JPH11260974A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体チップの他の主面が露出した構造の半導
体装置の機械的強度を向上し、鮮明なマークを形成。 【解決手段】一主面に所定の回路が形成された半導体チ
ップ２の他の主面が露出した構造の半導体装置１におい
て、半導体チップの一主面に設けられた複数の電極パッ
ドに対応し、電気的に接続された外部端子１２と、電極
パッドを覆う封止部１４と、半導体チップの他の主面に
設けられた保護膜４の表面上にマーク５を形成すること
により、半導体チップの機械的強度を向上でき、外観検
査におけるマーク認識の安定化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造技術に関し、特に半導体チップの裏面が露出した構
造を有する半導体装置及びその製造技術に利用して有効
なものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体装置は、半導体チップ保護
等を目的とし、その半導体チップの表面を樹脂等により
封止するように構成されている。近年、半導体装置は小
型化・薄型化が進んできており、半導体チップの裏面
（以下、他の主面という）が露出された構造を有するパ
ッケージ、例えばＣＳＰ（Chip Size Package）及びＴ
ＣＰ（Tape Carrier Package）等の製品化がされてい
る。このような半導体チップの他の主面が露出された構
造を有する半導体装置の構成については、例えば１９９
３年５月３１日、日経ＢＰ社発行の「ＶＬＳＩパッケー
ジング技術」上巻の１３９頁乃至１４１頁に記載されて
いる。その概要としては、電極パッド上にバンプを形成
した半導体チップをフィルムキャリア上に形成されたイ
ンナーリード接続した後、ポッティングにより半導体チ
ップの回路形成面（以下、一主面という）を樹脂により
封止する構成のものである。

【０００３】また、このような半導体チップの他の主面
が露出した構造を有する半導体装置においては、前記半
導体装置の前記半導体チップの他の主面へマーク、例え
ば文字や記号等を形成するマーキング処理の必要性が高
くなってきている。このマーキング処理は一般にインク
による捺印によりマークを形成する方式とレーザー加工
によりマークを形成するレーザマーク方式とがあり、こ
れらの方式により半導体装置へのマークが形成されてい
る。この半導体装置へのマーキング技術としては、例え
ば１９９３年５月３１日、日経ＢＰ社発行の「ＶＬＳＩ
パッケージング技術」下巻の５０頁乃至５１頁に記載さ
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような前記半導体チップの他の主面が露出された構造
を有する半導体装置においては、前記半導体チップの他
の主面が露出しているため、前記半導体装置の機械的強
度が弱く、前記半導体チップの搬送等により前記半導体
チップに機械的ストレスが加わると、前記半導体チップ
のカケ及びクラック等が発生し易くなるという問題があ
る。

【０００５】また、上述した半導体チップの他の主面が
露出された前記半導体装置へマークを形成する際におい
ても、前記半導体チップの他の主面にマークが形成され
るために、前記インクの捺印によるマークの形成方式或
いは前記レーザー加工によるマークの形成するレーザマ
ーク方式を用いた場合でも、前記半導体チップの他の主
面の表面状態によってマークの品質が左右されてしま
い、前記マークが不鮮明となってしまう。さらに前記イ
ンクの捺印によるマーク方式では、インク切れ或いはイ
ンクムラにより、マークの印字がかすれやにじみを発生
してしまう恐れもあり、マーク形成の作業面においても
定期的洗浄の頻度や品種の変更に伴う品種切り替えロス
時間が大きくなってしまう。

【０００６】そこで、本発明の目的は、パッケージの小
型化・薄型化を阻害することなく、半導体チップの他の
主面が露出した構造の半導体装置の機械的強度を向上
し、信頼性を向上することができる技術を提供するもの
である。

【０００７】また、本発明の他の目的は、前記半導体チ
ップの他の主の表面状態に左右されることなく、前記半
導体チップの他の主に鮮明なマークを形成する技術を提
供するものである。

【０００８】尚、本発明の前記ならびにその他の目的と
新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。

【００１０】すなわち、略四角形の板状で一主面に所定
の回路が形成された半導体チップの他の主面が露出した
構造の半導体装置及びその製造技術であって、前記半導
体チップの一主面に設けられた複数の電極パッドと、前
記電極パッドそれぞれに対応して設けられ、かつ前記電
極パッドと電気的に接続された複数の外部端子と、前記
半導体チップの前記電極パッドを覆う封止部と、前記半
導体チップの他の主面に設けられた保護膜とを有するも
のである。

【００１１】また前記半導体装置が、前記保護膜の表面
上に設けられたマークを有するものである。

【００１２】さらに前記マークが、レーザー加工により
前記保護膜上に形成されるものである。

【００１３】また前記半導体チップの他の主面への保護
膜の形成は、前記半導体チップが半導体ウエハの段階
で、前記半導体ウエハの他の主面に保護膜を形成し、該
半導体ウエハを個々の半導体チップ毎に切断分離するこ
とにより前記半導体チップの他の主面に保護膜を形成す
るものである。

