JP2012204395A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012204395A JP2012204395A JP2011064854A JP2011064854A JP2012204395A JP 2012204395 A JP2012204395 A JP 2012204395A JP 2011064854 A JP2011064854 A JP 2011064854A JP 2011064854 A JP2011064854 A JP 2011064854A JP 2012204395 A JP2012204395 A JP 2012204395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- insulating film
- trenches
- pair
- field plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 293
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 210
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0856—Source regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0856—Source regions
- H01L29/0865—Disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1半導体層と、複数のベース領域と、ソース領域と、トレンチ内に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、トレンチ内において、ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、第1主電極と、第2主電極と、を備える。フィールドプレート絶縁膜の一部の厚さは、ゲート絶縁膜の厚さよりも厚く、一対のトレンチ内に設けられたフィールドプレート絶縁膜の一部どうしの間の第1半導体層の幅は、一対のトレンチ内に設けられたゲート絶縁膜どうしの間のベース領域の幅よりも狭く、第1半導体層と、フィールドプレート絶縁膜の一部と、の界面の直上には、ソース領域が形成されていない。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の模式図であり、(a)は、断面模式図、(b)は、平面模式図である。図1(a)には、図1(b)のX−X’断面が示されている。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
トレンチ状のフィールドプレート電極24がドリフト層11内に設けられたことにより、ドリフト層11が空乏化され易くなる。このため、ドリフト層11の不純物濃度を高濃度にすることができる。これにより、ドリフト層11の比抵抗が低減して、オン抵抗が低減する。ゲート電極22、ゲート絶縁膜21、およびソース領域13の上には、層間絶縁膜30が設けられている。
図7に示す半導体装置300においては、一対のトレンチ200内のそれぞれに、ゲート電極220と、フィールドプレート電極240が設けられている。フィールドプレート電極240は、例えば、第2主電極91に電気的に接続されている。トレンチ200は、緩やかな逆テーパ形状(下側ほどトレンチ200が狭くなる形状)になっている。
図9は、第2実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第2実施形態に係る半導体装置101の基本構造は、半導体装置100と同じである。但し、半導体装置101においては、コンタクト領域15がベース領域12を貫通している。そして、コンタクト領域15の下端15bは、ドリフト層11に接している。
図10は、第3実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第3実施形態に係る半導体装置102は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)素子である。すなわち、半導体装置102は、半導体装置100の構造に加え、ドリフト層11と、第1主電極90と、の間に、p+形半導体層(第2半導体層)16が介設されている。p+形半導体層16は、ドレイン層10の上に設けられている。半導体装置102の動作時には、p形半導体層16から正孔が注入される。これにより、半導体装置102は、半導体装置100と同様の効果を有するとともに、半導体装置102には、半導体装置100よりも大電流を流すことができる。
図11は、第4実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第4実施形態に係る半導体装置500は、SBDである。半導体装置500においては、n+形のドレイン層10の上に、n形のドリフト層11が設けられている。ドレイン層10およびドリフト層11については、半導体装置500がSBDであるため、それぞれn形半導体層と呼称してもよい。
図12は、第5実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第5実施形態に係る半導体装置501の基本構造は、半導体装置500と同じである。但し、第5実施形態に係る半導体装置501においては、ドリフト層11の表面に、絶縁膜40を挟んで、p形半導体層(第3半導体層)50がさらに設けられている。p形半導体層50は、第2主電極91に接続されている。
(1)フォトリソグラフィにより選択的に、p形半導体層50を形成する箇所を開口させたマスク部材をドリフト層11上に形成した後、マスク部材から開口させたドリフト層11の表面にイオン注入によりボロン(B)を注入する方法。
(2)ボロン(B)を選択的に含有させたSOG(Spin On Glass)膜をドリフト層11上に形成した後、SOG膜に熱処理を施し、SOG膜中に含まれるボロン(B)をドリフト層11中に拡散させる方法(SOG膜の主成分は、酸化ケイ素(SiOx)である)。
(3)ボロン(B)を含有させたポリシリコン層をドリフト層11上に選択的に形成した後、ポリシリコン層に熱処理を施し、ポロシリコン層中に含まれるボロンをドリフト層11中に拡散させる方法。
のいずれかによってなされる。以下に示すp形半導体層50の形成も同じような工程で形成される。
図13は、第6実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第6実施形態に係る半導体装置502においては、導電層41と、フィールドプレート電極24と、が接続されている。このような構造であれば、導電層41と、フィールドプレート電極24と、を分けて形成する必要がなくなる。すなわち、導電層41と、フィールドプレート電極24と、を同時に形成することができ、製造工程が簡略化する。これにより、半導体装置502の製造コストを低く抑えることができる。
図14は、第7実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第7実施形態に係る半導体装置503においては、半導体装置500に設けられた絶縁膜40が取り除かれている。半導体装置503においては、ドリフト層11の表面に、p形半導体層50が設けられている。p形半導体層50は、導電層41および第2主電極91に接続されている。
図15は、第8実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。
第8実施形態に係る半導体装置504は、高速高効率ダイオード(High Efficiency Diode,HED)である。半導体装置504においては、ドリフト層11と、第2主電極91と、の間にp形半導体層(第4半導体層)60がさらに設けられている。p形半導体層60と、第2主電極91と、の間には、別のp形半導体層(第5半導体層)61が介設されている。
10s 半導体基板
11 ドリフト層
12、120 ベース領域
13 ソース領域
15 コンタクト領域
15b 下端
16 p+形半導体層
20、200 トレンチ
21 ゲート絶縁膜
22、220 ゲート電極
22A、24A、41 導電層
23 フィールドプレート絶縁膜
24、240 フィールドプレート電極
30 層間絶縁膜
40、211 絶縁膜
50、60、61 p形半導体層
80 マスク部材
81 マスク膜
90 第1主電極
91 第2主電極
95 下端部
100、101、102、300、500、501、502、503、504 半導体装置
d1、d2 深さ
Claims (19)
- 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に設けられた、複数の第2導電形のベース領域と、
前記ベース領域のそれぞれの表面に選択的に設けられた第1導電形のソース領域と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して、前記第1半導体層にまで到達する一対のトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたゲート電極と、
前記一対のトレンチ内において、前記ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたフィールドプレート電極と、
前記ベース領域の表面に選択的に設けられ、前記ソース領域に接続され、前記ベース領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2導電形のコンタクト領域と、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、
前記ソース領域および前記コンタクト領域に電気的に接続された第2主電極と、
を備え、
前記フィールドプレート絶縁膜の一部の厚さは、前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚く、
前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記ゲート絶縁膜どうしの間の前記ベース領域の幅よりも狭く、
前記第1半導体層と、前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部と、の界面の直上には、前記ソース領域が形成されておらず、
前記第1半導体層と、前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部と、の界面の直上に、前記コンタクト領域が形成され、
