JPH01297813A - シリコンカーバイドの製造方法 - Google Patents
シリコンカーバイドの製造方法Info
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- JPH01297813A JPH01297813A JP63127585A JP12758588A JPH01297813A JP H01297813 A JPH01297813 A JP H01297813A JP 63127585 A JP63127585 A JP 63127585A JP 12758588 A JP12758588 A JP 12758588A JP H01297813 A JPH01297813 A JP H01297813A
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Landscapes
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- Bipolar Transistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンカーバイドの製造方法に関する。
本発明は、炭素原子を含むガス中、炭素原子を含む液体
中または炭素原子を含む膜をその表面に形成した状態で
シリコン基板にパルスレーザ−ビームを照射して上記シ
リコン基板の表面を溶融すると同時に、上記炭素原子を
上記シリコン基板中にドーピングすることにより上記シ
リコン基板中にシリコンカーバイドを形成するようにす
ることによって、結晶性のシリコンカーバイドを低温で
シリコン基板中に形成することができるようにしたもの
である。
中または炭素原子を含む膜をその表面に形成した状態で
シリコン基板にパルスレーザ−ビームを照射して上記シ
リコン基板の表面を溶融すると同時に、上記炭素原子を
上記シリコン基板中にドーピングすることにより上記シ
リコン基板中にシリコンカーバイドを形成するようにす
ることによって、結晶性のシリコンカーバイドを低温で
シリコン基板中に形成することができるようにしたもの
である。
［従来の技術〕
シリコンカーバイド（Ｓｔ Ｃ）は、ワイドバンドギャ
ップ（Ｅ−＝２．２〜２．６ ｅＶ）であること、キャ
リアの移動度が高いこと、耐熱性に優れていること等の
利点を有するため、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）や耐熱性のＦＥＴへの応用が期待されている
。
ップ（Ｅ−＝２．２〜２．６ ｅＶ）であること、キャ
リアの移動度が高いこと、耐熱性に優れていること等の
利点を有するため、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）や耐熱性のＦＥＴへの応用が期待されている
。
従来、結晶性のＳｉＣをシリコン（Ｓｉ）基板上に形成
する方法としてはＣＶＤ法が用いられている。
する方法としてはＣＶＤ法が用いられている。
しかしながら、上述のようにＣＶＤ法によりＳｉＣを形
成する場合には、少なくとも１２００”Ｃ以上の高温で
のガス分解が必要である。すなわち、ＳｉＣを形成する
ためには高温処理が不可欠であった。このため、例えば
、エミッタ領域を結晶ＳｉＣで形成し、ベース領域及び
コレクタ領域をＳｉ″′Ｃ，、構成したワイドバンドギ
ャップエミッタ構造のＨＢＴを製造する場合には、Ｓｉ
Ｃを形成するための高温処理時に、あらかじめ形成され
ているベース領域中の不純物が再拡散してしまう結果、
良好なトランジスタ特性を得ることができない。このこ
とかられかるように、高温処理が必要な従来のＳｉＣの
製造方法はＳｉプロセスには適合しない。
成する場合には、少なくとも１２００”Ｃ以上の高温で
のガス分解が必要である。すなわち、ＳｉＣを形成する
ためには高温処理が不可欠であった。このため、例えば
、エミッタ領域を結晶ＳｉＣで形成し、ベース領域及び
コレクタ領域をＳｉ″′Ｃ，、構成したワイドバンドギ
ャップエミッタ構造のＨＢＴを製造する場合には、Ｓｉ
Ｃを形成するための高温処理時に、あらかじめ形成され
ているベース領域中の不純物が再拡散してしまう結果、
