JP2004241766A - 装置 - Google Patents
装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004241766A JP2004241766A JP2004003413A JP2004003413A JP2004241766A JP 2004241766 A JP2004241766 A JP 2004241766A JP 2004003413 A JP2004003413 A JP 2004003413A JP 2004003413 A JP2004003413 A JP 2004003413A JP 2004241766 A JP2004241766 A JP 2004241766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- silver
- gold
- alloy coating
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 39
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 38
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 60
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】 リードフレーム100は、例えば銅薄板であるリードフレーム素材101の略全面に、ニッケルめっき102、パラジウムめっき103、金フラッシュめっき104をこの順に施し、さらに、当該半導体装置の外囲器に囲繞される部分であるインナー部の一部に選択的に銀めっき105を施して構成される。銀めっき105を0.1μm以上の厚さに施すことによって良好な光反射率が得られる。リードフレーム100は、さらに破線で示した領域に形成される前記外囲器の台部を含んでもよい。
【選択図】 図2
Description
図6は、当該文献に記載されたリードフレームの構成を示す模式図である。リードフレーム900は、リードフレーム素材901に、ニッケルめっき902、パラジウムめっき903、及び金−銀合金フラッシュめっき904がこの順に施されてなる。当該文献は、この構成のリードフレームが優れた耐食性を有することを、塩水噴霧試験の結果として示している。
また、前記インナー部を除いた部分の最表層に形成される金属被膜は金又は金合金被膜であるとしてもよい。
また、前記インナー部の一部を囲繞して前記外囲器の台部が形成されているとしてもよい。
このリードフレームはインナー部において光反射率に優れるため、特に半導体発光装置に用いた場合に発光素子の後方光を効率よく反射して装置全体として高い発光効率を実現できる。
この構成によれば、銀又は銀合金被膜のみ部分選択的に形成し金又は金合金被膜は全面に形成すればよいので、前記リードフレームの製造工程を簡素化できる。
また、前記リードフレームにおいて、前記銀又は銀合金被膜は前記リードフレームの略全面に形成され、前記金又は金合金被膜は前記リードフレームの前記インナー部を除いた部分においてのみ前記銀又は銀合金被膜の上に形成されている
としてもよい。
また、前記リードフレームにおいて、前記リードフレーム素材の上にニッケルまたはニッケル合金被膜、パラジウム又はパラジウム合金被膜、前記銀又は銀合金被膜及び、前記金又は金合金被膜がこの順に形成され、前記ニッケルまたはニッケル合金被膜、及び前記パラジウム又はパラジウム合金被膜は前記リードフレームの略全面において形成されているとしてもよい。
また、前記リードフレームにおいて、前記銀又は銀合金被膜は、前記台部に囲繞される前記インナー部の少なくとも一部を除外して形成されているとしてもよい。
この構成によれば、銀又は銀合金被膜の形成が除外された部分において前記リードフレームと前記外囲器を形成する樹脂との密着性が高まるので、外囲器の密閉性を保ち、また前記インナー部における耐食性を向上する。
この構成によれば、前記半導体発光装置は、インナー部において光反射率に優れる前記リードフレームを用いて構成されるため、前記半導体発光素子の後方光を効率よく反射して装置全体として高い発光効率を発揮する。
(リードフレームの形状)
図1は、本発明に係るリードフレームの形状例を示す平面図である。
リードフレーム100は、リードフレーム素材を図に例示した形状にプレス加工またはエッチング加工した後、後述するめっきを施して作られる。リードフレーム素材は、例えば鉄合金、又は銅合金等の薄板である。
破線の内部、つまり半導体装置にパッケージングされたときに外囲器に囲繞されるリードフレーム部分をインナー部、外囲器から延出するリードフレーム部分をアウター部と呼ぶことにする。インナー部は少なくともインナーリードを含む。さらにインナーリードとは別個に設けられるか、又はインナーリードの一部分として設けられる素子載置部を含んでもよい。
(めっきの詳細)
図2は、リードフレーム100に施されるめっきの詳細を示す模式図であり、図1のA−A’断面を模式的に示している。
それぞれのめっき厚は、例えばニッケルめっきが0.5から2.0μm、パラジウムめっきが0.005から0.07μm、金フラッシュめっきが0.003から0.01μm、及び銀めっきが0.1μm以上である。
めっき後、破線で示した領域に外囲器の台部がインサート形成される。台部は白色又は淡色の絶縁性樹脂からなり、例えばポリフタルアミドで作られる。台部は図に例示したような凹部を有し、凹部に設置される発光素子の光を紙面上方へ放出する。凹部には発光素子の設置後、封止用の透明樹脂(例えばエポキシ樹脂)が充填されることによって蓋部が設けられ、台部とともに外囲器となる。
(リードフレームを用いた半導体装置)
図3は、台部200が形成された後のリードフレーム100の形状例を示す斜視図である。
半導体発光装置700は、蓋部形成前、台部200の凹部へ露出しているインナー部に半導体発光素子400を載置し、ボンディングワイヤー500で半導体発光素子400とインナー部とを接続した後、透明樹脂300を凹部に充填封止して蓋部を形成することによって構成される。
発明者らは、上述した構成によるリードフレームが以下に説明する優れた特性を有していることを確認した。
(光反射率)
図5は、リードフレームの光反射率を比較するグラフであり、硫酸バリウムの光反射率を100としたときの、試料1(発明品の銀めっき部)、試料2(参考比較品)、試料3(従来品)のそれぞれのリードフレームの光反射率比を、紫外可視分光光度計を用いて測定した結果を示している。
試料2は、銅合金薄板のリードフレーム素材に、銅ストライクめっき、及び銀めっき3μmがこの順に施されてなる。銀単層めっきによって発明品の銀めっき部と略同等の光反射率が得られる試料として参考比較する。
試料3は従来技術のリードフレームであり、銅合金薄板のリードフレーム素材に、ニッケルめっき1.0から1.2μm、パラジウムめっき0.03μm、及び金フラッシュめっき0.008μmがこの順に施されてなる。
(樹脂密着性)
発明者らは測定の結果から、最表層にパラジウムめっきが施されたリードフレーム部分と前記台部を形成する樹脂との接合面に生じる第1のせん断接着力が、最表層に銀めっきが施されたリードフレーム部分と前記台部を形成する樹脂との接合面に生じる第2のせん断接着力よりも大きいという知見を得て、台部と接するインナー部の一部に銀めっきを施さないこととした。
前述した試料1と試料2とを同一条件で赤インクに浸漬する実験を行ったところ、台部との接合面に銀めっきの除外部がある試料1には赤インクが浸入せず、全面に銀めっきが施されている試料2には赤インクが浸入することが確認された。
(その他の特性)
前述した特性の他に、各めっき層は次のような優れた特性を発揮する。
金フラッシュめっき層は熱的安定性によりアウター部に優れたはんだ付け性を与える。
パラジウムめっき層は化学的に安定であり、高温環境下での耐食性に優れる。
ニッケルめっき層は下地めっきとしての特性を有し、ワイヤーボンディング性、無鉛はんだによるはんだ付け性、耐食性、及び外囲器を形成する樹脂との密着性に寄与する。
実施の形態では、この特徴的な構成を実現するために、リードフレームの略全面にニッケルめっき、パラジウムめっき、金フラッシュめっきがこの順に施され、インナー部においてのみその上に銀めっきが施されてなるリードフレームを例示した。しかしながら、この特徴的な構成は、リードフレームの略全面にニッケルめっき、パラジウムめっき、銀めっきがこの順に施され、アウター部においてのみその上に金フラッシュめっきが施されてなるリードフレームによっても実現できることは明らかである。そのようなリードフレームも本発明に含まれる。
