JPH10171369A - 映像用伝送路及び画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】信号線が長くても、信号波形のなまりや各信号
線間のクロストークを低減することが可能な画像表示装
置を提供する。 【解決手段】第１信号線１及び各第２信号線２は、絶縁
層（図示せず）の両側に配されており、相互に交差して
いる。ここでは、第１信号線１と各第２信号線２の交差
部位で、第１信号線１の幅を狭くし、それぞれの交差部
位における第１信号線と第２信号線の対向面積を減少さ
せ、これらの交差部位の容量、つまり第１信号線の寄生
容量を低減している。第１信号線１の幅を各交差部位で
狭くすると、第１信号線１の抵抗の増大が懸念される
が、抵抗の増大による影響よりも、容量の低減の効果の
方が大きいため、容量と抵抗の積である時定数は小さく
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、映像信号や制御
信号を伝送する映像用伝送路に関するものであり、特に
信号遅延や波形歪みを低減することが可能な映像用伝送
路、及び該映像用伝送路を適用した画像表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】画像表示装置としては、例えばアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置と称するものがある。この
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、図８に示す様
にデータ信号線駆動回路１０１及び走査信号線駆動回路
１０２等を備えており、データ信号線駆動回路１０１か
ら各データ信号線１０３を導出し、また走査信号線駆動
回路１０２から各走査信号線１０４を導出し、各データ
信号線１０３と各走査信号線１０４を相互に交差させ、
各交差部位毎に、複数の画素１０５を設け、これらの画
素１０５をマトリクス状に配置している。

【０００３】データ信号線駆動回路１０１は、クロック
信号CKS及び映像信号DATを入力し、クロック信号CKSに
同期して、映像信号DATをサンプリングして、各画素に
与えられるそれぞれの映像信号を各データ信号線１０３
に順次送出する。

【０００４】走査信号線駆動回路１０２は、クロック信
号CKGに同期して、各走査信号線１０４を順次選択して
おり、各走査信号線１０４を選択する度に、走査信号線
１０４に接続されている各画素のスイッチング素子をオ
ンにする。これに伴い、各データ信号線１０３の映像信
号は、水平方向の１行における各画素に順次書き込ま
れ、これらの画素に保持される。

【０００５】各画素１０５は、図９に示す様に、スイッ
チング素子である電界効果トランジスタ１１１と、画素
容量１１２（液晶容量１１２ａ及び必要に応じて付加さ
れる補助容量１１２ｂからなる）を備えている。トラン
ジスタ１１１は、ドレインをデータ信号線１０３に、ソ
ースを画素容量１１２の一方の電極に、ゲートを走査信
号線１０４に接続されている。また、画素容量１１２の
他方の電極は、全画素に共通の共通電極線に接続されて
いる。トランジスタ１１１は、オンにされると、データ
信号線１０３の映像信号を画素容量１１２に印加する。
これによって、画素１０５の液晶の透過率又は反射率が
変調され、表示が行われる。

【０００６】一方、この様なアクティブマトリクス画像
表示装置においては、ガラス等の透明基板上に積層した
非晶質シリコン薄膜を基に、トランジスタ１１１を形成
し、またデータ信号線駆動回路１０１及び走査信号線駆
道回路１０２として、外付けのＩＣを用いることが多か
った。

【０００７】また、近年には、画面の大型化が強く望ま
れており、これを実現するために、画素のトランジスタ
の駆動能力の向上、データ信号線駆動回路及び走査信号
線駆動回路の実装コストの低減、或いは、実装状態にお
ける信頼性の向上が要求されている。これらの要求を先
の非晶質シリコン薄膜やｉＣの外付けによって満たすこ
とが困難であるため、同一基板上に、多結晶シリコン薄
膜を用い、モノリシックに各画素及び各駆動回路等を構
成すると言う技術が報告されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記画像表
示装置においては、映像信号線やクロック信号線が表示
画面の全体に渡って網羅されており、これらの信号線の
寄生抵抗や寄生容量に基づく該各信号線の時定数が無視
できない程に大きい。例えば、図１０に示す様に各信号
線１２１を絶縁層（図示せず）の両側に設け、これらの
信号線１２１を交差させている場合は、それぞれの交差
部位で、寄生容量が大きくなり、この寄生容量のため
に、信号波形のなまりや各信号線１２１間のクロストー
クが大きくなった。このなまりが映像信号に発生する
と、１画素に割り当てるべき映像信号を正確にサンプリ
ングできなくなり、その部分を他の画素のためにサンプ
リングしてしまい、これが表示画面の滲みやゴーストの
原因となった。また、各信号線間のクロストークは、映
像信号の漏れであるから、表示画面の縦縞やシャドーイ
ングの原因となった。