良好なトランジスタ特性を得ることができない。このこ
とかられかるように、高温処理が必要な従来のＳｉＣの
製造方法はＳｉプロセスには適合しない。
この問題を回避するために、２００〜６００°Ｃ程度の
低温で形成可能なアモルファスＳｉＣを用いたＨＢＴも
検討されているが、アモルファスＳｉＣは不純物の電気
的活性化率が低いため十分に低抵抗のエミッタ領域を形
成することが困難であるばかりでなく、キャリアの移動
度も低い点で不利である。
低温で形成可能なアモルファスＳｉＣを用いたＨＢＴも
検討されているが、アモルファスＳｉＣは不純物の電気
的活性化率が低いため十分に低抵抗のエミッタ領域を形
成することが困難であるばかりでなく、キャリアの移動
度も低い点で不利である。
従って本発明の目的は、結晶性のシリコンカーバイドを
低温でシリコン基板中に形成することができるシリコン
カーバイドの製造方法を擢供することにある。
低温でシリコン基板中に形成することができるシリコン
カーバイドの製造方法を擢供することにある。
上記課題を解決するため、本発明のシリコンカーバイド
の製造方法は、炭素原子を含むガス中、炭素原子を含む
液体（Ｉ Ｏ）中または炭素原子を含む膜（６）をその
表面に形成した状態でシリコン基板（２）にパルスレー
ザ−ビーム（４）を１射してシリコン基板（２）の表面
を溶融すると同時に、炭素原子をシリコン基板（２）中
にドーピングすることによりシリコン基板（２）中にシ
リコンカーバイド（５）を形成するようにしている。
の製造方法は、炭素原子を含むガス中、炭素原子を含む
液体（Ｉ Ｏ）中または炭素原子を含む膜（６）をその
表面に形成した状態でシリコン基板（２）にパルスレー
ザ−ビーム（４）を１射してシリコン基板（２）の表面
を溶融すると同時に、炭素原子をシリコン基板（２）中
にドーピングすることによりシリコン基板（２）中にシ
リコンカーバイド（５）を形成するようにしている。
上記した手段によれば、パルスレーザ−ビームの照射に
より、低温でかつ短時間でシリコン基板中に炭素（Ｃ）
をドーピングすることができ、しかもこのドーピングに
より形成されるシリコンカーバイドは結晶性である。こ
れによって、結晶性のシリコンカーバイドをシリコン基
板中に低温で形成することができる。
より、低温でかつ短時間でシリコン基板中に炭素（Ｃ）
をドーピングすることができ、しかもこのドーピングに
より形成されるシリコンカーバイドは結晶性である。こ
れによって、結晶性のシリコンカーバイドをシリコン基
板中に低温で形成することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、実施例の全図において、同一の機能を有す
る部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は適
宜省略する。
する。なお、実施例の全図において、同一の機能を有す
る部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は適
宜省略する。
叉施班上
第１図に示すように、この実施例■においては、真空排
気されたチェンバー１内にアルゴン（Ａｒ）ガスで希釈
した例えば濃度１０％のアセチレンＣｃｚ Ｈ２）ガス
を例えば５０Ｔｏｒｒ程度の圧力まで導入し、このチェ
ンバー１内に設けられたＳｉ基板２に対し石英ガラス窓
３を通して例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーによるパ
ルスレーザ−ビーム（波長３０８ｎｍ）４を照射する。
気されたチェンバー１内にアルゴン（Ａｒ）ガスで希釈
した例えば濃度１０％のアセチレンＣｃｚ Ｈ２）ガス
を例えば５０Ｔｏｒｒ程度の圧力まで導入し、このチェ
ンバー１内に設けられたＳｉ基板２に対し石英ガラス窓
３を通して例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーによるパ
ルスレーザ−ビーム（波長３０８ｎｍ）４を照射する。
このパルスレーザ−ビーム４のパルス幅は例えば３０ｎ
ｓである。このパルスレーザ−ビーム４の照射によって
、上記Ｓｉ基板２０表面が加熱されて溶融すると同時に
、上記ＣｔＨｚガスが熱分解する。その結果、この溶融