【００１４】上述した手段によれば、略四角形の板状で
一主面に所定の回路が形成された半導体チップの他の主
面が露出した構造の半導体装置及びその製造技術であっ
て、前記半導体チップの一主面に設けられた複数の電極
パッドと、前記電極パッドそれぞれに対応して設けら
れ、かつ前記電極パッドと電気的に接続された複数の外
部端子と、前記半導体チップの前記電極パッドを覆う封
止部と、前記半導体チップの他の主面に設けられた保護
膜とを有するように構成したことにより、前記半導体チ
ップの機械的強度を向上することができるため、前記半
導体装置の信頼性も向上できる。

【００１５】また前記半導体装置において、前記保護膜
の表面上にマークを設けるように構成することにより、
前記マークは前記半導体チップの他の主面の表面状態に
左右されることなく形成できるため、前記マークを鮮明
に表示することができ、さらには前記マークのキレ、カ
ケ等の外観不良を低減することができる。

【００１６】さらに前記マークがレーザ加工により前記
保護膜上に形成することにより、前記マークのにじみ等
の外観不良を低減し、かつ品種切り替え等においてはマ
スクの交換のみであり、作業性及びフレキシブル性を向
上することができる。

【００１７】また前記半導体チップの他の主面に保護膜
を形成する際に、前記半導体チップが半導体ウエハの段
階で、前記半導体ウエハの他の主面に保護膜を形成し、
該半導体ウエハを個々の半導体チップ毎に切断分離する
ことにより前記半導体チップの他の主面に保護膜を形成
するように構成したことによって、前記粘着テープから
半導体チップをピックアップする際に突上げ針で半導体
チップの他の主面を直接的に突き上げることがなくな
り、前記半導体チップの突上げ針に起因するクラック等
の発生を低減することができる。さらに半導体チップの
搬送等に起因する機械的ストレスから半導体チップを保
護することもできる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。

【００１９】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。

【００２０】（実施形態１）まず半導体チップの他の主
面が露出した構造を有する半導体装置としては、例えば
ＣＳＰ（Chip Size Package）或いはＴＣＰ（Tape Carr
ier Package）等があり、本実施形態ではＣＳＰの半導
体装置に適用した場合について以下図面を用いて説明す
る。

【００２１】図１は本発明の一実施形態である半導体装
置を示す斜方投影図、図２は前記半導体装置の裏面側の
構成を示す概略平面図、図３は前記半導体装置の断面図
（図２Ａ―Ａ‘間の断面図）である。

【００２２】本発明の一実施形態である半導体装置１
は、例えば図１乃至図３に示すようにパッケージサイズ
が半導体チップのサイズに近い小型パッケージであり、
前記半導体チップ上にバンプ電極（外部端子）が配置さ
れたｆａｎ−ｉｎタイプのＣＳＰである。また、このよ
うなＣＳＰは外部端子がバンプ電極で構成されているた
め、ＢＧＡ（Ball Grid Array）でもある。

【００２３】前記半導体装置１は半導体チップ２を有し
ており、前記半導体チップ２は略四角形の板状で、一主
面に所定の回路が形成されている。また前記半導体チッ
プ２は一主面に外部と電気的に導通するための電極パッ
ド３を有しており、前記電極パッド３は例えば前記半導
体チップ２の一対の対向する辺に沿って、その辺の近傍
位置に複数個、配置されている。また半導体チップ２は
他の主面、つまりは前記回路形成面とは反対側の面に保
護膜４を有している。前記保護膜４は例えば鎖状ポリイ
ミドの有機材料からなる塗布液を硬化させることにより
形成されるものであり、前記半導体チップ２の機械的強
度を向上できるように構成している。さらに前記半導体
チップ２の他の主面に設けられた前記保護膜４上には所
定のマーク５が形成されている。前記マーク５は例えば
商標、製品名、ロット番号等の文字により構成される。