【０００９】特に、先に述べた大型の画面の場合は、モ
ノリシックに各画素及び各駆動回路等を構成すると、デ
ータ信号線駆動回路が画面の水平方向の長さと略同等に
なって、このデータ信号線駆動回路を通る信号線が非常
に長くなり、信号線の時定数の問題が顕著になった。

【００１０】そこで、この発明は、この様な従来技術の
課題を解決すべくなされたものであり、信号線が長くて
も、信号波形のなまりや各信号線間のクロストークを低
減することが可能な画像表示装置を提供することを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、第１信号線と第２信号線を絶縁層の両
側にそれぞれ設け、これらの信号線を交差させて配置し
た映像用伝送路において、第１信号線と第２信号線の交
差部位で、これらの信号線のうちの少なくとも一方の幅
を狭くしている。

【００１２】この様に第１信号線と第２信号線の交差部
位で、これらの信号線のうちの少なくとも一方の幅を狭
くすると、両者の信号線の寄生容量が大幅に低減する。
このため、交差部位で幅を狭くした信号線の抵抗が若干
大きくなったとしても、容量と抵抗の積である時定数が
低減し、映像信号や制御信号への悪影響、つまり信号波
形のなまりや、クロストークによるノイズの増加を抑え
ることができ、信号線の末端まで原波形に忠実な映像信
号を伝送して、表示画像の品質を高く維持することがで
きる。

【００１３】例えば、マトリクス状に配された各画素
と、映像信号をクロック信号に同期してサンプリング
し、この映像信号を各データ信号線を通じて各画素に伝
送するデータ信号線駆動回路とを備える画像表示装置に
おいて、請求項１に記載の映像用伝送路がデータ信号線
駆動回路に含まれても良い。

【００１４】更に、請求項１に記載の映像用伝送路、各
画素及びデータ信号線駆動回路を同一基板上に形成して
も構わない。

【００１５】すなわち、この発明の映像用伝送路を画像
表示装置に適用すると共に、同一基板上に、データ信号
線駆動回路、第１及び第２信号線、及び各画素をモノリ
シックに形成する。この様な構成においては、データ信
号線駆動回路を画面の水平方向の長さと略同等にする
と、このデータ信号線駆動回路に含まれる第１信号線が
非常に長くなり、この第１信号線の時定数の増大を招き
易い。ところが、第１信号線に交差する全ての信号線を
第２信号線に該当するものとし、第１信号線と第２信号
線の交差部位で、これらの信号線のうちの少なくとも一
方の幅を狭くすれば、この第１信号線の時定数の増大を
抑えることができ、この発明の効果を十分に発揮するこ
とができる。

【００１６】更に、基板上に多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタを形成し、この多結晶シリコン薄膜トランジスタ
によって、データ信号線駆動回路を構成しても良い。

【００１７】この場合、データ信号線駆動回路のトラン
ジスタを製造するに際し、各画素のトランジスタをも略
同一のプロセスで製造することが可能となるので、画像
表示装置の同一基板上への形成を極めて容易に実現する
ことができる。

【００１８】また、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
は、単結晶シリコントランジスタのものと比較すると、
その特性が劣っているので、データ信号線駆動回路の各
トランジスタのサイズ（チャネル幅）を大きくする必要
があり、これに伴って第１信号線の寄生容量が大きくな
る傾向にある。このため、この様に多結晶シリコン薄膜
トランジスタを適用した画像表示装置においては、この
発明の映像用伝送路の適用が非常に有効である。

