JP2013125806A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013125806A JP2013125806A JP2011272961A JP2011272961A JP2013125806A JP 2013125806 A JP2013125806 A JP 2013125806A JP 2011272961 A JP2011272961 A JP 2011272961A JP 2011272961 A JP2011272961 A JP 2011272961A JP 2013125806 A JP2013125806 A JP 2013125806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control circuit
- mosfet
- gate
- igbt
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
- H01L2224/48096—Kinked the kinked part being in proximity to the bonding area on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0095—Hybrid converter topologies, e.g. NPC mixed with flying capacitor, thyristor converter mixed with MMC or charge pump mixed with buck
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】IGBT1〜3およびMOSFET7〜9のうち、ゲート制御回路18の近傍に配置されたトランジスタは、ゲート制御回路18から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介してゲート制御回路18から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与え、IGBT4〜6およびMOSFET10〜12のうち、ゲート制御回路19の近傍に配置されたトランジスタは、ゲート制御回路19から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介してゲート制御回路19から遠い位置に配置されたトランジスタに与える。
【選択図】図2
Description
図1には、本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態として、3相インバータモジュール100の回路構成を示している。
なお、以上の説明においては、ゲート制御回路18および19の近傍にIGBT1〜6を配置し、ゲート制御回路18および19から遠い位置にMOSFET7〜12を配置する構成を示したが、このような構成を採る場合、主回路電流が流れる経路がゲート充電ループとオーバーラップし、IGBT1〜6のゲート-エミッタ間電圧が低下する可能性がある。
以上説明した3相インバータモジュール100においては、IGBTの閾値電圧をMOSFETの閾値電圧より低く設定し、スイッチング時の過渡状態においてはIGBT側に全電流が流れる構成とする。
図1に示したようにスイッチングデバイスとしてIGBTとMOSFETとを並列して用いる構成においては、異なる特性のデバイスを並列接続するためゲート発振が発生する可能性がある。そこで、ゲート制御回路18および19から遠い位置にあるデバイス、例えばMOSFET7〜12のゲートパッド下からゲートまでの間に抵抗素子を内蔵することでゲート発振の発生を抑制する。
変形例2においては、IGBTの閾値電圧をMOSFETの閾値電圧より低く設定することで、スイッチング時にMOSFETに流れる電流を抑制する構成を説明したが、以下に図9および図10を用いて説明する構成を採ることによってもスイッチング時にMOSFETに流れる電流を抑制することができる。
以上説明した実施の形態およびその変形例1〜4においては、ゲート制御回路からIGBTおよびMOSFETに対して共通のゲート制御信号を与える構成を示したが、以下に図11および図12を用いて説明する構成を採ることによって、IGBTおよびMOSFETに対してゲート制御回路からそれぞれ個別にゲート制御信号を与えることもできる。
以上説明した実施の形態およびその変形例1〜4においては、ゲート制御回路からIGBTおよびMOSFETに対して共通のゲート制御信号を与える構成を示したが、以下に図15および図16を用いて説明する構成を採ることによって、IGBTおよびMOSFETに対してゲート制御回路からそれぞれ個別にゲート制御信号を与えることもできる。
以上の説明においては、MOSFETの種類については特に限定しなかったが、シリコン(Si)基板上に形成されるシリコン半導体装置として構成しても良いし、炭化シリコン(SiC)基板上に形成される炭化シリコン半導体装置や、窒化ガリウム(GaN)系材料で構成される基板上に形成される窒化ガリウム半導体装置としても良い。
Claims (11)
- 第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、
前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、
前記第1のスイッチング部は、
前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、
前記第2のスイッチング部は、
前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、
前記電力用半導体装置の平面レイアウトにおいて、
前記第1の制御回路は、前記第1のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETの一方は、前記第1の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第1の制御回路から遠い位置に配置され、
前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETの一方は、前記第2の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第2の制御回路から遠い位置に配置され、
前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETのうち、前記第1の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第1の制御回路から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介して前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与え、
前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETのうち、前記第2の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第2の制御回路から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介して前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタに与える、電力用半導体装置。 - 前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETは、主電流が半導体基板主面に対して垂直な方向に流れる縦型構造のトランジスタであり、
前記第1のスイッチング部内の、前記第1の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、そのゲートに接続される第1のゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第1の制御回路側に設けられ、第2のゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第1の制御回路とは反対側に設けられ、
前記第1のゲートパッドに前記第1の制御回路からの前記ゲート制御信号が与えられ、前記第2のゲートパッドから前記ゲート制御信号が出力されて前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートパッドに与えられ、
前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETは、主電流が半導体基板主面に対して垂直な方向に流れる縦型構造のトランジスタであり、
前記第2のスイッチング部内の、前記第2の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、そのゲートに接続される第1のゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第2の制御回路側に設けられ、第2のゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第2の制御回路とは反対側に設けられ、
前記第1のゲートパッドに前記第2の制御回路からの前記ゲート制御信号が与えられ、前記第2のゲートパッドから前記ゲート制御信号が出力されて前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートパッドに与えられる、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記第1のスイッチング部において、前記第1のIGBTが、前記第1の制御回路の近傍に配置され、
前記第2のスイッチング部において、前記第2のIGBTが、前記第2の制御回路の近傍に配置される、請求項2記載の電力用半導体装置。 - 前記第1のスイッチング部において、前記第1のMOSFETが、前記第1の制御回路の近傍に配置され、
前記第2のスイッチング部において、前記第2のMOSFETが、前記第2の制御回路の近傍に配置される、請求項2記載の電力用半導体装置。 - 前記第1のIGBTの閾値電圧は、前記第1のMOSFETの閾値電圧よりも低く設定され、
前記第2のIGBTの閾値電圧は、前記第2のMOSFETの閾値電圧よりも低く設定される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記第1のスイッチング部内の前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタは、そのゲートパッドとゲートとの間に抵抗素子を有し、
