長多層８７が上に形成された金属導
体８９と電気的に接触している。例えば、この成長多層
は、ＴｉＮと、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＰｔのような他の
触媒材料とを含む積層とすることができる。金属導体８
９は、Ｃｒ，Ｍｏ及びＮｂのような金属とすることがで
きる。
【００４２】図１４Ａから図１４Ｆは、本発明に係るタ
イプＩ陰極構造の実施形態に対するプロセスを示し、こ
のプロセスは真空蒸着及びフォトリソグラフィ技術を実
施する。
【００４３】陰極導体は導電性材料、例えばモリブデ
ン、ニオブ、銅又はＩＴＯを支持体１００（図１４Ａ参
照）上に堆積させることによって得られる。導電性材料
の堆積物はストリップ内で、２５μｍのピッチで通常、
幅１０μｍにエッチングされる。図１４Ａは、陰極電極
１０３を形成するよう結合された２つのストリップを示
す。
【００４４】次いで、複数の堆積物、すなわちアモルフ
ァスシリコンから作られた厚さ１．５μｍの抵抗層１０
６、次いでシリカ又は窒化ケイ素から作られた厚さ１μ
ｍの絶縁層１０１、最後に電子抽出グリッドを形成する
ニオブ又はモリブデンから作られた金属層１０５が、図
１４Ｂに示すように形成される。
【００４５】次いで金属層１０５及び絶縁層１０１は、
抵抗層１０６を露出するために、幅１５μｍのホールす
なわちトレンチ１０２を用いて同時にエッチングされ
る。この様子は図１４Ｃに示されている。
【００４６】図１４Ｄは、樹脂から作られた犠牲層１０
７を堆積し、この層１０７内に幅６μｍ長さ１０〜１５
μｍの開口部１０８を形成して、抵抗層１０６を露出さ
せた後に得られる構造を示す。この開口部１０８の幅
は、形成されるべき放出層の幅に一致する。
【００４７】次いで鉄、コバルト又はニッケルの触媒堆
積物が構造上に形成される。図１４Ｅに示すように、こ
の触媒堆積物によって、犠牲層１０７と抵抗層１０６の
うち露出された部分との上に不連続な成長層１０９が形
成される。
【００４８】次いで犠牲層は、この犠牲層上に位置する
成長層の一部を除去する「リフトオフ」技術によって除
去される。抵抗層１０６の中央部には成長層の一部がま
だ残っている。これによって、図１４Ｆに示すように、
放出層１０４を成長させることができる。
【００４９】陰極構造の変形例は、触媒の代わりに多
層、例えばＴｉＮのようなバリヤ層、次いで触媒からな
る２層から構成される。この多層はまた、放出層の成長
を促すためにより複合的にすることもできる。
【００５０】成長領域が金属導体を介して抵抗層に接続
されている陰極構造の実施形態に対するプロセスは、上
述のプロセスと同一の図１４Ａから図１４Ｄのステップ
で始まる。次いでこれらのステップの後段に、図１４Ｇ
から図１４Ｉに示されたステップが続く。
【００５１】図１４Ｇは、支持体１００を露出するため
に抵抗層１０６がホール１０８のラインに沿ってエッチ
ングされる様子を示す。
【００５２】最後に、図１４Ｈに示すように、成長領域
と抵抗層１０６との間に電気的な接触を達成するため
に、金属層１１９が堆積される。次いで触媒層１１７又
は多層構造が金属層１１９の上に堆積される。
【００５３】次いでリフトオフ技術を用いて犠牲層１０
７が除去され、これによって金属層１１９の一部とこの
犠牲層上に位置する触媒層１１７とが除去される。金属
層１１９の一部は、図１４Ｉに示すように、抵抗層１０
６を金属層１１９のこの部分上に堆積された触媒パッド
１１７へ接続するために、支持体１００上に残留する。
次いで放出層の成長を開始することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術に係る放出層を有する３極管型陰極
構造の断面図である。
【図２】 従来技術に係る放出層を有する３極管型陰極
構造の断面図である。
【図３】 従来技術に係る、重畳された陰極導体、抵抗
層、触媒層、及び放出層を備えた陰極アセンブリの断面
図である。
【図４】 従来技術に係る、重畳された陰極導体、抵抗
層、触媒層、及び放出層を備えた陰極アセンブリの断面
図である。
【図５】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ陰極
構造の断面図である。
【図６】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ陰極
構造の平面図である。
【図７】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ陰極
構造の平面図である。
【図８】 この発明に係る放出層を備えた他のタイプＩ
陰極構造の断面図である。
【図９】 この発明に係る放出層を備えた他のタイプＩ
陰極構造の平面図である。
【図１０】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩＩ
陰極構造の断面図である。
【図１１】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩＩ
陰極構造の平面図である。
【図１２】 この発明に係る陰極アセンブリの一部を説
明する横断面である。
【図１３】 この発明に係る陰極アセンブリの変形例を
示す断面図である。
【図１４Ａ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｂ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｃ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｄ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｅ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｆ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｇ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｈ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【図１４Ｉ】 この発明に係る放出層を備えたタイプＩ
陰極構造を製造するプロセスを示す図である。
【符号の説明】
３１，４１，６１ 電気的絶縁層 ３２，４２，５２ 開口部 ３３，４３，６３ 陰極電極 ３４，４４，５４，６４ 電子放出材料層 ３５，４５，５５，６５ グリッド電極 ３６，４６，６６，８６ 抵抗層 ５２ ホール ８７ 成長多層 ８９ 金属導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アドリーヌ・フルニエ フランス・38120・モン・サン・マルタ ン・ラ・レバリエ・（番地なし) (72)発明者 ブリジット・モンマユール フランス・38190・バーニン・ロティスマ ン・ル・シャトー・852 (72)発明者 エーメ・ペラン フランス・38330・サン・ティスミア・シ ュマン・クレ・ドゥ・ショーム・108 Ｆターム(参考） 5C031 DD17 5C036 EE02 EF01 EF06 EF09 EG12 EH01 EH04 5C135 AA06 AA09 AC05 AC06 AC14 AC28 FF02 FF16 HH04 HH15