【００２４】また前記半導体チップ２の前記一主面には
弾性構造を有するエラストマ（弾性体）６が接続されて
いる。この時、前記エラストマ６は前記半導体チップ２
の前記電極パッド３とその近傍を除く、前記半導体チッ
プ２の一主面上に接続されている。前記エラストマ６は
例えば３層構造、例えば多孔質フッ素樹脂或いはポリイ
ミド樹脂等の基層の上下面に接着層を設けたものであ
り、接着層により前記半導体チップ２に接着されてい
る。また前記エラストマ６の前記半導体チップの接着面
に対向する面は、後述するバンプ電極を接続するための
バンプ接着部７が複数個、形成されている。前記バンプ
接着部７は例えばＣｕ（銅）等からなり、前記接続され
るバンプ電極に対応して例えば略円形に形成されてい
る。また前記バンプ接着部７はそれぞれ配線８を有して
おり、前記配線８を介してそれぞれリード９に電気的に
接続されている。そして前記リード９はそれぞれ対応す
る前記半導体チップ２の前記電極パッド３に接続されて
いる。従って前記半導体チップ２の電極パッド３はそれ
ぞれ前記リード９、前記配線８を介して前記バンプ接続
部７と電気的に接続されている。また前記半導体チップ
２は前記エラストマ６を介して、ポリイミド樹脂等から
なるフィルム基材１０に接続されている。前記フィルム
基材１０は可撓性を有しており、前記バンプ接続部７に
対応した部位にそれぞれバンプ接続用孔部１１を有して
いる。そして前記バンプ接続用孔部１１を通じて前記バ
ンプ接続部７にそれぞれバンプ電極１２が電気的に接続
されている。前記バンプ電極１２は例えばはんだ等の金
属からなり、略ボール形状に形成されている。そして前
記バンプ電極１２は前記半導体チップ２の内方に格子状
に配置されている。また前記フィルム基材１０は、前記
半導体チップ２の電極パッド３とその近傍位置に対応し
て開口部１３を有している。そして前記開口部１３から
前記半導体チップ２の前記電極パッド３と前記リード９
との接続部及びその接続部近傍にはエポキシ樹脂等から
なる封止部１４が形成されている。

【００２５】このように半導体チップ２の他の主面が露
出した構造を有する半導体装置１において、前記半導体
チップ２の他の主面に保護膜４を形成したことにより、
前記半導体装置１の機械的強度を向上することができ、
半導体装置の信頼性を向上することができる。

【００２６】また前記半導体チップ２の他の主面に前記
保護膜４を形成し、前記保護膜４に商標、製品名、ロッ
ト番号等のマーク５を形成するようにしたことにより、
前記半導体チップ２の他の主面が露出した構造の半導体
装置１において、前記マーク５を鮮明に表示することが
でき、前記マークの切れ、カケ等の外観不良を低減する
ことができる。

【００２７】次に本発明の一実施形態である半導体装置
の製造方法について、以下図面を用いて説明する。

【００２８】図４は本実施形態の半導体装置の製造フロ
ーを示す図、図５（ａ）〜（ｄ）は前記半導体装置に搭
載される保護膜付きの半導体チップの組立を示す断面
図、図６及び図７はエラストマ付きのフィルムキャリア
の構成を示す図、図８及び図９は半導体チップの貼り付
けられた前記フィルムキャリアを示す図、図１０はイン
ナーリード接続されたフィルムキャリアを示す断面図、
図１１は樹脂封止された前記フィルムキャリアを示す断
面図、図１２及び図１３はバンプ形成された前記フィル
ムキャリアを示す図、図１４は半導体装置へのマーク形
成処理を示す概略図である。

【００２９】本発明の一実施形態である半導体装置は例
えば図４に示す製造フローに沿って製造される。

【００３０】まず半導体装置１の製造に用いられる半導
体チップ２は、例えば単結晶引上げ法等により形成され
た円筒状のＳｉ（シリコン）のインゴットをスライシン
グすることにより得られる円板状の基板の一主面に所定
の回路を形成した半導体ウエハを所定の回路毎に切断す
ることによって得られる略四角形で板状の個片である。

【００３１】図５（ａ）は半導体ウエハ１５の一部断面
図であり、一枚の半導体ウエハ１５に複数の半導体チッ
プ２が形成されている。前記半導体チップ２の一主面に
は複数の電極パッド３が形成されており、前記電極パッ
ド３は前記半導体チップの一対の対向する辺の近傍にそ
れぞれ配置されている。そして前記所定の回路の形成さ
れた半導体ウエハ１５は、例えば一主面を保護した状態
等で、例えばスピンナーにより鎖状ポリイミドの有機材
料等からなる塗布液を回転塗布される。そして回転塗布
された塗布液は、図５（ｂ）に示すように前記半導体ウ
エハ１５の他の主面全面に均一に塗布される。前記塗布
液の塗布された半導体ウエハ１５は所定の温度、例えば
２００〜４００℃でキュアベークされることにより、前
記塗布液は硬化されて前記半導体ウエハ１５の他の主面
に均一な保護膜４が形成される。

【００３２】前記保護膜４の形成された前記半導体ウエ
ハ１５は例えば図示しないリング状の枠部材に貼り渡さ
れた粘着テープ１６上に図５（ｃ）に示すように貼り付
けられる。前記粘着テープ１６は例えば紫外線照射によ
り接着力が低下する特性を持つＵＶテープが用いられ
る。前記粘着テープ１６に貼り付けられた半導体ウエハ
１５は高速回転状態のダイシングブレードによりダイシ
ングされ、前記半導体ウエハ１５が前記半導体チップ２
毎に切断分離される。この時、前記半導体ウエハ１５の
他の主面に形成された前記保護膜４も前記半導体チップ
２と一体的に切断される。