105 銀めっき
200 外囲器台部
300 透明樹脂
400 半導体発光素子
500 ボンディングワイヤー
601、602 出射光
700 半導体発光装置
900 リードフレーム
Claims (10)
- リードフレーム素材の上に複数層の金属被膜が形成されてなる半導体装置用リードフレームであって、
前記半導体装置の外囲器に囲繞されることとなるインナー部を有し、
前記インナー部の最表層に形成される金属被膜は銀又は銀合金被膜である
ことを特徴とするリードフレーム。 - 前記インナー部を除いた部分の最表層に形成される金属被膜は金又は金合金被膜である
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 前記金又は金合金被膜は前記リードフレームの略全面に形成され、
前記銀又は銀合金被膜は前記インナー部においてのみ前記金又は金合金被膜の上に形成されている
ことを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム素材の上にニッケルまたはニッケル合金被膜、パラジウム又はパラジウム合金被膜、前記金又は金合金被膜、及び前記銀又は銀合金被膜がこの順に形成され、
前記ニッケルまたはニッケル合金被膜、及び前記パラジウム又はパラジウム合金被膜は前記リードフレームの略全面に形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載のリードフレーム。 - 前記銀又は銀合金被膜は前記リードフレームの略全面に形成され、
前記金又は金合金被膜は前記リードフレームの前記インナー部を除いた部分においてのみ前記銀又は銀合金被膜の上に形成されている
ことを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 - 前記リードフレーム素材の上にニッケルまたはニッケル合金被膜、パラジウム又はパラジウム合金被膜、前記銀又は銀合金被膜及び、前記金又は金合金被膜がこの順に形成され、
前記ニッケルまたはニッケル合金被膜、及び前記パラジウム又はパラジウム合金被膜は前記リードフレームの略全面において形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載のリードフレーム。 - 前記銀又は銀合金被膜が0.1μm以上の厚さに形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 前記インナー部の一部を囲繞して前記外囲器の台部が形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 前記銀又は銀合金被膜は、前記台部に囲繞される前記インナー部の少なくとも一部を除外して形成されている
ことを特徴とする請求項8に記載のリードフレーム。 - 半導体発光素子が載置され半導体発光装置を構成している
ことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004003413A JP3940124B2 (ja) | 2003-01-16 | 2004-01-08 | 装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003007988 | 2003-01-16 | ||
JP2004003413A JP3940124B2 (ja) | 2003-01-16 | 2004-01-08 | 装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241766A true JP2004241766A (ja) | 2004-08-26 |
JP3940124B2 JP3940124B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=32964775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004003413A Expired - Lifetime JP3940124B2 (ja) | 2003-01-16 | 2004-01-08 | 装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3940124B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226889A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
US7648775B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-01-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate, ceramic package for housing light emitting element |
JP2010028146A (ja) * | 2004-12-03 | 2010-02-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板 |
WO2010119575A1 (ja) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | 株式会社エノモト | 表面実装型ledリードフレーム及びその製造方法 |
JP2012028630A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2012160581A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2013197471A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用基板とその製造方法および半導体装置 |
JP2014195127A (ja) * | 2014-07-02 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2014207481A (ja) * | 2014-07-18 | 2014-10-30 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
US9263315B2 (en) | 2010-03-30 | 2016-02-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
JP5861943B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
JP2016181733A (ja) * | 2016-07-22 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | Led用基板とその製造方法および半導体装置 |
JP2017017256A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | Shマテリアル株式会社 | 多列型led用リードフレーム及びledパッケージ、並びにそれらの製造方法 |
JP2017084907A (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | Shマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
US9773960B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-09-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US11264546B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4758976B2 (ja) | 2007-12-03 | 2011-08-31 | 日立ケーブルプレシジョン株式会社 | 半導体発光素子搭載用リードフレーム及びその製造方法並びに発光装置 |
KR20120089567A (ko) * | 2009-06-24 | 2012-08-13 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치 |
-
2004