した部分におけるＳｉ基板２中にＣがドーピングされ、
結晶性（例えば多結晶）の５ｔＸＣ１−ｘ （０＜ｘ
＜ｌ）層５が形成される。ここで、この５ｉＸＣＩ−Ｘ
層５におけるＳｔ組成比ＸはＣのドーピング量が多い程
大きくなる。
ｓである。このパルスレーザ−ビーム４の照射によって
、上記Ｓｉ基板２０表面が加熱されて溶融すると同時に
、上記ＣｔＨｚガスが熱分解する。その結果、この溶融
した部分におけるＳｉ基板２中にＣがドーピングされ、
結晶性（例えば多結晶）の５ｔＸＣ１−ｘ （０＜ｘ
＜ｌ）層５が形成される。ここで、この５ｉＸＣＩ−Ｘ
層５におけるＳｔ組成比ＸはＣのドーピング量が多い程
大きくなる。
第２図Ａ及び第２図Ｂは、上記パルスレーザ−ビーム４
のパルス幅を３０ｎｓに固定し、照射エネルギー密度及
びパルス数を変えて照射を行った場合に得られる５ｉＸ
Ｃ，□層５の赤外透過スペクトルをフーリエ変換赤外分
光（ＦＴＩＲ）法により測定した結果を示す。ここで、
第２図Ａは照射エネルギー密度を０．８５Ｊ／ｃｉに固
定し、パルス数を８０パルス、１６０パルス及び３２０
パルスと変えた場合のデータである。また、第２図Ｂは
照射エネルギー密度０．５６Ｊ／ｃＪでパルス数を３２
０パルスとした場合のデータである。
のパルス幅を３０ｎｓに固定し、照射エネルギー密度及
びパルス数を変えて照射を行った場合に得られる５ｉＸ
Ｃ，□層５の赤外透過スペクトルをフーリエ変換赤外分
光（ＦＴＩＲ）法により測定した結果を示す。ここで、
第２図Ａは照射エネルギー密度を０．８５Ｊ／ｃｉに固
定し、パルス数を８０パルス、１６０パルス及び３２０
パルスと変えた場合のデータである。また、第２図Ｂは
照射エネルギー密度０．５６Ｊ／ｃＪでパルス数を３２
０パルスとした場合のデータである。
第２図Ａ及び第２図Ｂに示すように、波数約８００ｃｍ
−’の所に５ｉ−Ｃ結合の伸縮モード（ｓｔｒｅｔｃｈ
ｉｎｇ ｍｏｄｅ）振動の励起による吸収が観測され
、このことから確かにＳＩＸ ＣＩ−２層５が形成され
ていることがわかる。また、第２図Ａかられかるように
、Ｓｉ基板２中にドーピングされるＣの量はパルス数の
増加とともに多くなる。さらに、第２図Ａと第２図Ｂと
の比較より、照射エネルギー密度が大きい程、ドーピン
グされるＣの量は多くなることがわかる。
−’の所に５ｉ−Ｃ結合の伸縮モード（ｓｔｒｅｔｃｈ
ｉｎｇ ｍｏｄｅ）振動の励起による吸収が観測され
、このことから確かにＳＩＸ ＣＩ−２層５が形成され
ていることがわかる。また、第２図Ａかられかるように
、Ｓｉ基板２中にドーピングされるＣの量はパルス数の
増加とともに多くなる。さらに、第２図Ａと第２図Ｂと
の比較より、照射エネルギー密度が大きい程、ドーピン
グされるＣの量は多くなることがわかる。
以上のように、この実施例Ｉによれば、Ｃ２Ｈ２ガス雰
囲気中でＳｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照射す
ることにより、結晶性の５ｉ）（Ｃ１−ｘ層５を例えば
室温程度の低温でしかも短時間でＳｉ基板２中に容易に
形成することができる。また、このように低温で５ｉＸ
Ｃ，、層５を形成することができることから、この実施
例Ｉによる５ｉＸＣ１−９層５の製造方法は従来のＳｉ
プロセスに適合するものである。さらに、Ｃのドーピン
グ量はパルスレーザ−ビーム４の照射条件の選択によっ
て広範囲にわたり制御することができ、従って任意の組
成の５ｉＸＣ＋−ｘ層５を形成することができる。
囲気中でＳｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照射す
ることにより、結晶性の５ｉ）（Ｃ１−ｘ層５を例えば
室温程度の低温でしかも短時間でＳｉ基板２中に容易に
形成することができる。また、このように低温で５ｉＸ
Ｃ，、層５を形成することができることから、この実施
例Ｉによる５ｉＸＣ１−９層５の製造方法は従来のＳｉ
プロセスに適合するものである。さらに、Ｃのドーピン
グ量はパルスレーザ−ビーム４の照射条件の選択によっ
て広範囲にわたり制御することができ、従って任意の組
成の５ｉＸＣ＋−ｘ層５を形成することができる。
実１Ｆ」−