前記第2のスイッチング部内の前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタは、そのゲートパッドとゲートとの間に抵抗素子を有する、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、
前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、
前記第1のスイッチング部は、
前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、
前記第2のスイッチング部は、
前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、
前記第1のIGBTのゲートには、前記第1の制御回路からのゲート制御信号が第1の抵抗素子を介して与えられ、
前記第1のMOSFETには、前記第1の制御回路からの前記ゲート制御信号が第2の抵抗素子を介して与えられ、
前記第2の抵抗素子の抵抗値は前記第1の抵抗素子よりも高く、前記第2の抵抗素子にはダイオードが逆並列に接続され、
前記第2のIGBTのゲートには、前記第2の制御回路からのゲート制御信号が第1の抵抗素子を介して与えられ、
前記第2のMOSFETには、前記第2の制御回路からの前記ゲート制御信号が第2の抵抗素子を介して与えられ、
前記第2の抵抗素子の抵抗値は前記第1の抵抗素子よりも高く、前記第2の抵抗素子にはダイオードが逆並列に接続される、電力用半導体装置。 - 第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、
前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、
前記第1のスイッチング部は、
前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、
前記第2のスイッチング部は、
前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、
前記電力用半導体装置の平面レイアウトにおいて、
前記第1の制御回路は、前記第1のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETの一方は、前記第1の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第1の制御回路から遠い位置に配置され、
前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETの一方は、前記第2の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第2の制御回路から遠い位置に配置され、
前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETは、主電流が半導体基板主面に対して垂直な方向に流れる縦型構造のトランジスタであり、
前記第1のスイッチング部内の、前記第1の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、そのゲートに接続されるゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第1の制御回路側に設けられ、中継パターンが、前記他方の主電極側の平面内において前記第1の制御回路とは反対側に設けられ、
前記ゲートパッドに前記第1の制御回路からの第1のゲート制御信号が与えられるとともに、前記中継パターンに前記第1の制御回路からの第2のゲート制御信号が与えられ、前記中継パターンを介して前記第2のゲート制御信号が前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートパッドに与えられ、
前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETは、主電流が半導体基板主面に対して垂直な方向に流れる縦型構造のトランジスタであり、
前記第2のスイッチング部内の、前記第2の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、そのゲートに接続されるゲートパッドが、前記他方の主電極側の平面内において前記第2の制御回路側に設けられ、中継パターンが、前記他方の主電極側の平面内において前記第2の制御回路とは反対側に設けられ、
前記ゲートパッドに前記第2の制御回路からの第1のゲート制御信号が与えられるとともに、前記中継パターンに前記第2の制御回路からの第2のゲート制御信号が与えられ、前記中継パターンを介して前記第2のゲート制御信号が前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートパッドに与えられる、電力用半導体装置。 - 前記第1の制御回路は、
ターンオン時には、前記第1のIGBTの方が先にターンオンし、ターンオフ時には、前記第1のMOSFETの方が先にターンオフするように前記第1および第2のゲート制御信号を与え、
前記第2の制御回路は、
ターンオン時には、前記第2のIGBTの方が先にターンオンし、ターンオフ時には、前記第2のMOSFETの方が先にターンオフするように前記第1および第2のゲート制御信号を与える、請求項8記載の電力用半導体装置。 - 第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、
前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、
前記第1のスイッチング部は、
前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、
前記第2のスイッチング部は、
前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、
前記第1の制御回路は、
ターンオン時には、前記第1のIGBTの方が先にターンオンし、ターンオフ時には、前記第1のMOSFETの方が先にターンオフするように前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETのスイッチング動作を個別に制御し、
前記第2の制御回路は、
ターンオン時には、前記第2のIGBTの方が先にターンオンし、ターンオフ時には、前記第2のMOSFETの方が先にターンオフするように前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETのスイッチング動作を個別に制御する、電力用半導体装置。 - 前記第1および第2のMOSFETは、
炭化シリコン基板上に形成される炭化シリコンMOSFETおよび窒化ガリウム系材料で構成される基板上に形成される窒化ガリウムMOSFETの何れかである、請求項1、7、8および10の何れか1項に記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011272961A JP5805513B2 (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | 電力用半導体装置 |
US13/677,028 US9106156B2 (en) | 2011-12-14 | 2012-11-14 | Power semiconductor device |
KR1020120138733A KR101428527B1 (ko) | 2011-12-14 | 2012-12-03 | 전력용 반도체장치 |
CN201210542282.9A CN103166615B (zh) | 2011-12-14 | 2012-12-14 | 功率半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011272961A JP5805513B2 (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013125806A true JP2013125806A (ja) | 2013-06-24 |
JP5805513B2 JP5805513B2 (ja) | 2015-11-04 |
Family
ID=48589391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011272961A Active JP5805513B2 (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | 電力用半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9106156B2 (ja) |
JP (1) | JP5805513B2 (ja) |
KR (1) | KR101428527B1 (ja) |
CN (1) | CN103166615B (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103582408A (zh) * | 2013-07-31 | 2014-02-12 | 刘杰 | 一种mosfet并联电路布局 |
JP2014130909A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2015171182A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
WO2016063681A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016189830A1 (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
WO2016199360A1 (ja) * | 2015-06-09 | 2016-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2016220101A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 株式会社デンソー | パワートランジスタ駆動装置 |
JP2017195688A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2017195259A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール、及び電力変換装置 |
