JP5970835B2 - リードフレーム部材、樹脂付リードフレーム部材および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材、ＬＥＤ素子搭載用樹脂付リードフレーム部材およびＬＥＤ素子用半導体装置に関する。

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有する半導体装置を含むものがある。

例えば特許文献１には、リードフレーム表面上に、ＬＥＤ素子からの光を反射させる反射樹脂部（リフレクタ）を配置した半導体装置（ＬＥＤパッケージ）が開示されている。

特開２０１１−１５１０６９号公報

一般に、ＬＥＤパッケージにおいては、ＬＥＤパッケージが水分を吸収して劣化する、吸湿劣化という不具合が存在する。この吸湿劣化は、ＬＥＤパッケージを過酷な条件下においたときに顕著になることが知られている。

例えば特許文献１に記載された従来のＬＥＤパッケージにおいては、その側面から透明な封止樹脂部とリードフレームとの界面が露出しない構造となっている。このため、多少の吸湿があったとしても、リードフレーム表面のうち反射樹脂部によって覆われた部分が変色する程度であり、光特性に大きな影響を及ぼすことはない。

一方、近年、ＬＥＤ素子から発する光をＬＥＤパッケージの表面全域に広げるため、反射樹脂部をリードフレーム表面上に設けないものが開発されている（フラットパッケージ）。このようなＬＥＤパッケージにおいては、その側面に透明な封止樹脂部とリードフレームとの界面が存在する構造となる。したがって、ＬＥＤパッケージの側面から水分がわずかに浸透して吸湿劣化した場合、リードフレーム表面が変色し、ただちに光特性の劣化が生じる。この場合、ＬＥＤ素子からの光の光束が劣化したり、ＬＥＤ素子からの光の色味が変化したりするおそれがある。

さらに、透明な封止樹脂部（特にシリコーン）は、リードフレーム（特に銀）との接着性が必ずしも良好でないため、ＬＥＤパッケージ側面に露出する封止樹脂部とリードフレームとの界面から吸湿（リードフレームが銀の場合は硫化も）しやすく、その信頼性を悪化させる原因となる。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、半導体装置が吸湿劣化することを防止することにより、その光特性が劣化することを防止することが可能な、リードフレーム部材、樹脂付リードフレーム部材および半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材において、枠体と、枠体内に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを含む複数のリードフレームとを備え、各リードフレームは、それぞれ連結部を介して枠体または他のリードフレームに連結され、連結部の表面に、枠体及びリードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部を形成したことを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材において、枠体と、枠体内に配置され、ＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを備え、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部は、それぞれ連結部を介して枠体に連結され、連結部の表面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面から落ち込む表面落ち込み部を形成したことを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、連結部の裏面に、枠体及びリードフレームの裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とするリードフレーム部材である。

本発明は、ＬＥＤ素子搭載用樹脂付リードフレーム部材において、リードフレーム部材であって、枠体と、枠体内に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを含む複数のリードフレームとを有し、各リードフレームは、それぞれ連結部を介して枠体または他のリードフレームに連結された、リードフレーム部材と、リードフレーム部材の各リードフレームの周囲に設けられた反射樹脂部とを備え、反射樹脂部の表面は、各リードフレームの表面と同一平面上に位置し、反射樹脂部の裏面は、各リードフレームの裏面と同一平面上に位置し、連結部の表面に、枠体及びリードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、ＬＥＤ素子搭載用樹脂付リードフレーム部材において、リードフレーム部材であって、枠体と、枠体内に配置され、ＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを有し、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部は、それぞれ連結部を介して枠体に連結された、リードフレーム部材と、リードフレーム部材のＬＥＤ素子搭載部及びリード部の周囲に設けられた反射樹脂部とを備え、反射樹脂部の表面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面と同一平面上に位置し、反射樹脂部の裏面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面と同一平面上に位置し、連結部の表面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面から落ち込む表面落ち込み部が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、連結部の裏面に、枠体及びリードフレームの裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする樹脂付リードフレーム部材である。