【００１９】更に、この多結晶シリコン薄膜トランジス
タをガラス基板上に６００℃以下のプロセスで製造して
も良い。

【００２０】この場合、安価で、大型化が容易なガラス
基板を用いるので、表示画面の大型化を容易に図ること
ができ、製造コストを大幅に低減することができる。

【００２１】一方、この様な大型の画像表示装置の場合
は、先に述べた様に信号線の時定数の増大を招き易く、
かつトランジスタのサイズ（チャネル幅）を大きくする
必要があって、第１信号線の寄生容量が大きくなる傾向
にあるので、この発明の映像用伝送路の適用が非常に有
効となる。

【００２２】逆に言えば、この発明の映像用伝送路を画
像表示装置に適用することによって、この画像表示装置
の大型化を図り易くなる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。

【００２４】図１は、この発明の映像用伝送路の第１実
施形態を示している。同図において、第１信号線１及び
各第２信号線２は、絶縁層（図示せず）の両側に配され
ており、相互に交差している。

【００２５】ここでは、第１信号線１と各第２信号線２
の交差部位で、第１信号線１の幅を狭くし、それぞれの
交差部位における第１信号線と第２信号線の対向面積を
減少させ、これらの交差部位の容量、つまり第１信号線
の寄生容量を低減している。

【００２６】第１信号線１の幅を各交差部位で狭くする
と、この第１信号線１の抵抗の増大が懸念されるが、抵
抗の増大による影響よりも、容量の低減の効果の方が大
きいため、容量と抵抗の積である時定数は小さくなる。

【００２７】例えば、各交差部位毎に、第１信号線１の
幅を１／２にして、１／２の幅となる部分を第１信号線
１全体の１／４の長さに設定した場合、第１信号線１の
寄生容量が１／２となり、かつ第１信号線１の抵抗が５
／４となる。したがって、容量と抵抗の積である時定数
は、５／８となって、大幅に低減される。

【００２８】この様に第１信号線１の時定数を大幅に低
減すれば、第１信号線１に伝送される信号については、
波形のなまりや、クロストークによるノイズを低減する
ことができ、良好な表示品質を得ることができる。

【００２９】図２は、この発明の映像用伝送路の第２実
施形態を示している。この第２実施形態では、第１信号
線１１と各第２信号線１２の交差部位で、各第２信号線
の幅を狭くし、第１信号線１１の寄生容量を低減してい
る。

【００３０】この様に各第２信号線１２の幅を部分的に
狭くすれば、第１信号線１１の抵抗の増大を伴わずに、
この第１信号線１１の寄生容量を低減することができ
る。

【００３１】一方、各第２信号線１２の抵抗の増大が懸
念されるが、その幅を部分的に狭くする各第２信号線１
２として、十分に短いものを選択すれば、各第２信号線
１２の抵抗の増大の影響は殆どない。

【００３２】例えば、各交差部位毎に、第２信号線１２
の幅を１／２に設定した場合、第１信号線１１の寄生容
量が１／２となり、しかも、第１信号線１１の抵抗が変
わらないため、時定数は１／２となる。

【００３３】図３は、この発明の映像用伝送路の第３実
施形態を示している。この第３実施形態では、第１信号
線２１と各第２信号線２２の交差部位で、第１信号線２
１の幅を狭くすると共に、各第２信号線２２の幅を狭く
しているので、これらの交差部位の容量、つまり第１信
号線の寄生容量が大幅に低減される。

【００３４】第１信号線２１の抵抗の増大が懸念される
が、抵抗の増大による影響よりも、容量の低減の効果の
方が大きいため、時定数は十分に小さくなる。

【００３５】例えば、各交差部位毎に、第１及び第２の
信号線２１，２２の幅を１／２にして、１／２の幅とな
る部分を第１信号線２１全体の１／４の長さに設定した
場合、第１信号線２１の寄生容量が１／４となり、かつ
第１信号線２１の抵抗が５／４となるので、時定数は、
５／１６となって、より大幅に低減される。