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陰極電極（３３，４３，６３）を含む陰
    極アセンブリと、成長領域から形成され、かつ放出面か
    ら電子を放出するよう意図された電子放出材料層（３
    ４，４４，６４）と、前記陰極電極と前記電子放出材料
    層との間に、前記陰極電極と前記電子放出材料層とが互
    いに電気的に接続されるよう挿入された抵抗層（３６，
    ４６，６６）と、電気的絶縁層（３１，４１，６１）に
    よって前記陰極アセンブリから隔離されたグリッド電極
    （３５，４５，６５）と、を備えた３極管型陰極構造に
    おいて、 前記陰極電極と前記電子放出材料層とは、並んで配置さ
    れていることを特徴とする陰極構造。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の陰極構造において、 前記成長領域は、互いに隔離された複数の成長パッドか
    ら構成され、前記電子放出材料層（３４，５４，６４）
    は、これらパッド上に分配されていることを特徴とする
    陰極構造。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の陰極構造において、 前記抵抗層（３６）は、各成長パッドの間に存在しない
    ことを特徴とする陰極構造。
  4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の陰極構造におい
    て、 前記グリッド電極（３５，４５）は、前記陰極アセンブ
    リに対し、前記電子放出材料層（３４，４４）の放出面
    の存在している側に位置していることを特徴とする陰極
    構造。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の陰極構造において、 前記電子放出材料層（３４，５４）を露出するために、
    前記グリッド電極（３５，５５）と前記電気的絶縁層
    （３１）とに開口部（３２，５２）が形成され、 前記電子放出材料層は、前記開口部の中央部に位置して
    いることを特徴とする陰極構造。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の陰極構造において、 前記電子放出材料層（４４）を露出するために、前記グ
    リッド電極（４５）と前記電気的絶縁層（４１）とに開
    口部（４２）が形成され、 前記電子放出材料層は前記開口部（４２）の全幅を占
    め、 前記陰極電極（４３）は前記開口部から側方に後退して
    位置していることを特徴とする陰極構造。
  7. 【請求項７】 請求項５又は６記載の陰極構造におい
    て、 前記開口部（３２，４２）は矩形のトレンチを形成し、
    前記電子放出材料層（３４，４４）の形状もまた矩形で
    あることを特徴とする陰極構造。
  8. 【請求項８】 請求項２又は５記載の陰極構造におい
    て、 前記成長パッドは円形であり、かつ前記開口部は、前記
    パッドの中央に、接していてもいなくてもよい相当数の
    円筒形のホール（５２）を備えることを特徴とする陰極
    構造。
  9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか一項に記載の
    陰極構造において、 前記陰極電極（３３，４３）は、前記電子放出材料層
    （３４，４４）を囲む２つの部分を備えることを特徴と
    する陰極構造。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の陰極構造において、 前記グリッド電極（６５）は、前記陰極アセンブリに対
    し、前記電子放出材料層（６４）の放出面が存在してい
    る側と反対側に位置することを特徴とする陰極構造。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の陰極構造において、 前記グリッド電極（６５）は、前記陰極アセンブリを囲
    む２つの部分を備えることを特徴とする陰極構造。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の陰極構造において、 前記陰極電極（６３）は前記グリッド電極（６５）の２
    つの部分の間の中央にあり、前記成長領域は、前記陰極
    電極の各側にある２つの成長パッドからなる少なくとも
    一つのグループから構成されることを特徴とする陰極構
    造。
  13. 【請求項１３】 請求項１から１２のいずれか一項に記
    載の陰極構造において、 前記成長領域は、成長多層であることを特徴とする陰極
    構造。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の陰極構造において、 前記成長多層（８７）は、金属導体（８９）を介して前
    記抵抗層（８６）に電気的に接続されていることを特徴
    とする陰極構造。
  15. 【請求項１５】 請求項１から１４のいずれか一項に記
    載の陰極構造を複数備えることを特徴とする電界放出フ
    ラットスクリーン。
JP2003039716A 2002-02-19 2003-02-18 抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造 Pending JP2003249163A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0202078 2002-02-19
FR0202078A FR2836280B1 (fr) 2002-02-19 2002-02-19 Structure de cathode a couche emissive formee sur une couche resistive