【００３３】前記半導体チップ２毎に切断された前記半
導体ウエハ１５は、ピックアップ装置等により前記半導
体チップ２が順次ピックアップされる。前記ピックアッ
プ処理は例えば半導体ウエハ１５を貼り付けた粘着テー
プ１６に紫外線を照射し、前記粘着テープ１６の接着力
を低下させた後、この粘着テープ１６の半導体ウエハ搭
載面の反対側から突上げ針を用いて、当該ピックアップ
する半導体チップ２の他の主面を突き上げる。前記突き
上げられた半導体チップ２は前記保護膜４と一体的に前
記粘着テープ１６から剥離させる。

【００３４】前記粘着テープ１６から剥離された半導体
チップ２はその上方に配置されたコレットに真空吸着さ
れ、図５（ｄ）に示すような他の主面に保護膜４を有す
る半導体チップ２が得られる。

【００３５】このように予め半導体チップ２の他の主面
に保護膜４を形成したことにより、前記粘着テープ１６
から半導体チップ２をピックアップする際に突上げ針で
半導体チップの他の主面を直接的に突き上げることがな
くなり、半導体チップの他の主面への前記突上げ針によ
るキズ等の発生を減少できる。そのため半導体チップが
加熱された際に半導体チップのキズに起因して発生する
クラック等も減少できる。さらに半導体装置の製造にお
いて前記半導体チップ或いは半導体チップの搭載された
フィルムキャリア等の搬送、工程間の搬送の際に生じる
機械的ストレスから前記半導体チップを保護することが
でき、前記搬送に起因する半導体チップへのクラックの
発生等も低減できる。

【００３６】そして前記他の主面に保護膜４を有した半
導体チップ２は、予め準備されたエラストマ付きフィル
ムキャリア１８に搭載される。

【００３７】前記エラストマ付きフィルムキャリア１８
の単位フレームは例えば図６及び図７に示されており、
一単位の前記フィルムキャリア１８が一定の間隔で連続
的に配列されている。前記フィルムキャリア１８はポリ
イミド樹脂からなるフィルム基材１０により形成されて
おり、前記フィルムキャリア１８の搬送方向に沿って、
前記フィルム基材１０の端部近傍にスプロケットホール
１９が一定の間隔で複数個形成されている。この一定の
間隔で形成された前記スプロケットホール１９により前
記帯状のフィルムキャリア１８を間欠的に搬送すること
ができる。また前記フィルムキャリア１８は、該フィル
ムキャリア１８に貼り付けられる前記半導体チップ２の
電極パッド３の位置に対応して、所定の大きさの開口部
１３が形成されている。本実施形態における半導体チッ
プ２は一対の対向する辺の近傍にそれぞれ複数の電極パ
ッド３が形成されており、前記開口部１３はそれぞれの
辺に設けられた複数の電極パッド３に対応して略四角形
の形状に開口されている。そして前記半導体チップ２の
電極パッド３の配置に対応して形成された開口部１３か
らインナーリード接続が行えるように構成されている。

【００３８】また前記フィルムキャリア１８は、前記搭
載される半導体チップ２の電極パッド３近傍を除く部位
に対応して該フィルムキャリア１８の裏面側にバンプ接
続部７が複数個形成されている。前記バンプ接続部７は
略円形状に形成され、所定の間隔で格子状に配置されて
いる。また前記複数の前記バンプ接続部７はそれぞれ配
線８を介して、前記リード９へ電気的に接続されてい
る。前記バンプ接続部７、配線８及び前記リード９は一
体的に形成されており、前記リード９の他端は前記フィ
ルムキャリア１８の開口部１３に延在しており、前記半
導体チップ２の電極パッド３の上方に配置される。そし
て前記フィルムキャリア１８にはそれぞれの前記バンプ
接続部７に対応して複数のバンプ接続用孔部１１が形成
されており、前記バンプ接続用孔部１１にはバンプが配
置され、前記金属バンプが前記バンプ接続部７と電気的
に接続されるように構成している。

【００３９】さらに前記フィルムキャリア１８は、少な
くとも前記開口部１３を除く前記半導体チップ２の搭載
位置にエラストマ（弾性体）６が接続されている。前記
エラストマ６は例えば三層構造に構成されており、前記
エラストマ６の前記接着層によりフィルムキャリア１８
に接続されてエラストマ付きのフィルムキャリアを構成
している。このようなエラストマ付きフィルムキャリア
が準備される。