JP2017195687A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2018014354A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2018074089A (ja) * | 2016-11-03 | 2018-05-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US10050029B2 (en) | 2015-09-16 | 2018-08-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2018186302A (ja) * | 2018-08-20 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびそれを備える半導体モジュール |
JP2019004669A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2019039064A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体電力変換回路、並びにそれを用いた半導体装置及びモータ駆動装置 |
JP2019088152A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP2020047892A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020061810A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | トヨタ自動車株式会社 | 制御装置 |
JP2021089991A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
US11522533B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
WO2023189052A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
WO2023223802A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023223813A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023223829A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
DE102023126952A1 (de) | 2022-10-24 | 2024-04-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung |
JP7494953B2 (ja) | 2017-01-17 | 2024-06-04 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
US9449957B2 (en) * | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
US8587101B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-11-19 | International Rectifier Corporation | Multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections |
US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
US9324646B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies America Corp. | Open source power quad flat no-lead (PQFN) package |
US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
JP5805513B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2015-11-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP5888010B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2016-03-16 | 日産自動車株式会社 | インバータモジュール |
JP2014207430A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN103560682B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-09-21 | 佟炳然 | 一种功率驱动*** |
CN103795248B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-08-10 | 广东美的制冷设备有限公司 | 功耗控制电路和智能功率模块、变频家电 |
DE102014102018B3 (de) * | 2014-02-18 | 2015-02-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen |
JP6228490B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2017-11-08 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN103888012B (zh) * | 2014-03-13 | 2016-08-17 | 广东美的制冷设备有限公司 | 功耗控制电路、智能功率模块和变频家电 |
CN105529939B (zh) * | 2014-09-30 | 2018-01-23 | 万国半导体股份有限公司 | 单独封装同步整流器 |
JP6319454B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-05-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6402591B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-10-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
DE102014224169A1 (de) * | 2014-11-26 | 2016-06-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern parallel geschalteter Leistungshalbleiterschalter |
JP6345583B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN106160424B (zh) * | 2015-04-21 | 2019-04-16 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率开关电路 |
JP6479170B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-03-06 | 三菱電機株式会社 | 保護回路および保護回路システム |
JP6528575B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-06-12 | 富士電機株式会社 | 半導体スイッチング装置 |
WO2017029745A1 (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP6409891B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2018-10-24 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP6634945B2 (ja) | 2016-04-19 | 2020-01-22 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP6919292B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2021-08-18 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動回路 |
DE102016110035B4 (de) * | 2016-05-31 | 2020-09-10 | Infineon Technologies Ag | Elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Transistor mit breiter Bandlücke umfasst, und eine elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Junction-Feldeffekttransistor umfasst, der einen Halbleiterbereich aus Siliziumcarbid umfasst |
JP6619518B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2019-12-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP6673118B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2020-03-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6760156B2 (ja) * | 2017-03-20 | 2020-09-23 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP6863033B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-04-21 | 株式会社デンソー | 電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路 |
