JP7173933B2 - 圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、例えば圧電発振器などの圧電デバイス、及びその製造方法に関する。

圧電振動子と、半導体素子と、開口部を有する配線基板と、を備えた圧電デバイスが知られている（例えば特許文献１参照）。圧電振動子は、開口部を塞ぐように配線基板に実装されている。半導体素子は、開口部内において圧電振動子に実装されている。開口部内では、圧電振動子と半導体素子との間にアンダーフィル樹脂が満たされている。

特開２０１６－０５４３７６号公報

圧電振動子と半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を充填するには、ディスペンサの吐出用ノズルから液状のアンダーフィル樹脂を滴下する。このとき、半導体素子を上にして開口部の隙間に吐出用ノズルの先端を挿入する。ただし、近年では、圧電デバイスの小型化により吐出用ノズルが相対的に太くなり過ぎ、開口部の隙間に吐出用ノズルの先端を挿入することが難しくなっている。そのため、止むを得ず、半導体素子の上面にアンダーフィル樹脂を滴下し、アンダーフィル樹脂が半導体素子の下面へ流れ込むようにしている。

しかしながら、半導体素子の上面にアンダーフィル樹脂を滴下すると、半導体素子の上面にアンダーフィル樹脂が残ってしまい、側面視して開口部からアンダーフィル樹脂が突き出ることがあった。そのような圧電デバイスは、突き出たアンダーフィル樹脂が邪魔をしてプリント配線板などに実装できなくなるため、不良品（厚み不良）と判定される。

そこで、本開示の目的は、圧電デバイスが小型になっても、半導体素子の上面にアンダーフィル樹脂を滴下することなく、アンダーフィル樹脂を充填し得る圧電デバイスを提供することにある。

本開示に係る圧電デバイスは、
表裏関係にある第一面及び第二面、並びに、前記第一面及び前記第二面を貫く開口部を有する略矩形状の配線基板と、
前記開口部を覆うように前記第一面に位置する圧電振動子と、
前記開口部内の前記圧電振動子に位置する半導体素子と、
前記開口部内にて前記圧電振動子と前記半導体素子との間を満たすアンダーフィル樹脂と、
前記配線基板の前記矩形のいずれか一辺において平面視して前記開口部から前記配線基板の外面まで欠けている切り欠き部と、
を備えたものである。

本開示に係る圧電デバイスの製造方法は、
本開示に係る圧電デバイスを製造する方法であって、
平面視して前記切り欠き部同士を向い合せた、一枚からなる複数個分の前記配線基板を形成する工程と、
複数個分の前記配線基板に前記圧電振動子を実装する工程と、
前記圧電振動子に前記半導体素子を実装する工程と、
向い合う二個分の前記切り欠き部に前記アンダーフィル樹脂を吐出することにより、前記圧電振動子と前記半導体素子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填する工程と、
複数個分の前記配線基板を一個ずつに切り離すことにより複数個の前記圧電デバイスを得る工程と、
を含む。

