JP2012506630A - n型ベースを有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
2 n+領域
3 n層
4 p+層
5 エミッタコンタクト層
6 ベースコンタクト層
7 絶縁領域
8 空間電荷領域
9 誘電体層
10 エミッタコンタクト接続部
11 コレクタコンタクト接続部
12 ベースコンタクト接続部
13 エミッタコンタクト
14 コレクタショットキーコンタクト
15 ベースコンタクト
16 メサ
17 コレクタコンタクト層
18 コレクタコンタクト
19 エミッタショットキーコンタクト
Claims (14)
- n型ベースを有するバイポーラトランジスタであって、
n層(3)と、
前記n層に電気的に接続されたベースコンタクト接続部(12)と、
エミッタ部と、
金属からなり、前記エミッタ部に電気的に接続されたエミッタコンタクト接続部(10)と、
前記n層の表面において、前記エミッタ部の側方に配置されたコレクタ部と、
金属からなり、前記コレクタ部に電気的に接続されたコレクタコンタクト接続部(11)と、を有し、
前記エミッタコンタクト接続部(10)及び前記コレクタコンタクト接続部(11)の少なくとも一方は、前記n層(3)の表面の領域の一部にショットキーコンタクト(14、19)を形成することを特徴とするバイポーラトランジスタ。 - 前記エミッタ部は、前記n層(3)の表面の領域の一部に配置されたp+層(4)を備え、
前記コレクタコンタクト接続部(11)は、前記n層の表面の領域の一部にコレクタショットキーコンタクト(14)を形成することを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスタ。 - 金属からなり、前記p+層(4)上にオーミックコンタクトを形成するとともに前記エミッタコンタクト接続部(10)が接続されたエミッタコンタクト層(5)を更に有することを特徴とする請求項2に記載のバイポーラトランジスタ。
- 前記エミッタコンタクト接続部(10)は、前記n層(3)の表面の領域の一部にエミッタショットキーコンタクト(19)を形成し、
前記コレクタ部は、前記n層(3)の表面の領域の一部に配置されたp+層(4)を備えることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスタ。 - 金属からなり、前記p+層(4)上にオーミックコンタクトを形成するとともに前記コレクタコンタクト接続部が接続されたコレクタコンタクト層(17)を更に有することを特徴とする請求項4に記載のバイポーラトランジスタ。
- 前記エミッタコンタクト接続部(10)は、前記n層(3)の表面の領域の一部にエミッタショットキーコンタクト(19)を形成し、
前記コレクタコンタクト接続部(11)は、前記n層(3)の表面の領域の一部にコレクタショットキーコンタクトを形成することを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスタ。 - 基板(1)と、
前記基板の表面上に設けられ、前記n層(3)が載置されたn+領域(2)と、を更に有し、
前記ベースコンタクト接続部(12)は、前記n層によって覆われていない前記n+領域の一部分の上方に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のバイポーラトランジスタ。 - 金属からなり、前記n+領域(2)上においてオーミックコンタクトを形成するベースコンタクト層(6)を更に有し、
前記ベースコンタクト接続部(12)は、前記ベースコンタクト層(6)上に配置されることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスタ。 - 前記n層(3)はメサ(16)の一部であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1に記載のバイポーラトランジスタ。
- 前記バイポーラトランジスタ及び縦型npnバイポーラトランジスタが配置された基板(1)を有し、
前記n層(3)は、前記npnバイポーラトランジスタのコレクタ層としても用いられることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1に記載のバイポーラトランジスタ。 - n型ベースを有するバイポーラトランジスタの製造方法であって、
半導体材料のn層(3)を形成する工程と、
p+層(4)を前記n層上に設け、金属から形成されるエミッタコンタクト層(5)を前記p+層上に設けること、又は金属から形成されるエミッタコンタクト接続部(10)を設けて前記n層上にエミッタショットキーコンタクト(19)を形成することにより、前記n層上にエミッタ部を形成する工程と、
p+層(4)を前記n層上に設け、金属から形成されるコレクタコンタクト層(17)を前記p+層上に設けること、又は金属から形成されるコレクタコンタクト接続部(11)を設けて前記n層上にコレクタショットキーコンタクトを形成することにより、前記n層上にコレクタ部を形成する工程と、
前記n層(3)の表面の領域の一部にショットキーコンタクト(14、19)を形成するために、前記エミッタコンタクト接続部(10)及び前記コレクタコンタクト接続部(11)の少なくとも一方を設ける工程と、を有することを特徴とする製造方法。 - n+領域(2)を形成する工程と、
前記n+領域上にn層(3)を設ける工程と、
前記n層上にp+層(4)を設ける工程と、
前記p+層(4)上にエミッタコンタクト層(5)を形成する工程と、
前記n+領域上にベースコンタクト層(6)を形成する工程と、
前記エミッタコンタクト層(5)に対して、金属から形成されるエミッタコンタクト接続部(10)を設ける工程と、
前記ベースコンタクト層(6)に対して、金属から形成されるベースコンタクト接続部(12)を設ける工程と、
金属から形成されるコレクタコンタクト接続部(11)を前記n層(3)に対して設け、前記n層(3)上にコレクタショットキーコンタクト(14)を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。 - 前記エミッタコンタクト層(5)及び前記ベースコンタクト層(6)は、金属から形成されることを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
- サブコレクタが前記n+層(2)から形成され、コレクタ層が前記n層(3)から形成され、ベース層が前記p+層(4)から形成される更なるnpnバイポーラトランジスタを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項12又は13に記載の製造方法。
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