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003249163A true JP2003249163A (ja) 2003-09-05

Family

ID=27620265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003039716A Pending JP2003249163A (ja) 2002-02-19 2003-02-18 抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6917147B2 (ja)
EP (1) EP1336980A1 (ja)
JP (1) JP2003249163A (ja)
FR (1) FR2836280B1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007329014A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Ulvac Japan Ltd Ｆｅｄ用カソード基板
JP2008016440A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Samsung Sdi Co Ltd 炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法
KR100814856B1 (ko) 2006-10-20 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 표시 장치
JP2008508665A (ja) * 2004-07-28 2008-03-21 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 高解像度陰極構造
JP2008538854A (ja) * 2005-04-25 2008-11-06 スモルテック エービー ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス
JP2008543008A (ja) * 2005-05-30 2008-11-27 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 放出陰極の製造方法
US7514857B2 (en) 2005-03-31 2009-04-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission device and electron emission display device using the same
US8183659B2 (en) 2005-08-26 2012-05-22 Smoltek Ab Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures
US8253253B2 (en) 2007-09-12 2012-08-28 Smoltek Ab Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures
US8508049B2 (en) 2008-02-25 2013-08-13 Smoltek Ab Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050051532A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시장치
US20110039690A1 (en) * 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
KR20050096534A (ko) * 2004-03-31 2005-10-06 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법
US7429820B2 (en) * 2004-12-07 2008-09-30 Motorola, Inc. Field emission display with electron trajectory field shaping
CN100468155C (zh) * 2004-12-29 2009-03-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组和液晶显示器
TW200638458A (en) * 2005-04-20 2006-11-01 Ind Tech Res Inst Triode field emission display
US7911123B2 (en) * 2005-07-04 2011-03-22 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission device and electron emission display using the electron emission device
TWI272870B (en) * 2005-11-18 2007-02-01 Tatung Co Field emission display device
US7545088B2 (en) * 2006-01-31 2009-06-09 Motorola, Inc. Field emission device
FR2897718B1 (fr) 2006-02-22 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif
JP5098048B2 (ja) * 2006-04-05 2012-12-12 インダストリー アカデミック コーオペレイション ファウンデーション オブ キョンヒー ユニヴァーシティー 電子放出源の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法および電界放出ディスプレイ
TW200826016A (en) * 2006-12-12 2008-06-16 Tatung Co Ltd Display device and back light thereof and method of driving the back light
US7800471B2 (en) * 2008-04-04 2010-09-21 Cedar Ridge Research, Llc Field emission system and method
ES2910086T3 (es) 2009-05-19 2022-05-11 Oned Mat Inc Materiales nanoestructurados para aplicaciones de batería
US8623288B1 (en) 2009-06-29 2014-01-07 Nanosys, Inc. Apparatus and methods for high density nanowire growth
US11430974B2 (en) 2019-05-17 2022-08-30 Ppg Industries Ohio, Inc. System for roll-to-roll electrocoating of battery electrode coatings onto a foil substrate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69211581T2 (de) * 1991-03-13 1997-02-06 Sony Corp Anordnung von Feldemissionskathoden
FR2702869B1 (fr) * 1993-03-17 1995-04-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage à micropointes et procédé de fabrication de ce dispositif.
US5717285A (en) * 1993-03-17 1998-02-10 Commissariat A L 'energie Atomique Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer
US5569975A (en) * 1994-11-18 1996-10-29 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips
JP2809129B2 (ja) * 1995-04-20 1998-10-08 日本電気株式会社 電界放射冷陰極とこれを用いた表示装置
US5759078A (en) * 1995-05-30 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Field emission device with close-packed microtip array
DE69621017T2 (de) * 1996-10-04 2002-10-31 St Microelectronics Srl Herstellungsverfahren einer flachen Feldemissionsanzeige und nach diesem Verfahren hergestellte Anzeige
FR2780808B1 (fr) * 1998-07-03 2001-08-10 Thomson Csf Dispositif a emission de champ et procedes de fabrication
US6323587B1 (en) 1998-08-06 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Titanium silicide nitride emitters and method
JP3595718B2 (ja) * 1999-03-15 2004-12-02 株式会社東芝 表示素子およびその製造方法
US6476406B1 (en) * 1999-06-22 2002-11-05 Agfa-Gevaert Devices equipped with tribostimulable storage phosphors
FR2798508B1 (fr) * 1999-09-09 2001-10-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif permettant de produire un champ electrique module au niveau d'une electrode et son application aux ecrans plats a emission de champ