本発明は、半導体装置において、ＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部と、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部にそれぞれ連結された連結部と、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の周囲に設けられた反射樹脂部と、ＬＥＤ素子搭載部上に搭載されたＬＥＤ素子と、リード部とＬＥＤ素子とを接続する接続部と、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面に設けられ、ＬＥＤ素子及び接続部を封止する封止樹脂部とを備え、反射樹脂部の表面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面と同一平面上に位置し、反射樹脂部の裏面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面と同一平面上に位置し、連結部の表面に、リードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部が形成され、連結部が反射樹脂部から側方に露出していることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする半導体装置である。

本発明によれば、連結部の表面に、枠体及びリードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部を形成したので、封止樹脂部とリードフレームとの界面が半導体装置の側面から露出しないようになっている。このことにより、半導体装置が吸湿劣化することを防止し、半導体装置の光特性が劣化することを防止することができる。

本発明の一実施の形態によるリードフレーム部材を示す平面図。 本発明の一実施の形態によるリードフレーム部材を示す部分拡大平面図（図１のII部拡大図）。 本発明の一実施の形態によるリードフレーム部材を示す断面図（図２のIII−III線断面図）。 本発明の一実施の形態の変形例によるリードフレーム部材を示す平面図。 本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレーム部材を示す平面図（図５のＶ−Ｖ線断面図）。 本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレーム部材を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す斜視図。 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図８のIX−IX線断面図）。 本発明の一実施の形態によるリードフレーム部材の製造方法を示す断面図。 本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレーム部材および半導体装置の製造方法を示す断面図。 リードフレーム部材の変形例（変形例１）を示す断面図。 樹脂付リードフレーム部材の変形例（変形例１）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例１）を示す斜視図。 半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図（図１４のXIV−XIV線断面図）。 半導体装置の変形例（変形例２）を示す斜視図。 半導体装置の変形例（変形例３）を示す斜視図。

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。なお、本明細書中、「表面」とはＬＥＤ素子２１が搭載される側の面（すなわち図３、図６、図９の上面）のことをいい、「裏面」とは、配線基板（図示せず）が接続される側の面（すなわち図３、図６、図９の下面）のことをいう。

リードフレーム部材の構成
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材の概略について説明する。図１乃至図３は、本実施の形態によるリードフレーム部材を示す図である。

図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０は、ＬＥＤ素子２１を搭載した半導体装置２０（図７乃至図９）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム部材１０は、矩形状の外形を有する枠体１３と、枠体１３内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、複数のリードフレーム１４とを備えている。

図２に示すように、複数のリードフレーム１４は、各々ＬＥＤ素子２１が搭載されるＬＥＤ素子搭載部（ダイパッド）２５と、ＬＥＤ素子搭載部２５と離間して配置されたリード部２６とを含んでいる。

各リードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６との間には、隙間１６が形成されており、ダイシングされた後（図１１（ｅ））、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各リードフレーム１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に含まれる領域（パッケージ領域）に対応している。

図２に示すように、各リードフレーム１４は、それぞれ連結部２７を介して枠体１３または他のリードフレーム１４に連結されている。すなわち、図２において、各リードフレーム１４のリード部２６は、その上方（図２のＹ軸プラス方向）に隣接する他のリードフレーム１４のリード部２６、その下方（図２のＹ軸マイナス方向）に隣接する他のリードフレーム１４のリード部２６、および、その左方（図２のＸ軸マイナス方向）に隣接する他のリードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５に、それぞれ連結部２７を介して連結されている。また、各リードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５は、その上方に隣接する他のリードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５、その下方に隣接する他のリードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５、および、その右方（図２のＸ軸プラス方向）に隣接する他のリードフレーム１４のリード部２６に、それぞれ連結部（タイバー）２７を介して連結されている。なお、最も外周に位置するリードフレーム１４のリード部２６およびＬＥＤ素子搭載部２５は、それぞれ連結部２７を介して枠体１３に連結されている。

