JP2013026491A - 半導体装置の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶のSiC12の表面の温度を局所的に急激に上昇させ、その後で急激に冷却することによって、単結晶を局所的に非晶質化層30を形成することができる。この非晶質層30は、元の単結晶SiCの導電型や抵抗率に関わらず、高抵抗層(絶縁層)となる。このため、こうした非晶質層を埋め込み絶縁層と同様に使用することができる。このためには、(1)レーザー光を効率的に吸収する層100を局所的に半導体層の上に形成してからレーザー光を照射する、(2)レーザー光を局所的に半導体層に照射する、という2つの手段のいずれかを用いることができる。
【選択図】図6
Description
本発明の半導体装置の製造方法は、炭化珪素(SiC)からなる半導体層が用いられ、当該半導体層中に埋め込み絶縁層が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、前記半導体層に光を照射することによって前記半導体層中のSiCを局所的に非晶質化して前記埋め込み絶縁層とする光照射工程を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、前記光照射工程の前に、前記光を吸収する吸収層を前記半導体層における前記埋め込み絶縁層を形成する領域上に形成する吸収層形成工程を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、前記吸収層を黒鉛で構成し、前記光の波長を470nm以下とすることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体層において、平面視における複数の領域にそれぞれ半導体素子を製造し、前記複数の領域の境界に前記埋め込み絶縁層を形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、平面視における環状の形態で前記半導体層に前記埋め込み絶縁層を形成し、前記環状の領域に囲まれた領域にショットキー電極を形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
図6(a)〜(g)は、第1の実施の形態となる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。ここでは、SiCからなる半導体層10を用いて2種類の半導体素子(MOSFET、SBD)が異なる領域に形成され、これらの領域の間の素子分離のための埋め込み絶縁層として前記の非晶質層が用いられる。図1においては、MOSFETが形成される領域とSBDが形成される領域を含む断面が示されている。
上記と同様の構成は、SiCが半導体層の材料として用いられた他の構成においても用いられる。図7は、SBDを製造する場合において、ガードリングとして非晶質層を用いる場合の製造方法を示す工程断面図である。
11 基板層
12 n型SiC層
20 pウェル
21、22 n+層
30〜33 非晶質層(埋め込み絶縁層)
40 ゲート酸化膜
50 層間絶縁層
61 ゲート電極
62 ソース電極
63 ドレイン電極
64 ショットキー電極
70 酸化層
81 裏面電極
82 バリアメタル(ショットキー電極)
83 表面電極(ショットキー電極)
100 カーボンキャップ層(吸収層)
Claims (6)
- 炭化珪素(SiC)からなる半導体層が用いられ、当該半導体層中に埋め込み絶縁層が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体層に光を照射することによって前記半導体層中のSiCを局所的に非晶質化して前記埋め込み絶縁層とする光照射工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記光照射工程の前に、前記光を吸収する吸収層を前記半導体層における前記埋め込み絶縁層を形成する領域上に形成する吸収層形成工程を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記吸収層を黒鉛で構成し、前記光の波長を470nm以下とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層において、平面視における複数の領域にそれぞれ半導体素子を製造し、
前記複数の領域の境界に前記埋め込み絶縁層を形成することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 平面視における環状の形態で前記半導体層に前記埋め込み絶縁層を形成し、前記環状の領域に囲まれた領域にショットキー電極を形成することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の半導体製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
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