JP6183156B2 - パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 - Google Patents
パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6183156B2 JP6183156B2 JP2013225049A JP2013225049A JP6183156B2 JP 6183156 B2 JP6183156 B2 JP 6183156B2 JP 2013225049 A JP2013225049 A JP 2013225049A JP 2013225049 A JP2013225049 A JP 2013225049A JP 6183156 B2 JP6183156 B2 JP 6183156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- main surface
- mounting terminal
- hole
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 149
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
この圧電デバイスの容器は、第2の収容部を構成する貫通孔を有し、且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、第1の絶縁基板の表部に裏面を積層固定され、表面に圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、裏面に実装端子と第1の電極パッドとを導通させる第1の配線パターン、実装端子と感温部品とを導通させる第2の配線パターン、及び感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けられた第2の絶縁基板と、を備えている。
これにより、上記構成の圧電デバイスは、第2の絶縁基板の裏面における第1の配線パターン及び第2の配線パターンの引き回し(特許文献1の図3(b)参照)が、上記一対の実装端子が、底部の対角線上ではなく底部の隣り合う角部にそれぞれ配置されている構成の引き回し(特許文献1の図9(b)参照)と比較して、複雑となる。
この結果、上記構成の圧電デバイスは、第1の配線パターン及び第2の配線パターンの引き回しの制約(パターン幅、パターン間ギャップ、外形からパターンまでの距離などの配線ルール)によって、更なる平面サイズの小型化が阻害される虞がある。
しかしながら、この構成では、第1の配線パターンと圧電振動素子とが接近することから、圧電振動素子の励振電極と第1の配線パターンとの間で寄生容量が生じ、圧電振動素子の振動特性が劣化する虞がある。
この結果、パッケージは、第1電極パッド、第2電極パッドと第1実装端子、第2実装端子とを接続する第1配線パターン、第2配線パターンと、第3電極パッド、第4電極パッドと第3実装端子及び第4実装端子のいずれかとを接続する配線パターンとを、互いに立体交差させ、平面視で両者を重ねることができる。
これにより、パッケージは、平面視における配線パターンの占有面積を従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)より縮小できることから、更なる平面サイズの小型化を図ることができる。
この結果、振動デバイスは、振動片と第1実装端子、第2実装端子とを接続する第1配線パターン、第2配線パターンと、電子素子と第3実装端子及び第4実装端子のいずれかとを接続する配線パターンとを、互いに立体交差させ、平面視で両者を重ねることができる。
これにより、振動デバイスは、平面視における配線パターンの占有面積を従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)より縮小できることから、更なる平面サイズの小型化を図ることができる。
加えて、振動デバイスは、第1配線パターン及び第2配線パターンが第1基板の第2主面側に設けられていることから、第1主面側の振動片による寄生容量の増加を回避でき、振動片の振動特性を維持することができる。
この結果、振動デバイスは、感温素子の検出温度(抵抗値の変化)に基づいて動作する外部の温度補償回路により、振動片の温度変化に伴う周波数変動を低減できる。
この結果、振動デバイスは、接合部材を介した第3電極パッドと第4電極パッドとの短絡を抑制できる。
この結果、振動デバイスは、電子機器などの外部部材への実装時に、ハンダなどの接合部材による第1導電膜、第2導電膜と非接続の各実装端子との短絡を抑制できる。
また、振動デバイスは、上記設定により第3電極パッド及び第4電極パッドの面積と、第3電極パッド及び第4電極パッドに塗布されるハンダなどの接合部材の面積との比を、両者が画像認識可能な程度に大きくすることが可能となる。
この結果、振動デバイスは、画像認識装置によってハンダなどの接合部材の塗布径(塗布量)を精度よく管理することができる。
また、振動デバイスは、上記第3電極パッド及び第4電極パッドの画像認識性の向上により、第3電極パッド及び第4電極パッドに対する電子素子の搭載位置精度を向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
この結果、振動デバイスは、第3電極パッド及び第4電極パッドに対する電子素子の搭載位置精度を向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
この結果、振動デバイスは、第3電極パッド及び第4電極パッドに対する電子素子の搭載位置精度を更に向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
これにより、振動デバイスは、第3電極パッド及び第4電極パッドの画像認識性を向上させることができる。
これにより、振動デバイスは、第3電極パッド及び第4電極パッドと非接続の各実装端子との短絡を抑制できる。
この結果、振動デバイスは、例えば、感温素子の検出温度(抵抗値の変化)に基づいて動作する外部の温度補償回路により、振動片の温度変化に伴う周波数変動を低減できる。
最初に、振動デバイスの一例としての水晶振動子について説明する。