また、図３に示すように、連結部２７の表面には、枠体１３及びリードフレーム１４の表面から落ち込む表面落ち込み部２８が形成されている。この表面落ち込み部２８は、例えばリードフレーム部材１０をエッチングにより形成する際、ハーフエッチングにより同時に形成される。他方、連結部２７の裏面は、ＬＥＤ素子搭載部２５およびリード部２６と同一平面上に位置している。なお、連結部２７の厚みは、枠体１３及びリードフレーム１４の厚みの３０％以上の厚さまたは５０μｍ以上の厚さとしても良い。連結部２７の厚みを枠体１３及びリードフレーム１４の厚みの３０％以上とし、または連結部２７の厚みを５０μｍ以上とすることにより、連結部２７の強度不足によるリードフレーム部材１０の変形を防ぐことができる。一方、表面落ち込み部２８の深さは、５０μｍ以上とすることが望ましい。金型を用いて反射樹脂部２３を形成する際に樹脂の流れが滞ることなく、樹脂の充填性を向上することができる。

本実施の形態において、表面落ち込み部２８は、各連結部２７の長手方向全体に亘り、複数の連結部２７の全てに形成されていることが望ましい。その理由は、金型を用いて反射樹脂部２３を形成する際に樹脂を表面落ち込み部２８に確実に充填することができるからである。しかしながら、これに限られるものではなく、表面落ち込み部２８は、少なくとも各連結部２７のうちダイシング（図１１（ｅ）参照）によって切断される部分に形成されていれば良い。また、表面落ち込み部２８は、複数の連結部２７のうち一部の連結部２７にのみ形成しても良い。

さらに、図３に示すように、リードフレーム部材１０は、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されためっき層１２とからなっている。

このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとしても良い。

また、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面に設けられている。表面側のめっき層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層１２は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。このめっき層１２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっている。めっき層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ〜１０μｍとされることが好ましい。なお、めっき層１２は、必ずしもリードフレーム本体１１の表面および裏面の全体に設ける必要はなく、リードフレーム本体１１の表面および裏面のうち、一部のみに設けても良い。めっき層１２を構成する金属としては、上述した銀のほか、銀の合金、金やその合金、白金族、銅やその合金、アルミニウムなどを用いてもよい。

また、ＬＥＤ素子搭載部２５の裏面に、第１のアウターリード部４１が形成され、リード部２６の底面に、第２のアウターリード部４２が形成されている。第１のアウターリード部４１および第２のアウターリード部４２は、それぞれ半導体装置２０（図７乃至図９）の裏面側に露出する面であり、半導体装置２０と外部の配線基板（図示せず）とを接続する際に用いられる。

リードフレーム部材１０は、各々ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む複数のリードフレーム１４を有していることが望ましい。その理由は、単位面積あたりのＬＥＤ素子搭載部２５及びリード部２６の取得数が増加するとともに、ダイシングなどの個片化時に、枠体１３をカットする量が減少し、ダイシング用のブレードに加わる負荷を減らすことができるためである。しかしながら、これに限られるものではなく、図４に示すように、リードフレーム部材１０が、枠体１３と、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む１つのリードフレーム１４と、を有していてもよい。

樹脂付リードフレーム部材の構成
次に、図５および図６により、図１乃至図３に示すリードフレーム部材を用いて作製された樹脂付リードフレーム部材の一実施の形態について説明する。図５および図６は、本実施の形態による樹脂付リードフレーム部材を示す図である。

図５および図６に示す樹脂付リードフレーム部材３０は、ＬＥＤ素子２１（図７乃至図９参照）を搭載するために用いられるものである。このような樹脂付リードフレーム部材３０は、上述したリードフレーム部材１０と、リードフレーム部材１０の各リードフレーム１４の周囲に設けられた反射樹脂部２３とを備えている。

