JP2011085918A5 - 表示装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 基板上方の第１の導電層と、
   前記基板上方の第２の導電層と、
   前記第１の導電層上方及び前記第２の導電層上方の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上方の酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上方の第３の導電層と、
   前記酸化物半導体上方の第４の導電層と、
   前記第１の絶縁層上方の第５の導電層と、
   前記第３の導電層上方、前記第４の導電層上方及び前記第５の導電層上方の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上方の第６の導電層と、
   前記第２の絶縁層上方の第７の導電層と、を有し、
   前記第１の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第２の導電層は、容量線として機能する領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第４の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第５の導電層は、端子として機能する領域を有し、
   前記第５の導電層は、前記第３の導電層と電気的に接続され、
   前記第６の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
   前記第６の導電層は、前記第４の導電層と電気的に接続され、
   前記第６の導電層は、前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第７の導電層は、前記第５の導電層と電気的に接続され、
   前記酸化物半導体は、不活性ガス雰囲気下において加熱処理が施されたものであることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体の端部は、前記第１の導電層と重なっていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   駆動回路を有し、
   前記駆動回路は、ｎ（ｎは自然数）個の第１のトランジスタと、ｎ個の第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
   前記ｎ個の第１のトランジスタのソース又はドレインの一方のそれぞれは、第１の配線と電気的に接続され、
   前記ｎ個の第１のトランジスタのソース又はドレインの他方のそれぞれは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記ｎ個の第２のトランジスタのソース又はドレインの一方のそれぞれは、前記第１の配線と電気的に接続され、
   前記ｎ個の第２のトランジスタのソース又はドレインの他方のそれぞれは、前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記ｎ個の第１のトランジスタのゲートのそれぞれは、前記ｎ個の第２のトランジスタのゲートのそれぞれと電気的に接続され、
   前記ｎ個の第１のトランジスタのゲートのそれぞれには、ｎビットの制御信号のそれぞれが入力されることを特徴とする表示装置。