図1は、第1実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図1(a)は、リッド(蓋体)側から見た平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線での断面図であり、図1(c)は、底面側から見た平面図である。なお、図1(a)では、リッドを省略してある。また、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。
水晶振動片10は、振動部11の一方の主面13及び他方の主面14に形成された略矩形の励振電極15,16から引き出された引き出し電極15a,16aが、基部12に形成されている。
引き出し電極15aは、一方の主面13の励振電極15から、水晶振動片10の長手方向(紙面左右方向)に沿って基部12に引き出され、基部12の側面に沿って他方の主面14に回り込み、他方の主面14の励振電極16の近傍まで延在している。
引き出し電極16aは、他方の主面14の励振電極16から、水晶振動片10の長手方向に沿って基部12に引き出され、基部12の側面に沿って一方の主面13に回り込み、一方の主面13の励振電極15の近傍まで延在している。
励振電極15,16及び引き出し電極15a,16aは、例えば、Crを下地層とし、その上にAuが積層された構成の金属被膜となっている。
サーミスター20には、例えば、温度の上昇に対して抵抗が減少するNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスターと呼ばれるサーミスターが用いられている。NTCサーミスターは、温度と抵抗値の変化が比例的なため、温度センサーとして多用されている。
サーミスター20は、パッケージ30に搭載され、水晶振動片10近傍の温度を検出することにより、温度センサーとして水晶振動片10の温度変化に伴う周波数変動の抑制に資する機能を果たしている。
パッケージベース31には、セラミックグリーンシートを成形して積層し焼成した酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体などのセラミックス系の絶縁性材料、水晶、ガラス、シリコン(高抵抗シリコン)などが用いられている。
リッド32には、パッケージベース31と同材料、または、コバール、42アロイなどの金属が用いられている。
第2層31bは、互いに表裏の関係にある第1主面33と第2主面34とを含んでいる。
パッケージベース31は、第1層31aが第2層31bの第1主面33側に積層され、第3層31cが第2層31bの第2主面34側に積層されている構成となっている。
第2層31bの第2主面34側における貫通孔36から露出している部分には、サーミスター20の電極21,22に対向する位置に、第3電極パッドとしての電極パッド34a及び第4電極パッドとしての電極パッド34bが設けられている。
サーミスター20は、電極21,22が、ハンダなどの接合部材41を介して電極パッド34a及び電極パッド34bに取り付けられている。
なお、パッケージベース31の気密に封止された内部空間は、減圧された真空状態(真空度の高い状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
内部端子33aは、第2層31bの第2主面34側に設けられている第1配線パターンとしての配線パターンP1を介して実装端子37aに接続されている。
内部端子33bは、第2層31bの第2主面34側に設けられている第2配線パターンとしての配線パターンP2を介して実装端子37bに接続されている。
電極パッド34a及び電極パッド34bの少なくとも一方(ここでは電極パッド34a)は、貫通孔36の内壁36aに設けられている第1導電膜D1を介して、実装端子37c及び実装端子37dのいずれか(ここでは実装端子37c)と接続されている。
実装端子37bは、第3層31cを貫通する導通ビアB3、第2層31bの第2主面34側に設けられている配線パターンP2、第2層31bを貫通する導通ビアB4を経由して内部端子33bと接続されている。
実装端子37cは、第3主面35側に設けられている配線パターンP3、貫通孔36の内壁36aに設けられている第1導電膜D1、第2層31bの第2主面34側に設けられている配線パターンP4を経由して電極パッド34aと接続されている。
実装端子37dは、第3層31cを貫通する導通ビアB5、第2層31bの第2主面34側に設けられている配線パターンP5を経由して電極パッド34bと接続されている。
一方、従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)を本実施形態に当てはめてみると、配線パターンP3が配線パターンP2と同一面(第2層31bの第2主面34)に設けられていることになる。これにより、配線パターンP3は、配線パターンP2、導通ビアB4を紙面左側に迂回して引き回され、第3層31cを貫通する図示しない導通ビアを経由して、実装端子37cに接続されることになり、配線パターンP3,P2の引き回しが複雑になってしまう。
なお、第1導電膜D1は、例えば、次のような方法により形成することが可能である。
まず、第3層31cに貫通孔36の一部(隅部が好ましい)となる小貫通孔を設ける。
ついで、第3主面35にペースト状のメタライズ層を、上記小貫通孔を覆うようにスクリーン印刷法などで塗布する。
ついで、第2層31b側からメタライズ層を吸引し、上記小貫通孔の内壁に垂れ込ませる(回り込ませる)。
ついで、上記小貫通孔を、メタライズ層が回り込んでいる一部を残して拡大し、貫通孔36を形成する。
このような方法により、貫通孔36の内壁36aに第1導電膜D1を形成することができる。
また、水晶振動子1は、平面視で電極パッド34a,34bの各面積が、サーミスター20の面積に対して、70%以上150%以下であることが好ましく、75%以上145%以下であることがより好ましい。
また、水晶振動子1は、平面視で実装端子37a〜37dの貫通孔36側の輪郭が曲線を含むことが好ましい。具体的には、図1(c)に示すように、実装端子37a〜37dの貫通孔36側の輪郭は、貫通孔36の輪郭に沿って円弧状にえぐられている(切り欠かれている)ことが好ましい。
また、水晶振動子1は、サーミスター20が温度センサーとしてパッケージベース31における水晶振動片10近傍の貫通孔36内の温度を検出し、実装端子37c,37dを介して検出信号を出力する。
この結果、水晶振動子1は、パッケージベース31の水晶振動片10(内部端子33b)と実装端子37bとを接続する配線パターンP2と、サーミスター20(電極パッド34a)と実装端子37cとを接続する配線パターンP3とを、互いに立体交差させ、平面視で両者を重ねることができる。
