JP2010170108A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. ゲート電極が第１の配線と電気的に接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方が第２の配線と電気的に接続するボトムゲート型のトランジスタと、
   前記第１の配線と前記第１の配線上の前記第２の配線とが交差する第１の部分とを有し、
   前記トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続し、
   前記トランジスタは、前記ゲート電極、前記ゲート電極上の第１の絶縁層、前記第１の絶縁層上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記第１の絶縁層上の半導体層を有し、
   前記第１の部分では、前記第１の配線と前記第２の配線との間に、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層とが挟まれていることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極が第１の配線と電気的に接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方が第２の配線と電気的に接続するボトムゲート型のトランジスタと、
   前記第１の配線と前記第１の配線上の前記第２の配線とが交差する第１の部分とを有し、
   前記トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続し、
   前記トランジスタは、前記ゲート電極、前記ゲート電極上の第１の絶縁層、前記第１の絶縁層上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記第１の絶縁膜上の半導体層を有し、
   前記第１の部分では、前記第１の配線と前記第２の配線との間に、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層とが挟まれており、
   前記第２の絶縁層はレジストマスクであることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の部分では、前記第１の配線上に前記第２の絶縁層が設けられ、前記第２の絶縁層上に前記第１の絶縁層が設けられ、前記第１の絶縁層上に前記第２の配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記トランジスタは、前記第２の絶縁層を有さないことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記半導体層は酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置。