JPH08179370A - 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法 - Google Patents
薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法Info
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- JPH08179370A JPH08179370A JP32248894A JP32248894A JPH08179370A JP H08179370 A JPH08179370 A JP H08179370A JP 32248894 A JP32248894 A JP 32248894A JP 32248894 A JP32248894 A JP 32248894A JP H08179370 A JPH08179370 A JP H08179370A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画素分割構成をとる薄膜トランジスタ液晶表
示装置において、ソース電圧振幅の低減を目的とする。 【構成】 ゲート配線１、ソース配線２、蓄積容量配線
３、対向電極７が形成され、画素電極が複数の副画素電
極５ａ、５ｂから形成され、薄膜トランジスタが複数の
副薄膜トランジスタ６ａ、６ｂから形成され、蓄積容量
配線と各副画素電極間毎に副蓄積容量１０ａ、１０ｂが
存在し、各副画素電極と対向電極間毎に副液晶容量９
ａ、９ｂが存在する薄膜トランジスタ液晶表示装置で、
薄膜トランジスタのオン期間にソース電極の電位が画素
電極に伝達され、オフ期間に対向電極の電位が変化し
て、各副画素電極の電位が変調される。
示装置において、ソース電圧振幅の低減を目的とする。 【構成】 ゲート配線１、ソース配線２、蓄積容量配線
３、対向電極７が形成され、画素電極が複数の副画素電
極５ａ、５ｂから形成され、薄膜トランジスタが複数の
副薄膜トランジスタ６ａ、６ｂから形成され、蓄積容量
配線と各副画素電極間毎に副蓄積容量１０ａ、１０ｂが
存在し、各副画素電極と対向電極間毎に副液晶容量９
ａ、９ｂが存在する薄膜トランジスタ液晶表示装置で、
薄膜トランジスタのオン期間にソース電極の電位が画素
電極に伝達され、オフ期間に対向電極の電位が変化し
て、各副画素電極の電位が変調される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広視野角を実現する薄
膜トランジスタ液晶表示装置に関するものである。
膜トランジスタ液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ液晶表示装置は、近
年、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、ポ
ータブルテレビ等に広く利用されており、さらに利用範
囲は拡大する傾向にある。従来の薄膜トランジスタ液晶
表示装置における問題として、視野角が狭いことが挙げ
られる。視野角拡大を実現する手段としては、特開平０
２−００００１２号、０２−３１０５３４号、０３−１
２２６２１号、０４−３４８３２３号、０４−３４８３
２４号、０５−１０７５５６号各公報で提案されている
ような、画素分割構成が挙げられる。これは、画素電極
を副画素電極に分割し、各副画素毎に異なる透過率
（Ｔ）−ソース電圧振幅（Ｖ）特性をもたせるという方
法である。
年、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、ポ
ータブルテレビ等に広く利用されており、さらに利用範
囲は拡大する傾向にある。従来の薄膜トランジスタ液晶
表示装置における問題として、視野角が狭いことが挙げ
られる。視野角拡大を実現する手段としては、特開平０
２−００００１２号、０２−３１０５３４号、０３−１
２２６２１号、０４−３４８３２３号、０４−３４８３
２４号、０５−１０７５５６号各公報で提案されている
ような、画素分割構成が挙げられる。これは、画素電極
を副画素電極に分割し、各副画素毎に異なる透過率
（Ｔ）−ソース電圧振幅（Ｖ）特性をもたせるという方
法である。
【０００３】しかし、画素分割の構成は、原理的にソー
ス信号電圧の一部しか液晶に印加されず、結果としてソ
ース電圧の振幅が大きくなっていた。
ス信号電圧の一部しか液晶に印加されず、結果としてソ
ース電圧の振幅が大きくなっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、画
素分割構成をとる薄膜トランジスタ液晶表示装置におい