これにより、水晶振動子1は、平面視における配線パターンP2,P3などの占有面積を従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)より縮小できることから、更なる平面サイズの小型化を図ることができる。
なお、パッケージ30単体についても、上述した構成により、更なる平面サイズの小型化を図ることができる。
これにより、水晶振動子1は、水晶振動片10の良好な振動特性を維持することができる。
この結果、水晶振動子1は、例えば、サーミスター20の検出温度(抵抗値の変化)に基づいて動作する外部の温度補償回路により、水晶振動片10の温度変化に伴う周波数変動を低減できる。
これにより、水晶振動子1は、電極パッド34a,34bの両方が、第1導電膜D1、別の導電膜を介して実装端子37c,37dと接続されることになる。
これによれば、水晶振動子1は、導通ビアB5が不要となり、パッケージベース31の製造が容易となる。
また、水晶振動子1は、上記設定により電極パッド34a,34bの面積と、電極パッド34a,34bに塗布されるハンダなどの接合部材41の面積との比を、両者が画像認識可能な程度に大きくすることが可能となる。
この結果、水晶振動子1は、画像認識装置によってハンダなどの接合部材41の塗布径(塗布量)を精度よく管理することができる。
また、水晶振動子1は、上記電極パッド34a,34bの画像認識性の向上により、電極パッド34a,34bに対するサーミスター20の搭載位置精度を向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
この結果、水晶振動子1は、電極パッド34a,34bに対するサーミスター20の搭載位置精度を向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
この結果、水晶振動子1は、電極パッド34a,34bに対するサーミスター20の搭載位置精度を更に向上させることができる。
なお、上記数値は、発明者らの実験及びシミュレーションなどにより得られた知見に基づくものである。
また、水晶振動子1は、平面視で各実装端子37a〜37dの貫通孔36側の輪郭が曲線を含むことから、電極パッド34a,34bと非接続の各実装端子37a〜37dとの間に一定の間隔を確保することができる。これにより、水晶振動子1は、電極パッド34a,34bと非接続の各実装端子37a〜37dとの短絡を抑制できる。
これによれば、水晶振動子1は、パッケージベース31を2層構造とすることができ、パッケージベース31の製造が容易となる。
(変形例1)
図2は、変形例1の水晶振動子の概略構成を示す模式断面図である。なお、切断面の位置は、図1と同様である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
水晶振動子2は、第1実施形態からパッケージベース31の枠状の第1層31aが削除されている。
水晶振動子2は、リッド132のキャップ部分の膨らみにより、水晶振動片10の振動が可能な内部空間が確保されている。
リッド132は、つば部132aがシームリング、ろう材、導電性接着剤などの導電性接合部材138を介してパッケージベース31の第2層31bの第1主面33側に接合されている。
水晶振動子2は、上記内部空間が第1実施形態と同様に、減圧された真空状態(真空度の高い状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
この実装端子37dは、電極パッド34bを介してサーミスター20の電極22と電気的に接続され、アース端子(GND端子)となっている。
また、水晶振動子2は、リッド132と電気的に接続されている実装端子37dが、アース端子(GND端子)であることから、シールド性を更に向上させることができる。
また、水晶振動子2は、パッケージベース31が2層構造であることから、3層構造の第1実施形態と比較して、パッケージベース31の製造が容易となる。
また、水晶振動子2は、導電性接合部材138を厚く形成してパッケージ30の内部空間を確保することにより、リッド132を第1実施形態と同様の平板状のリッド32としてもよい。
なお、水晶振動子2の構成は、以下の変形例及び各実施形態にも適用可能である。
図3は、変形例2の水晶振動子の概略構成を示す底面側から見た模式平面図である。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
水晶振動子3のサーミスター20は、電極21と電極22とを結ぶ方向(長手方向)が、パッケージベース31の長手方向(紙面左右方向)と交差(ここでは直交)するように配置されている。
なお、水晶振動子3の構成は、上記変形例及び以下の各実施形態にも適用可能である。
次に、第2実施形態の水晶振動子について説明する。
図4は、第2実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図4(a)は、リッド側から見た平面図であり、図4(b)は、図4(a)のA−A線での断面図であり、図4(c)は、底面側から見た平面図である。なお、図4(a)では、リッドを省略してある。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
具体的には、第2導電膜D2は、貫通孔36を取り囲むように、第3主面35の貫通孔36側の端部の全周(貫通孔36の開口部の外縁)に設けられている。そして、第2導電膜D2は、第1導電膜D1及び配線パターンP3と接続されている。
なお、第2導電膜D2は、貫通孔36の内壁36aに回り込んでいてもよく、回り込んでいなくてもよい。
水晶振動子4は、第2導電膜D2が貫通孔36の内壁36aに回り込んでいれば、サーミスター20に対する熱伝導性が向上し、内壁36aに回り込んでいなければ回り込みがない分、第2導電膜D2の形成が容易となる。
これにより、水晶振動子4は、例えば、光を照射したときの第2導電膜D2と周囲との反射光のコントラストの違いによって、画像認識装置で貫通孔36が認識可能となり、貫通孔36に対するサーミスター20の搭載位置精度を向上させることができる。
この構成によれば、水晶振動子4は、貫通孔36とその周囲とのコントラストの違いが少ない従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)における、画像認識装置での貫通孔36の認識が困難という課題についても解決できる。