前記コンタクト領域の下端と、前記第1半導体層の裏面と、の間の距離は、前記ソース領域の下端と、前記第1半導体層の前記裏面と、の間の距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に設けられた、複数の第2導電形のベース領域と、
前記ベース領域のそれぞれの表面に選択的に設けられた第1導電形のソース領域と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して、前記第1半導体層にまで到達する一対のトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたゲート電極と、
前記一対のトレンチ内において、前記ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたフィールドプレート電極と、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、
前記ソース領域に電気的に接続された第2主電極と、
を備え、
前記フィールドプレート絶縁膜の一部の厚さは、前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚く、
前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記ゲート絶縁膜どうしの間の前記ベース領域の幅よりも狭く、
前記第1半導体層と、前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部と、の界面の直上には、前記ソース領域が形成されていないことを特徴とする半導体装置。 - 前記ベース領域の表面に、さらに、第2導電形のコンタクト領域が選択的に設けられ、
前記コンタクト領域は、前記ソース領域に接続され、
前記コンタクト領域の不純物濃度は、前記ベース領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記コンタクト領域の下端と、前記第1半導体層の裏面と、の間の距離は、前記ソース領域の下端と、前記第1半導体層の前記裏面と、の間の距離よりも短いことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト領域は、前記ベース領域を貫通し、前記コンタクト領域の前記下端が前記第1半導体層に接していることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層と、前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部と、の界面の直上に、前記コンタクト領域が形成されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層と、前記第1主電極と、の間に、第2導電形の第2半導体層が介設されていることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面から内部にかけて設けられた一対のトレンチ内にそれぞれ設けられた導電層と、
前記一対のトレンチ内において、前記導電層の下にフィールドプレート絶縁膜を介してそれぞれ設けられたフィールドプレート電極と、
前記第1半導体層の裏面側において、前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、
前記第1半導体層の表面側において、前記第1半導体層および前記導電層に電気的に接続された第2主電極と、
を備え、
前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記導電層どうしの間の前記第1半導体層の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1半導体層の表面に、第2導電形の第3半導体層がさらに設けられ、
前記第3半導体層は、前記導電層および前記第2主電極に接続されていることを特徴とする請求項8記載の半導体装置。 - 前記導電層と、前記第1半導体層と、の間に、絶縁膜が設けられ、
前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部の厚さは、前記絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項8記載の半導体装置。 - 前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記絶縁膜どうしの間の前記第1半導体層の幅よりも狭いことを特徴とする請求項10記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層の表面に、前記絶縁膜を挟んで第2導電形の第3半導体層がさらに設けられ、
前記第3半導体層は、前記第2主電極に接続されていることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体層と、前記第2主電極と、の間に、第2導電形の第4半導体層がさらに設けられたことを特徴とする請求項9〜12のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第4半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項13記載の半導体装置。
- 前記第4半導体層と、前記第2主電極と、の間に、第2導電形の第5半導体層がさらに設けられ、前記第5半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項13または14に記載の半導体装置。
- 前記導電層と、前記フィールドプレート電極と、が接続されていることを特徴とする請求項8〜15のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記導電層どうしの間の前記第1半導体層の不純物濃度は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項8〜16のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第1導電形の第1半導体層が表面に形成された半導体基板を準備する工程と、
前記第1半導体層の前記表面から内部にかけて、第1の深さの一対のトレンチを選択的に形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの内側面および前記トレンチの底面にマスク膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの底面に形成された前記マスク膜を除去し、前記トレンチの前記底面に前記第1半導体層を表出させる工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの前記底面から表出された前記第1半導体層を除去し、前記第1深さよりも深い第2深さの一対のトレンチを前記第1半導体層の前記表面から前記内部にかけて形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記マスク膜から表出された前記第1半導体層の表面を酸化し、前記マスク膜から表出された前記第1半導体層の表面に、フィールドプレート絶縁膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかに、前記フィールドプレート絶縁膜を介してフィールドプレート電極を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記トレンチの前記内側面および前記フィールドプレート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記第1半導体層の表面に複数の第2導電形のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域のそれぞれの表面に第1導電形のソース領域を選択的に形成する工程と、
前記第1半導体層に電気的に接続される第1主電極と、前記ソース領域および前記コンタクト領域に電気的に接続される第2主電極と、を形成する工程と、
を備え、
前記フィールドプレート絶縁膜の一部の厚さは、前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚く、
前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記ゲート絶縁膜どうしの間の前記ベース領域の幅よりも狭く、
前記第1半導体層と、前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部と、の界面の直上には、前記ソース領域が形成されないように、前記ソース領域の幅を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電形の第1半導体層が表面に形成された半導体基板を準備する工程と、
前記第1半導体層の前記表面から内部にかけて、第1の深さの一対のトレンチを選択的に形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの内側面および前記トレンチの底面にマスク膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの底面に形成された前記マスク膜を除去し、前記トレンチの前記底面に前記第1半導体層を表出させる工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれの前記底面から表出された前記第1半導体層を除去し、前記第1深さよりも深い第2深さの一対のトレンチを前記第1半導体層の前記表面から前記内部にかけて形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記マスク膜から表出された前記第1半導体層の表面を酸化し、前記マスク膜から表出された前記第1半導体層の表面に、フィールドプレート絶縁膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかに、前記フィールドプレート絶縁膜を介してフィールドプレート電極を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記トレンチの前記内側面および前記フィールドプレート電極の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記一対のトレンチのそれぞれのなかにおいて、前記絶縁膜を介して導電層を形成する工程と、
前記第1半導体層の表面に、前記絶縁膜に隣接するように、第2導電形半導体層を形成する工程と、
を備え、
前記フィールドプレート絶縁膜の一部の厚さは、前記絶縁膜の厚さよりも厚く、
前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記フィールドプレート絶縁膜の前記一部どうしの間の前記第1半導体層の幅は、前記一対のトレンチ内のそれぞれに設けられた前記絶縁膜どうしの間の第1半導体層の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064854A JP2012204395A (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN201110255941.6A CN102694009B (zh) | 2011-03-23 | 2011-08-31 | 半导体器件及其制造方法 |
US13/239,101 US8723253B2 (en) | 2011-03-23 | 2011-09-21 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064854A JP2012204395A (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014158542A Division JP2014225693A (ja) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204395A true JP2012204395A (ja) | 2012-10-22 |
Family
ID=46859362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011064854A Pending JP2012204395A (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8723253B2 (ja) |
JP (1) | JP2012204395A (ja) |
CN (1) | CN102694009B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013069791A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016004847A (ja) * | 2014-06-14 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9337283B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with field plate |
WO2016132551A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2016167519A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9831337B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-11-28 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11721732B2 (en) | 2021-08-18 | 2023-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with control electrodes provided in trenches of different widths |
US11777028B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11942539B2 (en) | 2021-03-24 | 2024-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP7506628B2 (ja) | 2021-03-24 | 2024-06-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102396070A (zh) * | 2009-04-13 | 2012-03-28 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
KR101792276B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2017-11-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법 |
US9111766B2 (en) * | 2013-09-24 | 2015-08-18 | Infineon Technologies Austria Ag | Transistor device with a field electrode |
CN103956388B (zh) * | 2014-03-19 | 2017-06-13 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 肖特基二极管半导体器件及其制备方法 |
JP6203697B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN105814694B (zh) | 2014-10-03 | 2019-03-08 | 富士电机株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
EP3032586A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-15 | Nxp B.V. | Semiconductor arrangement comprising a trench and method of manufacturing the same |
JP6509673B2 (ja) | 2015-08-10 | 2019-05-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6400545B2 (ja) | 2015-09-11 | 2018-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN106898548A (zh) * | 2015-12-21 | 2017-06-27 | 北京大学 | 一种室温环境下激励硅中金属原子扩散的方法 |
JP2017162969A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN107768435A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 电子科技大学 | 一种双向igbt及其制造方法 |
CN107768434A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 电子科技大学 | 一种双向igbt及其制造方法 |
CN107768436A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 电子科技大学 | 一种沟槽栅电荷储存型igbt及其制造方法 |
JP6970632B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2021-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7319491B2 (ja) | 2019-12-06 | 2023-08-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US20220393022A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-08 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Charge coupled field effect rectifier diode and method of making |
EP4210114A1 (en) * | 2022-01-11 | 2023-07-12 | Nexperia B.V. | A metal oxide semiconductor, mosfet, as well as a method of manufacturing such a mosfet |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195784A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 絶縁ゲート形半導体素子 |
JP2001230414A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
JP2007529115A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-10-18 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2008060138A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2008546189A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-12-18 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | トレンチゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010541288A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 集積ショットキーを有する高密度fet |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891807A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Formation of a bottle shaped trench |
JP4765012B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
AU2003232995A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Trench-gate semiconductor device and method of manufacturing |