この実施例Ｈにおいては、第３図Ａに示すように、まず
例えばＣ２Ｈ２ガスを反応ガスとして用いたプラズマＣ
ＶＤ法や蒸着法により、Ｓｉ基板２上に例えばアモルフ
ァスＣ（ａ−Ｃ）膜６を形成した後、このａ−Ｃ膜６が
形成されたＳｉ基板２に対しパルスレーザ−ビーム４を
照射することによりこのＳｉ基板２の表面を溶融して溶
融層２ａを形成す°ると同時に、上記ａ−Ｃ膜６中のＣ
をこの溶融層２ａ中にドーピングする。その結果、第３
図Ｂに示すように、Ｓｉ基板２中に結晶性の５ｔ）１
ｃｌ−２層５が形成される。この後、上記ａ−Ｃ膜６を
エツチング除去する。
例えばＣ２Ｈ２ガスを反応ガスとして用いたプラズマＣ
ＶＤ法や蒸着法により、Ｓｉ基板２上に例えばアモルフ
ァスＣ（ａ−Ｃ）膜６を形成した後、このａ−Ｃ膜６が
形成されたＳｉ基板２に対しパルスレーザ−ビーム４を
照射することによりこのＳｉ基板２の表面を溶融して溶
融層２ａを形成す°ると同時に、上記ａ−Ｃ膜６中のＣ
をこの溶融層２ａ中にドーピングする。その結果、第３
図Ｂに示すように、Ｓｉ基板２中に結晶性の５ｔ）１
ｃｌ−２層５が形成される。この後、上記ａ−Ｃ膜６を
エツチング除去する。
この実施例Ｈによっても、実施例Ｉと同様に、結晶性の
ＳＩＭＣＩ−ｘ層５をＳｉ基板２中に低温でしかも短時
間で容易に形成することができるとともに、このＳＩＸ
Ｃ１−２層５の組成はパルスレーザ−ビーム４の照射
条件により任意に制御することができる。
ＳＩＭＣＩ−ｘ層５をＳｉ基板２中に低温でしかも短時
間で容易に形成することができるとともに、このＳＩＸ
Ｃ１−２層５の組成はパルスレーザ−ビーム４の照射
条件により任意に制御することができる。
実１１」」
第４図に示すように、この実施例■においては、ＣｚＨ
ｚ、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン
（Ｃ２Ｈ４）等のＣを含むガスをチェンバー１内に導入
し、石英ガラス窓３を通してＳｉ基板２に対しパルスレ
ーザ−ビーム４を照射する。これによって、Ｓｉ基板２
の表面が溶融すると同時に、上記ガスが熱分解してこの
Ｓｉ基板２中にＣがドーピングされ、その結果、Ｓｉ基
板２中に結晶性の５ｉＸＣ＋−ｘ層５が形成される。
ｚ、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン
（Ｃ２Ｈ４）等のＣを含むガスをチェンバー１内に導入
し、石英ガラス窓３を通してＳｉ基板２に対しパルスレ
ーザ−ビーム４を照射する。これによって、Ｓｉ基板２
の表面が溶融すると同時に、上記ガスが熱分解してこの
Ｓｉ基板２中にＣがドーピングされ、その結果、Ｓｉ基
板２中に結晶性の５ｉＸＣ＋−ｘ層５が形成される。
この実施例■においては、上記ガスの熱分解をより効率
的に行うために、上記石英ガラス窓３とは別に設けた石
英ガラス窓７を通してガス分解用の光８をこのガスに照
射するようになっている。
的に行うために、上記石英ガラス窓３とは別に設けた石
英ガラス窓７を通してガス分解用の光８をこのガスに照
射するようになっている。
このガス分解用の光８としては例えば水銀ランプ光源に
よる波長１８５ｎｍの紫外光を用いることができる。
よる波長１８５ｎｍの紫外光を用いることができる。
この実施例■によれば、実施例■、■と同様に、結晶性
のＳｔ）＋ ＣＩ−２層５を低温でしかも短時間で容易
に形成することができるとともに、このＳｉＸＣ，、，
２層５の組成をパルスレーザ−ビーム４の照射条件によ
り任意に制御することができる。しかも、ガス分解用の
光８の照射により、Ｃのドーピングをより効率的に行う
ことができる。
のＳｔ）＋ ＣＩ−２層５を低温でしかも短時間で容易
に形成することができるとともに、このＳｉＸＣ，、，
２層５の組成をパルスレーザ−ビーム４の照射条件によ
り任意に制御することができる。しかも、ガス分解用の
光８の照射により、Ｃのドーピングをより効率的に行う
ことができる。
１差ＩＬ
実施例■においては、ガスの熱分解をより効率的に行う
ためにガス分解用の光８を照射しているのに対し、この
実施例■においては、第５図に示すように、チェンバー
１に設けられたプラズマ発生室１ａにＣ２Ｈ２、ＣＨ４