なお、この課題解決のみの場合には、第2導電膜D2と、第1導電膜D1及び配線パターンP3との接続は必須ではない。
なお、第2導電膜D2は、画像認識に支障がない範囲(例えば、対角部分が残っていることなど)で、部分的に途切れていてもよい。
なお、水晶振動子4の構成は、上記各変形例及び以下の各実施形態にも適用可能である。
次に、第3実施形態の水晶振動子について説明する。
図5は、第3実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図5(a)は、リッド側から見た平面図であり、図5(b)は、図5(a)のA−A線での断面図であり、図5(c)は、底面側から見た平面図である。なお、図5(a)では、リッドを省略してある。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
溝部34cは、平面形状が略矩形、断面形状が略凹形であって、電極パッド34aと電極パッド34bとの互いに対向する辺(ここでは、図5(c)で紙面上下方向に延びる長辺)の長さより長くなるように延在している。
詳述すると、接合部材41は、濡れ性によって電極パッド34a,34b上に留まるものと溝部34cの底部に流れ込むものとに分断され、溝部34cを跨ぐことは殆どない。
この結果、水晶振動子5は、接合部材41を介した電極パッド34aと電極パッド34bとの短絡を抑制できる。
この構成によれば、水晶振動子5は、従来構成(例えば、上述した特許文献1の構成)における、接合部材41を介した電極パッド34aと電極パッド34bとの短絡という課題についても解決できる。
なお、図5(c)では、紙面上下方向において、溝部34cが貫通孔36より大きく形成されている。これにより、水晶振動子5は、溝部34cの底部に流れ込む接合部材41の許容量を増やすことができる。
なお、溝部34cは、紙面上下方向において貫通孔36と同じ大きさとしてもよく、逆に溝部34cに合わせて貫通孔36の内壁36aを、紙面上下方向に切り欠いてもよい。
なお、水晶振動子5の構成は、上記各変形例及び上記実施形態並びに下記実施形態にも適用可能である。
次に、第4実施形態の水晶振動子について説明する。
図6は、第4実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図6(a)は、リッド側から見た平面図であり、図6(b)は、図6(a)のA−A線での断面図であり、図6(c)は、底面側から見た平面図である。なお、図6(a)では、リッドを省略してある。
なお、第1実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
なお、実装端子37a,37cは、分断された第3主面35の紙面左側の部分に設けられ、実装端子37b,37dは、分断された第3主面35の紙面右側の部分に設けられている。
この結果、水晶振動子6は、電子機器などの外部部材への実装時に、ハンダなどの接合部材による第1導電膜D1と非接続の実装端子37a,37b,37dとの短絡を抑制できる。
なお、段差部35aは、第3主面35を分断しない形状(平面視で、第3主面35が枠状に繋がっている形状)としてもよい。
次に、上述した振動デバイスを備えている発振器として、水晶発振器を一例に挙げて説明する。
図7は、発振器としての水晶発振器を示す模式斜視図である。
水晶発振器500は、略矩形平板状のベース基板501上に、水晶振動子1と、水晶振動子1の水晶振動片10を発振させる発振回路を内蔵しているICチップ502と、が搭載されているモジュールタイプの水晶発振器である。なお、ICチップ502を覆うモールド樹脂は省略してある。
ICチップ502の複数のパッド503は、金属ワイヤー504によりベース基板501に設けられている複数の内部端子505と接続されている。
複数の内部端子505は、ベース基板501に設けられている複数の入出力端子506や、水晶振動子1が実装されている複数の電極パッド507と、図示しない配線パターンにより接続されている。
また、水晶発振器500は、ICチップ502と水晶振動子1とが別体であることから、例えば、ICチップ502の発熱やノイズなどによる水晶振動子1への悪影響を、両者が一体の場合(例えば、水晶振動子1内にICチップ502が内蔵されている場合)より低減できる。
これによれば、水晶発振器500は、ICチップ502が水晶振動片10を駆動する発振回路と共に、サーミスター20によって検出された水晶振動片10の温度変化に伴う周波数変動を補正する温度補償回路を備えていることから、発振回路が発振する共振周波数を温度補償することができ、温度特性に優れた水晶発振器を提供できる。
なお、水晶発振器500は、ICチップ502が水晶振動子1に内蔵されていてもよい。これによれば、水晶発振器500は、上述したモジュールタイプより小型化を図ることができる。
次に、上述した振動デバイスを備えている電子機器として、携帯電話を一例に挙げて説明する。
図8は、電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図である。
携帯電話700は、上記各実施形態及び各変形例で述べた振動デバイスとしての水晶振動子を備えている。
図8に示す携帯電話700は、上述した水晶振動子のいずれかを、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置701、複数の操作ボタン702、受話口703、及び送話口704を備えて構成されている。なお、携帯電話の形態は、図示のタイプに限定されるものではなく、いわゆるスマートフォンタイプの形態でもよい。
次に、上述した振動デバイスを備えている移動体として、自動車を一例に挙げて説明する。
図9は、移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車800は、上記各実施形態及び各変形例で述べた振動デバイスとしての水晶振動子を備えている。
自動車800は、上述した水晶振動子のいずれかを、例えば、搭載されている各種電子制御式装置(例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ABS装置、電子制御式一定速度走行装置など)の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用いている。
これによれば、自動車800は、上記水晶振動子を備えていることから、上記各実施形態及び各変形例で説明した効果を奏し、優れた性能を発揮することができる。
