JP2013102181A - 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 - Google Patents
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013102181A JP2013102181A JP2012288753A JP2012288753A JP2013102181A JP 2013102181 A JP2013102181 A JP 2013102181A JP 2012288753 A JP2012288753 A JP 2012288753A JP 2012288753 A JP2012288753 A JP 2012288753A JP 2013102181 A JP2013102181 A JP 2013102181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- nonvolatile memory
- layer
- tantalum oxide
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 title abstract description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 81
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 270
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 44
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 264
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 WO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/22—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the metal-insulator-metal type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/32—Material having simple binary metal oxide structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/34—Material includes an oxide or a nitride
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/71—Three dimensional array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極103と、第2電極105と、第1電極103と第2電極104との間に介在させ、両電極103,105間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層104とを備え、この抵抗変化層104は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように抵抗変化層104が構成されている。
【選択図】 図1
Description
前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、前記第1の電極配線と前記第2電極配線との間に介在させ、前記第1電極配線および前記第2電極配線間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている。
前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記ビット線と前記ワード線との間に与えられ、ひいては、対応して設けられている前記トランジスタを介して前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている。
前記不揮発性記憶素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、両電極間の電圧に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている。
[不揮発性記憶素子の構成]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子の一構成例を示した断面図である。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100の製造方法について説明する。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100のメモリとしての動作例、すなわち情報の書き込み/読み出しをする場合の動作例を、図面を参照して説明する。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100に対して電気的パルスを印加した場合の抵抗変化特性について説明する。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100における電流−電圧特性について、比較例と対比しながら説明する。
次に、タンタル酸化物で構成される可変抵抗層104の組成について説明する。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100の可変抵抗層104の製造工程におけるO2流量比と抵抗率との関係について説明する。
図12に、電極面積と素子の初期抵抗値の関係を、一例として抵抗率が6mΩcmの可変抵抗層の場合について示す。図12から素子面積の減少にともなって抵抗値が増加することがわかる。素子の初期抵抗値が図示される100〜1000Ωの範囲で、抵抗変化現象が確認された。抵抗率が同じ可変抵抗膜を使用した場合、素子面積を小さくすると初期抵抗値が高くなり良好な抵抗変化現象が認められない。一方、素子面積が大きい場合には、初期抵抗値が低くなり素子に十分な電圧を印加することが難しくなる。以上のように、素子の初期抵抗値には、適切な範囲があると考えられる。図11のβ点よりも酸素含有率が高い組成では、適切な初期抵抗値を得るためには素子面積を拡大する必要がある。しかし、記憶素子の面積を拡大させることはコスト面および電圧印加の点で課題がある。従って、現実的には可変抵抗層の酸素含有率には上限が設けられる。
次に、本実施の形態の不揮発性記憶素子100において電極間に印加する電気的パルスの幅と可変抵抗層104の抵抗値との関係について説明する。
電極間に同極性の電気的パルスを連続して印加した場合における本実施の形態の不揮発性記憶素子100の設定された抵抗値のインプリント性は良好である。例えば、不揮発性記憶素子100の電極間に負の電気的パルスを連続して20回印加することによって低抵抗状態を連続的に発生させた後において、正負の電気的パルスを交互に連続して印加した場合であっても、安定して高抵抗状態または低抵抗状態を繰り返している。また、正の電気的パルスを連続して20回印加することによって高抵抗状態を連続的に発生させた後において、正負の電気的パルスを交互に連続して印加した場合も、同様にして高抵抗状態または低抵抗状態を安定的に繰り返している。以上の結果から、本実施の形態の不揮発性記憶素子100は、いわゆるインプリント耐性が高く、したがって安定した動作をすることが期待できる。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子において高温環境下で抵抗値の変化を測定した。低抵抗状態に設定した場合は初期の抵抗値と比較して殆ど変化が認められないのに対し、高抵抗に設定した場合は変化が見られた。従って、本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子のリテンション特性は、高抵抗値側の変化で律速されていると考えられる。初期状態における高抵抗値と低抵抗値の1/2の抵抗値を基準に、これに到達する時間からリテンション時間を推定すると、本実施の形態の不揮発性記憶素子は、180℃の高温で保持した場合にリテンション時間は100時間以上であり、非常に高いリテンション特性を有していると考えられる。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子においては、第1電極層あるいは第2電極層として、Ptの他にIr,Cu,Au,Ag,TiN,TiAlNを好適に用いることができる。第1電極層がPtからなり、第2電極層がIrからなる場合のパルス印加による抵抗変化特性を図14に示す。第1電極層がPtからなり、第2電極層がCuからなる場合のパルス印加による抵抗変化特性を図15に示す。第1電極層がPtからなり、第2電極層がAuからなる場合のパルス印加による抵抗変化特性を図16に示す。第1電極層がPtからなり、第2電極層がAgからなる場合のパルス印加による抵抗変化特性を図17に示す。第1電極層がPtからなり、第2電極層がTiNからなる場合のパルス印加による抵抗変化特性を図18に示す。図14〜図18において、Ir,Cu,Au,Ag,TiNの各電極材料は、Ptと同様にして作製した。また、印加パルスは100nsecである。図14〜図18から明らかなように、第1電極層及び第2電極層がいずれの上記電極材料の組合せからなる場合においても、良好な抵抗変化現象が確認された。
上述した第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子は、種々の形態の不揮発性半導体装置へ適用することが可能である。第2の実施の形態に係る半導体装置は、第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子を備える不揮発性記憶装置であって、ワード線とビット線との交点(立体交差点)にアクティブ層を介在させた、いわゆるクロスポイント型のものである。