【００３６】なお、上記各実施形態においては、各信号
線の交差部位で（交差部位の近傍を含む）、信号線の幅
を狭くしているが、この信号線の幅を狭くする範囲（信
号線の幅が拡がる部位と、この信号線に交差する他方の
信号線との離間距離に対応する）を適宜に設定する必要
がある。例えば、この離間距離として、第１及び第２信
号線の位置合わせの許容誤差（アライメントマージン）
と、第１及び第２信号線間のフリンジ容量（対向部分以
外の該各信号線間の容量成分）が十分に小さくなる各信
号線間の距離（絶縁層の厚みに相当する）との和を設定
するのが好ましい。位置合わせの許容誤差と、フリンジ
容量が十分に小さくなる各信号線間の距離は、第１及び
第２信号線の層の厚みや、第１及び第２信号線間の絶縁
層の厚み、あるいは、プロセス装置の仕様や使用条件で
異なるため、製造プロセスに合わせて最適な値に設定す
る必要がある。

【００３７】ただし、信号線の幅が拡がっている部位
と、この信号線に交差する他方の信号線との離間距離を
長くすることは、幅が狭くなった信号線の部分を長くし
て、信号線の抵抗を増大させることなので、必要以上に
大きくすることは避けるべきである。

【００３８】図４は、この発明の画像表示装置の一実施
形態を示している。この画像表示装置では、データ信号
線駆動回路３１から各データ信号線３２を導出し、走査
信号線駆動回路３３から各走査信号線３４を導出し、各
データ信号線３２と各走査信号線３４を相互に交差さ
せ、各交差部位毎に、複数の画素３５を設け、これらの
画素３５をマトリクス状に配置している。

【００３９】表示制御部３６は、クロック信号CKS及び
映像信号DAT等をデータ信号線駆動回路３１に送出する
と共に、クロック信号CKG等を走査信号線駆動回路３３
に送出する。

【００４０】電圧源３７は、電圧をデータ信号線駆動回
路３１及び走査信号線駆動回路３３に供給する。

【００４１】データ信号線駆動回路３１は、表示制御部
３６からのクロック信号CKS及び映像信号DAT等を入力
し、クロック信号CKSに同期して、映像信号DATをサンプ
リングし、各画素に与えられるそれぞれの映像信号を各
データ信号線３２に順次送出する。

【００４２】走査信号線駆動回路３３は、表示制御部３
６からのクロック信号CKG等を入力し、このクロック信
号CKGに同期して、各走査信号線３４を順次選択し、各
走査信号線１０４を選択する度に、走査信号線３４に接
続されている各画素のスイッチング素子をオンにする。
これに伴い、各データ信号線３２の映像信号は、水平方
向の１行における各画素に順次書き込まれ、これらの画
素に保持される。

【００４３】一方、データ信号線駆動回路３１、走査信
号線駆動回路３３及び各画素３５等は、ガラス基板３８
上に、多結晶シリコン薄膜を用い、モノリシックに形成
されている。また、データ信号線駆動回路３１は、表示
画面の水平方向の一辺に沿って配され、この表示画面の
水平方向の長さと略同等にされている。

【００４４】この様な構成においては、ガラス基板３８
が安価なものであり、また各駆動回路３１，３３や各画
素３５等が多結晶シリコン薄膜を用いてモノリシックに
形成されるので、表示画面の大型化及び製造コストの大
幅な低減を図ることができるものの、データ信号線駆動
回路３１が画面の水平方向の長さと略同等なために、こ
のデータ信号線駆動回路３１に含まれる信号線が非常に
長くなり、この信号線の時定数の増大を招き易い。

【００４５】また、多結晶シリコン薄膜を基にして、デ
ータ信号線駆動回路３１のトランジスタ及び各画素３５
のトランジスタを略同一のプロセスで製造することが可
能となり、画像表示装置の同一基板上への形成を極めて
容易に実現することができるものの、多結晶シリコン薄
膜トランジスタの特性は、単結晶シリコントランジスタ
のものと比較すると、劣っているので、データ信号線駆
動回路３１の各トランジスタのサイズ（チャネル幅）を
大きくする必要があり、これに伴って信号線の寄生容量
が大きくなってしまう。