また、振動デバイスの振動片の形状は、図示した平板状のタイプに限定されるものではなく、中央部が厚く周辺部が薄いタイプ(例えば、コンベックスタイプ、ベベルタイプ、メサタイプ)、逆に中央部が薄く周辺部が厚いタイプ(例えば、逆メサタイプ)などでもよく、音叉型形状でもよい。
また、厚みすべり振動の駆動方法は、圧電体の圧電効果によるものの他に、クーロン力による静電駆動でもよい。
Claims (16)
- 互いに表裏の関係にある第1主面と第2主面とを含む第1基板と、
前記第1基板の前記第2主面側に積層され、貫通孔を有する第2基板と、
を備え、
前記第1基板の前記第1主面側には、第1電極パッド及び第2電極パッドが設けられ、
前記第1基板の前記第2主面側における前記貫通孔から露出している部分には、第3電極パッド及び第4電極パッドが設けられ、
前記第2基板の前記第1基板側とは反対側の第3主面側には、第1対角線上に第1実装端子及び第2実装端子が設けられるとともに、前記第1対角線と交差する第2対角線上に第3実装端子及び第4実装端子が設けられ、
前記第1電極パッドは、前記第1基板の前記第2主面側に設けられている第1配線パターンを介して前記第1実装端子に接続され、
前記第2電極パッドは、前記第1基板の前記第2主面側に設けられている第2配線パターンを介して前記第2実装端子に接続され、
前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの少なくとも一方は、前記貫通孔の内壁に設けられている第1導電膜および前記第3主面側に設けられている第3配線パターンを介して、前記第3実装端子及び前記第4実装端子のいずれかと接続されており、
前記第1配線パターンまたは前記第2配線パターンは、前記第3配線パターンと平面視で重なる部分を有していることを特徴とするパッケージ。 - 振動片と、
電子素子と、
互いに表裏の関係にある第1主面と第2主面とを含む第1基板と、
前記第1基板の前記第2主面側に積層され、貫通孔を有する第2基板と、
を備え、
前記第1基板の前記第1主面側には、第1電極パッド及び第2電極パッドが設けられ、
前記第1基板の前記第2主面側における前記貫通孔から露出している部分には、第3電極パッド及び第4電極パッドが設けられ、
前記振動片は、前記第1電極パッド及び前記第2電極パッドに取り付けられ、
前記電子素子は、前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドに取り付けられ、
前記第2基板の前記第1基板側とは反対側の第3主面側には、第1対角線上に第1実装端子及び第2実装端子が設けられるとともに、前記第1対角線と交差する第2対角線上に第3実装端子及び第4実装端子が設けられ、
前記第1電極パッドは、前記第1基板の前記第2主面側に設けられている第1配線パターンを介して前記第1実装端子に接続され、
前記第2電極パッドは、前記第1基板の前記第2主面側に設けられている第2配線パターンを介して前記第2実装端子に接続され、
前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの少なくとも一方は、前記貫通孔の内壁に設けられている第1導電膜および前記第3主面側に設けられている第3配線パターンを介して、前記第3実装端子及び前記第4実装端子のいずれかと接続され、
前記第1配線パターンまたは前記第2配線パターンは、前記第3配線パターンと平面視で重なる部分を有していることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2において、
前記第2基板の前記第3主面側には、前記貫通孔の外縁に沿って第2導電膜が設けられていることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項3において、
前記第2導電膜は、前記第1導電膜と接続されていることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項4のいずれか一項において、
前記第3電極パッドと前記第4電極パッドとの間には、溝部が設けられていることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項5のいずれか一項において、
前記第2基板の前記第3主面には、前記第2主面側に凹んだ段差部が設けられ、
前記貫通孔は、前記段差部に設けられていることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項6のいずれか一項において、
平面視で前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの各面積が、前記貫通孔の開口部の面積に対して、15%以上30%以下であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項7において、
平面視で前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの各面積が、前記貫通孔の前記開口部の面積に対して、19.5%以上23.5%以下であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項8のいずれか一項において、
平面視で前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの各面積が、前記電子素子の面積に対して、70%以上150%以下であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項9において、
平面視で前記第3電極パッド及び前記第4電極パッドの各面積が、前記電子素子の面積に対して、75%以上145%以下であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項10のいずれか一項において、
平面視で前記貫通孔の輪郭は、曲線を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項11のいずれか一項において、
平面視で前記各実装端子の前記貫通孔側の輪郭は、曲線を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項12のいずれか一項において、
前記電子素子は、感温素子であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2ないし請求項13のいずれか一項に記載の振動デバイスと、