図20は、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の構成を示すブロック図である。また、図21は、図20におけるA部の構成(4ビット分の構成)を示す斜視図である。
図22は、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置が備える不揮発性記憶素子の構成を示す断面図である。なお、図22では、図21のB部における構成が示されている。
本実施の形態に係る不揮発性記憶装置が備える不揮発性記憶素子の構成は、図22に示したものに限られるわけではなく、以下に示すような構成であってもよい。
図20および図21に示した本実施の形態に係る不揮発性記憶装置におけるメモリアレイを、3次元に積み重ねることによって、多層化構造の不揮発性記憶装置を実現することができる。
次に、情報を書き込む場合の書き込みサイクルおよび情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の動作例について、図25に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
を実現することも可能である。
第3の実施の形態に係る不揮発性記憶装置は、第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子を備える不揮発性記憶装置であって、1トランジスタ/1不揮発性記憶部のものである。
図26は、本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の構成を示すブロック図である。また、図27は、図26におけるC部の構成(2ビット分の構成)を示す断面図である。
次に、情報を書き込む場合の書き込みサイクルおよび情報を読み出す場合の読み出しサイクルにおける第3の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の動作例について、図28に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。
第4の実施の形態に係る不揮発性半導体装置は、プログラム機能を有する第1の実施の形態に係る不揮発性記憶素子を備える不揮発性半導体装置であって、所定の演算を実行する論理回路を備えるものである。
図29は、本発明の第4の実施の形態に係る不揮発性半導体装置の構成を示すブロック図である。
次に、上述したように構成される本実施の形態に係る不揮発性半導体装置の動作例について説明する。
次に、上述したように構成される本実施の形態に係る不揮発性半導体装置の製造方法について説明する。
第4の実施の形態に係る不揮発性半導体装置が、第2の実施の形態に係る不揮発性記憶装置を備えるような構成、すなわち、第2の実施の形態に係るクロスポイント型の不揮発性記憶装置と第4の実施の形態に係るCPUなどを有するLSIとを一つの半導体基板上に集積するような構成を実現することができる。
101 基板
102 酸化物層
103 第1電極層
104 可変抵抗層
105 第2電極層
200 不揮発性記憶装置
201 メモリ本体部
202 メモリアレイ
203 行選択回路/ドライバ
204 列選択回路/ドライバ
205 書き込み回路
206 センスアンプ
207 データ入出力回路
208 アドレス入力回路
209 制御回路
210 不揮発性記憶素子
211 上部配線
212 下部配線
213 上部電極
214 可変抵抗層
215 内部電極
216 電流抑制素子
217 下部電極
218 オーミック抵抗層
219 第2の可変抵抗層
300 不揮発性記憶装置
301 メモリ本体部
302 メモリアレイ
303 行選択回路/ドライバ
304 列選択回路
305 書き込み回路
306 センスアンプ
307 データ入出力回路
308 セルプレート電源
309 アドレス入力回路
310 制御回路
313 不揮発性記憶素子
314 上部電極
315 可変抵抗層
316 下部電極
400 不揮発性半導体装置
401 半導体基板
402 CPU
403 入出力回路
404 論理回路
405 アナログ回路
406 BIST回路
407 SRAM
408 救済アドレス格納レジスタ
409 不揮発性記憶素子
410 書き込み回路
411 読み出し回路
412 ラッチ回路
BL0,BL1,… ビット線
M11,M12,… メモリセル
T11,T12,… トランジスタ
WL0,WL1,… ワード線
Claims (15)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている、不揮発性記憶素子。 - 前記抵抗変化層を構成するタンタル酸化物層が、Ta2O5よりも酸素が少ない組成を有し、かつ絶縁体でない、請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x≦1.9を満足するように構成されている、請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0.5≦x≦1.9を満足するように構成されている、請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0.8≦x≦1.9を満足するように構成されている、請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記抵抗変化層は、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる両極性の電気的信号により可逆的に抵抗値が変化する、請求項1に記載の不揮発性記憶素子 。
- 前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方が、Pt,Ir,Cu,Au,Ag,TiN,及びTiAlNの少なくとも一種以上から構成されている、請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 半導体基板と、前記半導体基板の上に互い平行に形成された複数の第1の電極配線と、前記複数の第1の電極配線の上方に前記半導体基板の主面に平行な面内において互いに平行に且つ前記複数の第1の電極配線に立体交差するように形成された複数の第2の電極配線と、前記複数の第1の電極配線と前記複数の第2の電極配線との立体交差点に対応して設けられた不揮発性記憶素子とを備えるメモリアレイを備え、
前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、前記第1の電極配線と前記第2電極配線との間に介在させ、前記第1電極配線および前記第2電極配線間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている、不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、前記第1の電極配線と接続された第1電極と、前記第2の電極配線と接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させられた前記抵抗変化層とを備え、前記抵抗変化層は、前記第1の電極配線および前記第2の電極配線に与えられ、ひいては前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する、請求項8に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、前記第1電極と前記第2電極との間に電流抑制素子を備えており、
当該電流抑制素子は、前記抵抗変化層と電気的に接続されている、請求項9に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記メモリアレイが複数積層されてなる多層化メモリアレイを備える、請求項8乃至10のいずれかに記載の不揮発性記憶装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、互いに交差するように配列された複数のワード線および複数のビット線、前記複数のワード線および複数のビット線の交点に対応してそれぞれ設けられた複数のトランジスタ、並びに前記複数のトランジスタに一対一で対応して設けられた複数の不揮発性記憶素子とを備え、
前記不揮発性記憶素子のそれぞれは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記ビット線と前記ワード線との間に与えられ、ひいては、対応して設けられている前記トランジスタを介して前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている、不揮発性記憶装置。 - 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、所定の演算を実行する論理回路およびプログラム機能を有する不揮発性記憶素子とを備え、
前記不揮発性記憶素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、両電極間の電圧に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている、不揮発性半導体装置。 - 請求項13に記載の不揮発性半導体装置と、
請求項8,9,および12のいずれかに記載の不揮発性記憶装置とを備える、不揮発性半導体装置。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、前記抵抗変化層は、少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOxと表した場合に、0<x<2.5を満足するように構成されている不揮発性記憶素子の製造方法であって、