このうちリードフレーム部材１０は、枠体１３と、枠体１３内に配置された複数のリードフレーム１４とを有しており、各リードフレーム１４は、ＬＥＤ素子２１が搭載されるＬＥＤ素子搭載部２５と、ＬＥＤ素子搭載部２５に離間して配置されたリード部２６とを含んでいる。なお、リードフレーム部材１０の構成は、上述した図１乃至図３に示すものと同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

一方、反射樹脂部２３は、リードフレーム部材１０と一体化されている。この反射樹脂部２３は、枠体１３とリードフレーム１４との間、および互いに隣接するリードフレーム１４同士の間に充填されている。さらに、反射樹脂部２３は、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６との間の隙間１６にも充填されている。

図６に示すように、反射樹脂部２３の表面は、各リードフレーム１４の表面（ＬＥＤ素子搭載部２５の表面およびリード部２６の表面）と同一平面上に位置しており、反射樹脂部２３の裏面は、各リードフレーム１４の裏面（ＬＥＤ素子搭載部２５の裏面およびリード部２６の裏面）と同一平面上に位置している。さらに、連結部２７の表面落ち込み部２８表面にも反射樹脂部２３が充填されており、この連結部２７上に設けられた反射樹脂部２３の表面も、リードフレーム１４の表面と同一平面上に位置している。

反射樹脂部２３は、リードフレーム部材１０に対して熱可塑性樹脂を例えば射出成形し、あるいは熱硬化性樹脂を例えば射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、シクロポリオレフィン等、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、ポリイミド等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、反射樹脂部２３の表面において、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。

なお、図５および図６において、樹脂付リードフレーム部材３０のリードフレーム部材１０は、各々ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む複数のリードフレーム１４を有しているが、これに限られるものではない。樹脂付リードフレーム部材３０が、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む１つのリードフレーム１４を有していてもよい。

半導体装置の構成
次に、図７乃至図９により、図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０を用いて作製された半導体装置（ＬＥＤパッケージ）の一実施の形態について説明する。図７および図９は、それぞれ半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。

図７乃至図９に示すように、半導体装置（ＬＥＤパッケージ）２０は、ＬＥＤ素子搭載部２５及びリード部２６を含むリードフレーム１４と、ＬＥＤ素子搭載部２５及びリード部２６の周囲に設けられた反射樹脂部２３と、ＬＥＤ素子搭載部２５に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリード部２６とを電気的に接続するボンディングワイヤ（接続部）２２とを備えている。

また、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は、リードフレーム１４の表面に設けられている。

なお、ＬＥＤ素子搭載部２５及びリード部２６に連結部２７がそれぞれ連結され、各連結部２７は反射樹脂部２３から側方に露出している。また図７に示すように、連結部２７の断面（連結部２７の長手方向に対して垂直な断面）は略長方形形状からなっている。

以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、ＬＥＤ素子搭載部２５上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部２６上に接続されている。なお、ＬＥＤ素子２１の裏面にも図示しない端子部が設けられており、この裏面側の端子部とＬＥＤ素子搭載部２５とが電気的に接続されている。

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。

なお、リードフレーム１４および反射樹脂部２３の構成については、図１乃至図６を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。

ＬＥＤ素子搭載用リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０の製造方法について、図１０（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図１０（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態によるリードフレーム部材１０の製造方法を示す断面図であり、それぞれ図３に示す断面に対応している。

まず図１０（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図１０（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１０（ｃ））。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図１０（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３のパターン形状等を適宜調整しておくことにより、金属基板３１のうち連結部２７に対応する部分の表面に、ハーフエッチングにより表面落ち込み部２８が形成される。

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、枠体１３と、枠体１３内に配置された複数のリードフレーム１４とを含むリードフレーム本体１１が得られる（図１０（ｅ））。

次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（例えば銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面にめっき層１２を形成する（図１０（ｆ））。