回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。 - 請求項2ないし請求項13のいずれか一項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項2ないし請求項13のいずれか一項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013225049A JP6183156B2 (ja) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
US14/527,190 US9264015B2 (en) | 2013-10-30 | 2014-10-29 | Package, resonation device, oscillator, electronic device, and moving object |
CN201410594255.5A CN104601136B (zh) | 2013-10-30 | 2014-10-29 | 封装、振动器件、振荡器、电子设备以及移动体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013225049A JP6183156B2 (ja) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015088877A JP2015088877A (ja) | 2015-05-07 |
JP6183156B2 true JP6183156B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=52994737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013225049A Active JP6183156B2 (ja) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9264015B2 (ja) |
JP (1) | JP6183156B2 (ja) |
CN (1) | CN104601136B (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9287882B2 (en) * | 2013-11-07 | 2016-03-15 | Kyocera Crystal Device Corporation | Temperature compensated crystal oscillator |
JP2015128276A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-07-09 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶振動子及びその製造方法 |
JP6644457B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2020-02-12 | Tdk株式会社 | 圧電デバイス |
WO2015170484A1 (ja) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
USD760230S1 (en) * | 2014-09-16 | 2016-06-28 | Daishinku Corporation | Piezoelectric vibration device |
JP2016127467A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器及び移動体 |
JP6565671B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-08-28 | 株式会社大真空 | 圧電デバイス |
JP6508326B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-05-08 | 株式会社村田製作所 | 加速度検出装置及びその製造方法 |
JP6542583B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2019-07-10 | 京セラ株式会社 | 水晶振動子 |
JP6617509B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2019-12-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、及び、移動体 |
JP6666161B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-03-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
CN105827911B (zh) * | 2016-03-29 | 2018-07-24 | 西北工业大学 | 一种用于微纳卫星的相机模组 |
JP6733330B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2020-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
JP2018006809A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
TW201807849A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-03-01 | 達帕有限公司 | 適用於高真實度之高整合度晶振封裝結構(二) |
US10718672B2 (en) * | 2017-01-20 | 2020-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Piezoelectric device package |
JP6946679B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、発振器、電子機器および移動体 |
JP6942983B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