【００４０】次に、前記準備したエラストマ付きフィル
ムキャリアには半導体チップの貼り付けが行われる。

【００４１】前記半導体チップの貼り付けは、前記フィ
ルムキャリア１８に接着された前記エラストマ６に、前
記保護膜４が形成された半導体チップ２を図８及び図９
に示すように接着される。前記半導体チップ２の貼り付
けは前記半導体チップ２の前記電極パッド３が前記フィ
ルムキャリア１８の前記開口部１３に配置され、かつ前
記電極パッド３に対応してそれぞれ前記リード９が配置
されるようにフェイスダウンボンディングに貼り付けら
れる。この時、前記半導体チップ２は前記エラストマ６
の接着層により前記フィルムキャリア１８に接着固定さ
れる。

【００４２】前記半導体チップ２の搭載されたフィルム
キャリア１８はインナーリード接続工程に移行される。

【００４３】インナーリード接続工程では前記半導体チ
ップ２を搭載したフィルムキャリア１８は、図１０に示
すように前記リードが例えばシングルポイントボンディ
ング法等により前記半導体チップの電極パッドに接続さ
れる。この接続は前記フィルムキャリア１８の前記開口
部１３からボンディングツールにより前記それぞれのリ
ード９をその対応する電極パッド３へ一点ずつ超音波熱
圧着することにより行われる。

【００４４】次に全てのリード９と電極パッド３とのイ
ンナーリード接続が終了したフィルムキャリア１８は樹
脂封止工程に移行される。

【００４５】前記樹脂封止工程では前記フィルムキャリ
ア１８が所定の部位に搬送され、ディスペンサ等により
封止樹脂が塗布され、前記フィルムキャリア１８に封止
部１４を形成する。前記封止樹脂は例えばエポキシ樹脂
等からなり、前記フィルムキャリア１８の開口部１３か
らディスペンサにより塗布される。そして前記塗布され
た封止樹脂は、少なくとも前記リード９と前記電極パッ
ド３との接続部、及びその接続部近傍の前記半導体チッ
プ２の一帯に塗布される。この時、前記開口部１３から
塗布された封止樹脂は前記フィルム基材１０と前記半導
体チップ２との間にブリッジした状態となる。そして前
記封止樹脂が塗布された前記フィルムキャリア１８は所
定の温度でキュアベークされることにより、図１１に示
すように前記封止樹脂が硬化され、前記半導体チップの
電極パッドを覆う封止部１４が形成される。

【００４６】次に前記封止部１４が形成された前記フィ
ルムキャリア１８はバンプ形成工程に移行される。

【００４７】バンプ形成工程では予め形成された金属ボ
ールが準備されており、前記金属ボールが前記フィルム
キャリア１８のバンプ接続用孔部１１から前記バンプ接
続部７に供給される。そして全ての前記バンプ接続用孔
部１１に前記金属ボールが供給された前記フィルムキャ
リア１８は所定の条件でリフローされる。これにより、
前記金属ボールが前記バンプ接続部７に電気的に接続さ
れ、図１２及び図１３に示すように前記フィルムキャリ
ア１８にバンプ電極１２が形成される。そして前記半導
体チップ２の電極パッド３は前記リード９、前記配線
８、前記バンプ接続部７を介して前記バンプ電極１８に
電気的に接続される。

【００４８】次に前記バンプ電極１２が形成された前記
フィルムキャリア１８はマーク工程に移行される。

【００４９】前記マーク工程では間欠的に搬送されてく
るフィルムキャリア１８の前記半導体装置１に搭載され
た半導体チップ２の他の主面に設けられた前記保護膜４
にマーク５、例えば商標、製品名、ロット番号等の文字
や記号を形成するものであり、本実施形態においては例
えば図１４に示すように構成されたレーザマーク方式に
よりマーク５が形成される。レーザマーク方式では例え
ばレーザ発振器２０として、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum
Garnet）レーザが用いられている。そして、前記レー
ザ発振器２０より発進されたレーザ光２１は例えば反射
鏡２２を介してマスク２３に到達される。前記マスク２
３としては例えばガラスマスクが用いられ、前記マスク
２３には半導体装置１に形成される文字等が配列されて
いる。そして、前記マスク２３は駆動機構等により移動
されることにより、前記マスク２３に配列された文字か
ら所定の文字を選択することができる。このようにマス
ク２３に配列された文字を切り替えることによって、半
導体装置１に所望の文字を順次印字することができるよ
うに構成されている。そして前記マスク２３を通った前
記レーザ光２１は結像レンズ２４により前記半導体装置
１の前記半導体チップ２の他の主面に形成された前記保
護膜４上に結像され、前記半導体装置１の前記保護膜４
上に所定のマーク５が印字される。