本開示によれば、圧電デバイスが小型になっても、半導体素子の上面にアンダーフィル樹脂を滴下することなく、アンダーフィル樹脂を充填することができる。

実施形態１の圧電デバイスを示す分解斜視図である。 図２［Ａ］は図１におけるIIａ－IIａ線断面図、図２［Ｂ］は図１におけるIIｂ－IIｂ線断面図である。 図１及び図２における圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり、図３［Ａ］は実施形態１、図３［Ｂ］は他の実施例である。 図４［Ａ］は比較例の圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり、図４［Ｂ］は図４［Ａ］におけるIVｂ－IVｂ線断面図である。 図５［Ａ］は実施形態１の圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり、図５［Ｂ］は図５［Ａ］におけるＶｂ－Ｖｂ線断面図である。 図６［Ａ］は実施形態１の圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり、図６［Ｂ］は図６［Ａ］におけるVIｂ－VIｂ線断面図である。 図７［Ａ］は他の実施例の圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり、図７［Ｂ］は図７［Ａ］におけるVIIｂ－VIIｂ線断面図である。 図８［Ａ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図８［Ｂ］は図８［Ａ］におけるVIIIｂ－VIIIｂ線断面図、図８［Ｃ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図８［Ｄ］は図８［Ｃ］におけるVIIIｄ－VIIIｄ線断面図である。 図９［Ａ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図９［Ｂ］は図９［Ａ］におけるIXｂ－IXｂ線断面図、図９［Ｃ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図９［Ｄ］は図９［Ｃ］におけるIXｄ－IXｄ線断面図である。 図１０［Ａ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１０［Ｂ］は図１０［Ａ］におけるＸ－Ｘ線断面図である。 図１１［Ａ］は実施形態３の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１１［Ｂ］は図１１［Ａ］におけるXIｂ－XIｂ線断面図、図１１［Ｃ］は実施形態２の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１１［Ｄ］は図１１［Ｃ］におけるXIｄ－XIｄ線断面図である。 図１２［Ａ］は実施形態３の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１２［Ｂ］は図１２［Ａ］におけるXIIｂ－XIIｂ線断面図、図１２［Ｃ］は実施形態３の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１２［Ｄ］は図１２［Ｃ］におけるXIIｄ－XIIｄ線断面図である。 図１３［Ａ］は実施形態３の製造方法において圧電デバイスを裏返して示す概略平面図、図１３［Ｂ］は図１３［Ａ］におけるXIIIｂ－XIIIｂ線断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。また、図面において、複数の同じ構成要素については、一つの構成要素にのみ符号を付すことがある。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。以下、実施形態１は本開示に係る圧電デバイスに関し、実施形態２、３は本開示に係る圧電デバイスの製造方法に関する。

＜実施形態１＞
図１は実施形態１の圧電デバイスを示す分解斜視図、図２［Ａ］は図１におけるIIａ－IIａ線断面図、図２［Ｂ］は図１におけるIIｂ－IIｂ線断面図である。図３は図１及び図２における圧電デバイスを裏返して示す概略平面図であり（詳細は図１及び図２参照）、図３［Ａ］は実施形態１、図３［Ｂ］は他の実施例である。以下、これらの図面に基づき説明する。なお、はんだペースト２９ａは図１に示し、アンダーフィル樹脂６３、第二パッド５４、及び、はんだ２９は図２に示す。図３では、外部接続端子２８の図示を省略する。

本実施形態１の圧電デバイス１０は、表裏関係にある第一面２１及び第二面２２、並びに、第一面２１及び第二面２２を貫く開口部２３を有する略矩形状の配線基板２０と、開口部２３を覆うように第一面２１に位置する圧電振動子３０と、開口部２３内の圧電振動子３０に位置する半導体素子６０と、開口部２３内にて圧電振動子３０と半導体素子６０との間を満たすアンダーフィル樹脂６３と、配線基板２０の矩形のいずれか一辺２３１において平面視して開口部２３から配線基板２０の外面２３２まで欠けている切り欠き部２４と、を備えている。

図３［Ａ］に示すように、切り欠き部２４は、平面視してアンダーフィル樹脂６３の吐出用ノズル６４の外径よりも大きく欠けている。例えば、一辺２３１に沿った切り欠き部２４の長さをａ、吐出用ノズル６４の外径をｂとすると、ａ＞ｂとなる。このとき、切り欠き部２４内に吐出用ノズル６４を挿入して、吐出用ノズル６４からアンダーフィル樹脂６３を供給することが可能となる。ただし、ａ≦ｂとしてもよく、その場合は、切り欠き部２４の上方からアンダーフィル樹脂６３を滴下してもよい。

図３［Ｂ］に示す他の実施例の圧電デバイス１０ａは、切り欠き部２４ａを有する配線基板２０ａを用いている点を除き、圧電デバイス１０と同じ構成である。切り欠き部２４ａは、一辺２３１の略全体が欠けている。例えば、切り欠き部２４は、略矩形状の開口部２３の一辺全体が配線基板２０の外面２３２まで欠けたものである。本実施例でも、一辺２３１に沿った切り欠き部２４ａの長さをｃ、吐出用ノズル６５の外径をｄとすると、ｃ＞ｄとしてもよいし、ｃ≦ｄとしてもよい。

切り欠き部２４内の圧電振動子３０に滴下された液状のアンダーフィル樹脂６３は、毛管現象によって、圧電振動子３０と半導体素子６０との間に吸い込まれるように広がる。

続いて、圧電デバイス１０の構成をより詳しく説明する。

圧電デバイス１０は、配線基板２０と、圧電振動子３０と、半導体素子６０とを備えた水晶発振器（Crystal Oscillator）である。なお、圧電デバイス１０は、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ：Voltage Controlled Crystal Oscillator）、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）、又は恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）などであってもよい。