、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４等のＣを含むガスを導入し、この
プラズマ発生室１ａ内でプラズマ放電を起こさせてこの
ガスを分解することによりガスの分解を効率的に行って
いる。
ためにガス分解用の光８を照射しているのに対し、この
実施例■においては、第５図に示すように、チェンバー
１に設けられたプラズマ発生室１ａにＣ２Ｈ２、ＣＨ４
、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４等のＣを含むガスを導入し、この
プラズマ発生室１ａ内でプラズマ放電を起こさせてこの
ガスを分解することによりガスの分解を効率的に行って
いる。
この実施例■によっても、実施例■と同様な利点がある
。
。
実施１−
この実施例Ｖにおいては、第６図に示すように、ノズル
９の先端からベンゼン（Ｃｂ Ｈｂ ）、トルエン（Ｃ
？ Ｈｌｌ ） 、キシレン（Ｃ８ＨＩ。）等の０を含
む化合物の液体１０をＳｉ基板２の表面に供給しながら
、このＳｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照射して
その表面を溶融すると同時に、上記液体中のＣをこのＳ
ｉ基板２中にドーピングする。
９の先端からベンゼン（Ｃｂ Ｈｂ ）、トルエン（Ｃ
？ Ｈｌｌ ） 、キシレン（Ｃ８ＨＩ。）等の０を含
む化合物の液体１０をＳｉ基板２の表面に供給しながら
、このＳｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照射して
その表面を溶融すると同時に、上記液体中のＣをこのＳ
ｉ基板２中にドーピングする。
これによって、Ｓｉ基板２中に結晶性のＳｉｘ ｃｌ−
Ｘ層５が形成される。
Ｘ層５が形成される。
このように、この実施例Ｖによれば、Ｃを含む液体１０
からのＣのドーピングにより、結晶性のＳｔｙ Ｃ＋−
Ｘ層５を低温で形成することができる。
からのＣのドーピングにより、結晶性のＳｔｙ Ｃ＋−
Ｘ層５を低温で形成することができる。
尖施孤■
第７図に示すように、この実施例■においては、フォス
フイン（ＰＨ３）、アンモニア（ＮＨ，）、ジポラン（
Ｂ２Ｈ６）等のＳＩＭＣＩ−Ｘに対するｎ型またはｎ型
のドーパントを含む化合物のガスとＣｚ Ｈｚ 、ＣＨ
４、Ｃ２Ｈ６等のＣを含む化合物のガスとの混合ガス雰
囲気中で、Ｓｉ基板２に対しパルスレーザ−ビーム４を
照射する。これによって、このＳｉ基板２の表面を溶融
すると同時に、上記のＰ型またはｎ型のドーパントを含
むガス及びＣを含むガスを熱分解してこれらのｎ型また
はｎ型のドーパント及びＣをＳｉ基板２中にドーピング
する。その結果、ドーパントの導電型に応じてＰ型また
はｎ型の結晶性の５ｉＸＣ，、層５が形成される。
フイン（ＰＨ３）、アンモニア（ＮＨ，）、ジポラン（
Ｂ２Ｈ６）等のＳＩＭＣＩ−Ｘに対するｎ型またはｎ型
のドーパントを含む化合物のガスとＣｚ Ｈｚ 、ＣＨ
４、Ｃ２Ｈ６等のＣを含む化合物のガスとの混合ガス雰
囲気中で、Ｓｉ基板２に対しパルスレーザ−ビーム４を
照射する。これによって、このＳｉ基板２の表面を溶融
すると同時に、上記のＰ型またはｎ型のドーパントを含
むガス及びＣを含むガスを熱分解してこれらのｎ型また
はｎ型のドーパント及びＣをＳｉ基板２中にドーピング
する。その結果、ドーパントの導電型に応じてＰ型また
はｎ型の結晶性の５ｉＸＣ，、層５が形成される。
このように、この実施例■によれば、ｎ型またはｎ型の
結晶性の５ｉＸＣ１□層５を低温でしかも短時間で容易
に形成することができる。
結晶性の５ｉＸＣ１□層５を低温でしかも短時間で容易
に形成することができる。
実施開距
この実施例■は実施例■の応用例である。この実施例■
においては、第８図Ａに示すように、Ｃを含むガスとし
てＣ２Ｈ２を、またｎ型ドーパントを含むガスとしてＰ
Ｈ３を用い、Ｓｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照
射してこのＳｉ基ｖｉ２の表面を溶融すると同時に、上
記Ｃ２Ｈ２及びＰＨ３を熱分解してＰ及びＣをこのＳｉ
基板２中にドーピングする。これによって、このＳｉ基
板２中にｎ型の結晶性の５ｉＸＣ１−Ｘ層５が形成され
