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  1. マトリクス状に配置された複数のピクセルを有し、
    前記複数のピクセルの各々は、一又は複数のユニットを有し、
    前記一又は複数のユニットの各々は、複数のサブユニットを有し、
    前記複数のサブユニットの各々は、
    酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタのソース又はドレインと電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、
    前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有することを特徴とする表示装置。
  2. マトリクス状に配置された複数のピクセルを有する画素部と、
    前記画素部と電気的に接続された駆動回路部と、を有し、
    前記複数のピクセルの各々は、一又は複数のユニットを有し、
    前記一又は複数のユニットの各々は、複数のサブユニットを有し、
    前記複数のサブユニットの各々は、
    酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタのソース又はドレインと電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、
    前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有し、
    前記駆動回路部は、選択されたピクセルに逐次、画像信号を書き込んで画像を表示する書込動作を行なう第1の動作モードと、同一画像を表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ書き込まれた画像をそのまま保持させておく第2の動作モードとを選択する機能を有することを特徴とする表示装置。
  3. 請求項において、
    前記同一画像の表示は、文字、図形、記号、写真、模様、若しくは絵、画、若しくはこれらの結合、又はこれらと色彩の結合を含む静止画であることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項2又は3において、
    前記駆動回路部は、前記画素部と同一基板上に設けられており、
    前記駆動回路部は、前記トランジスタの前記ゲート電極に信号を送るゲート線側駆動回路、又は前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に信号を送る信号線側駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
  5. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    明手段を有し、
    前記照明手段の光源は、発光ダイオード、又は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
  6. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記液晶駆動方式が、TN方式、VA方式、MVA方式、IPS方式、CPA方式、PVA方式のいずれか一であることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記液晶層の液晶相が、ネマチック相、スメクチック相、コレステリック相、ブルー相のいずれか一であることを特徴とする表示装置。
  8. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層の上方又は下方に配置されていることを特徴とする表示装置。
  9. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、金属窒化物を有することを特徴とする表示装置。
  10. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度が、5cm/Vsec以上であることを特徴とする表示装置。
  11. 請求項10において、
    前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度が、10cm/Vsec以上150cm/Vsec以下であることを特徴とする表示装置。
  12. 請求項1乃至11のいずれか一項において、
    前記液晶を駆動する電圧範囲において、前記トランジスタのオフ電流が室温にて10zA/μm未満であり、85℃にて100zA/μm未満であることを特徴とする表示装置。
  13. 請求項1乃至12のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体層は真性又は実質的に真性な半導体を有し
    前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。
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