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008508665A (ja) * 2004-07-28 2008-03-21 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 高解像度陰極構造
US7514857B2 (en) 2005-03-31 2009-04-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission device and electron emission display device using the same
JP2013149628A (ja) * 2005-04-25 2013-08-01 Smoltek Ab ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス
JP2008538854A (ja) * 2005-04-25 2008-11-06 スモルテック エービー ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス
JP2008546146A (ja) * 2005-05-30 2008-12-18 コミツサリア タ レネルジー アトミーク ナノ構造物の製造方法
JP2008543008A (ja) * 2005-05-30 2008-11-27 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 放出陰極の製造方法
US8183659B2 (en) 2005-08-26 2012-05-22 Smoltek Ab Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures
US8415787B2 (en) 2005-08-26 2013-04-09 Smoltek Ab Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures
JP2007329014A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Ulvac Japan Ltd Ｆｅｄ用カソード基板
JP2008016440A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Samsung Sdi Co Ltd 炭素ナノチューブ構造体の形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法
KR100814856B1 (ko) 2006-10-20 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 표시 장치
US8253253B2 (en) 2007-09-12 2012-08-28 Smoltek Ab Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures
US8815332B2 (en) 2007-09-12 2014-08-26 Smoltek Ab Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures
US8508049B2 (en) 2008-02-25 2013-08-13 Smoltek Ab Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing
US8866307B2 (en) 2008-02-25 2014-10-21 Smoltek Ab Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing
US9114993B2 (en) 2008-02-25 2015-08-25 Smoltek Ab Deposition and selective removal of conducting helplayer for nanostructure processing

Also Published As

Publication number Publication date
FR2836280B1 (fr) 2004-04-02
US6917147B2 (en) 2005-07-12
US20030184357A1 (en) 2003-10-02
EP1336980A1 (fr) 2003-08-20
FR2836280A1 (fr) 2003-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003249163A (ja) 抵抗層上に形成された放出層を有する陰極構造
JP5425753B2 (ja) 放出ディスプレイの陰極構造
KR100403060B1 (ko) 전자방출장치용 저항기 및 그 제조방법
JP2001357773A (ja) カーボンナノチューブを利用した電界放出アレイ及びその製造方法
JP2001236879A (ja) カーボンナノチューブを用いた３極電界放出素子の製造方法
JP2008546146A (ja) ナノ構造物の製造方法
WO2006062622A2 (en) Field emission display with electron trajectory field shaping
KR20050071480A (ko) 탄소 나노튜브 평판 디스플레이용 장벽 금속층
US7755270B2 (en) Cathode structure with nanotubes for emissive screen
JP2004253201A (ja) 電界放出型冷陰極およびその製造方法
US8274205B2 (en) System and method for limiting arc effects in field emitter arrays
WO2002021558A2 (en) Vacuum gap dielectric field emission triode
JP2007257994A (ja) 電界電子放出装置およびその製造方法
US7880375B2 (en) Triode cathode apparatus and method of making a triode cathode apparatus
JP2000243247A (ja) 電子放出素子の製造方法
US7053538B1 (en) Sectioned resistor layer for a carbon nanotube electron-emitting device
JP3390255B2 (ja) 電界放出陰極装置及びその製造方法
KR100658529B1 (ko) 전계방출소자 및 그 제조방법
JP2003007232A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JPH07122178A (ja) 電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法
JPH09245620A (ja) 電子放出素子及び電子放出素子アレイの製造方法、並びに電子放出素子
JP2000215787A (ja) 電界放出型冷陰極素子、その製造方法及び画像表示装置
JP2002025476A (ja) 表示装置
EP1695367A1 (en) Patterned resistor layer suitable for a carbon nano-tube electron-emitting device, and associated fabrication method
KR20000009134A (ko) 전계방출 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081029

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081104

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090324