【００４６】そこで、この画像表示装置においては、図
１、図２及び図３に示す第１、第２及び第３実施形態の
うちのいずれかの映像用伝送路をデータ信号線駆動回路
３１に適用し、これによってデータ信号線駆動回路３１
の信号線の寄生容量の低減を図っている。

【００４７】例えば、図１に示す第１実施形態の映像伝
送路をデータ信号線駆動回路３１に適用する。第１信号
線１として扱われるものは、データ信号線駆動回路３１
の長辺に沿って配され、このデータ信号線駆動回路３と
略同等の長さを有し、映像信号や、映像信号のサンプリ
ングのタイミングを指示するクロック信号を伝送する信
号線である。

【００４８】第２信号線２は、データ信号線駆動回路１
０１に含まれていても、含まれていなくても、またどの
様な信号を伝送するものであっても良く、あるいは接地
されていても構わない。

【００４９】先に述べた様に、第１信号線１と各第２信
号線２の各交差部位毎に、第１信号線１の幅を１／２に
して、１／２の幅となる部分を第１信号線１全体の１／
４の長さに設定した場合、第１信号線１の寄生容量が１
／２となり、かつ第１信号線１の抵抗が５／４となっ
て、容量と抵抗の積である時定数は、５／８に低減され
る。これによって、第１信号線１に伝送される映像信号
や制御信号については、波形のなまりや、クロストーク
によるノイズを低減することができ、良好な表示品質を
得ることができる。

【００５０】また、図２に示す第２実施形態の映像伝送
路をデータ信号線駆動回路３１に適用する場合、第１信
号線１１は、データ信号線駆動回路３１の長辺に沿って
配され、このデータ信号線駆動回路３と略同等の長さを
有し、映像信号やクロック信号を伝送する。

【００５１】第２信号線１２は、データ信号線駆動回路
３１に含まれていても、含まれていなくても、またどの
様な信号を伝送するものであっても良く、あるいは接地
されていても構わない。

【００５２】先に述べた様に、第２信号線１２の幅を１
／２に設定した場合、第１信号線１１の寄生容量が１／
２となり、しかも、第１信号線１１の抵抗が変わらない
ため、時定数は１／２となる。

【００５３】更に、図３に示す第３実施形態の映像伝送
路をデータ信号線駆動回路３１に適用する場合、第１信
号線２１は、データ信号線駆動回路３１の長辺に沿って
配され、このデータ信号線駆動回路３と略同等の長さを
有し、映像信号やクロック信号を伝送する。

【００５４】第２信号線１２は、データ信号線駆動回路
３１に含まれていても、含まれていなくても、またどの
様な信号を伝送するものであっても良く、あるいは接地
されていても構わない。

【００５５】先に述べた様に、各交差部位毎に、第１及
び第２の信号線２１，２２の幅を１／２にして、１／２
の幅となる部分を第１信号線２１全体の１／４の長さに
設定した場合、第１信号線２１の寄生容量が１／４とな
り、かつ第１信号線２１の抵抗が５／４となるので、時
定数は、５／１６となって、より大幅に低減される。

【００５６】すなわち、表示画面の大型化、及び製造コ
ストの大幅な低減を図るには、ガラス基板３８上に、多
結晶シリコン薄膜を用い、各駆動回路３１，３３及び各
画素３５をモノリシックに形成すれば良いが、これに伴
ってデータ信号線駆動回路３１に含まれる信号線の寄生
容量が非常に大きくなるので、図１、図２及び図３に示
す第１、第２及び第３実施形態のうちのいずれかの映像
用伝送路を適用して、データ信号線駆動回路３１の信号
線の寄生容量の低減を図っている。逆に言えば、この発
明の映像用伝送路を適用することによって、この様な画
像表示装置の大型化が可能となる。

【００５７】図５は、図４の画像表示装置におけるデー
タ信号線駆動回路３１の構成を例示している。

【００５８】このデータ信号線駆動回路３１は、各クロ
ック信号線４１，４２、シフトレジスタ４３、各バッフ
ァ４４、各映像信号線４５，４６，４７、及び各トラン
ジスタ４８を備えている。

【００５９】各クロック信号線４１，４２は、表示制御
部３６からの各クロック信号CKS，／CKSを伝送してい
る。シフトレジスタ４３は、表示制御部３６からのサン
プリング信号SPSを入力し、各クロック信号CKS，／CKS
に同期して、このサンプリング信号SPSを各バッファ４
４に順次送出する。

【００６０】各映像信号線４５，４６，４７は、各映像
信号DAT1，DAT2，DAT3を伝送している。各トランジスタ
４８は、３個ずつにグループ分けされており、各グルー
プ毎に、バッファ４４からのサンプリング信号SPSに応
答してオンとなり、各映像信号線４５，４６，４７の各
映像信号DAT1，DAT2，DAT3をサンプリングして、これら
の映像信号DAT1，DAT2，DAT3を各データ信号線３２に送
出する。

【００６１】この様な手順で行われる映像信号のサンプ
リングとデータ信号線への送出を点順次方式と称してい
る。

【００６２】ここで、各クロック信号線４１，４２及び
各映像信号線４５，４６，４７は、データ信号線駆動回
路３１の長辺に沿って配され、このデータ信号線駆動回
路３と略同等の長さを有し、映像信号やクロック信号を
伝送する。

【００６３】仮に、各クロック信号線４１，４２及び各
映像信号線４５，４６，４７の寄生容量が大きいと、各
クロック信号CKS，／CKSや各映像信号DAT1，DAT2，DAT3
の波形になまりが発生して、１画素に割り当てるべき映
像信号を正確にサンプリングすることができなくなり、
表示画像の品質が低下する。

【００６４】そこで、各クロック信号線４１，４２及び
各映像信号線４５，４６，４７には、先の第１信号線を
適用し、これらの第１信号線に交差する全ての信号線に
は、先の第２信号線を適用し、これによって各クロック
信号線４１，４２及び各映像信号線４５，４６，４７の
寄生容量を低減し、表示画像の品質を維持する。

【００６５】なお、ここでは、点順次方式のアナログ型
データ信号線駆動回路を例示しているが、これに限定さ
れるものでなく、デジタル型も含めて他のあらゆるデー
タ信号線駆動回路に、この発明の映像伝送路を適用する
ことができる。デジタル型データ信号線駆動回路におい
ては、映像信号線の本数が増えるので、これに伴って信
号線の交差部位も増加するから、この発明の映像伝送路
の有効性が高くなる。あるいは、表示画面又は撮像画面
を有するならば、画面上のいずれの部位においても、こ
の発明の映像伝送路を適用することができる。

【００６６】図６は、図４のデータ信号線駆動回路３１
におけるトランジスタ、すなわちガラス基板上の多結晶
シリコン薄膜トランジスタの断面構造を示し、図７
（ａ）〜（ｋ）は、その製造工程を示している。

【００６７】この多結晶シリコン薄膜トランジスタは、
ガラス基板上に、正スタガー構造で形成されたものであ
る。

【００６８】この薄膜トランジスタを作製するには、ま
ず図７（ａ），（ｂ）に示す様にガラス基板３８上に
（ガラス基板３８の表面にシリコン酸化膜を予め形成し
ても良い）、非晶質シリコン薄膜５１を形成し、この非
晶質シリコン薄膜５１にエキシマレーザを照射して、図
７（ｃ）に示す様に多結晶シリコン薄膜５２を形成す
る。

【００６９】次に、図７（ｄ）に示す様に多結晶シリコ
ン薄膜５２を所望の形状にパターニングしてから、図７
（ｅ）に示す様にゲート絶縁膜５３を形成する。

【００７０】更に、図７（ｆ）に示す様に薄膜トランジ
スタのゲート５４をアルミニウム等によって形成し、図
７（ｇ），（ｈ）に示す様に表面部分をレジスト５５に
よって覆い、不純物イオン（ｎ型領域には燐イオン、ｐ
型領域には硼素イオン）を注入して、薄膜トランジスタ
のソース領域５６及びドレイン領域５６を形成する。