る。
においては、第８図Ａに示すように、Ｃを含むガスとし
てＣ２Ｈ２を、またｎ型ドーパントを含むガスとしてＰ
Ｈ３を用い、Ｓｉ基板２にパルスレーザ−ビーム４を照
射してこのＳｉ基ｖｉ２の表面を溶融すると同時に、上
記Ｃ２Ｈ２及びＰＨ３を熱分解してＰ及びＣをこのＳｉ
基板２中にドーピングする。これによって、このＳｉ基
板２中にｎ型の結晶性の５ｉＸＣ１−Ｘ層５が形成され
る。
次に第８図Ｂに示すように、例えばＢ２Ｈ６ガス中でＳ
ｉ基板２に対し再びパルスレーザ−ビーム４を照射して
上記ｎ型５ｉＸＣ，−ウ層５中にＢをド同 一ピングする。これによって、このｎ型Ｓｉ、 ｃ、−
Ｘ層５中にｎ型５ｉＸＣ＋−ｘ層１１が形成され、この
ｎ型５ｉＸＣ，−層１１と上記ｎ型５ｉＸＣ１−８層５
とによりｐｎ接合が形成される。
ｉ基板２に対し再びパルスレーザ−ビーム４を照射して
上記ｎ型５ｉＸＣ，−ウ層５中にＢをド同 一ピングする。これによって、このｎ型Ｓｉ、 ｃ、−
Ｘ層５中にｎ型５ｉＸＣ＋−ｘ層１１が形成され、この
ｎ型５ｉＸＣ，−層１１と上記ｎ型５ｉＸＣ１−８層５
とによりｐｎ接合が形成される。
この実施例■によれば、結晶性の５ｉＸＣ，＋−ｘによ
るｐｎ接合を低温でしかも短時間で容易に形成すること
ができる。
るｐｎ接合を低温でしかも短時間で容易に形成すること
ができる。
丈施拠■
この実施例■は実施例■の応用例であり、ワイドバンド
ギャップエミッタ構造のＨＢＴへの適用例である。
ギャップエミッタ構造のＨＢＴへの適用例である。
第９図に示すように、この実施例■においては、まず例
えばｎ型のＳｉ基板２中にｎ型のコレクタ領域１２及び
例えばｐ＋型のベース領域１３を従来公知の方法により
形成した後、このＳｉ基板２の表面に例えば５ｉ０２膜
のような絶縁膜１４を形成する。次に、この絶縁膜１４
の所定部分をエツチング除去して開口１４ａを形成する
。次に、実施例■と同様に例えばＣ２Ｈ２ガスとＰＨ，
ガスとの混合ガス雰囲気中でこの開口１４ａを通じてベ
ース領域１３にパルスレーザ−ビーム４を選択的に照射
する。これによって、このベース領域１３中にｎ゛型の
結晶性３ ｉ ｚ Ｃ＋ −Ｘから成るエミッタ領域１
５が形成される。このエミッタ領域１５と、ベース領域
１３と、コレクタ領域１２とによりｎｐｎ型のＨＢＴが
構成される。
えばｎ型のＳｉ基板２中にｎ型のコレクタ領域１２及び
例えばｐ＋型のベース領域１３を従来公知の方法により
形成した後、このＳｉ基板２の表面に例えば５ｉ０２膜
のような絶縁膜１４を形成する。次に、この絶縁膜１４
の所定部分をエツチング除去して開口１４ａを形成する
。次に、実施例■と同様に例えばＣ２Ｈ２ガスとＰＨ，
ガスとの混合ガス雰囲気中でこの開口１４ａを通じてベ
ース領域１３にパルスレーザ−ビーム４を選択的に照射
する。これによって、このベース領域１３中にｎ゛型の
結晶性３ ｉ ｚ Ｃ＋ −Ｘから成るエミッタ領域１
５が形成される。このエミッタ領域１５と、ベース領域
１３と、コレクタ領域１２とによりｎｐｎ型のＨＢＴが
構成される。
次に、上記絶縁膜１４の所定部分をエツチング除去して
開口１４ｂ、１４ｃを形成する。次に、この開口１４ｂ
を通じて上記コレクタ領域１２中に例えばイオン注入に
よりｎ型不純物をドープして例えばｎ゛型のコレクタ取
り出し領域１６を形成する。この後、これらの開口１４
ａ〜１４ｃを通じて例えばアルミニウム（八１）の電極
（図示せず）を形成する。
開口１４ｂ、１４ｃを形成する。次に、この開口１４ｂ
を通じて上記コレクタ領域１２中に例えばイオン注入に
よりｎ型不純物をドープして例えばｎ゛型のコレクタ取
り出し領域１６を形成する。この後、これらの開口１４
ａ〜１４ｃを通じて例えばアルミニウム（八１）の電極
（図示せず）を形成する。
上述のｎｐｎ型ＨＢＴは、エミッタ領域１５を構成する
ｎ＋型５ｉ）（Ｃ＋−ｘのバンドギャップがベース領域
１３を構成するＳｉのバンドギャップよりも大きく、ワ
イドバンドギャップエミッタ構造を有する。
ｎ＋型５ｉ）（Ｃ＋−ｘのバンドギャップがベース領域
１３を構成するＳｉのバンドギャップよりも大きく、ワ
イドバンドギャップエミッタ構造を有する。
以上のように、この実施例■によれば１．エミッ夕領域
１５を構成するｎ゛型５ｔＸＣ１−Ｘを低温で形成する