この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体１１の一部のみにめっき層１２を形成しても良い。

このようにして、図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０が得られる（図１０（ｆ））。

樹脂付リードフレーム部材の製造方法
次に、図５および図６に示す樹脂付リードフレーム部材３０の製造方法、および図７乃至図９に示す半導体装置２０の製造方法について、図１１（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。図１１（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態による樹脂付リードフレーム部材３０および半導体装置２０の製造方法を示す断面図である。

まず上述した工程（図１０（ａ）−（ｇ））によりリードフレーム部材１０を作製する。このようにして得られたリードフレーム部材１０を、例えば射出成形機またはトランスファ成形機の金型（図示せず）内に装着し、この金型内に例えば熱硬化性樹脂を流し込み、硬化させる。これにより、リードフレーム部材１０の各リードフレーム１４の周囲に反射樹脂部２３が形成される。あるいは、スキージを用いる印刷法やダイコートなどの塗膜形成法を用いて反射樹脂部２３を形成しても良い。このようにして、反射樹脂部２３とリードフレーム部材１０とが一体に形成された樹脂付リードフレーム部材３０が得られる（図１１（ａ））。

このとき、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６との間の隙間１６や、連結部２７の表面落ち込み部２８上にも反射樹脂部２３が形成される。また、反射樹脂部２３の表面は、各リードフレーム１４の表面と同一平面上に位置し、反射樹脂部２３の裏面は、各リードフレーム１４の裏面と同一平面上に位置する。

次いで、各リードフレーム１４のＬＥＤ素子搭載部２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をＬＥＤ素子搭載部２５上に搭載して固定する（ダイアタッチ工程）（図１１（ｂ））。

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１１（ｃ））。

その後、リードフレーム１４の表面に封止樹脂部２４を設け、この封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図１１（ｄ））。

次に、反射樹脂部２３および各連結部２７を切断することにより、樹脂付リードフレーム部材３０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（ダイシング工程）（図１１（ｅ））。この際、まず樹脂付リードフレーム部材３０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂部２３および連結部２７を切断する。

このようにして、図７乃至図９に示す半導体装置２０が得られる（図１１（ｆ））。

以上説明したように、本実施の形態によれば、連結部２７の表面に枠体１３及びリードフレーム１４の表面から落ち込む表面落ち込み部２８を形成したので、封止樹脂部２４とリードフレーム１４との界面が半導体装置２０の側面から露出することがない（図３参照）。このことにより、封止樹脂部２４とリードフレーム１４との界面から空気中の水分や硫黄分が侵入するおそれがない。これにより、半導体装置２０の光特性が劣化することを防止することができる。具体的には、ＬＥＤ素子２１からの光の光束が劣化したり、ＬＥＤ素子２１からの光の色味が変化したりすることを防止することができる。

また仮に、半導体装置２０の側面において、連結部２７と反射樹脂部２３との界面から水分が侵入した場合であっても、連結部２７の表面が反射樹脂部２３によって覆われているので、侵入した水分がＬＥＤ素子搭載部２５やリード部２６の表面に達することはなく、光特性に影響が及ぶことはない。なお、封止樹脂部２４と反射樹脂部２３とは強固に密着しているので、封止樹脂部２４と反射樹脂部２３との界面から水分が侵入するおそれはない。

変形例
次に、リードフレーム部材、樹脂付リードフレーム部材および半導体装置（ＬＥＤパッケージ）の変形例について、図１２乃至図１６を参照して説明する。図１２乃至図１６において、図１乃至図１１に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

変形例１
図１２乃至図１５は、本実施の形態の一変形例（変形例１）を示す図である。図１２は、本変形例によるリードフレーム部材１０Ａを示す断面図であり、図１３は、本変形例による樹脂付リードフレーム部材３０Ａを示す断面図である。図１４は、本変形例による半導体装置２０Ａを示す断面図であり、図１５は、本変形例による半導体装置２０Ａを示す断面図である。