【００７１】この後、図７（ｉ）に示す様に二酸化シリ
コン又は窒化シリコンからなる層間絶縁膜５７を堆積
し、図７（ｊ）に示す様に層間絶縁膜５７にコンタクト
ホール５８を形成し、図７（ｋ）に示す様に金属配線５
９をアルミニウム等によって形成する。

【００７２】この製造工程においては、プロセスの最高
温度がゲート絶縁膜５３の形成時の６００℃であるの
で、ガラス基板３８として、米国コーニング社製の１７
３７ガラス（商品名）等の高耐熱性ガラスを適用するこ
とができる。

【００７３】なお、液晶表示装置においては、上記製造
工程の後に、更に層間絶縁膜を介して、透明電極（透過
型液晶表示装置の場合）や反射電極（反射型液晶表示装
置の場合）を形成することになる。

【００７４】この製造工程の説明から明らかな様に、ガ
ラス基板３８が安価であって、大型のものを容易に利用
することができ、また多結晶シリコン薄膜トランジスタ
を適用して、各駆動回路３１，３３や各画素３５等を略
同一のプロセスでモノリシックに形成することができ、
これによって表示画面の大きな画像表示装置を提供する
ことが可能になる。

【００７５】また、この様に比較的低温で形成された多
結晶シリコン薄膜トランジスタは、単結晶シリコントラ
ンジスタと比較すれば、勿論のこと、高温で形成された
多結晶シリコン薄膜トランジスタと比較しても、その駆
動力が劣っているので、トランジスタの寸法を十分に大
きくする必要がある。更に、ガラス基板３８の歪みが大
きいので、その影響を避けるためにも、トランジスタや
信号線の寸法を大きくする必要がある。

【００７６】この様にトランジスタや信号線の寸法を大
きくすると、信号線の寄生容量も大きくなる傾向にあっ
て、画像表示装置の表示画面の大型化を阻むので、この
発明の映像伝送路の適用が非常に有効となる。

【００７７】

【発明の効果】以上説明した様に、この発明の映像用伝
送路においては、第１信号線と第２信号線の交差部位
で、これらの信号線のうちの少なくとも一方の幅を狭く
している。

【００７８】このため、交差部位で幅を狭くした信号線
の抵抗が若干大きくなったとしても、容量と抵抗の積で
ある時定数が低減し、信号波形のなまりや、クロストー
クによるノイズの増加を抑えることができ、信号線の末
端まで原波形に忠実な映像信号を伝送して、表示画像の
品質を高く維持することができる。

【００７９】例えば、マトリクス状に配された各画素
と、映像信号をクロック信号に同期してサンプリング
し、この映像信号を各データ信号線を通じて各画素に伝
送するデータ信号線駆動回路とを備える画像表示装置に
おいて、上記映像用伝送路がデータ信号線駆動回路に含
まれても良い。

【００８０】また、同一基板上に、データ信号線駆動回
路、第１及び第２信号線、及び各画素をモノリシックに
形成しても良い。

【００８１】この様な構成においては、データ信号線駆
動回路を画面の水平方向の長さと略同等にすると、この
データ信号線駆動回路に含まれる第１信号線が非常に長
くなり、この第１信号線の時定数の増大を招き易い。と
ころが、第１信号線に交差する全ての信号線を第２信号
線に該当するものとし、第１信号線と第２信号線の交差
部位で、これらの信号線のうちの少なくとも一方の幅を
狭くすれば、この第１信号線の時定数の増大を抑えるこ
とができ、この発明の効果を十分に発揮することができ
る。

【００８２】更に、基板上に多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタを形成し、この多結晶シリコン薄膜トランジスタ
によって、データ信号線駆動回路を構成したり、この多
結晶シリコン薄膜トランジスタをガラス基板上に６００
℃以下のプロセスで製造しても良い。