JP6988517B2 (ja) * | 2018-01-25 | 2022-01-05 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換装置 |
CN110634817B (zh) * | 2019-09-25 | 2023-04-18 | 湖南大学 | 一种由igbt和mosfet构成的混合功率模块的封装结构 |
JP2022109006A (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-27 | 富士電機株式会社 | スイッチング装置およびスイッチング方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS562735A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-13 | Ibm | Switching device |
JPS5625373A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Nec Corp | Control circuit for power |
JPS5739144U (ja) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 | ||
JPS59111332U (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-27 | 松下電工株式会社 | スイツチング回路 |
JPS6172411A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-14 | Fuji Electric Co Ltd | スイツチング用半導体装置 |
JPH04354156A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体スイッチング装置 |
JPH0590933A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-04-09 | Fuji Electric Co Ltd | 複合形スイツチ回路 |
JPH06141542A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Fanuc Ltd | スイッチング電源回路 |
JP2000091499A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
WO2000072433A1 (fr) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Kansai Research Institute | Circuit de commutation |
JP2002165439A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Toyota Industries Corp | スイッチ回路 |
JP2005295653A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Densei Lambda Kk | スイッチング電源装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59111332A (ja) | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4594477B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2010-12-08 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体モジュール |
JP2002016486A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US7505294B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-03-17 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Tri-level inverter |
KR100708746B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이 패널의 구동장치 |
JP2008193779A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体モジュール |
CN201194374Y (zh) | 2008-03-18 | 2009-02-11 | 艾默生网络能源有限公司 | 直流三电平变换器 |
JP5297104B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-09-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
EP2154784A1 (de) | 2008-08-16 | 2010-02-17 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Anordnung mit einer Treiberschaltung und mindestens einem Leistungsschalter sowie Ansteuerverfahren hierzu |
JP2011223668A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電力伝達用絶縁回路および電力変換装置 |
JP5264863B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2013-08-14 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 |
CN201956925U (zh) | 2010-12-28 | 2011-08-31 | 广东易事特电源股份有限公司 | 一种单相并网逆变器的逆变电路 |
JP5805513B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2015-11-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
2011
- 2011-12-14 JP JP2011272961A patent/JP5805513B2/ja active Active
-
2012
- 2012-11-14 US US13/677,028 patent/US9106156B2/en active Active
- 2012-12-03 KR KR1020120138733A patent/KR101428527B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-14 CN CN201210542282.9A patent/CN103166615B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS562735A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-13 | Ibm | Switching device |
JPS5625373A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Nec Corp | Control circuit for power |
JPS5739144U (ja) * | 1980-08-15 | 1982-03-02 | ||
JPS59111332U (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-27 | 松下電工株式会社 | スイツチング回路 |
JPS6172411A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-14 | Fuji Electric Co Ltd | スイツチング用半導体装置 |
JPH04354156A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体スイッチング装置 |
JPH0590933A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-04-09 | Fuji Electric Co Ltd | 複合形スイツチ回路 |
JPH06141542A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Fanuc Ltd | スイッチング電源回路 |
JP2000091499A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
WO2000072433A1 (fr) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Kansai Research Institute | Circuit de commutation |
JP2002165439A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Toyota Industries Corp | スイッチ回路 |
JP2005295653A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Densei Lambda Kk | スイッチング電源装置 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130909A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
US9041456B2 (en) | 2012-12-28 | 2015-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
CN103582408A (zh) * | 2013-07-31 | 2014-02-12 | 刘杰 | 一种mosfet并联电路布局 |