- 2004-01-08 JP JP2004003413A patent/JP3940124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7648775B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-01-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate, ceramic package for housing light emitting element |
JP2010028146A (ja) * | 2004-12-03 | 2010-02-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板 |
JP2008226889A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
WO2010119575A1 (ja) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | 株式会社エノモト | 表面実装型ledリードフレーム及びその製造方法 |
US9263315B2 (en) | 2010-03-30 | 2016-02-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
US9966517B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-05-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
US9887331B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-02-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
JP2012028630A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
US9773960B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-09-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
JP5861943B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
JP2012160581A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2013197471A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用基板とその製造方法および半導体装置 |
JP2014195127A (ja) * | 2014-07-02 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2014207481A (ja) * | 2014-07-18 | 2014-10-30 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2017017256A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | Shマテリアル株式会社 | 多列型led用リードフレーム及びledパッケージ、並びにそれらの製造方法 |
JP2017084907A (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | Shマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
JP2016181733A (ja) * | 2016-07-22 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | Led用基板とその製造方法および半導体装置 |
US11264546B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3940124B2 (ja) | 2007-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101059361B1 (ko) | 리드 프레임 및 반도체 발광장치 | |
JP3940124B2 (ja) | 装置 | |
TWI557933B (zh) | A manufacturing method of a wire frame or a substrate for a light emitting diode, a semiconductor device, and a wire frame or a substrate for a light emitting diode | |
TWI514629B (zh) | A semiconductor light-emitting element mounting substrate, and a semiconductor light-emitting device using the same | |
JP2007201420A (ja) | 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2007067116A (ja) | 発光装置 | |
JP3991624B2 (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
JP2013236005A (ja) | Led用リードフレーム及び当該led用リードフレームを用いた半導体装置 | |
JP2008135588A (ja) | 発光装置用の支持体及びそれを用いた発光装置 | |
JP7348567B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP4776175B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよびその製造方法および発光装置および照明装置 | |
JP2004228549A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2004207672A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2011228687A (ja) | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 | |
JP2010206034A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム,光半導体装置用パッケージ,光半導体装置,光半導体装置用リードフレームの製造方法,光半導体装置用パッケージの製造方法および光半導体装置の製造方法 | |
JP7116308B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP6206568B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005072397A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP6701711B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7148793B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP2012156409A (ja) | バックライト用発光装置 | |
JP2012028626A (ja) | パッケージ成型体、ランプおよびパッケージ成型体の製造方法 | |
JP2013183148A (ja) | 半導体発光素子搭載用基板、半導体発光素子搭載用基板の製造方法及び半導体発光素子搭載用基板を用いた半導体発光装置 | |
JP2002314144A (ja) | 半導体素子及び発光ダイオードランプ | |
JP2010073756A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3940124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |