JP2012049397A5 - - Google Patents
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Description
(2) 前記元素を前記表層部にドープした後に、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
Claims (4)
- シリコンウェーハの両面のうち少なくとも何れか一方の面の表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、前記元素が存在する、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にレーザーを照射して、前記シリコンウェーハの表層部を溶融させた後、溶融させた前記表層部を固化させることにより、前記元素を前記表層部にドープすることを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。
- 前記元素を前記表層部にドープした後に、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハの前記レーザー照射を行った面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- デバイス領域として使用されないシリコンウェーハの裏面を機械加工処理することにより、該シリコンウェーハを薄厚化した後、前記裏面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態で、前記裏面にレーザーを照射して、前記シリコンウェーハの裏面の表層部を溶融させた後、溶融させた前記表層部を固化させることにより、前記元素を前記表層部にドープすることを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。
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