【００５０】このように半導体チップの他の主面が露出
した半導体装置において、前記半導体チップ２の他の主
面に保護膜４を形成し、前記保護膜４上にマーク５を形
成することによって、前記マーク５は前記半導体チップ
２の他の主面の表面状態に左右されることなく、前記半
導体装置に鮮明なマークを形成することができる。さら
に前記半導体装置に鮮明なマークを形成できるため、前
記マークキレ、カケ等のマーク起因の外観不良を低減す
ることが可能となり、半導体装置製造の歩留まりが向上
し、製造コストの低減を図ることができる。また前記半
導体チップの他の主面に形成された前記保護膜４が有色
で構成することにより、印字されたマークがより鮮明に
形成される。またレーザーマーク方式でマークを形成し
たことにより、マークのにじみ等の外観不良を低減し、
照射されるレーザによる半導体チップへのストレスも低
減することができる。さらにレーザーマーク方式でマー
クを形成したことにより、品種切り替え等においてはマ
スクの交換のみであり、作業性及びフレキシブル性を向
上できる。

【００５１】次に前記マーク５の形成が完了したフィル
ムキャリア１８上の半導体装置１は切断工程に移行さ
れ、個々の半導体装置１に切断されることにより、図１
乃至図３に示すような露出した半導体チップ２の他の主
面に保護膜４を有し、かつ前記保護膜４にマーク５が形
成された半導体装置１が得られる。

【００５２】（実施形態２）次に本発明の他の実施形態
である半導体装置の製造方法について、以下図面を用い
て説明する。

【００５３】本実施形態では、上述した実施形態１と同
様に、例えばＦａｎ−ｉｎタイプのＣＳＰの製造方法に
適用した場合について説明する。

【００５４】図１５は本発明の他の実施形態を示す半導
体装置の製造フローを示す図、図１６及び図１７は本実
施形態のフィルムキャリアへのチップ貼り付け工程を示
す図、図１８は本実施形態のインナーリード接続工程を
示す断面図、図１９は本実施形態の封止工程を示す断面
図、図２０は本実施形態のバンプ形成工程を示す断面
図、図２１は本実施形態の半導体チップの他の主面への
保護膜形成工程を示す断面図である。

【００５５】本発明の他の一実施形態である半導体装置
の製造方法は例えば図１５に示す製造フローに沿って行
われる。

【００５６】まず半導体装置の製造に用いられる半導体
チップ２は、例えば単結晶引上げ法等により形成された
円筒状のＳｉのインゴットをスライシングすることによ
り得られる円板状の基板の一主面に所定の回路を形成し
た半導体ウエハ１５を所定の回路毎に切断することによ
って、略四角形で板状の半導体チップ２が形成される。
前記半導体チップ２の一主面には複数の電極パッド３が
前記半導体チップ２の一対の対向する辺の近傍にそれぞ
れ配置されている。

【００５７】そして前記実施形態１と同様に、図４及び
図５に示すような前記エラストマ付きフィルムキャリア
１８が準備されている。前記エラストマ付きフィルムキ
ャリアの構成は前記実施形態１と同様のため説明は省略
する。

【００５８】次に、前記準備したエラストマ付きフィル
ムキャリアには半導体チップの貼り付けが行われる。

【００５９】前記半導体チップ２の貼り付けは、前記フ
ィルムキャリア１８に接着された前記エラストマ６に前
記半導体チップを図１６及び図１７に示すように接着さ
れる。前記半導体チップ２は前記電極パッド３が前記フ
ィルムキャリア１８の前記開口部１３に配置され、かつ
前記電極パッド３に対応してそれぞれ前記リード９が配
置されるようにフェイスダウンボンディングに貼り付け
られる。この時、前記半導体チップ２は前記エラストマ
６の接着層により前記フィルムキャリア１８に接着固定
される。

【００６０】次に前記半導体チップ２の搭載されたフィ
ルムキャリア１８はインナーリード接続工程に移行さ
れ、前記半導体チップ２を搭載したフィルムキャリア１
８は図１８に示すように前記リードを前記電極パッドへ
例えばシングルポイントボンディング法により接続す
る。

【００６１】そして全てのリード９と電極パッド３との
インナーリード接続が終了したフィルムキャリア１８は
樹脂封止工程に移行され、前記フィルムキャリア１８の
所定の部位にディスペンサ等により封止樹脂が塗布さ
れ、前記塗布された封止樹脂は少なくとも前記リード９
と前記電極パッド３との接続部、及びその接続部近傍の
前記半導体チップ２の一帯に塗布される。この時、前記
開口部１３から塗布された封止樹脂は実施例１と同様
に、前記フィルム基材１０と前記半導体チップ２との間
にブリッジした状態となる。そして前記封止樹脂が塗布
された前記フィルムキャリア１８は所定の温度でキュア
ベークされ、図１９に示すように前記封止樹脂が硬化さ
れ、前記半導体チップの電極パッドを覆う封止部１４が
形成される。

【００６２】前記封止部１４が形成された前記フィルム
キャリア１８はバンプ形成工程に移行される。バンプ形
成工程では前記フィルムキャリア１８に予め形成された
金属ボールがそれぞれの前記バンプ搭載孔１１から前記
バンプ接続部７に供給される。そして全ての前記バンプ
接続用孔部１１に前記金属ボールが供給された前記フィ
ルムキャリア１８は所定の条件でリフローされ、図２０
に示すように前記バンプ接続部７にバンプ電極１２が形
成される。