て、ソース電圧振幅の低減を目的とする。
素分割構成をとる薄膜トランジスタ液晶表示装置におい
て、ソース電圧振幅の低減を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、本発明は、第１の基板上にゲート配線、ソース配
線、蓄積容量配線がマトリクス状に形成され、ゲート配
線とソース配線との各交点に画素電極、および、ゲート
配線の電位によりソース配線と画素電極の導通を調節す
る薄膜トランジスタが形成され、第１の基板に対向して
設置された第２の基板上に対向電極が形成された薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置で、画素電極が複数の副画素電
極から形成され、薄膜トランジスタがゲート配線の電位
によりソース配線と各副画素電極の導通を調節する複数
の副薄膜トランジスタから形成され、蓄積容量配線と各
副画素電極間毎に副蓄積容量が存在し、各副画素電極と
対向電極間毎に副液晶容量が存在する。
めに、本発明は、第１の基板上にゲート配線、ソース配
線、蓄積容量配線がマトリクス状に形成され、ゲート配
線とソース配線との各交点に画素電極、および、ゲート
配線の電位によりソース配線と画素電極の導通を調節す
る薄膜トランジスタが形成され、第１の基板に対向して
設置された第２の基板上に対向電極が形成された薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置で、画素電極が複数の副画素電
極から形成され、薄膜トランジスタがゲート配線の電位
によりソース配線と各副画素電極の導通を調節する複数
の副薄膜トランジスタから形成され、蓄積容量配線と各
副画素電極間毎に副蓄積容量が存在し、各副画素電極と
対向電極間毎に副液晶容量が存在する。
【０００６】また、蓄積容量配線と少なくとも１つの副
画素電極間に、副蓄積容量が存在せず、電気的に切断さ
れている、あるいは、少なくとも１つの副画素電極と副
薄膜トランジスタ間に転移容量が存在する、あるいは、
前段のゲート配線が蓄積容量配線を兼用している等の構
成であってもよい。
画素電極間に、副蓄積容量が存在せず、電気的に切断さ
れている、あるいは、少なくとも１つの副画素電極と副
薄膜トランジスタ間に転移容量が存在する、あるいは、
前段のゲート配線が蓄積容量配線を兼用している等の構
成であってもよい。
【０００７】そして、薄膜トランジスタのオン期間にソ
ース電極の電位が画素電極に伝達され、オフ期間に対向
電極の電位が変化して、各副画素電極の電位が変調され
る。
ース電極の電位が画素電極に伝達され、オフ期間に対向
電極の電位が変化して、各副画素電極の電位が変調され
る。
【０００８】
【作用】上記の手段によれば、副蓄積容量、副液晶容量
の２種類の容量値、あるいは存在する場合には加えて転
移容量、および、対向電位の電圧値を、適宜、変化させ
ることにより、各副画素のＴ−Ｖ特性を変化させること
ができる。同時に、液晶印加電圧を、ソース電圧振幅に
加えて、対向電位の電圧振幅で生成するため、ソース電
圧振幅を低減することが可能となる。
の２種類の容量値、あるいは存在する場合には加えて転
移容量、および、対向電位の電圧値を、適宜、変化させ
ることにより、各副画素のＴ−Ｖ特性を変化させること
ができる。同時に、液晶印加電圧を、ソース電圧振幅に
加えて、対向電位の電圧振幅で生成するため、ソース電
圧振幅を低減することが可能となる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例における薄膜トランジスタ液
晶表示装置の、等価回路図を（図１）に、電位関係図を
（図２）に、Ｔ−Ｖ特性図を（図３）に示す。
晶表示装置の、等価回路図を（図１）に、電位関係図を
（図２）に、Ｔ−Ｖ特性図を（図３）に示す。
【００１０】（図１）において、１はゲート配線、２は
ソース配線、３は蓄積容量配線で、第１の基板上にマト
リクス状に形成されている。本実施例では、前段のゲー
ト配線が蓄積容量配線３を兼用している。５ａ、５ｂ
は、それぞれ、副画素電極ａ、副画素電極ｂである。６
ａ、６ｂは、それぞれ、ゲート配線１の電位によりソー
ス配線２と画素電極ａ５ａ、画素電極ｂ５ｂの導通を調
節する副薄膜トランジスタａ、副薄膜トランジスタｂ
で、ゲート配線１とソース配線２との各交点に形成され
ている。７は第１の基板に対向して設置された第２の基
板上に形成された対向電極である。９ａ、９ｂは、それ
ぞれ、副画素電極ａ５ａ、副画素電極ｂ５ｂと対向電極
７間に存在する副液晶容量ａ、副液晶容量ｂである。１
