US5091334A
(en)
|
1980-03-03 |
1992-02-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
JPS5713777A
(en)
|
1980-06-30 |
1982-01-23 |
Shunpei Yamazaki |
Semiconductor device and manufacture thereof
|
US5859443A
(en)
|
1980-06-30 |
1999-01-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US5262350A
(en)
|
1980-06-30 |
1993-11-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Forming a non single crystal semiconductor layer by using an electric current
|
JPS59131228A
(ja)
*
|
1983-01-17 |
1984-07-28 |
Nec Corp |
論理和否定回路
|
JPS59221894A
(ja)
|
1983-05-30 |
1984-12-13 |
Mitsubishi Electric Corp |
不揮発性半導体メモリのアドレスデコ−ド回路
|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US4618784A
(en)
|
1985-01-28 |
1986-10-21 |
International Business Machines Corporation |
High-performance, high-density CMOS decoder/driver circuit
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
US5849601A
(en)
|
1990-12-25 |
1998-12-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electro-optical device and method for manufacturing the same
|
JP2838318B2
(ja)
|
1990-11-30 |
1998-12-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
感光装置及びその作製方法
|
US5289030A
(en)
|
1991-03-06 |
1994-02-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device with oxide layer
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP3402400B2
(ja)
|
1994-04-22 |
2003-05-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体集積回路の作製方法
|
US6943764B1
(en)
|
1994-04-22 |
2005-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driver circuit for an active matrix display device
|
US5949397A
(en)
|
1994-08-16 |
1999-09-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Peripheral driver circuit of Liquid crystal electro-optical device
|
JP2894229B2
(ja)
|
1995-01-13 |
1999-05-24 |
株式会社デンソー |
マトリクス型液晶表示装置
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
JPH08306796A
(ja)
*
|
1995-04-28 |
1996-11-22 |
Nippon Steel Corp |
半導体装置
|
JPH11505377A
(ja)
|
1995-08-03 |
1999-05-18 |
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
半導体装置
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
US5982696A
(en)
*
|
1996-06-06 |
1999-11-09 |
Cirrus Logic, Inc. |
Memories with programmable address decoding and systems and methods using the same
|
TW455725B
(en)
|
1996-11-08 |
2001-09-21 |
Seiko Epson Corp |
Driver of liquid crystal panel, liquid crystal device, and electronic equipment
|
US6081136A
(en)
*
|
1997-12-19 |
2000-06-27 |
Advanced Micro Devices, Inc. |
Dynamic NOR gates for NAND decode
|
KR100265767B1
(ko)
|
1998-04-20 |
2000-09-15 |
윤종용 |
저전력 구동회로 및 구동방법
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Hoya株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
JP3846057B2
(ja)
|
1998-09-03 |
2006-11-15 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
JP2000268969A
(ja)
|
1999-03-17 |
2000-09-29 |
Tdk Corp |
有機el素子
|
KR100659416B1
(ko)
*
|
1999-05-12 |
2006-12-18 |
교세라 가부시키가이샤 |
휴대형 전화 장치
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
TW521256B
(en)
*
|
2000-05-18 |
2003-02-21 |
Semiconductor Energy Lab |
Electronic device and method of driving the same
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
US7053874B2
(en)
|
2000-09-08 |
2006-05-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device and driving method thereof
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
TW525216B
(en)
|
2000-12-11 |
2003-03-21 |
Semiconductor Energy Lab |
Semiconductor device, and manufacturing method thereof
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP4869516B2
(ja)
|
2001-08-10 |
2012-02-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
EP1443130B1
(en)
|
2001-11-05 |
2011-09-28 |
Japan Science and Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
US7109961B2
(en)
|
2002-03-13 |
2006-09-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electric circuit, latch circuit, display apparatus and electronic equipment
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
KR100445433B1
(ko)
|
2002-03-21 |
2004-08-21 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 전계발광 표시 장치와 그 구동 방법 및 구동 장치
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
TWI309831B
(en)
*
|
2002-09-25 |
2009-05-11 |
Semiconductor Energy Lab |
Clocked inverter, nand, nor and shift register
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
KR101245125B1
(ko)
*
|
2002-12-27 |
2013-03-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
JP4430010B2
(ja)
*
|
2003-01-24 |
2010-03-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
発光装置
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
JP4480968B2
(ja)
|
2003-07-18 |
2010-06-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
JP4393812B2
(ja)
|
2003-07-18 |
2010-01-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置及び電子機器
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
WO2005088726A1
(ja)
|
2004-03-12 |
2005-09-22 |
Japan Science And Technology Agency |
アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
US7840460B2
(en)
*
|
2004-08-11 |
2010-11-23 |
Allan Williams |
System and method for patent portfolio evaluation
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
EP2455975B1
(en)
|
2004-11-10 |
2015-10-28 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor with amorphous oxide
|
JP5118812B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-01-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
CN101057333B
(zh)
|
2004-11-10 |
2011-11-16 |
佳能株式会社 |
发光器件
|
US7091118B1
(en)
*
|
2004-11-16 |
2006-08-15 |
Advanced Micro Devices, Inc. |
