JP2011077144A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック10と、スピンチャック10に保持された基板Wの上面に第1処理液(HFE)、第2処理液(気体溶存水)をそれぞれ供給する第1処理液供給ノズル20、第2処理液供給ノズル17を備えている。スピンチャック10に保持された基板Wの上面にHFEおよび気体溶存水が供給され、基板Wの上面にHFEの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とHFEの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがHFEの液膜で緩和されつつ、基板Wの洗浄処理が施される。
【選択図】 図1
Description
なお、音速は超音波振動板14の材質(本実施例では石英)によって決まる固有値である。
2、109 回転駆動機構
3、111 ドライバ回路
4 制御装置
10、200 スピンチャック
11、101 回転軸
12 ベース部材
13 堰部材
14、104 超音波振動板
14a 超音波振動子
15 伝播液供給ノズル
15a 吐出口
16 基板支持部材
17 第2処理液供給ノズル
18 気体溶存ユニット
19 第2処理液供給バルブ
20 第1処理液供給ノズル
21 第1処理液供給バルブ
22 HFE供給源
23 伝播液供給バルブ
24 脱気ユニット
25 伝播液膜
30 純水供給源
102 吸着ベース
103 シリンダ
103a 本体部
103b ロッド
105 支持部材
106 揺動アーム
107 支柱
108 揺動駆動機構
110 リング
110a 内周面
300 超音波振動付与機構
Claims (10)
- 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に対して第1処理液を供給し、基板の表面に第1液膜を形成する第1液膜形成手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に対して前記第1処理液とは異なる処理液であり、前記第1処理液よりも溶存気体量が多い第2処理液を供給し、前記第1液膜を介在させて基板の表面に第2液膜を形成する第2液膜形成手段と、
前記第1および第2液膜に対して、超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2処理液に対して気体を溶存させる気体溶存手段と、
前記気体溶存手段による前記第2処理液中への溶存気体量を制御する制御手段と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1処理液は前記第2処理液に対して不溶性であり、かつ前記第2処理液よりも比重が大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記第1液膜形成手段および前記第2液膜形成手段は、基板の表面に前記第1処理液および前記第2処理液を供給した後、所定時間経過させることにより、前記第1処理液および前記第2処理液を比重の差で分離させることによって、基板の表面に前記第1液膜および前記第2液膜を形成することを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記超音波振動付与手段は、前記第1および第2液膜が形成された基板の表面の反対側に設けられ、
前記超音波振動付与手段が設けられた側の基板の表面に、前記超音波振動付与手段による超音波振動が付与される伝播液膜を形成する伝播液膜形成手段をさらに含み、
前記超音波振動付与手段により付与された超音波振動は、前記伝播液膜および基板を透過して前記第1および第2液膜に付与されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板保持工程で保持された基板に対して第1処理液を供給し、基板の表面に第1液膜を形成する第1液膜形成工程と、
前記基板保持工程で保持された基板に対して前記第1処理液とは異なる処理液であり、前記第1処理液よりも溶存気体量が多い第2処理液を供給し、前記第1液膜を介在させて基板の表面に第2液膜を形成する第2液膜形成工程と、
前記第1および第2液膜に対して、超音波振動を付与する超音波振動付与工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第2処理液に対して気体を溶存させる気体溶存工程と、
前記気体溶存工程において前記第2処理液への溶存気体量を制御する制御工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記第1処理液は前記第2処理液に対して不溶性であり、かつ前記第2処理液よりも比重が大きいことを特徴とする請求項6または7に記載の基板処理方法。
- 前記第1液膜形成工程および前記第2液膜形成工程は、基板の表面に前記第1処理液および前記第2処理液を供給した後、所定時間経過させることにより、前記第1処理液および前記第2処理液を比重の差で分離させることによって、基板の表面に前記第1液膜および前記第2液膜を形成することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
- 第1および第2液膜が形成された基板の表面の反対側の基板の表面に、超音波振動を伝播する伝播液膜を形成する伝播液膜形成工程をさらに含み、
前記超音波振動付与工程は、超音波振動が前記伝播液膜に対して付与され、前記超音波振動は前記伝播液膜および基板を透過して前記第1および第2液膜に付与されることを特徴とする請求項6ないし9のいずれかに記載の基板処理方法。
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