配線基板２０は、例えば、一般的なプリント配線板と同様の構成である。つまり、配線基板２０は、第一面２１、第二面２２及び開口部２３の他に、絶縁基板２５、四つの内部配線２６、四つの振動子用パッド２７、四つの外部接続端子２８等を有している。配線基板２０の平面視した大きさは、圧電振動子３０と同じでもよいし、圧電振動子３０よりも大きくしてもよい。

絶縁基板２５は、例えばガラスエポキシ樹脂からなり、一方の面が第一面２１であり、他方の面が第二面２２であり、中央に開口部２３が位置し、一辺２３１に切り欠き部２４が位置している。絶縁基板２５には、内部配線２６、振動子用パッド２７及び外部接続端子２８が導体パターンによって形成されている。つまり、第一面２１の開口部２３の周囲に振動子用パッド２７が設けられ、第二面２２の四隅に外部接続端子２８が設けられている。内部配線２６は、絶縁基板２５を貫通し、振動子用パッド２７と外部接続端子２８とを電気的に接続している。内部配線２６に代えて、第一面２１上及び絶縁基板２５の側面上に形成された外部配線を用いてもよい。

図２に示すように、圧電振動子３０の外部接続端子５８は、はんだ２９を介して振動子用パッド２７に電気的に接続されている。はんだ２９は、図１に示すはんだペースト２９ａが溶融後に固化したものである。

配線基板２０の外部接続端子２８を介して、圧電デバイス１０は他のプリント配線板（図示せず）に実装される。このとき、圧電振動子３０と配線基板２０との組み合わせによって、圧電デバイス１０の実質的なパッケージを構成できる。そのため、配線基板２０の変更又は交換によって、外部接続端子２８の配置及び大きさを容易に変更できる。また、開口部２３に半導体素子６０が収容されるので、圧電デバイス１０が小型になる。

圧電振動子３０は、表裏関係にある第一面５１及び第二面５２を有する素子搭載部材５０と、第一面５１に搭載された圧電素子４０と、素子搭載部材５０とともに圧電素子４０を封止する蓋部材３２と、を基本的に備えている。素子搭載部材５０は、第二面５２を配線基板２０の第一面２１に向けた状態で、開口部２３を覆うように配線基板２０に実装されている。半導体素子６０は、配線基板２０の開口部２３内に配置された状態で、素子搭載部材５０に搭載されている。

圧電素子４０は、圧電片４１と、圧電片４１の一端にまで引き出された二つの電極４２と、を有する。素子搭載部材５０は、圧電素子４０を搭載する。蓋部材３２は、圧電素子４０を収容する凹部空間３１を、素子搭載部材５０とともに形成する。二つの第一パッド５３は、素子搭載部材５０上に設けられ、二つの電極４２にそれぞれ導電性接着剤５５を介して電気的及び機械的に接続することにより、圧電素子４０を片持ち梁状に固定する。つまり、圧電デバイス１０は、圧電素子４０及び半導体素子６０が素子搭載部材５０に搭載された状態で、素子搭載部材５０と蓋部材３２とがガラス封止材やろう材（どちらも図示せず）などによって接合され、圧電素子４０が凹部空間３１内に気密封止された構造を有する。

圧電片４１は、例えばＡＴカット板の水晶片からなる。圧電片４１の平面形状は、略矩形である。二つの電極４２は、互いに絶縁されており、それぞれ励振電極、引き出し電極、パッド電極などに分けられ、圧電片４１の一方の主面から側面を跨いで他方の主面まで延びている。なお、圧電素子４０は、厚みすべり振動素子であるが、それに代えて音叉型屈曲振動素子又は輪郭すべり振動素子などを用いることもできる。

