JP2013005099A - 圧電デバイスとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ICチップ8の容器本体1への実装面である一方の面に当該容器本体1の下部キャビティ3の底面に設けられた回路配線パターン7の端子パッドに接続するバンプ9を有するICチップ本体8aの面とは反対面に絶縁性の保護シート8bを貼付して固着した。
【選択図】図1
Description
その後、個別のICチップに切り出して保護シート付ICチップとし、
前記容器本体の前記下部キャビティ内で、前記ICチップの実装面である一方の面に有するバンプを前記容器本体の前記下部キャビティの底面に設けられた回路配線パターンの端子パッドに接続し、
前記ICチップの前記一方の面と前記容器本体との間を含めて前記容器本体と当該ICチップの間に空間を有して、前記保護シートが前記容器本体の外部に露呈した状態に前記下部キャビティに実装することを特徴とする。
Claims (11)
- 少なくとも、圧電振動子を収容する上部キャビティとICチップを収容する下部キャビティとを有する絶縁性の容器本体と、前記上部キャビティ内に設置された圧電振動子と、前記下部キャビティ内に表面実装されたICチップと、前記上部キャビティを覆って当該キャビティを密閉する蓋体とからなる圧電デバイスにおいて、
前記ICチップは、前記容器本体への実装面である一方の面に前記容器本体の前記下部キャビティの底面に設けられた回路配線パターンに有する端子パッドに接続するバンプを有し、前記一方の面とは反対面である他方の面に貼付された絶縁性の保護シートを具備することを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1において、
前記容器本体は複数のセラッミックス層からなり、高温共焼成されたセラミックスの多層配線基板であることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項2において、
前記多層配線基板は、前記上部キャビティ側となる単層又は多層配線基板と前記下部キャビティ側となる単層又は多層配線基板とが同時に高温共焼成された一体の基板であることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項2において、
前記多層配線基板は、前記上部キャビティ側となる単層又は多層配線基板と前記下部キャビティ側となる単層又は多層配線基板とを別個に高温共焼成した後に両者をそのキャビティ側面の背面側同士を固着して一体化した基板であることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1乃至4の何れかにおいて、
前記ICチップを実装した前記容器本体の前記下部キャビティは、外部雰囲気に開放されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1乃至5の何れかにおいて、
前記蓋体は金属材料の板体であり、前記上部キャビティを形成する前記容器本体の端縁との間に介在させたメタルリングで前記容器本体に固着されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1乃至6の何れかにおいて、
前記ICチップの前記他方の面に固着される前記保護シートは、エポキシ樹脂を好適とする熱硬化性樹脂で構成されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項7において、
前記熱硬化性樹脂に無機フィラーが均一に分散されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 少なくとも、圧電振動子を収容する上部キャビティとICチップを収容する下部キャビティとを有する絶縁性の容器本体と、前記上部キャビティ内に設置された圧電振動子と、前記下部キャビティ内に表面実装されたICチップと、前記上部キャビティを覆って当該キャビティを密閉する蓋体とからなる圧電デバイスの製造方法において、
前記ICチップを個別に切り出す以前の半導体ウエハを、その積層回路形成面とは反対側の背面を所定の厚みに研磨し、
前記研磨後に、前記ウエハの状態のままで前記研磨した背面の全面に亘って絶縁性シートを貼り付け、
その後、前記絶縁性シート毎に個別のICチップに切り出して保護シート付ICチップとし、
前記容器本体の前記下部キャビティ内で、前記ICチップの実装面である一方の面に有するバンプを前記容器本体の前記下部キャビティの底面に設けられた回路配線パターンの端子パッドに接続し、
前記ICチップの前記一方の面と前記容器本体との間を含めて前記容器本体と当該ICチップの間に空間を有して、前記保護シートが前記容器本体の外部雰囲気に露呈した状態に前記下部キャビティに実装することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 請求項9において、
前記ICチップの前記他方の面に固着されている前記保護シートとして、エポキシ樹脂を好適とする熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 請求項10において、
前記熱硬化性樹脂には無機フィラーが均一に分散されていることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014236452A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
JP2015005882A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
CN111106799A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 精工爱普生株式会社 | 振荡器、电子设备和移动体 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6077813B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2017-02-08 | 日本電波工業株式会社 | 圧電モジュール |
JP2015089095A (ja) * | 2013-02-04 | 2015-05-07 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装型の低背発振器 |
JP6183156B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
US9287882B2 (en) * | 2013-11-07 | 2016-03-15 | Kyocera Crystal Device Corporation | Temperature compensated crystal oscillator |
US9392695B2 (en) * | 2014-01-03 | 2016-07-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electric component module |
CN106876578B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-06-14 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 声波设备及其晶圆级封装方法 |
JP2021150699A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11260974A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2004063551A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット |
JP2005159948A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2005347881A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2008235451A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子装置の製造方法 |
JP2010011116A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2010124165A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP2010135994A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP2010183349A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2010212724A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4172774B2 (ja) | 2003-05-28 | 2008-10-29 | 京セラ株式会社 | 表面実装型圧電発振器 |
JP2007158918A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
EP2148431A4 (en) * | 2007-04-26 | 2013-03-27 | Nihon Dempa Kogyo Co | QUARTZ OSCILLATOR WITH SURFACE MOUNTING |
JP2010232806A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子、圧電発振器、電子機器、及び圧電振動子の製造方法 |
JP2010252210A (ja) | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 温度補償型圧電発振器 |
-
2011
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-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11260974A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2004063551A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット |
JP2005159948A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2005347881A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2008235451A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子装置の製造方法 |
JP2010011116A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器の製造方法 |
JP2010124165A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP2010135994A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP2010183349A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2010212724A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014236452A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
JP2015005882A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
CN111106799A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 精工爱普生株式会社 | 振荡器、电子设备和移动体 |
JP2020072279A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
JP7183699B2 (ja) | 2018-10-29 | 2022-12-06 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
CN111106799B (zh) * | 2018-10-29 | 2023-06-02 | 精工爱普生株式会社 | 振荡器、电子设备和移动体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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