JP6863033B2 - 電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路 - Google Patents
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Description
図1に示すように、本実施形態のゲート駆動回路1は、第1駆動部2(1)及び第2駆動部2(2)を備えている。各駆動部2は、PCH駆動部3及びNCH駆動部4を有している。ゲート駆動回路1は、信号入力端子IN,2つの電源端子VB1及びVB2,グランド端子GNDを備えている。また、ゲート駆動回路1は、第1駆動部2(1)に接続されるハイ側駆動端子PD1,ロー側駆動端子ND1及び低電位側端子NS1と、第2駆動部2(2)に接続されるハイ側駆動端子PD2,ロー側駆動端子ND2及び低電位側端子NS2とを備えている。低電位側端子NS1は、ゲート駆動回路1の外部でグランド端子GNDに接続されている。
ハイレベル駆動電圧 ローレベル駆動電圧
IGBT20 15V 0V
FET21 20V −5V
以下、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図3に示すように、第2実施形態のゲート駆動回路31は、第1実施形態のゲート駆動回路1より負電源回路14及び負電圧供給端子VSSを削除したものである。ゲート駆動回路31の外部では、直流電源5に対して5Vの直流電源32を直列に接続しており、直流電源32の負側端子を駆動部2(2)の低電位側端子NS2に接続している。
電源端子VB1,VB2を共通化しても良い。
二値レベル駆動部を3つ以上備えて、電圧駆動型半導体素子を3並列以上駆動しても良い。
各電圧は、個別の設計に応じて適宜設定すれば良い。
負電源回路は、必ずしも出力電圧を可変に構成する必要はない。また、ローレベル駆動電圧を負電圧にする必要が無ければ、ローレベル駆動部にレベルシフタを設ける必要は無い。
電圧駆動型の半導体素子は、Si−IGBT,SiC−MOSFETに限ることはない。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
Claims (4)
- 電圧駆動型半導体素子(20,21)を駆動対象とするもので、
高電位側端子(VB2)とハイ側駆動端子(PD)との間に接続されるハイ側スイッチング素子(7)と、このハイ側スイッチング素子の導通制御端子に印加するハイレベル駆動電圧が変更可能であるハイ側プリドライバ(8)とを有するハイレベル駆動部(3)と、
ロー側駆動端子(ND)と低電位側端子(NS)との間に接続されるロー側スイッチング素子(10)と、このロー側スイッチング素子の導通制御端子にローレベル駆動電圧を印加するロー側プリドライバ(12)とを有するローレベル駆動部(4)とを備え、前記低電位側端子がグランド端子(GND)とは別個に設けられている二値レベル駆動部(2)と、
入力される駆動制御信号に応じて、前記ハイレベル駆動部及び前記ローレベル駆動部にそれぞれ出力する駆動信号を生成する駆動信号生成部(6)とを備え、
前記二値レベル駆動部を複数備えてなる電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路。 - 前記ローレベル駆動部は、入力される駆動信号のレベルをシフトするレベルシフタ(11)と、
前記低電位側端子の電位を基準として生成した電圧を、前記ロー側プリドライバ及び前記レベルシフタに供給する駆動部用電源(13)とを備える請求項1記載の電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路。 - 前記ローレベル駆動電圧として与える負電圧を生成する負電源回路(14)と、
前記負電圧が供給される負電圧供給端子(VSS)とを備える請求項2記載の電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路。 - 前記負電源回路は、前記負電圧のレベルが変更可能である請求項3記載の電圧駆動型半導体素子の並列駆動回路。
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