素子搭載部材５０は、表裏関係にある第一面５１及び第二面５２と、第一面５１側に設けられた凹部空間３１及び二つの第一パッド５３と、第二面５２側に設けられた六つの第二パッド５４（図２）及び四つの外部接続端子５８と、を有する。第一パッド５３と第二パッド５４と外部接続端子５８とは電気的に導通している。また、素子搭載部材５０は、例えば積層セラミックス及び金属枠などからなり、基板部５６と枠部５７とを有する。枠部５７は、基板部５６の第一面５１側の周縁に沿って環状に設けられている。換言すると、素子搭載部材５０は、凹部空間３１の底面となる第一面５１側に第一パッド５３が設けられ、第一面５１の反対側となる第二面５２側に第二パッド５４及び外部接続端子５８が設けられている。

第一パッド５３は、例えばタングステン等のメタライズに金メッキ等を施した導体からなり、圧電素子４０の電極４２に対向する位置に設けられ、導電性接着剤５５によって電極４２に電気的に接続される。第二面５２の四隅の突端面には、それぞれ外部接続端子５８が設けられている。外部接続端子５８には、例えば、周波数制御端子、接地端子、出力端子、電源電圧端子などがある。なお、第一パッド５３、第二パッド５４及び外部接続端子５８は、図示しない内部配線によって相互にかつ電気的に接続されている。

導電性接着剤５５は、例えば銀ペーストなどからなり、硬化前は流動性を有する。詳しく言えば、導電性接着剤５５は、シリコーン樹脂等のバインダの中に導電フィラーとして導電性粉末を含有するものである。

蓋部材３２は、素子搭載部材５０の枠部５７上端に重ねられ、凹部空間３１を密閉する。また、蓋部材３２は、例えばコバール（Kovar）などの金属からなり、略矩形の平板となっている。つまり、蓋部材３２は、素子搭載部材５０に封止材などにより接合され、気密封止された凹部空間３１を形成する。凹部空間３１は、本実施形態１では素子搭載部材５０側に形成しているが、蓋部材３２側に形成してもよい。

半導体素子６０は、図示しない電子回路面と、電子回路面に設けられた電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられたバンプ端子６２と、を有する。電子回路面には、発振回路及び温度補償回路等のＩＣ（Integrated Circuit）が形成されている。電極パッド６１は例えばアルミニウムからなり、バンプ端子６２は例えば金からなる。素子搭載部材５０の第二パッド５４に六つのバンプ端子６２を介して電気的に接続されることにより、素子搭載部材５０の第二面５２側に半導体素子６０が搭載される。半導体素子６０には、ＦＣ（Flip Chip）又はＢＧＡ（Ball Grid Array）なども含まれる。また、半導体素子６０は、ＩＣに限らず、例えばサーミスタなどとしてもよい。

アンダーフィル樹脂６３は、半導体素子６０と素子搭載部材５０との間に充填され、接合されたバンプ端子６２及び第二パッド５４を保護する。「アンダーフィル樹脂」とは、プリント配線板等に電子部品を実装する際の封止に用いられる液状硬化性樹脂の総称であり、エポキシ樹脂を主剤としたコンポジットレジンが主流である。また、エポキシ樹脂は熱膨張及び熱収縮が大きいため、コンポジットレジンとして線膨張係数の小さな二酸化ケイ素のフィラーをアンダーフィルに含有させることが多い。このような一般的なアンダーフィル樹脂は、熱硬化性樹脂であり、塗布後に一定温度で一定時間加熱して硬化させる。アンダーフィル樹脂６３は、一般的なアンダーフィル樹脂に限定されるものではなく、例えば光硬化性樹脂を用いてもよい。

次に、圧電デバイス１０の作用及び効果について説明する。なお、図４以降の平面図では、外部接続端子２８の図示を省略する。図４以降の断面図では、圧電振動子３０の内部構造、振動子用パッド２７、外部接続端子２８，５８、電極パッド６１、第二パッド５４などの図示を省略する。

まず、図４に示す比較例の圧電デバイス１０ｂについて説明する。圧電デバイス１０ｂは、切り欠き部が無い配線基板２０ｂを用いる点を除き、実施形態１の圧電デバイスと同じ構成である。アンダーフィル樹脂６３を圧電振動子３０と半導体素子６０との間に充填するには、ディスペンサ（図示せず）の吐出用ノズル６４から液状のアンダーフィル樹脂６３を滴下する。このとき、半導体素子６０を上にして開口部２３の隙間に、吐出用ノズル６４の先端を挿入したい。しかし、近年では、圧電デバイス１０ｂの小型化により吐出用ノズル６４が相対的に太くなり過ぎ、開口部２３の隙間に吐出用ノズル６４の先端を挿入することが難しい。そのため、止むを得ず、半導体素子６０の上面にアンダーフィル樹脂６３を滴下し、アンダーフィル樹脂６３が半導体素子６０の下面へ流れ込むようにしている。