【００６３】次に前記バンプ電極１２が形成された前記
フィルムキャリア１８は前記半導体チップ２の他の主面
に保護膜４が形成される。

【００６４】前記保護膜４は例えば鎖状ポリイミドの有
機材料等からなる塗布液２５を半導体チップ２の他の主
面に塗布することにより形成されており、前記塗布液は
図２１に示すようにディスペンサ２６を移動させながら
塗布する描画方式で形成されている。前記半導体チップ
２の他の主面に塗布された塗布液２５は均一に広がる。
その後、前記前記半導体チップ２の他の面に塗布液２５
が塗布された半導体装置１は所定の温度でキュアベーク
されることにより、前記塗布液は硬化されて前記半導体
装置１に搭載された半導体チップ２の他の主面に保護膜
４が形成される。

【００６５】そして前記半導体チップ２の他の主面に保
護膜４が形成された半導体装置１はマーク工程に移行さ
れ、前記保護膜４上にマーク５が形成される。前記マー
ク５の形成は前記実施形態１と同様に例えばレーザマー
ク方式により所定のマーク５が半導体装置１に形成され
る。

【００６６】このように前記マーク工程の前に、前記半
導体チップの他の主面に保護膜４を形成し、前記保護膜
４上にマーク５を形成することによって、本実施形態に
おいても前記マーク５は前記半導体チップの他の主面の
表面状態に左右されることなく、前記半導体装置に鮮明
なマークを形成することができる。前記半導体装置に鮮
明なマークを形成できるため、前記マークキレ、カケ、
にじみ等のマーク起因の外観不良を低減することが可能
となる。さらに半導体装置の組立て段階で保護膜４を形
成するように構成したことにより、半導体装置の組立ラ
インのみで本発明を適用可能となる。

【００６７】そして前記マーク５が形成された半導体装
置１は切断工程に移行され、前記フィルムキャリア１８
から個々の半導体装置１に切断することにより、図１及
び図２に示すような半導体チップ２の他の主面に保護膜
４を有し、かつ前記保護膜４にマーク５が形成された半
導体装置１が得られる。

【００６８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、本実施形態ではｆａｎ−ｉｎタイプのＣＳＰに適用
した場合について具体的に説明したが、半導体チップの
他の主面が露出した構造を有する半導体装置であればど
のようなものでもよく、例えば図２２に示すように外部
端子がリードで構成されているＴＣＰの半導体装置、或
いはｆａｎ−ｏｕｔタイプのＣＳＰ、ＢＧＡ等の半導体
装置に種々適用可能である。

【００６９】また本実施形態では半導体ウエハの段階、
或いはバンプ電極形成後のフィルムキャリアの段階で保
護膜を形成する場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、例えば半導体装置毎にフィルムキャ
リアを切断した段階等でもよい。

【００７０】さらに本実施形態では前記保護膜を塗布す
ることにより形成する場合について説明したが、例えば
保護基板を接着剤等により前記半導体チップの他の主面
に貼付ける、或いは予めマークが形成された保護基板を
接着剤等により前記半導体チップの他の主面に貼り付け
ることにより前記保護膜を形成するように構成してもよ
い。

【００７１】また本実施形態では半導体チップの他の主
面が露出した構造を有する半導体装置において、前記半
導体チップの他の主面に形成された保護膜に、レーザマ
ーク方式を用いて、所定のマークを形成する場合につい
て説明したが、例えばインク方式によりマークを形成す
る等、前記半導体チップの他の主面に形成された保護膜
にマークを形成できるものであれば、どのような構成で
も良い。

【００７２】さらに本実施形態ではマークとして、商
標、製品名、ロット番号等を形成する場合について説明
したが、前記保護膜上に形成される文字及び図等であれ
ばどのようなものでもよく、例えば半導体チップ或いは
半導体装置の位置決め用のマークを形成してもよい。

【００７３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００７４】すなわち、略四角形の板状で一主面に所定
の回路が形成された半導体チップの他の主面が露出した
構造の半導体装置において、前記半導体チップの一主面
に設けられた複数の電極パッドと、前記電極パッドそれ
ぞれに対応して設けられ、かつ前記電極パッドと電気的
に接続された複数の外部端子と、前記電極パッドを覆う
封止部と、前記半導体チップの他の主面に設けられた保
護膜とを有し、前記保護膜の表面上に所定のマークを形
成したことにより、前記半導体チップの機械的強度を向
上し、前記半導体装置の信頼性を向上することができ
る。さらに前記半導体チップの他の主面に保護膜を形成
し、前記保護膜上にマークを形成することにより、前記
マークを鮮明に表示することができ、前記半導体装置の
品質向上及び外観検査におけるマーク認識の安定化を図
ることができる。また前記半導体チップの他の主面の表
面状態に左右されことなく、マークの外観不良を低減で
き、半導体装置の歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の概略構
成を示す斜方投影図である。