前記タンタル酸化物をスパッタ法により形成する、不揮発性記憶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012288753A JP5589054B2 (ja) | 2006-11-17 | 2012-12-28 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006311910 | 2006-11-17 | ||
JP2006311910 | 2006-11-17 | ||
JP2012288753A JP5589054B2 (ja) | 2006-11-17 | 2012-12-28 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008236577A Division JP5207894B2 (ja) | 2006-11-17 | 2008-09-16 | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013102181A true JP2013102181A (ja) | 2013-05-23 |
JP5589054B2 JP5589054B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=39401510
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544102A Active JP4527170B2 (ja) | 2006-11-17 | 2007-10-24 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
JP2008236577A Active JP5207894B2 (ja) | 2006-11-17 | 2008-09-16 | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
JP2012288753A Active JP5589054B2 (ja) | 2006-11-17 | 2012-12-28 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544102A Active JP4527170B2 (ja) | 2006-11-17 | 2007-10-24 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
JP2008236577A Active JP5207894B2 (ja) | 2006-11-17 | 2008-09-16 | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9236381B2 (ja) |
EP (1) | EP2077580B1 (ja) |
JP (3) | JP4527170B2 (ja) |
KR (1) | KR101012896B1 (ja) |
CN (1) | CN101636840B (ja) |
WO (1) | WO2008059701A1 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8058636B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-11-15 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile memory apparatus |
US7948789B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Resistance variable element, nonvolatile switching element, and resistance variable memory apparatus |
JP4253038B2 (ja) | 2007-06-05 | 2009-04-08 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
JP5012312B2 (ja) * | 2007-08-15 | 2012-08-29 | ソニー株式会社 | 記憶装置の駆動方法 |
WO2009041041A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置、並びにそれらの読み出し方法及び書き込み方法 |
CN101828262B (zh) * | 2007-10-15 | 2012-06-06 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置 |
KR101490429B1 (ko) * | 2008-03-11 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 소자 및 그 형성 방법 |
US8094485B2 (en) | 2008-05-22 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device with oxygen-deficient oxide layer and asymmetric substrate bias effect |
JP4460646B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2010-05-12 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性半導体装置 |
JP4469023B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-05-26 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
JP4733233B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 電流抑制素子の製造方法 |
JP4531863B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-08-25 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
JP4897089B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2012-03-14 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
CN102227809A (zh) * | 2008-12-04 | 2011-10-26 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件 |
US8471235B2 (en) * | 2008-12-05 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element having a resistance variable layer and manufacturing method thereof |
WO2010067585A1 (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 |
KR101108193B1 (ko) * | 2008-12-16 | 2012-01-31 | 한국전자통신연구원 | 상변화층을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 소자 및 그 제조 방법 |
WO2010087211A1 (ja) | 2009-02-02 | 2010-08-05 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
CN102084429B (zh) * | 2009-04-10 | 2013-12-25 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件的驱动方法和非易失性存储装置 |
CN102077296B (zh) | 2009-06-08 | 2014-04-02 | 松下电器产业株式会社 | 电阻变化型非易失性存储元件的成形方法及电阻变化型非易失性存储装置 |
JP4705998B2 (ja) | 2009-06-08 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
US8610102B2 (en) | 2009-06-18 | 2013-12-17 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof |
US8675387B2 (en) | 2009-07-28 | 2014-03-18 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile memory device and programming method for same |
JP5036909B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型素子及びその製造方法 |
JP5039857B2 (ja) | 2009-12-28 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | 記憶装置およびその製造方法 |
JP5406314B2 (ja) | 2010-01-25 | 2014-02-05 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶素子の製造方法および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