しかしながら、半導体素子６０の上面にアンダーフィル樹脂６３を滴下すると、半導体素子６０の上面にアンダーフィル樹脂６３ｂが残ってしまい、側面視して開口部２３からアンダーフィル樹脂６３ｂが突き出ることがあった。そのような圧電デバイス１０ｂは、突き出たアンダーフィル樹脂６３ｂが邪魔をしてプリント配線板などに実装できなくなるため、不良品（厚み不良）と判定される。

これに対し、図５に示すように、本実施形態１の圧電デバイス１０によれば、配線基板２０の一辺２３１において開口部２３から外面２３２まで欠けている切り欠き部２４を備えたことにより、切り欠き部２４の上方から、又は、切り欠き部２４内において、アンダーフィル樹脂６３を滴下できる。したがって、圧電デバイス１０が小型になっても、半導体素子６０の上面にアンダーフィル樹脂６３を滴下する必要がないので、不良品（厚み不良）の発生を回避できる。

図３［Ａ］に示すように、平面視して吐出用ノズル６４の外径よりも大きく欠けた切り欠き部２４とした場合は、切り欠き部２４内に吐出用ノズル６４を挿入できるので、圧電振動子３０と半導体素子６０との間に近い位置でアンダーフィル樹脂６３を滴下できる。よって、圧電振動子３０と半導体素子６０との間に、より確実にアンダーフィル樹脂６３を充填できる。

図３［Ｂ］に示すように、一辺２３１の略全体が欠けた切り欠き部２４ａとした場合は、より外径の大きい吐出用ノズル６５を使用できる。換言すると、圧電デバイス１０が更に小型になっても、現状の外径の吐出用ノズル６４を使用できる。また、アンダーフィル樹脂６３を滴下してよい面積が広いので、吐出用ノズル６４の位置決めを容易化できる。

また、図６に示すように、アンダーフィル樹脂６３を充填していない二個の圧電デバイス１０を用意し、平面視して切り欠き部２４同士を向い合せる。そして、二個分の切り欠き部２４に対して、アンダーフィル樹脂６３を滴下する。これにより、二個の圧電デバイス１０にアンダーフィル樹脂６３を一度に充填できるので、アンダーフィル樹脂６３を充填する工程を簡略化できる。

図７に示すように、アンダーフィル樹脂６３を充填していない二個の圧電デバイス１０ａを用意し、平面視して切り欠き部２４ａ同士を向い合せる。そして、二個分の切り欠き部２４ａに対して、アンダーフィル樹脂６３を滴下する。これにより、二個の圧電デバイス１０ａにアンダーフィル樹脂６３を一度に充填できる。しかも、より外径の大きい吐出用ノズル６５を使用できるので、単位時間当たりのアンダーフィル樹脂６３の吐出量を増加でき、アンダーフィル樹脂６３を充填する工程をより簡略化できる。

＜実施形態２＞
図８乃至図１０に示すように、本実施形態２の製造方法は、実施形態１の圧電デバイス１０を製造する方法であって、次の工程を含む。
(1).平面視して切り欠き部２４同士を向い合せた、一枚からなる複数個分の配線基板２０を形成する工程（図８［Ａ］［Ｂ］）。
(2).複数個分の配線基板２０に圧電振動子３０を実装する工程（図８［Ｃ］［Ｄ］）。
(3).圧電振動子３０に半導体素子６０を実装する工程（図９［Ａ］［Ｂ］）。
(4).向い合う二個分の切り欠き部２４にアンダーフィル樹脂６３を吐出することにより、圧電振動子３０と半導体素子６０との間にアンダーフィル樹脂６３を充填する工程（図９［Ｃ］［Ｄ］）。
(5).複数個分の配線基板２０を一個ずつに切り離すことにより複数個の圧電デバイス１０を得る工程（図１０［Ａ］［Ｂ］）。