【００８３】この場合、大型化が容易であって、安価な
ガラス基板を用いるので、表示画面の大型化を容易に図
ることができ、製造コストを大幅に低減することができ
る。

【００８４】一方、この様な大型の画像表示装置の場合
は、先に述べた様に信号線の時定数の増大を招き易く、
かつトランジスタのサイズ（チャネル幅）を大きくする
必要があって、第１信号線の寄生容量が大きくなる傾向
にあるので、この発明の映像用伝送路の適用が非常に有
効となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の映像用伝送路の第１実施形態を示す
平面図

【図２】この発明の映像用伝送路の第２実施形態を示す
平面図

【図３】この発明の映像用伝送路の第３実施形態を示す
平面図

【図４】この発明の画像表示装置の一実施形態を示すブ
ロック図

【図５】図４の画像表示装置におけるデータ信号線駆動
回路３１の構成を例示する回路図

【図６】図４のデータ信号線駆動回路３１におけるトラ
ンジスタを示す断面図

【図７】図６のトランジスタの製造工程を示し、（ａ）
はガラス基板３８を示し、（ｂ）は非晶質シリコン薄膜
５１の形成工程を示し、（ｃ）は多結晶シリコン薄膜５
２の形成工程を示し、（ｄ）は多結晶シリコン薄膜５２
のパターニング工程を示し、（ｅ）はゲート絶縁膜５３
の形成工程を示し、 （ｆ）はゲート５４の形成工程を
示し、（ｇ），（ｈ）はソース領域５６及びドレイン領
域５６の形成工程を示し、（ｉ）は層間絶縁膜５７の堆
積工程を示し、（ｊ）はコンタクトホール５８の形成工
程を示し、（ｋ）は金属配線５９の形成工程を示す

【図８】従来の画像表示装置の一実施形態を示すブロッ
ク図

【図９】図８の画素の構成を示す回路図

【図１０】図８の装置における各信号線を示す平面図

【符号の説明】

１，１１，２１ 第１信号線 ２，１２，２２ 第２信号線 ３１ データ信号線駆動回路 ３２ データ信号線 ３３ 走査信号線駆動回路 ３４ 走査信号線 ３５ 画素 ３６ 表示制御部 ３７ 電圧源 ３８ ガラス基板 ４１，４２ クロック信号線 ４３ シフトレジスタ ４４ バッファ ４５，４６，４７ 映像信号線 ４８ トランジスタ ５１ 非晶質シリコン薄膜 ５２ 多結晶シリコン薄膜 ５３ ゲート絶縁膜 ５４ ゲート ５５ レジスト ５６ ソース領域及びドレイン領域 ５７ 層間絶縁膜 ５８ コンタクトホール ５９ 金属配線

フロントページの続き (72)発明者 勝冶 洋子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 白木 一郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１信号線と第２信号線を絶縁層の両側
   にそれぞれ設け、これらの信号線を交差させて配置した
   映像用伝送路において、 第１信号線と第２信号線の交差部位で、これらの信号線
   のうちの少なくとも一方の幅を狭くした映像用伝送路。
2. 【請求項２】 マトリクス状に配された各画素と、映像
   信号をクロック信号に同期してサンプリングし、この映
   像信号を各データ信号線を通じて各画素に伝送するデー
   タ信号線駆動回路とを備える画像表示装置において、 請求項１に記載の映像用伝送路は、データ信号線駆動回
   路に含まれる画像表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の映像用伝送路における
   第１信号線及び第２信号線のうちの少なくとも一方は、
   映像信号もしくは制御信号を伝送する請求項２に記載の
   画像表示装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の映像用伝送路、各画素
   及びデータ信号線駆動回路を同一基板上に形成した請求
   項２又は３に記載の画像表示装置。
5. 【請求項５】 データ信号線駆動回路は、基板上に形成
   された多結晶シリコン薄膜トランジスタを含む請求項４
   に記載の画像表示装置。
6. 【請求項６】 基板は、ガラス基板であって、多結晶シ
   リコン薄膜トランジスタは、６００℃以下のプロセスで
   該ガラス基板上に形成される請求項５に記載の画像表示
   装置。