ことができることから、この実施例■によるＨＢＴの製
造方法はＳｉプロセスと適合している。また、エミッタ
領域１５を構成するｎ゛型５ｉＸＣ３−１は低温で形成
することができることから、このエミッタ領域１５の形
成時にベース領域１３中の不純物が再拡散することもな
く、従ってトランジスタ特性の劣化は生じない。
１５を構成するｎ゛型５ｔＸＣ１−Ｘを低温で形成する
ことができることから、この実施例■によるＨＢＴの製
造方法はＳｉプロセスと適合している。また、エミッタ
領域１５を構成するｎ゛型５ｉＸＣ３−１は低温で形成
することができることから、このエミッタ領域１５の形
成時にベース領域１３中の不純物が再拡散することもな
く、従ってトランジスタ特性の劣化は生じない。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、パルスレーザ−ビーム４としては、例えばＸｅ
Ｆエキシマ−レーザーによるパルスレーザ−ビーム（波
長３５１ ｎｍ）を用いることも可能である。また、Ｓ
ｉ基板２の代わりに、ガラス基板その他の任意の基板の
上にＳｉ膜を形成したものを用いることも可能である。
Ｆエキシマ−レーザーによるパルスレーザ−ビーム（波
長３５１ ｎｍ）を用いることも可能である。また、Ｓ
ｉ基板２の代わりに、ガラス基板その他の任意の基板の
上にＳｉ膜を形成したものを用いることも可能である。
さらに、上述の実施例■においては、ＨＢＴの製造に本
発明を適用した場合について説明したが、本発明は、Ｈ
ＢＴ以外の各種の半導体装置の製造に適用することが可
能である。
発明を適用した場合について説明したが、本発明は、Ｈ
ＢＴ以外の各種の半導体装置の製造に適用することが可
能である。
以上説明したように、本発明によれば、炭素原子を含む
ガス中、炭素原子を含む液体中または炭素原子を含む膜
をその表面に形成した状態でシリコン基板にパルスレー
ザ−ビームを照射してこのシリコン基板中に炭素原子を
ドーピングすることによりシリコンカーバイドを形成す
るようにしているので、結晶性のシリコンカーバイドを
シリコン基板中に低温で形成することができる。
ガス中、炭素原子を含む液体中または炭素原子を含む膜
をその表面に形成した状態でシリコン基板にパルスレー
ザ−ビームを照射してこのシリコン基板中に炭素原子を
ドーピングすることによりシリコンカーバイドを形成す
るようにしているので、結晶性のシリコンカーバイドを
シリコン基板中に低温で形成することができる。
第１図は本発明の実施例■によるＳｉＣの製造方法を説
明するための図、第２図Ａ及び第２図Ｂは第１図に示す
方法により製造されたＳｉＣの赤外透過スペクトルを示
すグラフ、第３図Ａ及び第３図Ｂは本発明の実施例Ｈに
よるＳｉＣの製造方法を工程順に説明するための断面図
、第４図は本発明の実施例■によるＳｉＣの製造方法を
説明するための図、第５図は本発明の実施例■によるＳ
ｉＣの製造方法を説明するための図、第６図は本発明の
実施例ＶによるＳｉＣの製造方法を説明するための断面
図、第７図は本発明の実施例■によるＳｉＣの製造方法
を説明するための断面図、第８図Ａ及び第８図Ｂは本発
明の実施例■によるＳｉＣの製造方法を説明するための
断面図、第９図は本発明の実施例■によるＨＢＴの製造
方法を説明するための断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：チェンバー、 ２：Ｓｉ基板、 ３：石英ガラス窓
、 ４：パルスレーザ−ビーム、 ５：５ｉＸＣ１
−Ｘ層、 ６：ａ−Ｃ膜、 ８：ガス分解用の光、
１０：Ｃを含む液体、 １５：エミッタ領域。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 （μｐ ’１ｔｐ）十’Ｅ？、〒 １目”４”＋ｐ）４晋■ −へ 貧苑Ａ列■ 第６図 １ノ％ＨｔＪ ＠ フ ｔ
明するための図、第２図Ａ及び第２図Ｂは第１図に示す
方法により製造されたＳｉＣの赤外透過スペクトルを示
すグラフ、第３図Ａ及び第３図Ｂは本発明の実施例Ｈに
よるＳｉＣの製造方法を工程順に説明するための断面図
、第４図は本発明の実施例■によるＳｉＣの製造方法を
説明するための図、第５図は本発明の実施例■によるＳ