次に、図１及び図２を加えて参照しつつ、本実施形態１の製造方法の各工程について詳しく説明する。

(1).一枚からなる複数個分の配線基板２０を形成する工程（図８［Ａ］［Ｂ］）
本工程では、一般的なプリント配線板の製造方法を用いる。複数個分の配線基板２０は、図８［Ａ］では配線基板２０が横方向に並んだものとして示しているが、配線基板２０が横方向かつ縦方向に並んだものとしてもよい。

(2).圧電振動子３０を実装する工程（図８［Ｃ］［Ｄ］）
図１に示すように、各配線基板２０の振動子用パッド２７に、印刷によってはんだペースト２９ａを塗布する。続いて、圧電振動子３０の外部接続端子５８とはんだペースト２９ａとが接触するように、圧電振動子３０を各配線基板２０に載置する。この状態で、はんだペースト２９ａをリフロー（例えば２４０℃かつ１０秒）することにより、各配線基板２０にはんだ２９（図２）を介して圧電振動子３０が実装される。なお、本工程の前に、第一パッド５３に導電性接着剤５５を介して圧電素子４０を固定し、素子搭載部材５０及び蓋部材３２によって圧電素子４０を封止しておく。

(3).圧電振動子３０に半導体素子６０を実装する工程（図９［Ａ］［Ｂ］）
図１に示すように、バンプ端子６２を素子搭載部材５０の第二パッド５４（図２）に熱及び超音波を併用して押圧することにより、バンプ端子６２を第二パッド５４に接合する。これにより圧電振動子３０に半導体素子６０が実装される。

(4).アンダーフィル樹脂６３を充填する工程（図９［Ｃ］［Ｄ］）
向い合う二個分の切り欠き部２４に、吐出用ノズル６４から液状のアンダーフィル樹脂６３を滴下する。すると、アンダーフィル樹脂６３は、自身の表面張力によって圧電振動子３０と半導体素子６０との間に収まる。本実施形態２の製造方法によれば、圧電デバイス１０の二個分に対してアンダーフィル樹脂６３を一度に充填できるので、アンダーフィル樹脂６３を充填する工程を簡略化できる。

その後、アンダーフィル樹脂６３に熱を加えることにより、アンダーフィル樹脂６３を硬化させる。アンダーフィル樹脂６３に用いられるエポキシ樹脂は、一液型と呼ばれ、主剤と硬化剤を混ぜた状態で出荷され加熱炉で硬化させるものが一般的である。加熱手段としては、赤外線ランプや高温雰囲気が挙げられる。また、アンダーフィル樹脂６３として光硬化性樹脂を用いた場合は、紫外線ランプによってアンダーフィル樹脂６３に紫外線を照射する。

(5).複数個の圧電デバイス１０を得る工程（図１０［Ａ］［Ｂ］）
最後に、複数個分の配線基板２０を、例えばダイシングによって一個ずつに切り離す。図１０［Ａ］［Ｂ］では、配線基板２０の加工しろ２０１の部分が除去された状態を示している。これにより、配線基板２０が複数個に分けられるとともに、圧電デバイス１０が複数個得られる。なお、アンダーフィル樹脂６３を充填する工程において隣接する圧電振動子３０同士の間隙３３（図９［Ｄ］）にアンダーフィル樹脂６３が漏れることがあるが、そのアンダーフィル樹脂６３も本工程において除去される。また、ダイシングの代わりに、レーザ加工などを用いてもよい。

＜実施形態３＞
図１１乃至図１３に示すように、本実施形態３の製造方法は、実施形態１の圧電デバイス１０を製造する方法であって、次の工程を含む。
(1).平面視して切り欠き部２４同士を向い合せた、一枚からなる複数個分の配線基板２０を形成する工程（図１１［Ａ］［Ｂ］）。
(2).複数個分の配線基板２０に、一体化された複数個分の圧電振動子３０を実装する工程（図１１［Ｃ］［Ｄ］）。
(3).圧電振動子３０に半導体素子６０を実装する工程（図１２［Ａ］［Ｂ］）。
(4).向い合う二個分の切り欠き部２４にアンダーフィル樹脂６３を吐出することにより、圧電振動子３０と半導体素子６０との間にアンダーフィル樹脂６３を充填する工程（図１２［Ｃ］［Ｄ］）。
(5).複数個分の配線基板２０及び複数個分の圧電振動子３０を一個ずつに切り離すことにより複数個の圧電デバイス１０を得る工程（図１３［Ａ］［Ｂ］）。