Replacement metal gate transistor with metal-rich silicon layer and method for making the same
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
TWI412138B
(zh)
|
2005-01-28 |
2013-10-11 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
US7608531B2
(en)
|
2005-01-28 |
2009-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
WO2006098140A1
(ja)
*
|
2005-03-16 |
2006-09-21 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
液晶表示装置及び携帯端末装置
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
KR101267286B1
(ko)
*
|
2005-07-04 |
2013-05-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시장치 및 그것의 구동방법
|
KR20070010868A
(ko)
|
2005-07-20 |
2007-01-24 |
삼성전자주식회사 |
박막트랜지스터 기판의 제조방법
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP4870403B2
(ja)
|
2005-09-02 |
2012-02-08 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタの製法
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
KR100666641B1
(ko)
*
|
2005-09-15 |
2007-01-09 |
삼성에스디아이 주식회사 |
데이터 구동장치 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치
|
EP1998375A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-01-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
|
JP5064747B2
(ja)
*
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
JP2007115807A
(ja)
|
2005-10-19 |
2007-05-10 |
Toppan Printing Co Ltd |
トランジスタ
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
KR101397571B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2014-05-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치 및 그의 제조방법
|
EP1804229B1
(en)
*
|
2005-12-28 |
2016-08-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and method for inspecting the same
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
US7435633B2
(en)
|
2006-03-14 |
2008-10-14 |
Seiko Epson Corporation |
Electroluminescence device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
|
JP4930704B2
(ja)
|
2006-03-14 |
2012-05-16 |
セイコーエプソン株式会社 |
有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
JP5250944B2
(ja)
|
2006-04-28 |
2013-07-31 |
凸版印刷株式会社 |
構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
JP5386069B2
(ja)
|
2006-06-02 |
2014-01-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
|
US8330492B2
(en)
|
2006-06-02 |
2012-12-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
KR100748358B1
(ko)
*
|
2006-08-08 |
2007-08-09 |
삼성에스디아이 주식회사 |
논리 게이트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광표시장치
|
KR100748359B1
(ko)
*
|
2006-08-08 |
2007-08-09 |
삼성에스디아이 주식회사 |
논리 게이트 및 이를 이용한 주사 구동부와 유기전계발광표시장치
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP5079425B2
(ja)
*
|
2006-08-31 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
|
EP1895545B1
(en)
|
2006-08-31 |
2014-04-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
|
JP5214125B2
(ja)
|
2006-09-11 |
2013-06-19 |
三星ディスプレイ株式會社 |
配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
JP4932415B2
(ja)
*
|
2006-09-29 |
2012-05-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
US8143115B2
(en)
|
2006-12-05 |
2012-03-27 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
JP5305630B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
|
WO2008069255A1
(en)
|
2006-12-05 |
2008-06-12 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
JP5121254B2
(ja)
|
2007-02-28 |
2013-01-16 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
US8173487B2
(en)
*
|
2007-04-06 |
2012-05-08 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Semiconductor element, method for manufacturing same, and electronic device including same
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
KR20080094300A
(ko)
*
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
US8274078B2
(en)
|
2007-04-25 |
2012-09-25 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Metal oxynitride semiconductor containing zinc
|
JP2008282913A
(ja)
|
2007-05-09 |
2008-11-20 |
Nippon Shokubai Co Ltd |
酸化銅系半導体薄膜の製造方法および酸化銅系半導体薄膜
|
US8803781B2
(en)
|
2007-05-18 |
2014-08-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device
|
KR101334182B1
(ko)
|
2007-05-28 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법
|
KR101345376B1
(ko)
*
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
JP5406449B2
(ja)
|
2007-05-30 |
2014-02-05 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
|
EP2068380B1
(de)
|
2007-10-15 |
2011-08-17 |
Novaled AG |
Organisches elektrolumineszentes Bauelement
|
JP4378405B2
(ja)
*
|
2007-10-26 |
2009-12-09 |
シャープ株式会社 |
走査信号線駆動回路および表示装置
|
JP5377940B2
(ja)
|
2007-12-03 |
2013-12-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP5215158B2
(ja)
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
JP2009188749A
(ja)
*
|
2008-02-06 |
2009-08-20 |
Sony Corp |
インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
|
KR101437870B1
(ko)
*
|
2008-02-15 |
2014-09-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
수직 배향 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
|
TWI386903B
(zh)
*
|
2008-05-05 |
2013-02-21 |
Novatek Microelectronics Corp |
掃描驅動器
|
US8314765B2
(en)
*
|
2008-06-17 |
2012-11-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driver circuit, display device, and electronic device
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
WO2010032629A1
(en)
*
|
2008-09-19 |
2010-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
US9715845B2
(en)
*
|
2009-09-16 |
2017-07-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor display device
|
US8830278B2
(en)
*
|
2010-04-09 |
2014-09-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method for driving the same
|
KR101808213B1
(ko)
*
|
2010-04-21 |
2018-01-19 |
삼성디스플레이 주식회사 |
액정 표시 장치
|