０ａ、１０ｂは、それぞれ、副画素電極ａ５ａ、副画素
電極ｂ５ｂと蓄積容量配線３間に形成された副蓄積容量
ａ、副蓄積容量ｂである。１１は、それぞれ、副薄膜ト
ランジスタａ６ａ、副薄膜トランジスタｂ６ｂのゲート
ドレイン寄生容量で、副寄生容量ａ、副寄生容量ｂであ
る。
ソース配線、３は蓄積容量配線で、第１の基板上にマト
リクス状に形成されている。本実施例では、前段のゲー
ト配線が蓄積容量配線３を兼用している。５ａ、５ｂ
は、それぞれ、副画素電極ａ、副画素電極ｂである。６
ａ、６ｂは、それぞれ、ゲート配線１の電位によりソー
ス配線２と画素電極ａ５ａ、画素電極ｂ５ｂの導通を調
節する副薄膜トランジスタａ、副薄膜トランジスタｂ
で、ゲート配線１とソース配線２との各交点に形成され
ている。７は第１の基板に対向して設置された第２の基
板上に形成された対向電極である。９ａ、９ｂは、それ
ぞれ、副画素電極ａ５ａ、副画素電極ｂ５ｂと対向電極
７間に存在する副液晶容量ａ、副液晶容量ｂである。１
０ａ、１０ｂは、それぞれ、副画素電極ａ５ａ、副画素
電極ｂ５ｂと蓄積容量配線３間に形成された副蓄積容量
ａ、副蓄積容量ｂである。１１は、それぞれ、副薄膜ト
ランジスタａ６ａ、副薄膜トランジスタｂ６ｂのゲート
ドレイン寄生容量で、副寄生容量ａ、副寄生容量ｂであ
る。
【００１１】（図２）において、１０１はゲート配線１
に印加されるゲート電位、１０２はソース配線２に印加
されるソース電位、１０３は前段のゲート配線が兼用し
ている蓄積容量配線３に印加される蓄積容量配線電位電
位、１０７は対向電極に印加される対向電位である。
に印加されるゲート電位、１０２はソース配線２に印加
されるソース電位、１０３は前段のゲート配線が兼用し
ている蓄積容量配線３に印加される蓄積容量配線電位電
位、１０７は対向電極に印加される対向電位である。
【００１２】（図３）において、２０１ａは副液晶容量
ａ９ａにおけるＴ−Ｖ特性ａ、２０１ｂは副液晶容量ｂ
９ｂにおけるＴ−Ｖ特性ｂ、２０１ｃは、Ｔ−Ｖ特性ａ
２０１ａおよびＴ−Ｖ特性ｂ２０１ｂを各画素面積で重
み付け平均した画素全体のＴ−Ｖ特性である。横軸はソ
ース電位振幅（片側）、縦軸はパネルの透過率を示す。
ａ９ａにおけるＴ−Ｖ特性ａ、２０１ｂは副液晶容量ｂ
９ｂにおけるＴ−Ｖ特性ｂ、２０１ｃは、Ｔ−Ｖ特性ａ
２０１ａおよびＴ−Ｖ特性ｂ２０１ｂを各画素面積で重
み付け平均した画素全体のＴ−Ｖ特性である。横軸はソ
ース電位振幅（片側）、縦軸はパネルの透過率を示す。
【００１３】本実施例によれば、副蓄積容量、副液晶容
量の２種類の容量値、および、対向電位の電圧値を、適
宜、変化させることにより、各副画素のＴ−Ｖ特性を変
化させることができる。同時に、液晶印加電圧を、ソー
ス電圧振幅に加えて、対向電位の電圧振幅で生成するた
め、ソース電圧振幅を低減することが可能となる。実際
に、視野角特性は従来例と同等のレベルに保ちつつ、全
白から全黒までをソース電圧振幅（片側）１．５Ｖで実
現することが可能である。
量の２種類の容量値、および、対向電位の電圧値を、適
宜、変化させることにより、各副画素のＴ−Ｖ特性を変
化させることができる。同時に、液晶印加電圧を、ソー
ス電圧振幅に加えて、対向電位の電圧振幅で生成するた
め、ソース電圧振幅を低減することが可能となる。実際
に、視野角特性は従来例と同等のレベルに保ちつつ、全
白から全黒までをソース電圧振幅（片側）１．５Ｖで実
現することが可能である。
【００１４】なお、本実施例では、前段のゲート配線が
蓄積容量配線を兼用していたが、蓄積容量配線は独立し
た配線であるという構成も考えられる。また、蓄積容量
配線と少なくとも１つの副画素電極間に、副蓄積容量が
存在せず、電気的に切断されている、あるいは、少なく
とも１つの副画素電極と副薄膜トランジスタ間に転移容
量が存在する等の構成も考えられる。
蓄積容量配線を兼用していたが、蓄積容量配線は独立し
た配線であるという構成も考えられる。また、蓄積容量
配線と少なくとも１つの副画素電極間に、副蓄積容量が
存在せず、電気的に切断されている、あるいは、少なく
とも１つの副画素電極と副薄膜トランジスタ間に転移容
量が存在する等の構成も考えられる。
【００１５】上記のいずれの場合も、本実施例と、同様
の効果が期待できる。
の効果が期待できる。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、副蓄積容量、副液晶容量の２種類の容量値、あるい
は存在する場合には加えて転移容量、および、対向電位
の電圧値を、適宜、変化させることにより、各副画素の
Ｔ−Ｖ特性を変化させることができる。同時に、液晶印
加電圧を、ソース電圧振幅に加えて、対向電位の電圧振
