JP2012028630A - Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LED用リードフレームまたは基板10は、LED素子21を載置する載置面11aを有する本体部11を備えている。本体部11の載置面11aには、LED素子21からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層12が設けられている。反射用めっき層12は、錫と銀との合金からなっている。反射用めっき層12により、LED素子21からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてLED素子21からの光の反射特性を維持することが可能である。
【選択図】図1
Description
まず、図1乃至図3により、LED用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図1および図2においては、LED用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、LED用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。
次に、図4および図5により、図1に示すLED用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。図4および図5は、本発明の一実施の形態による半導体装置(SONタイプ)を示す図である。
次に、図4および図5に示す半導体装置20に用いられるLED用リードフレーム10の製造方法について、図6(a)−(g)により説明する。
次に、図4および図5に示す半導体装置20の製造方法について、図7(a)−(g)により説明する。
次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置20においては、上述したように、本体部11の載置面11aに反射層として機能する反射用めっき層12が設けられている。この反射用めっき層12は、錫と銀との合金からなっている。このことにより、以下のような作用効果が得られる。
以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図8乃至図15を参照して説明する。図8乃至図15において、図4および図5に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図8は、半導体装置の変形例1(SONタイプ)を示す断面図である。図8に示す実施の形態は、導電部としてはんだボール41a、41bを用いる点が異なるものであり、他の構成は上述した図4および図5に示す実施の形態と略同一である。
図9は、半導体装置の変形例2(LGAタイプ)を示す断面図である。図9に示す実施の形態は、基板10の構成等が図4および図5に示す実施の形態と異なるものである。
図10は、半導体装置の変形例3(PLCCタイプ)を示す断面図である。図10に示す実施の形態は、リードフレーム10の構成が図4および図5に示す実施の形態と異なるものである。
図11は、半導体装置の変形例4(基板タイプ)を示す断面図である。図11に示す実施の形態は、基板10が非導電性基板74上に配置されている点等が図4および図5に示す実施の形態と異なるものである。
図12は、半導体装置の変形例5(モジュールタイプ)を示す断面図である。図12に示す実施の形態は、1つの非導電性基板74上に複数の基板10を配置した点が異なるものであり、他の構成は上述した図11に示す実施の形態(変形例4)と略同一である。
図13は、半導体装置の変形例6(SONタイプ)を示す断面図である。図13に示す実施の形態は、本体部11の第1の部分(ダイパッド)91の周囲に、2つのリード部(第2の部分92および第3の部分93)が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図4および図5に示す実施の形態と略同一である。
図14は、半導体装置の変形例7(レンズ付一括モールドタイプ)を示す断面図である。図14に示す実施の形態は、LED素子21の周囲には外側樹脂部23が設けられていない点、封止樹脂部24にレンズ101が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図8に示す実施の形態(変形例1)と略同一である。
図15は、半導体装置の変形例8(一括モールド)を示す断面図である。図15に示す実施の形態は、封止樹脂部24のみによってLED素子21とボンディングワイヤ22とを封止している点が異なるものであり、他の構成は上述した図4および図5に示す実施の形態と略同一である。
矩形状の銅板からなる本体部11上に、下地めっき層13としてニッケルめっきを施した。次にこの下地めっき層13上に、錫(Sn)と銀(Ag)との合金からなる反射用めっき層12を形成することにより、基板10(実施例1)を作製した。この場合、反射用めっき層12は、錫20重量%を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有している。
反射用めっき層12が錫35重量%を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有していること、以外は、実施例1と同様にして、基板10(実施例2)を作製した。
反射用めっき層が銀めっき層からなること、以外は、実施例1と同様にして、基板(比較例1)を作製した。
11 本体部
11a 載置面
12 反射用めっき層
13 下地めっき層
14 銀めっき層
20、40、50、60、70、80、90、100、110 半導体装置
21 LED素子
22 ボンディングワイヤ(導電部)
23 外側樹脂部
24 封止樹脂部
25 第1の部分
26 第2の部分
27 第1のアウターリード部
28 第2のアウターリード部
Claims (9)
- LED素子を載置するLED用リードフレームまたは基板において、
LED素子を載置する載置面を有する本体部と、
本体部の載置面に設けられ、LED素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層とを備え、
反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするリードフレームまたは基板。 - 反射用めっき層は、錫10〜50重量%を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項1記載のLED用リードフレームまたは基板。
- LED素子を載置する載置面を含む本体部を有するLED用リードフレームまたは基板と、
リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたLED素子と、
リードフレームまたは基板とLED素子とを電気的に接続する導電部と、
LED素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
LED用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、LED素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層が設けられ、
反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とする半導体装置。 - 反射用めっき層は、錫10〜50重量%を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項3または4記載の半導体装置。
- LED素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一項記載の半導体装置。
- LED素子を載置するLED用リードフレームまたは基板を製造するLED用リードフレームまたは基板の製造方法において、
LED素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部の載置面側に、反射層として機能する反射用めっき層を形成する工程とを備え、
反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするLED用リードフレームまたは基板の製造方法。 - 反射用めっき層は、錫10〜50重量%を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項7記載のLED用リードフレームまたは基板の製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
請求項7または8記載のLED用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、
リードフレームまたは基板の本体部の載置面上にLED素子を載置する工程と、
LED素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、
LED素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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