図１２乃至図１５において、図１乃至図１１に示す実施の形態と異なり、連結部２７の裏面に、枠体１３、ＬＥＤ素子搭載部２５及びリード部２６の裏面から落ち込む裏面落ち込み部２９が更に形成されている。この裏面落ち込み部２９上にも反射樹脂部２３が形成されている。

このような構成により、連結部２７の周囲全体が反射樹脂部２３によって覆われるので、例えばダイシング時（図１１（ｅ））に、ＬＥＤ素子搭載部２５およびリード部２６が反射樹脂部２３の裏面から脱落する不具合を防止することができる。また、半導体装置２０Ａの裏面から連結部２７が露出しないので、第１のアウターリード部４１および第２のアウターリード部４２の形状を長方形にすることができ、半導体装置２０を図示しない実装基板に実装すること容易になる。

なお、図１２乃至図１５において、リードフレーム部材１０Ａおよび樹脂付リードフレーム部材３０Ａは、各々ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む複数のリードフレーム１４を有しているが、これに限られるものではなく、リードフレーム部材１０Ａおよび樹脂付リードフレーム部材３０Ａが、ＬＥＤ素子搭載部２５とリード部２６とを含む１つのリードフレーム１４を有していてもよい。

変形例２
図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例２）を示す図であり、本変形例による半導体装置２０Ｂを示す断面図である。

図１６に示す半導体装置２０Ｂにおいて、図１乃至図１１に示す実施の形態と異なり、連結部２７の断面（連結部２７の長手方向に対して垂直な断面）は、連結部２７の表面側から裏面側に向けて先細となる台形形状からなっている。このような断面形状は、金属基板３１にエッチングを施して連結部２７を形成する際（図１０（ｄ））、エッチング用レジスト層３２、３３のパターン形状を適宜調整することにより、形成することが可能である。あるいは、このような断面形状は、２段エッチング法、つまり金属基板３１の一方の面をエッチングした後に、このエッチングが完了した面に対してレジストを埋め込んで保護し、その後、金属基板３１の他方の面をエッチングすることにより、形成することもできる。

このような構成により、連結部２７が反射樹脂部２３に引っ掛かるので、ダイシング時（図１１（ｅ））に、反射樹脂部２３の裏面からＬＥＤ素子搭載部２５およびリード部２６が脱落する不具合を防止することができる。

なお、図示していないが、図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０および図５および図６に示す樹脂付リードフレーム部材３０においても、連結部２７の断面を裏面側に向けて先細となる台形形状としてもよい。またこの場合、リードフレーム部材１０および樹脂付リードフレーム部材３０は、複数のリードフレーム１４を有していても良く、１つのリードフレーム１４を有していてもよい。

変形例３
図１７は、本実施の形態の一変形例（変形例３）を示す図であり、本変形例による半導体装置２０Ｃを示す断面図である。

図１７に示す半導体装置２０Ｃにおいて、図１乃至図１１に示す実施の形態と異なり、連結部２７の断面（連結部２７の長手方向に対して垂直な断面）は、連結部２７の裏面側から表面側に向けて先細となる台形形状からなっている。このような断面形状は、金属基板３１にエッチングを施して連結部２７を形成する際（図１０（ｄ））、エッチング用レジスト層３２、３３のパターン形状を適宜調整することにより、形成することが可能である。あるいは、このような断面形状は、上述した２段エッチング法によって形成することもできる。

このような構成により、リードフレーム部材１０に反射樹脂部２３を形成する際、連結部２７周囲における樹脂の流れが良好になり、樹脂の充填を確実なものとすることが出来る。

なお、図示していないが、図１乃至図３に示すリードフレーム部材１０および図５および図６に示す樹脂付リードフレーム部材３０においても、連結部２７の断面を裏面側から表面側に向けて先細となる台形形状としてもよい。またこの場合、リードフレーム部材１０および樹脂付リードフレーム部材３０は、複数のリードフレーム１４を有していても良く、１つのリードフレーム１４を有していてもよい。