KR20110101983A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성전자주식회사 | 바이폴라 메모리셀 및 이를 포함하는 메모리소자 |
US8437173B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-05-07 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element, manufacturing method thereof, design support method therefor, and nonvolatile memory device |
US8593853B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
CN102918647B (zh) | 2010-04-21 | 2015-04-01 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储装置及其制造方法 |
WO2012001978A1 (ja) | 2010-07-01 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
JP2012069217A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5241962B2 (ja) | 2010-10-08 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
US8619460B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-12-31 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device and method for programming nonvolatile memory element |
WO2012073503A1 (ja) | 2010-12-03 | 2012-06-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子ならびに不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法 |
WO2012105232A1 (ja) | 2011-02-02 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子のデータ読み出し方法及び不揮発性記憶装置 |
US9142767B2 (en) * | 2011-09-16 | 2015-09-22 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory cell including integrated select device and storage element |
US9349445B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-24 | Micron Technology, Inc. | Select devices for memory cell applications |
JP5282176B1 (ja) | 2011-10-12 | 2013-09-04 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
WO2013125172A1 (ja) | 2012-02-20 | 2013-08-29 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
WO2013136731A1 (ja) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
WO2013183242A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体装置を駆動する方法 |
JP5966150B2 (ja) | 2012-07-31 | 2016-08-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性記憶素子の駆動方法及び不揮発性記憶装置 |
JP2014103326A (ja) | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
CN103066206B (zh) * | 2012-12-25 | 2016-03-23 | 清华大学 | 一种阻变式存储单元及其形成方法 |
JP6201151B2 (ja) | 2013-03-18 | 2017-09-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US9246087B1 (en) * | 2014-11-24 | 2016-01-26 | Intermolecular, Inc. | Electron barrier height controlled interfaces of resistive switching layers in resistive random access memory cells |
JP6617924B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-12-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置および集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、個体識別情報生成方法 |
JP6587188B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-10-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 乱数処理装置、集積回路カード、および乱数処理方法 |
CN105702287A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-22 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 基于多比特阻态阻变器件的rram阵列读写方法及*** |
WO2018057022A1 (en) * | 2016-09-25 | 2018-03-29 | Intel Corporation | Barriers for metal filament memory devices |
US10262715B2 (en) * | 2017-03-27 | 2019-04-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple plate line architecture for multideck memory array |
US11442695B2 (en) * | 2017-12-28 | 2022-09-13 | Tdk Corporation | Product-sum operation device, neuromorphic device, and method for determining malfunction in product-sum operation device |
US10734447B2 (en) * | 2018-10-22 | 2020-08-04 | International Business Machines Corporation | Field-effect transistor unit cells for neural networks with differential weights |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005519472A (ja) * | 2002-02-21 | 2005-06-30 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 集積リードオンリーメモリ、該リードオンリーメモリを動作させるための方法および製造方法 |
US20050243595A1 (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-03 | Unity Semiconductor Corporation | Memory element having islands |
KR20060083368A (ko) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | 광주과학기술원 | 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법 |
WO2007114099A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nec Corporation | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 |
JP2008205191A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2964964B2 (ja) | 1989-03-23 | 1999-10-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH07263647A (ja) | 1994-02-04 | 1995-10-13 | Canon Inc | 電子回路装置 |
CN1191635C (zh) * | 1999-02-17 | 2005-03-02 | 国际商业机器公司 | 用于存储信息的微电子器件及其方法 |