JP2015171182A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
WO2016063681A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2016063681A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107615664A (zh) * | 2015-05-22 | 2018-01-19 | 株式会社电装 | 功率晶体管驱动装置 |
JP2016220101A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 株式会社デンソー | パワートランジスタ駆動装置 |
WO2016189830A1 (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
JP2016225696A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
CN107852159A (zh) * | 2015-05-27 | 2018-03-27 | 株式会社电装 | 驱动装置 |
CN107852159B (zh) * | 2015-05-27 | 2021-03-16 | 株式会社电装 | 驱动装置 |
WO2016199360A1 (ja) * | 2015-06-09 | 2016-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2017005089A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US10050029B2 (en) | 2015-09-16 | 2018-08-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2017195688A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2017195687A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2017195259A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール、及び電力変換装置 |
JP2018014354A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2018074089A (ja) * | 2016-11-03 | 2018-05-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP7494953B2 (ja) | 2017-01-17 | 2024-06-04 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP2019004669A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2019039064A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体電力変換回路、並びにそれを用いた半導体装置及びモータ駆動装置 |
JP2019037107A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-07 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体電力変換回路、並びにそれを用いた半導体装置及びモータ駆動装置 |
JP2019088152A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその駆動方法 |
US11218083B2 (en) | 2017-11-09 | 2022-01-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for driving the same |
JP2018186302A (ja) * | 2018-08-20 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびそれを備える半導体モジュール |
JP2020047892A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP7077893B2 (ja) | 2018-09-21 | 2022-05-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2020061810A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | トヨタ自動車株式会社 | 制御装置 |
JP7180264B2 (ja) | 2018-10-05 | 2022-11-30 | 株式会社デンソー | 制御装置 |
US11522533B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE102020112338B4 (de) | 2019-05-21 | 2023-10-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
JP2021089991A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
WO2023189052A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
WO2023223802A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023223813A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023223829A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
DE102023126952A1 (de) | 2022-10-24 | 2024-04-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130155745A1 (en) | 2013-06-20 |
CN103166615A (zh) | 2013-06-19 |
JP5805513B2 (ja) | 2015-11-04 |
KR101428527B1 (ko) | 2014-08-11 |
CN103166615B (zh) | 2016-06-29 |
KR20130069405A (ko) | 2013-06-26 |
US9106156B2 (en) | 2015-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5805513B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5783997B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US10607978B2 (en) | Semiconductor device and electronic apparatus | |
US10320380B2 (en) | Power circuit and power module using MISFET having control circuit disposed between gate and source | |
JP6247299B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
US8970261B2 (en) | Power module | |
JP5925364B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US9048119B2 (en) | Semiconductor device with normally off and normally on transistors | |
US9007117B2 (en) | Solid-state switching device having a high-voltage switching transistor and a low-voltage driver transistor | |
US9171837B2 (en) | Cascode circuit | |
EP2887402B1 (en) | III-nitride bidirectional switches | |
US20160240470A1 (en) | Semiconductor modules and methods of forming the same | |
US10326441B2 (en) | Active gate-source capacitance clamp for normally-off HEMT | |
CN111316546A (zh) | 具有集成下拉晶体管的功率单元 | |
Kim et al. | Current trends in the development of normally-OFF GaN-on-Si power transistors and power modules: A review | |
US10439606B2 (en) | Semiconductor module | |
US9705488B2 (en) | Semiconductor device | |
Lorenz | Power semiconductor devices-development trends and system interactions | |
Lorenz | Power semiconductor devices and smart power IC's-the enabling technology for future high efficient power conversion systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150810 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5805513 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |