JP2011187677A

JP2011187677A - モジュール

Info

Publication number: JP2011187677A
Application number: JP2010051384A
Authority: JP
Inventors: Junichi Kimura; 潤一木村
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2010-03-09
Filing date: 2010-03-09
Publication date: 2011-09-22
Also published as: US20120320559A1; CN102792789A; WO2011111318A1

Abstract

【課題】小型のモジュールを提供する。
【解決手段】回路基板２２の上面において回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間に設けられた境界６とを備え、この境界６上に装着された金属片２４ａと、樹脂部５の上面において少なくとも金属片２４ａに対応する位置に形成された溝２５とを設け、溝２５には金属片２４ａの一部が樹脂部５より露出された露出部を設けるとともに、溝２５にはシールド導体９が形成され、露出部において金属片２４ａとシールド導体９とを接続したものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数個の回路ブロックが形成され、これら回路ブロック間のシールドを必要とするモジュールに関するものである。

以下、従来のモジュールについて図面を用いて説明する。図８は従来のモジュールの断面図である。従来のモジュール１は、回路基板２の上面に形成された配線導体の上に、電子部品３ａや電子部品３ｂが搭載されている。そしてこのモジュール１には、電子部品３ａによって構成された回路ブロック４ａと、電子部品３ｂによって構成された回路ブロック４ｂとが形成されている。

回路基板２の上面には電子部品３ａや電子部品３ｂが埋設された樹脂部５が形成される。この樹脂部５には、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの境界６上に凹部７が形成されている。凹部７は樹脂部５を貫通し、その底面は回路基板２の上面よりも深い位置にまで達している。

ここで、回路基板２の上面あるいは内層には、グランド導体８が形成される。このグランド導体８は、基板の外周や、境界６に沿って形成されている。これにより、樹脂部５には、グランド導体８が樹脂部５から露出した露出部が形成される。

そして、樹脂部５の上面と側面全周、および回路基板２の側面、ならびに凹部７の内面にシールド導体９が形成される。なおこのシールド導体９はスパッタにより形成されている。ここでシールド導体９とグランド導体８とは露出部によって接続されることになる。この構成により、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとに形成された回路それぞれをシールドできるとともに、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間のシールドを行うこととなる。

なおこのとき境界６の領域では、凹部７によって回路基板２の厚みが薄くなり、反りなどが生じ易くなる。そこで、この凹部７へ樹脂５ａを充填し、強度を大きくする。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２００２−２５０９００号公報

しかしながらこのような従来のモジュール１においては、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間をシールドするために、シールド導体９と境界６に沿って形成されたグランド導体８とを接続することが必要である。そこで、凹部７は樹脂部５を貫通し、回路基板２まで達する深さで形成されなければならない。ここで、スパッタなどにおいて樹脂部５や凹部７の内周面全体に均一にシールド導体９をするためには、凹部７の幅７ａは凹部７の深さと同じ寸法以上必要となる。従って、凹部７の幅７ａが大きくなる。それに加えて、境界６に沿って設けられたグランド導体８は、凹部７の幅７ａより大きな幅８ａが必要となる。従って、電子部品３ａ、電子部品３ｂを実装できるスペースが小さくなり、その結果モジュール１が大きくなるという課題を有していた。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間でのシールドが必要なモジュールに対し、境界６の近傍において電子部品３ａ、電子部品３ｂが実装できない領域を小さくでき、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂの間の距離を小さくすることで、小型なモジュールを提供することを目的としたものである。

この目的を達成するために境界上に装着された金属片と、樹脂部上面において少なくとも前記金属片に対応する位置に形成された溝とを設け、この溝には前記金属片の一部が前記樹脂部より露出される露出部を設け、この露出部において金属片とシールド導体とが接続されるものである。これにより所期の目的を達成することができる。