JP3685670B2 (ja) | 1999-12-03 | 2005-08-24 | 松下電器産業株式会社 | Dcスパッタリング装置 |
US6965137B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-11-15 | Unity Semiconductor Corporation | Multi-layer conductive memory device |
US6917539B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-07-12 | Unity Semiconductor Corporation | High-density NVRAM |
JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP2004342277A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置、その駆動方法及び携帯電子機器 |
US6927120B2 (en) | 2003-05-21 | 2005-08-09 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for forming an asymmetric crystalline structure memory cell |
KR100773537B1 (ko) | 2003-06-03 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP4701427B2 (ja) | 2004-04-28 | 2011-06-15 | パナソニック株式会社 | スイッチング素子およびそれを用いたアレイ型機能素子 |
JP2005347468A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリ |
US8227893B2 (en) | 2004-06-23 | 2012-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor device with capacitor element |
KR100609699B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-08-08 | 한국전자통신연구원 | 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질을 이용한 2단자반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP4830275B2 (ja) | 2004-07-22 | 2011-12-07 | ソニー株式会社 | 記憶素子 |
JP4546842B2 (ja) | 2005-01-20 | 2010-09-22 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2006203098A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008108807A (ja) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Epson Imaging Devices Corp | 非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置 |
-
2007
- 2007-10-24 EP EP07830485A patent/EP2077580B1/en active Active
- 2007-10-24 US US12/307,032 patent/US9236381B2/en active Active
- 2007-10-24 WO PCT/JP2007/070751 patent/WO2008059701A1/ja active Application Filing
- 2007-10-24 KR KR1020087030938A patent/KR101012896B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-24 JP JP2008544102A patent/JP4527170B2/ja active Active
- 2007-10-24 CN CN2007800251559A patent/CN101636840B/zh active Active
-
2008
- 2008-09-16 JP JP2008236577A patent/JP5207894B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-28 JP JP2012288753A patent/JP5589054B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005519472A (ja) * | 2002-02-21 | 2005-06-30 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 集積リードオンリーメモリ、該リードオンリーメモリを動作させるための方法および製造方法 |
US20050243595A1 (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-03 | Unity Semiconductor Corporation | Memory element having islands |
KR20060083368A (ko) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | 광주과학기술원 | 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법 |
WO2007114099A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nec Corporation | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 |
JP2008205191A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008059701A9 (ja) | 2009-09-11 |
EP2077580A4 (en) | 2009-11-11 |
KR101012896B1 (ko) | 2011-02-08 |
JP5207894B2 (ja) | 2013-06-12 |
CN101636840A (zh) | 2010-01-27 |
EP2077580B1 (en) | 2011-11-30 |
WO2008059701A1 (ja) | 2008-05-22 |
JP4527170B2 (ja) | 2010-08-18 |
JP5589054B2 (ja) | 2014-09-10 |
CN101636840B (zh) | 2011-05-25 |
US20090224224A1 (en) | 2009-09-10 |
US9236381B2 (en) | 2016-01-12 |
JPWO2008059701A1 (ja) | 2010-02-25 |
JP2009033188A (ja) | 2009-02-12 |
KR20090024716A (ko) | 2009-03-09 |
EP2077580A1 (en) | 2009-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5589054B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 | |
JP4252110B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子アレイ | |
JP4253038B2 (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP4299882B2 (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP4460646B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性半導体装置 | |
JP4469023B2 (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP2009135370A (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP2010287582A (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP2010021381A (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP4757360B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 | |
JP2011044443A (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 | |
JP5291270B1 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶素子の書き込み方法 | |
JP2009266924A (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5589054 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |