JP2012049397A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6573163B2 (ja) * 2015-08-28 2019-09-11 国立大学法人九州大学 不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体装置の製造方法
JP2017175145A (ja) * 2017-05-01 2017-09-28 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6711320B2 (ja) * 2017-06-26 2020-06-17 株式会社Sumco シリコンウェーハ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240638A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製法
JPS6427231A (en) * 1986-06-30 1989-01-30 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS6325933A (ja) * 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp シリコン基板の歪付け方法
JPS6441210A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nec Corp Manufacture of sic thin-film
JPH01297813A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Sony Corp シリコンカーバイドの製造方法
JP2004179356A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及び半導体装置
JP4723181B2 (ja) * 2003-12-12 2011-07-13 パナソニック株式会社 半導体ウェーハ
JP4943636B2 (ja) * 2004-03-25 2012-05-30 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2008258346A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP5439801B2 (ja) * 2007-12-13 2014-03-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハ及びその製造方法

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