１０、１０Ａ リードフレーム部材
１１ リードフレーム本体
１２ めっき層
１３ 枠体
１４ リードフレーム
１６ 隙間
２０、２０Ａ、２０Ｂ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（接続部）
２３ 反射樹脂部
２４ 封止樹脂部
２５ ＬＥＤ素子搭載部
２６ リード部
２７ 連結部
２８ 表面落ち込み部
２９ 裏面落ち込み部
３０、３０Ａ 樹脂付リードフレーム部材
４１ 第１のアウターリード部
４２ 第２のアウターリード部

Claims (9)

1. ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材において、
   枠体と、
   枠体内に配置され、ＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、
   ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを備え、
   ＬＥＤ素子搭載部及びリード部は、それぞれ連結部を介して枠体に連結され、
   連結部の表面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面から落ち込む表面落ち込み部を形成し、
   連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成し、
   連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とするリードフレーム部材。
2. ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム部材において、
   枠体と、
   枠体内に配置され、ＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、
   ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを備え、
   ＬＥＤ素子搭載部及びリード部は、それぞれ連結部を介して枠体に連結され、
   連結部の表面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面から落ち込む表面落ち込み部を形成し、
   連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成し、
   連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とするリードフレーム部材。
3. ＬＥＤ素子搭載用樹脂付リードフレーム部材において、
   リードフレーム部材であって、枠体と、枠体内に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを含む複数のリードフレームとを有し、各リードフレームは、それぞれ連結部を介して枠体または他のリードフレームに連結された、リードフレーム部材と、
   リードフレーム部材の各リードフレームの周囲に設けられた反射樹脂部とを備え、
   反射樹脂部の表面は、各リードフレームの表面と同一平面上に位置し、
   反射樹脂部の裏面は、各リードフレームの裏面と同一平面上に位置し、
   連結部の表面に、枠体及びリードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部が形成され、
   連結部の裏面に、枠体及びリードフレームの裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする樹脂付リードフレーム部材。
4. ＬＥＤ素子搭載用樹脂付リードフレーム部材において、
   リードフレーム部材であって、枠体と、枠体内に配置され、ＬＥＤ素子が搭載されるＬＥＤ素子搭載部と、ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部とを有し、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部は、それぞれ連結部を介して枠体に連結された、リードフレーム部材と、
   リードフレーム部材のＬＥＤ素子搭載部及びリード部の周囲に設けられた反射樹脂部とを備え、
   反射樹脂部の表面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面と同一平面上に位置し、
   反射樹脂部の裏面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面と同一平面上に位置し、
   連結部の表面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面から落ち込む表面落ち込み部が形成され、
   連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする樹脂付リードフレーム部材。
5. 連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする請求項３または４記載の樹脂付リードフレーム部材。
6. 連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする請求項３または４記載の樹脂付リードフレーム部材。
7. 半導体装置において、
   ＬＥＤ素子搭載部と、
   ＬＥＤ素子搭載部に離間して配置されたリード部と、
   ＬＥＤ素子搭載部及びリード部にそれぞれ連結された連結部と、
   ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の周囲に設けられた反射樹脂部と、
   ＬＥＤ素子搭載部上に搭載されたＬＥＤ素子と、
   リード部とＬＥＤ素子とを接続する接続部と、
   ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面に設けられ、ＬＥＤ素子及び接続部を封止する封止樹脂部とを備え、
   反射樹脂部の表面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の表面と同一平面上に位置し、
   反射樹脂部の裏面は、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面と同一平面上に位置し、
   連結部の表面に、リードフレームの表面から落ち込む表面落ち込み部が形成され、連結部が反射樹脂部から側方に露出し、
   連結部の裏面に、枠体、ＬＥＤ素子搭載部及びリード部の裏面から落ち込む裏面落ち込み部を更に形成したことを特徴とする半導体装置。
8. 連結部の断面は、裏面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
9. 連結部の断面は、表面側に向けて先細となる台形形状からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。

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