以上のように本発明によれば、回路基板と、この回路基板上に装着された複数の電子部品と、これらの電子部品を覆うとともに、前記回路基板の上面に形成された樹脂部と、この樹脂部の上面と側面とに形成されたシールド導体とを有し、前記回路基板の上面には、第１の回路ブロックと、前記回路基板上において前記第１の回路ブロックに隣接して形成された第２の回路ブロックと、前記回路基板の上面において前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間に設けられた第１の境界とを備え、この第１の境界上に装着された第１の金属片と、前記樹脂部上面において少なくとも前記第１の金属片に対応する位置に形成された第１の溝とを設け、前記第１の溝には前記第１の金属片の一部が前記樹脂部より露出された第１の露出部を設けるとともに、前記第１の溝には前記シールド導体が形成され、前記第１の露出部で前記第１の金属片と前記シールド導体とが接続されたモジュールであり、これにより、金属片は境界上に装着され、この金属片に対応する位置に溝が形成されるので、溝の深さを小さくできる。従って、溝の幅も小さくできることとなるので、第１と第２の回路ブロック間の距離を小さくでき、モジュールを小型化できる。

（ａ）本実施の形態におけるモジュールの断面図、（ｂ）同、上面図同、モジュールにおける上部から見た断面図（ａ）他の例の金属片の上面図、（ｂ）第３の例の金属片の上面図（ａ）第４の例の金属片を用いたモジュールを上部から見た断面図、（ｂ）同、上面図（ａ）境界がＴ字型である場合のモジュールの断面図、（ｂ）同、上面図（ａ）境界がＬ字型である場合のモジュールの断面図、（ｂ）同、上面図同、モジュールの製造フローチャート従来のモジュールの断面図

（実施の形態１）
以下、本実施の形態におけるモジュールについて図面を用いて詳細に説明する。図１（ａ）は、本実施の形態におけるモジュール２１の断面図であり、図１（ｂ）は同、上面図であり、図２は同、上面から見た断面図である。図１（ａ）、（ｂ）、図２において、従来（図８）と同じものには同じ番号を用いている。

回路基板２２の上面には配線導体が形成され、この配線導体の所定の位置に電子部品３ａ、電子部品３ｂが装着されている。ここでこの回路基板２２上には電子部品３ａによって形成される回路ブロック４ａと、電子部品３ｂによって形成される回路ブロック４ｂとが形成される。なお本実施の形態では、回路ブロック４ａには電子チューナの回路が構成され、回路ブロック４ｂには復調回路が構成される。

回路基板２２の上面において、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂの間の境界６にはグランド導体２３が形成され、このグランド導体２３上には金属片２４ａが装着される。本実施の形態においてグランド導体２３は、回路基板２２の上面に回路基板２２を横断するように形成され、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間の回路の間は、回路基板２２の内層に設けられた信号配線導体によって接続される。なお、この場合回路基板２２にはグランド導体２３と対向する位置にもグランド導体８を設け、このグランド導体８とグランド導体２３との間に信号配線導体が挟まれる構成とすると良い。

さらに金属片２４ａは回路基板２２の幅とほぼ同じ長さを有している。つまり、金属片２４ａは回路基板２２の両端間を横断するようにして、境界６上に設けられることとなる。そしてこれにより、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間を確実に分離できる。なお、金属片２４ａは回路基板２２の幅寸法より小さくしても良い。この場合、金属片２４ａの装着ずれが生じても、金属片２４ａが回路基板２２の外形より突出することがない。

回路基板２２の上面には電子部品３ａ、電子部品３ｂや金属片２４ａが埋設された樹脂部５が形成される。この樹脂部５の上面において金属片２４ａに対応する位置には、溝２５が形成されている。なおこの溝２５は、金属片２４ａの上の樹脂を貫通し、溝２５の底面では金属片２４ａの一部が露出している。

本実施の形態において回路基板２２の上面あるいは内層には、グランド導体８が形成される。なおこのグランド導体８は、基板の外周に沿って形成されており、樹脂部５あるいは回路基板２２の側面からグランド導体８が露出した状態となっている。そして、樹脂部５の上面と側面全周、および回路基板２２の側面、ならびに溝２５の内面にシールド導体９が形成される。これにより、シールド導体９は、回路基板２２側面においてグランド導体８の露出部と接続され、溝２５の底面において金属片２４ａと接続されることになる。これにより、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとに形成された回路それぞれをシールドできるとともに、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間をしっかりとシールドできることとなる。