本実施形態３の製造方法は、複数個分の圧電振動子３０が一体化されており、複数個分の配線基板２０を一個ずつに切り離す際に、複数個分の圧電振動子３０も同時に一個ずつに切り離す点で、実施形態２の製造方法と異なる。一体化された複数個分の圧電振動子３０は、図１１［Ｃ］では圧電振動子３０が横方向に並んだものとして示しているが、圧電振動子３０が横方向かつ縦方向に並んだものとしてもよい。一体化された複数個分の圧電振動子３０とは、一体化された複数個の素子搭載部材５０としてもよい。図１３［Ａ］［Ｂ］では、配線基板２０の加工しろ２０１及び圧電振動子３０の加工しろ３０１の部分が除去された状態を示している。

本実施形態３の製造方法によれば、アンダーフィル樹脂６３を充填する工程（図１２［Ｃ］［Ｄ］）において隣接する圧電振動子３０同士の間隙が無いので、この間隙へのアンダーフィル樹脂６３の漏出を防止できる。本実施形態３の製造方法のその他の構成、作用及び効果は実施形態２の製造方法と同様である。

以上、上記各実施形態を参照して本開示を説明したが、本開示は上記各実施形態に限定されるものではない。本開示の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本開示には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

本開示は、前述の水晶の他に、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電デバイスに利用可能である。

１０，１０ａ，１０ｂ 圧電デバイス
２０，２０ａ，２０ｂ 配線基板
２０１ 加工しろ
２１ 第一面
２２ 第二面
２３ 開口部
２３１ 一辺
２３２ 外面
２４，２４ａ 切り欠き部
２５ 絶縁基板
２６ 内部配線
２７ 振動子用パッド
２８ 外部接続端子
２９ はんだ
２９ａ はんだペースト
３０ 圧電振動子
３０１ 加工しろ
３１ 凹部空間
３２ 蓋部材
３３ 間隙
４０ 圧電素子
４１ 圧電片
４２ 電極
５０ 素子搭載部材
５１ 第一面
５２ 第二面
５３ 第一パッド
５４ 第二パッド
５５ 導電性接着剤
５６ 基板部
５７ 枠部
５８ 外部接続端子
６０ 半導体素子
６１ 電極パッド
６２ バンプ端子
６３，６３ｂ アンダーフィル樹脂
６４，６５ 吐出用ノズル

Claims (5)

1. 表裏関係にある第一面及び第二面、並びに、前記第一面及び前記第二面を貫く開口部を有する略矩形状の配線基板と、
   前記開口部を覆うように前記第一面に位置する圧電振動子と、
   前記開口部内の前記圧電振動子に位置する半導体素子と、
   前記開口部内にて前記圧電振動子と前記半導体素子との間を満たすアンダーフィル樹脂と、
   前記配線基板の前記矩形のいずれか一辺において平面視して前記開口部から前記配線基板の外面まで欠けている切り欠き部と、
   を備えた圧電デバイス。
2. 前記切り欠き部は、平面視して前記アンダーフィル樹脂の吐出用ノズルの外径よりも大きく欠けている、
   請求項１記載の圧電デバイス。
3. 前記切り欠き部は、前記一辺の略全体が欠けている、
   請求項１又は２記載の圧電デバイス。
4. 請求項１乃至３のいずれか一つに記載の圧電デバイスを製造する方法であって、
   平面視して前記切り欠き部同士を向い合せた、一枚からなる複数個分の前記配線基板を形成する工程と、
   複数個分の前記配線基板に前記圧電振動子を実装する工程と、
   前記圧電振動子に前記半導体素子を実装する工程と、
   向い合う二個分の前記切り欠き部に前記アンダーフィル樹脂を吐出することにより、前記圧電振動子と前記半導体素子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填する工程と、
   複数個分の前記配線基板を一個ずつに切り離すことにより複数個の前記圧電デバイスを得る工程と、
   を含む圧電デバイスの製造方法。
5. 前記圧電振動子は予め複数個分が一体化されており、
   複数個分の前記配線基板を一個ずつに切り離す際に、複数個分の前記圧電振動子も同時に一個ずつに切り離す、
   請求項４記載の圧電デバイスの製造方法。

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