【図２】本発明の一実施形態である半導体装置を示す平
面図である。

【図３】本発明の一実施形態である半導体装置の図２Ａ
−Ａ‘間断面図である。

【図４】本発明の一実施形態である半導体装置の製造方
法を示すプロセスフローである。

【図５】本発明の一実施形態である半導体装置に用いら
れる保護膜付きの半導体チップの形成処理を示す断面図
である。

【図６】半導体装置の製造に用いられるエラストマ付き
フィルムキャリアの構成を示す平面図である。

【図７】半導体装置の製造に用いられるエラストマ付き
フィルムキャリアの図6Ｂ−Ｂ‘間断面図である。

【図８】本発明の一実施形態である半導体装置の半導体
チップの貼り付け工程を示す平面図である。

【図９】本発明の一実施形態である半導体装置の半導体
チップの貼り付け工程を示す図８Ｃ−Ｃ‘間断面図であ
る。

【図１０】本発明の一実施形態である半導体装置のイン
ナーリード接続を示す断面図である。

【図１１】本発明の一実施形態である半導体装置の樹脂
封止を示す断面図である。

【図１２】本発明の一実施形態である半導体装置のバン
プ形成工程を示す平面図である。

【図１３】本発明の一実施形態である半導体装置のバン
プ形成工程を示す図１２Ｄ−Ｄ‘間断面図である。

【図１４】本発明の一実施形態である半導体装置のマー
ク形成工程を示す概略構成図である。

【図１５】本発明の他の実施形態である半導体装置の製
造方法を示すプロセスフローである。

【図１６】本発明の他の実施形態である半導体装置の半
導体チップの貼り付け工程を示す平面図である。

【図１７】本発明の他の実施形態である半導体装置の半
導体チップの貼り付け工程を示す図１６Ｅ―Ｅ‘間断面
図である。

【図１８】本発明の他の実施形態である半導体装置のイ
ンナーリード接続を示す断面図である。

【図１９】本発明の他の実施形態である半導体装置の樹
脂封止を示す断面図である。

【図２０】本発明の他の実施形態である半導体装置のバ
ンプ形成工程を示す断面図である。

【図２１】本発明の他の実施形態である半導体装置の保
護膜形成フローを示す断面図である。

【図２２】本発明をＴＣＰに適用した場合の一例を示す
断面図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…半導体チップ、３…電極パッド、
４…保護膜、５…マーク、６…エラストマ（弾性体）、
７…バンプ接続部、８…配線、９…リード、１０…フィ
ルム基材、１１…バンプ接続用孔部、１２…バンプ電極
（外部端子）、１３…開口部、１４…封止部、１５…半
導体ウエハ、１６…粘着テープ、１７…ダイシングライ
ン、１８…フィルムキャリア、１９…スプロケットホー
ル、２０…レーザ発振器、２１…レーザ光、２２…反射
鏡、２３…マスク、２４…結像レンズ、２５…塗布液、
２６…ディスペンサ、

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】略四角形の板状で一主面に所定の回路が形
   成された半導体チップの他の主面が露出した構造を有す
   る半導体装置であって、前記半導体チップの一主面に設
   けられた複数の電極パッドと、前記電極パッドそれぞれ
   に対応して設けられ、かつ前記電極パッドと電気的に接
   続された複数の外部端子と、前記電極パッドを覆う封止
   部と、前記半導体チップの他の主面に設けられた保護膜
   とを有することを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】前記保護膜の表面上に設けられたマークを
   有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】前記保護膜は、ポリイミド系樹脂からなる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 【請求項４】略四角形の板状で一主面に所定の回路が形
   成された半導体チップの他の主面が露出した構造を有す
   る半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの
   一主面に設けられた複数の電極パッドと該電極パッドに
   対応して設けられた複数の外部端子とを電気的に接続す
   る工程と、前記半導体チップの前記電極パッドを覆う封
   止部を形成する工程と、前記半導体チップの他の主面に
   保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記半導体チップの他の主面に形成された
   保護膜上にマークを形成する工程を有することを特徴と
   する請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記マークが、レーザー加工により前記保
   護膜上に形成されていることを特徴とする請求項５記載
   の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記半導体チップの他の主面に保護膜を形
   成する工程は、前記半導体チップが半導体ウエハの段階
   で、前記半導体ウエハの他の主面に保護膜を形成し、該
   半導体ウエハを個々の半導体チップ毎に切断分離するこ
   とにより前記半導体チップの他の主面に保護膜を形成す
   ることを特徴とする請求項４或いは請求項５記載の半導
   体装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記保護膜が、ポリイミド系樹脂により形
   成されること特徴とする請求項４記載の半導体装置の製
   造方法。