そして以上の構成により、金属片２４ａが装着されているので、溝２５の深さを浅くてよく、溝２５の幅を小さくできる。従って、境界６によって電子部品３ａや電子部品３ｂを実装できないスペースを小さくすることができ、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの距離を短くすることができるので、モジュールを小型化できる。

さらに、本実施の形態では、金属片２４ａは回路基板２２の幅と同じとしてあるので、金属片２４ａの両端部は樹脂部５から露出する。これによって金属片２４ａは金属片２４ａの両端部でもシールド導体９と接続される。したがって、さらにしっかりと回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとに形成された回路それぞれをシールドできる。

なお本実施の形態において、シールド導体９はスパッタにより形成されているので、非常に緻密な膜を形成することができるので、非常に良好なシールドを得ることができる。

図３（ａ）は、本実施の形態のモジュール２１における他の例の金属片の上面図である。図３（ａ）に示したように、金属片２４ａには細幅部３１を形成しておいても良い。このとき、金属片２４ａには、細幅部３１よりも太い幅を有した装着部３２を設け、この装着部３２でグランド導体２３へ接続される。本実施の形態では装着部３２を金属片２４ａの両端に形成することによって、安定して実装が可能となる。ただし装着部３２は、回路ブロック４ａや回路ブロック４ｂの形状に応じて、１箇所以上設ければよい。また装着部３２や細幅部３１の位置も回路ブロック４ａや回路ブロック４ｂの形状に応じて、適宜変更すればよい。このように細幅部３１が形成されるので、境界６の近傍に電子部品３ａ、電子部品３ｂを実装可能となるので、さらに回路基板２２を有効に利用できる。したがって、モジュール２１を小型化することができる。そしてこの例において、細幅部３１の幅が細い場合、溝２５の幅は細幅部３１の幅より大きくすると良い。これによりたとえ溝２５がずれた位置に加工された場合や、金属片２４ａがずれて装着されても、確実に金属片２４ａを露出させることができる。

図３（ｂ）は同、第３の例の金属片の上面図である。図３（ｂ）に示すように、金属片２４ａは薄い金属製の鋼板を折り曲げて形成してもよい。この場合金属片２４ａには境界６上に配置される仕切り部３５が形成される。装着部３６は、この仕切り部３５から折り曲げて形成されている。このように薄い鋼板を折り曲げて形成されるので、金属片２４ａによって電子部品３ａや電子部品３ｂを実装できない領域が小さくできる。したがって、モジュール２１を小型化できる。ここで本例の場合、仕切り部３５の両側へ装着部３６を設けているので、金属片２４ａを回路基板２２へ装着時に、倒れや傾きなどが発生しにくくなる。したがって、電子部品３ａや電子部品３ｂを仕切り部３５に対して近接して実装できるので、さらに回路基板２２を有効に利用することができる。

図４（ａ）は第４の例の金属片を用いたモジュール２１を上部から見た断面図であり、図４（ｂ）は、同上面図である。図４（ａ）、図４（ｂ）において、図１から図３と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化してある。図４（ａ）、図４（ｂ）において、金属片２４ｂは短い四角柱状（チップ部品状）の形状とし、この金属片２４ｂを境界６上に並べて実装する。この場合、金属片２４ｂはチップ部品状であるので、汎用の実装機を用いて実装することができるので、非常に生産性が良好である。なおこのとき、金属片２４ｂは溝２５によって金属片２４ｂの一部が露出する範囲で、ずらして装着することもできる。これによって、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間の境界６が凸凹していても、容易に境界６に沿ったシールドを行うことができる。また、この場合、隣り合う金属片２４ｂ同士の間には隙間が設けられるので、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂの回路の間の接続は、この隙間で行なう。つまり、この隙間の位置において、回路基板２２の上面に信号配線導体を配線すれば良いので、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間の接続のために多層基板とする必要がなく、安価なモジュール２１を実現できる。図４では、３個の金属片２４ｂを回路基板２２上に実装したが、これは３個に限るものではなく、回路基板２２の幅の寸法や、境界６の形状に応じて適宜決めれば良い。

図５（ａ）は境界がＴ字型である場合のモジュールの断面図であり、図５（ｂ）は同、上面図である。なお、これら図５（ａ）、図５（ｂ）において、図１から図４と同じものについては同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図５（ａ）、図５（ｂ）において、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間には、境界６を有しており、この境界６上には金属片２４ａが装着されている。さらに回路ブロック４ｂは、境界６ａによって回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄとの２つに分離されている。なお、境界６と境界６ａとはＴ字型をなしており、これら境界６と境界６ａに対し、それぞれ金属片２４ａと金属片２４ｃが装着される。そしてこの場合溝２５は、金属片２４ａ、金属片２４ｃを露出させるために十字に形成されている。この構成により、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄとの間をそれぞれシールドすることが可能となる。

ただしこの場合、溝２５はモジュール２１を横断するように形成されるので、樹脂部５の上面において、金属片２４ｃがない領域（境界６ａの延長線上の位置）にも溝２５が形成されることとなる。しかし、この溝２５は金属片２４ｃが露出するだけの深さで良いため、浅くできる。従って溝２５の下方となる位置にも電子部品３ａを実装することができる。

このように金属片２４ａと金属片２４ｃとをＴ字型に配置する場合、金属片２４ａと金属片２４ｃとの間には隙間を設けておく。これは金属片２４ａあるいは金属片２４ｃの実装ずれによって金属片２４ａと金属片２４ｃとが当たらないようにするためである。そこでこの隙間は実装ずれの最大寸法程度としておく。一般的な実装機では約０．１５ｍｍ程度の隙間を設けておく。そしてこの隙間はクリーム半田４２によって接合することによって、さらに確実にシールドを行っている。

図６（ａ）は境界がＬ字型である場合のモジュールの断面図であり、図６（ｂ）は同、上面図である。なお、これら図６（ａ）、図６（ｂ）において、図１から図５と同じものについては同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。図６（ａ）、図６（ｂ）において、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間には、境界６ａと境界６ｂとを有しており、これら境界６ａと境界６ｂとはＬ字型をなしている。そこで、境界６ａと境界６ｂに対し、それぞれ金属片２４ｃと金属片２４ｄが装着される。ただし溝２５は金属片２４ｃ、金属片２４ｄを露出させるために十字に形成される。なお溝２５はモジュール２１を横断するように形成されるので、樹脂部５の上面において、金属片２４ｃ、金属片２４ｄがない領域５２や領域５３（境界６ａ、境界６ｂの延長線上の位置）にも溝２５が形成されることとなる。しかし、この溝２５は金属片２４ｃ、金属片２４ｄが露出するだけの深さで良いため、浅くできる。従って領域５２や領域５３の溝２５の下方の位置にも電子部品３ａを実装することができるので、実装スペースを損なうことがない。

なお金属片２４ｃ、金属片２４ｂには、本実施の形態で記載したいずれかの金属片２４ａあるいは金属片２４ｂを用いても構わない。またこのように境界６ａと境界６ｂとはＬ字型に限らず、Ｕ字型やロの字型であっても良く、同様にそれぞれの境界６ａや境界６ｂ上に金属片２４ｃや金属片２４ｄを装着する。これによりさまざまな形状や配置の回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂをシールドできる。

図７は、本実施の形態におけるモジュールの製造フローチャートである。図７において、図１、図２と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。連結基板４０は、複数個の回路基板２２がある一定の間隔で配置され、これらの回路基板２２同士の間は連結部によって連結されている。クリーム半田印刷工程４１では、この連結基板４０の上面にメタルマスクなどによって、クリーム半田４２を塗布する。このとき電子部品３ａや電子部品３ｂを装着する位置やグランド導体２３上にクリーム半田４２が塗布される。

実装工程４３ではクリーム半田印刷工程４１の後で、回路基板２２上面の所定の位置へ電子部品３ａや電子部品３ｂを装着するとともに、金属片２４ａをグランド導体２３上へ装着する。ここで金属片２４ａの長さは回路基板２２の幅より大きく、金属片２４ａの両端が回路基板２２外周となる位置より突出するように装着される（ここでは金属片２４ａで代表して説明する。なお金属片２４ｂ、金属片２４ｃ、金属片２４ｄもこの実装工程４３で回路基板２２上に実装される。）。そしてリフロー工程４４では実装工程４３の後で、クリーム半田４２を加熱して溶融し、冷却して硬化させることにより、電子部品３ａ、電子部品３ｂや、金属片２４ａを回路基板２２上へはんだによって接続・固定する。

モールド工程４５はリフロー工程４４の後で、連結基板４０の上面（電子部品３ａ、電子部品３ｂ、金属片２４ａが実装された面側）に樹脂部５を形成する工程である。本実施の形態においては、トランスファー樹脂成型金型によって連結基板４０上にキャビティを形成し、このキャビティへ溶けた樹脂５ａを流し込み、硬化させる。これにより電子部品３ａ、電子部品３ｂ、金属片２４ａが埋設された樹脂部５が回路基板２２の上面に形成される。なおこのとき、金属片２４ａが完全に樹脂５ａで埋まるようにしておく。

溝加工工程４６はモールド工程４５の後で、樹脂部５上面に溝２５を形成する工程である。この溝加工工程４６では、金属片２４ａに対応する位置にダイシング歯によって樹脂部５に溝２５を形成するものであり、溝２５は樹脂部５から金属片２４ａが露出する深さまで加工される。これにより、樹脂部５の溝２５の底では金属片２４ａが露出した状態となる。なお、溝２５は回路基板２２の端から端まで完全に横断するように形成される。なお、金属片２４ａと金属片２４ｃあるいは金属片２４ｃと金属片２４ｄのように互いに直交して金属片が配置される場合、溝２５は十字に形成される。この場合も縦横の溝２５ともに回路基板２２を完全に横断するように設けられる。

分割工程４７は溝加工工程４６の後で、ダイシング歯によって樹脂部５と回路基板２２間を連結する連結部とを切断し、回路基板２２を分離する。これにより、回路基板２２の側面からグランド導体８が露出することとなる。なお本実施の形態では金属片２４ａの両端部（あるいは金属片２４ｃの端部）は回路基板２２の外周へ突出しているので、この分割工程４７において金属片２４ａの両端部（あるいは金属片２４ｃの端部）も切断されることとなる。これによって、金属片２４ａの両端（あるいは金属片２４ｃの端部）が樹脂部５側面から露出することとなる。

そしてシールド導体形成工程４８は分割工程４７の後で、樹脂部５（上面と側面）と回路基板２２の側面とにシールド導体９を形成する。このとき、溝２５の底部に形成される金属片２４ａの露出部の上や、回路基板２２の側面に形成されるグランド導体８の露出部の上、そして樹脂部５の側面に露出した金属片２４ａの両端部（あるいは金属片２４ｃの端部）にもシールド導体９が形成される。これにより、シールド導体９と金属片２４ａ（あるいは金属片２４ｃ）やシールド導体９とグランド導体８とが接続され、回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂ（Ｔ字型配置の場合には、および回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄ）とがシールドされたモジュール２１が完成する。つまり、回路ブロック４ａ、回路ブロック４ｂはそれぞれ、グランド導体２３、金属片２４ａ、シールド導体９とに囲まれることとなるので、回路ブロック４ａ、回路ブロック４ｂ（Ｔ字型配置の場合には、および回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄ）は、それぞれしっかりとシールドできる。