US8101500B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-01-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device with (110)-oriented silicon |
US8039877B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-10-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | (110)-oriented p-channel trench MOSFET having high-K gate dielectric |
US8247296B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-08-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming an insulated gate field effect transistor device having a shield electrode structure |
US8546893B2 (en) * | 2010-01-12 | 2013-10-01 | Mohamed N. Darwish | Devices, components and methods combining trench field plates with immobile electrostatic charge |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011064854A patent/JP2012204395A/ja active Pending
- 2011-08-31 CN CN201110255941.6A patent/CN102694009B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-21 US US13/239,101 patent/US8723253B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11195784A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 絶縁ゲート形半導体素子 |
JP2001230414A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
JP2007529115A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-10-18 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2008546189A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-12-18 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | トレンチゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008060138A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2010541288A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 集積ショットキーを有する高密度fet |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013069791A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US9337283B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with field plate |
JP2016004847A (ja) * | 2014-06-14 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN107135668A (zh) * | 2015-02-20 | 2017-09-05 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置 |
JPWO2016132551A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2017-04-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2016132551A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
US9831335B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-11-28 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9831337B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-11-28 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016167519A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9917183B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11777028B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11942539B2 (en) | 2021-03-24 | 2024-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP7506628B2 (ja) | 2021-03-24 | 2024-06-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11721732B2 (en) | 2021-08-18 | 2023-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with control electrodes provided in trenches of different widths |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102694009B (zh) | 2015-11-04 |
US20120241854A1 (en) | 2012-09-27 |
CN102694009A (zh) | 2012-09-26 |
US8723253B2 (en) | 2014-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012204395A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6662429B2 (ja) | 逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP5787853B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5235960B2 (ja) | 電力用半導体装置及びその製造方法 | |
WO2014163058A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009043966A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20130248882A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2012169386A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009302091A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013069791A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN111952352A (zh) | 超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 | |
JP2012089824A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2006332199A (ja) | SiC半導体装置 | |
JP2014078689A (ja) | 電力用半導体装置、および、電力用半導体装置の製造方法 | |
JP6448513B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN108574000B (zh) | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | |
JP2014225693A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014187200A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20150255629A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2009038214A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009277755A (ja) | 半導体装置 | |
JP5564798B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6177300B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012195394A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI434388B (zh) | 溝槽式功率半導體元件及其製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131011 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140502 |