ｉＣの製造方法を説明するための図、第６図は本発明の
実施例ＶによるＳｉＣの製造方法を説明するための断面
図、第７図は本発明の実施例■によるＳｉＣの製造方法
を説明するための断面図、第８図Ａ及び第８図Ｂは本発
明の実施例■によるＳｉＣの製造方法を説明するための
断面図、第９図は本発明の実施例■によるＨＢＴの製造
方法を説明するための断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：チェンバー、 ２：Ｓｉ基板、 ３：石英ガラス窓
、 ４：パルスレーザ−ビーム、 ５：５ｉＸＣ１
−Ｘ層、 ６：ａ−Ｃ膜、 ８：ガス分解用の光、
１０：Ｃを含む液体、 １５：エミッタ領域。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 （μｐ ’１ｔｐ）十’Ｅ？、〒 １目”４”＋ｐ）４晋■ −へ 貧苑Ａ列■ 第６図 １ノ％ＨｔＪ ＠ フ ｔ
Claims (1)
- 炭素原子を含むガス中、炭素原子を含む液体中または
炭素原子を含む膜をその表面に形成した状態でシリコン
基板にパルスレーザービームを照射して上記シリコン基
板の表面を溶融すると同時に、上記炭素原子を上記シリ
コン基板中にドーピングすることにより上記シリコン基
板中にシリコンカーバイドを形成するようにしたことを
特徴とするシリコンカーバイドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127585A JPH01297813A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | シリコンカーバイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127585A JPH01297813A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | シリコンカーバイドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297813A true JPH01297813A (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14963706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127585A Pending JPH01297813A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | シリコンカーバイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01297813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009143761A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2009188133A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体膜、半導体装置および電子機器 |
| JP2012049397A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127585A patent/JPH01297813A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009143761A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2009188133A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体膜、半導体装置および電子機器 |
| JP2012049397A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
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