そこで例えば回路ブロック４ａあるいは回路ブロック４ｂ（Ｔ字型配置の場合には、および回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄ）に高周波回路を形成しても、互いの回路間の干渉を小さくできるので、それらの回路ブロック４ａ、回路ブロック４ｂを近い位置に配置することもできる。従ってそれら回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間の距離（Ｔ字型配置の場合には、回路ブロック４ｃと回路ブロック４ｄとの距離も）を小さくできるので、小型なモジュール２１を実現できる。なお本実施の形態においてシールド導体９は、スパッタリングにより形成されるので、非常に緻密なシールド導体９を形成できるので、シールド性が良好である。

本実施の形態において、金属片２４ａ、金属片２４ｃや金属片２４ｄの端部は回路基板２２の外周より突出するように装着され、分割工程４７によって切断されて、破断面が樹脂部５から露出する構成としている。しかし、金属片２４ａ、金属片２４ｂや金属片２４ｄの端部を回路基板２２の外周より突出しない程度としておいても良い。この場合、分割工程４７において金属片２４ａ、金属片２４ｃや金属片２４ｄが切断されないので、ダイシング歯の寿命を長くできるとともに、モジュール２１外形にダイシングによる金属バリが生じない。これは、モジュール２１をマザー基板へ装着する場合に、モジュール２１に隣接する電子部品などとの間でのショートを発生させないために重要である。

また、逆に金属片２４ｂを回路基板２２から突出するように装着しておいても良い。これにより、金属片２４ｂが樹脂部５の側面においてもシールド導体９と接続できるので、さらにシールド性が向上する。さらに、金属片２４ｂ同士の間をクリーム半田４２などで埋めると良く、金属片２４ｂ同士の隙間が小さくなるので、さらにシールド性が良好になる。

本発明にかかるモジュールは、小型化できるという効果を有し、複数の高周波回路ブロックが形成された高周波モジュール等に用いると有用である。

３ａ電子部品
３ｂ電子部品
４ａ回路ブロック
４ｂ回路ブロック
５樹脂部
６境界
９シールド導体
２２回路基板
２４ａ金属片
２５溝

Claims

回路基板と、この回路基板上に装着された複数の電子部品と、これらの電子部品を覆うとともに、前記回路基板の上面に形成された樹脂部と、この樹脂部の上面と側面とに形成されたシールド導体とを有し、前記回路基板の上面には、第１の回路ブロックと、前記回路基板上において前記第１の回路ブロックに隣接して形成された第２の回路ブロックと、前記回路基板の上面において前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間に設けられた第１の境界とを備え、この第１の境界上に装着された第１の金属片と、前記樹脂部上面において少なくとも前記第１の金属片に対応する位置に形成された第１の溝とを設け、前記第１の溝には前記第１の金属片の一部が前記樹脂部より露出された第１の露出部を設けるとともに、前記第１の溝には前記シールド導体が形成され、前記第１の露出部で前記第１の金属片と前記シールド導体とが接続されたモジュール。
溝は樹脂部上面を一直線に横断して形成された請求項１に記載のモジュール。
回路基板上面から溝の底までの高さは、前記電子部品の高さより高くした請求項２に記載のモジュール。
第１の境界はＬ字型をなして形成され、前記第１の金属片は直線状であるとともに、前記金属片が前記第１の境界に沿ってＬ字型に配置された請求項３に記載のモジュール。
前記第２の回路ブロックは、第３の回路ブロックと、この第３の回路ブロックに隣接して形成された第４の回路ブロックとを含むとともに、前記第３と前記第４の回路ブロックとの間に設けられた第２の境界とを有し、前記第１と第３と第４の回路ブロックは、前記第１の境界と前記第２の境界とがＴ字型をなす位置に配置され、前記第２の境界上に装着された第２の金属片と、前記樹脂部上面において少なくとも前記第２の金属片に対応する位置に形成された第２の溝とを設け、前記第２の溝には前記第２の金属片の一部が前記樹脂部より露出された第２の露出部を設けるとともに、前記第２の溝には前記シールド導体が形成され、前記第２の露出部で前記第２の金属片と前記シールド導体とが接続された請求項３に記載のモジュール。