CN107517043B (zh) * | 2017-08-10 | 2023-10-20 | 四川明德亨电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器加工方法及其谐振器 |
CN111566931B (zh) * | 2018-03-28 | 2024-04-19 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
JP2019213111A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、および移動体 |
JP7259393B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-04-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
JP7287116B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスおよび電子機器 |
JP2021057744A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
JP7451959B2 (ja) * | 2019-11-22 | 2024-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
JP7419877B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
JP2022046920A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス |
CN112383289B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-05-28 | 梅州市高晶电子有限公司 | 一种抗干扰的石英晶体谐振器 |
CN113659956B (zh) * | 2021-08-12 | 2024-01-30 | 深圳市聚强晶体有限公司 | 一种石英晶体谐振器 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3250366B2 (ja) * | 1994-04-07 | 2002-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器 |
JP3406852B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2003-05-19 | 京セラ株式会社 | 水晶発振器 |
JP4852850B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、周波数安定化方法、及び圧電振動子の製造方法 |
JP5144732B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-02-13 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
TWI466437B (zh) * | 2010-03-29 | 2014-12-21 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric vibrator |
JP5144731B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-02-13 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
JP5210369B2 (ja) | 2010-11-30 | 2013-06-12 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
JP5337791B2 (ja) | 2010-12-28 | 2013-11-06 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
JP5751800B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-07-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
JP5819053B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-11-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
JP2012142691A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Kyocera Crystal Device Corp | 圧電デバイス |
JP5689702B2 (ja) | 2011-01-31 | 2015-03-25 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
JP5689703B2 (ja) | 2011-01-31 | 2015-03-25 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
JP5735822B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-06-17 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器 |
JP5647033B2 (ja) | 2011-02-28 | 2014-12-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
CN202535316U (zh) * | 2011-03-09 | 2012-11-14 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、振荡器以及电子设备 |
JP5747574B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-07-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及び電子機器 |
JP2012222537A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | パッケージ、振動子、発振器及び電子機器 |