幅で生成するため、ソース電圧振幅を低減することが可
能となる。
ば、副蓄積容量、副液晶容量の２種類の容量値、あるい
は存在する場合には加えて転移容量、および、対向電位
の電圧値を、適宜、変化させることにより、各副画素の
Ｔ−Ｖ特性を変化させることができる。同時に、液晶印
加電圧を、ソース電圧振幅に加えて、対向電位の電圧振
幅で生成するため、ソース電圧振幅を低減することが可
能となる。
【図１】本発明の実施例における薄膜トランジスタ液晶
表示装置の等価回路図
表示装置の等価回路図
【図２】本発明の実施例における薄膜トランジスタ液晶
表示装置に印加される電位の電位関係図
表示装置に印加される電位の電位関係図
【図３】本発明の実施例における薄膜トランジスタ液晶
表示装置の透過率（Ｔ）−ソース電圧振幅（Ｖ）特性図
表示装置の透過率（Ｔ）−ソース電圧振幅（Ｖ）特性図
１ ゲート配線 ２ ソース配線 ３ 蓄積容量配線 ５ 画素電極 ５ａ 副画素電極ａ ５ｂ 副画素電極ｂ ６ 薄膜トランジスタ ６ａ 副薄膜トランジスタａ ６ｂ 副薄膜トランジスタｂ ７ 対向電極 ９ 液晶容量 ９ａ 副液晶容量ａ ９ｂ 副液晶容量ｂ １０ 蓄積容量 １０ａ 副蓄積容量ａ １０ｂ 副蓄積容量ｂ １１ 副寄生容量 １１ａ 副寄生容量ａ １１ｂ 副寄生容量ｂ １０１ ゲート電位 １０２ ソース電位 １０３ 蓄積容量配線電位 １０７ 対向電位 ２０１ａ 副液晶容量ａにおけるＴ−Ｖ特性ａ ２０１ｂ 副液晶容量ｂにおけるＴ−Ｖ特性ｂ ２０１ｃ 画素全体のＴ−Ｖ特性
Claims (5)
- 【請求項１】第１の基板上にゲート配線、ソース配線、
蓄積容量配線がマトリクス状に形成され、前記ゲート配
線と前記ソース配線との各交点に画素電極、および、前
記ゲート配線の電位により前記ソース配線と前記画素電
極の導通を調節する薄膜トランジスタが形成され、前記
第１の基板に対向して設置された第２の基板上に対向電
極が形成された薄膜トランジスタ液晶表示装置で、前記
画素電極が複数の副画素電極から形成され、前記薄膜ト
ランジスタが前記ゲート配線の電位により前記ソース配
線と各前記副画素電極の導通を調節する複数の副薄膜ト
ランジスタから形成され、蓄積容量配線と各前記副画素
電極間毎に副蓄積容量が存在し、各前記副画素電極と前
記対向電極間毎に副液晶容量が存在することを特徴とす
る、薄膜トランジスタ液晶表示装置。 - 【請求項２】蓄積容量配線と少なくとも１つの副画素電
極間に、副蓄積容量が存在せず、電気的に切断されてい
る、請求項１記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置。 - 【請求項３】少なくとも１つの副画素電極と副薄膜トラ
ンジスタ間に転移容量が存在する、請求項１記載の薄膜
トランジスタ液晶表示装置。 - 【請求項４】前段のゲート配線が蓄積容量配線を兼用し
ている、請求項１記載の薄膜トランジスタ液晶表示装
置。 - 【請求項５】薄膜トランジスタのオン期間にソース電極
の電位が画素電極に伝達され、オフ期間に対向電極の電
位が変化して、各副画素電極の電位が変調されることを
特徴とする、請求項１記載の薄膜トランジスタ液晶表示
装置の駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32248894A JPH08179370A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32248894A JPH08179370A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179370A true JPH08179370A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18144206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32248894A Pending JPH08179370A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08179370A (ja) |
Cited By (13)
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-
1994
- 1994-12-26 JP JP32248894A patent/JPH08179370A/ja active Pending
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