JP2013005099A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
JP5805471B2 (ja) | 2011-08-31 | 2015-11-04 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
JP2013089994A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
JP2013102315A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス、及び電子機器 |
JP2013207686A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
JP2013219539A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償型圧電発振器 |
JP2013258571A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体 |
-
2013
- 2013-10-30 JP JP2013225049A patent/JP6183156B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-29 US US14/527,190 patent/US9264015B2/en active Active
- 2014-10-29 CN CN201410594255.5A patent/CN104601136B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104601136B (zh) | 2018-11-20 |
JP2015088877A (ja) | 2015-05-07 |
CN104601136A (zh) | 2015-05-06 |
US20150116052A1 (en) | 2015-04-30 |
US9264015B2 (en) | 2016-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6183156B2 (ja) | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6618675B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP2013146003A (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
TWI493663B (zh) | 封裝、振動元件、發振器及電子機器 | |
US20160197594A1 (en) | Resonator device, electronic apparatus and moving object | |
JP2016010099A (ja) | 複合電子部品、発振器、電子機器及び移動体 | |
US9391586B2 (en) | Resonator device, electronic device, and moving object | |
JP5862155B2 (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP2013090176A (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP2016129288A (ja) | 電子デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP2014068098A (ja) | 振動片、振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP2013146004A (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP6137255B2 (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP6780688B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP2016127437A (ja) | 電子デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP6635151B2 (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP2014050067A (ja) | 振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP7501577B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP2013070313A (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP6923059B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器及び移動体 | |
JP6816813B2 (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP6369592B2 (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
US20240250660A1 (en) | Resonator Device, Electronic Device, And Moving Object | |
JP2013143681A (ja) | 複合電子部品、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160617 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160624 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6183156 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |