JP2002075943A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

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JP2002075943A
JP2002075943A JP2000259591A JP2000259591A JP2002075943A JP 2002075943 A JP2002075943 A JP 2002075943A JP 2000259591 A JP2000259591 A JP 2000259591A JP 2000259591 A JP2000259591 A JP 2000259591A JP 2002075943 A JP2002075943 A JP 2002075943A
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substrate
ultrasonic vibration
processing
liquid
liquid layer
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JP2000259591A
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English (en)
Inventor
Hirotaka Tsujikawa
裕貴 辻川
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構成で基板の下面に対して処理を施すこ
とができる基板処理装置および基板処理方法を提供す
る。 【解決手段】回転軸11の上端にほぼ水平に保持される
ベース部材12の上面に超音波振動板14が配置されて
いる。ベース部材12の周縁部には、円筒状の堰部材1
3が立設されている。この堰部材13の内方に基板Wが
置かれる。基板Wと超音波振動板14との間には純水が
供給されて、液層20が形成される。この液層20を介
して、超音波振動板14からの超音波振動が基板Wに付
与される。純水は、連続供給され、堰部材13の切欠き
13Aからオーバーフローさせながら、基板Wの超音波
洗浄処理が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
光および光磁気ディスク用基板、ならびに液晶表示装置
およびプラズマディスプレイ装置用ガラス基板などの各
種基板に対して、超音波振動による処理を施すための基
板処理装置およひ基板処理方法に関する。このような装
置には、CMP(化学的機械的研磨)処理後の基板を洗
浄するための基板洗浄装置や、基板にエッチング処理を
施すためのエッチング処理装置などが含まれる。また、
この発明は、とくに、基板を1枚ずつ処理する枚葉型の
装置好適に適用される。
【0002】
【従来の技術】CMP処理後の基板を洗浄するための基
板洗浄装置は、たとえば、ウエハの表面および裏面を洗
浄するための両面洗浄ユニットと、両面洗浄後のウエハ
の表面を精密洗浄する精密洗浄ユニットと、精密洗浄後
のウエハを水洗・乾燥する水洗・乾燥ユニットとを備え
ている。精密洗浄ユニットは、たとえば、ウエハの上方
で揺動する揺動アームの先端で自転する自転ブラシをウ
エハの表面に押し付ける構成となっている。ウエハを保
持して回転させるためのスピンチャックには、ウエハの
裏面を吸着して保持するバキューム型のものが適用され
る。これは、ウエハの端面を複数本のチャックピンで握
持する構成のスピンチャックでは、自転ブラシまたは揺
動アームとの機械的緩衝が生じるおそれがあるからであ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な基板洗浄装置では、ウエハの表面側に比較して、ウエ
ハの裏面側に関する洗浄性能が低く、この点の改善が要
望されていた。ウエハの裏面をブラシ洗浄するユニット
を追加すれば、この問題は解決されるであろうが、この
解決策はコストを犠牲にすることになるから好ましくな
い。そこで、この発明の目的は、簡単な構成で基板の下
面(表面または裏面)に対して処理(とくに洗浄処理)
を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を
提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、ほぼ水平
に保持される基板(W)の少なくとも下面を処理液によ
って処理する基板処理装置(10)であって、基板の下
面に対向するように設けられた対向部材(12)と、こ
の対向部材と基板の下面との間に処理液を供給し、上記
対向部材と基板の下面との間に処理液の液層を形成する
処理液供給手段(15)と、上記対向部材の上面に設け
られ、上記液層を介して、上記基板に超音波振動を付与
する超音波振動板(14)とを含むことを特徴とする基
板処理装置である。ただし、括弧内の英数字は、後述の
実施形態における対応構成要素を表す。以下、この項に
おいて同じ。
【0005】この構成によれば、基板の下面に液層を形
成し、この液層を介して、基板の下面に対向する超音波
振動板から、当該基板に超音波振動を付与するという簡
単な構成で、基板の下面を処理することができる。すな
わち、基板およびこの基板の近傍の処理液に超音波振動
板からの超音波振動が与えられるから、たとえば、基板
の下面に付着している異物を効果的に取り除くことがで
きる。この発明の構成の基板処理装置では、基板をブラ
シ洗浄するブラシ洗浄装置などと比較して可動部が著し
く少ないので、構成を極めて簡単にすることができる。
【0006】基板の下面と対向部材との間に液層を形成
する処理液は、たとえば純水またはアンモニア水であっ
てもよい。たとえば、CMP(化学的機械的研磨)処理
後の基板に対して、この発明の基板処理装置を適用する
ことができる。この場合、CMP処理後の基板の表面に
付着しているスラリー(研磨剤)が、超音波振動によっ
て基板表面から除去されることになる。たとえば、基板
の上面に超音波振動を付与した処理液(一般に純水)を
供給する超音波ノズルを用いた基板洗浄装置が知られて
いる。ところが、超音波ノズルは、超音波振動板から発
生した超音波を処理液に付与した後に、この処理液をノ
ズル先端から基板表面に導く構成であるため、基板表面
に導かれたときには、処理液中の超音波は相当程度減衰
している。これに対して、この発明の構成では、基板の
下面にわずかな処理液の液層を介して超音波振動板が対
向配置されているので、基板およびその近傍の処理液に
対して、超音波振動を効果的に付与することができる。
これにより、基板の表面(特に基板の下面)に付着して
いる異物を効果的に除去することができる。
【0007】請求項2記載の発明は、上記対向部材の上
面には、上記液層を維持するための堰部材(13)が設
けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理
装置である。この構成によれば、対向部材の上面には、
液層を維持するための堰部材が設けられているので、対
向部材と基板の下面との間に、容易に処理液の液層を維
持することができる。堰部材は、処理対象の基板を取り
囲むことができる大きさを有し、かつそのように配置さ
れていることが好ましい。
【0008】請求項3記載の発明は、上記堰部材には、
処理液を排出するための切欠き(13A)または開口が
形成されていることを特徴とする請求項2記載の基板処
理装置である。この発明によれば、堰部材に切欠きまた
は開口が形成されていることにより、処理対象の基板
を、堰部材の上端縁よりも低い位置に保持することがで
きる。これによって、たとえば処理液を切欠きまたは開
口からオーバーフローさせながら、基板に対する超音波
振動処理を施すことができる。これにより、基板の下面
から取り除かれた異物は、オーバーフローする処理液に
よってすみやかに排除される。したがって、一旦取り除
かれ異物が再度基板の表面に付着することがない。
【0009】請求項4記載の発明は、上記処理液供給手
段は、上記対向部材を貫通して吐出口(15A)を基板
に向けたノズル(15)を含むことを特徴とする請求項
1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。こ
の構成では、対向部材を貫通して基板の下面に対向する
ノズルから処理液を供給できるので、基板の下面と対向
部材との間に確実に液層を形成することができる。
【0010】特に、請求項5に記載のように、ノズルの
吐出口を基板の(下面)の中心に向けることによって、
基板の下面と対向部材との間に均一な液層を形成するこ
とができる。請求項6記載の発明は、基板の上面に処理
液を供給する上面処理液供給手段(17)をさらに含む
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の
基板処理装置である。
【0011】この構成によれば、基板の上面にも処理液
が存在するので、基板の下面側から液層に与えられた超
音波振動が、基板を介して、この基板の上面側にも伝達
される。その結果、基板の上面側の異物をも除去するこ
とが可能になる。また、基板の上面に供給された処理液
は、基板の周縁から基板の端面に至る。したがって、基
板の端面に関しても、全周にわたって、超音波振動によ
る処理を施すことができる。
【0012】また、基板の下面に供給される処理液によ
って浮き上がろうとする基板を、上面に供給された処理
液によって押さえることができるので、基板の浮き上が
りを防止して、基板と超音波振動板との距離を安定させ
ることもできる。請求項7記載の発明は、上記対向部材
の上方で基板を支持する基板支持部材(16)をさらに
含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記
載の基板処理装置である。
【0013】この構成によれば、対向部材と基板の下面
との間に確実に間隙を形成することができるので、対向
部材と基板の下面との間に確実に液層を形成できる。上
記基板支持部材は、基板の下面と対向部材との間に好ま
しい厚みの液層が形成される高さで基板を保持するもの
であることが好ましい。基板支持部材の高さが高すぎる
と、超音波振動板で発生した超音波の伝達効率が悪くな
る。なお、基板支持部材を設けずに、基板の下方から液
体を供給することによって、基板と対向部材との間に液
層を形成し、この液層に基板を浮遊させた状態で、基板
の下面に対して超音波振動による処理を施す構成として
もよい。
【0014】請求項8記載の発明は、上記対向部材を基
板とともに回転させる回転駆動機構(2)をさらに含む
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の
基板処理装置である。この構成によれば、対向部材を基
板とともに回転させることによって、基板の表面を均一
に処理することができる。それとともに、基板の下面と
対向部材との間の液層には遠心力が作用するから、基板
の下面から除去されて処理液中に浮遊している異物を効
果的に除去することができる。この構成は、特に、処理
液を連続供給して、液層を形成する処理液を置換しつつ
基板の処理を行う場合に特に効果的である。
【0015】請求項9記載の発明は、ほぼ水平に保持さ
れる基板(W)の下面に処理液の液層を形成する工程
と、上記液層を挟んで基板の下面に対向して配置された
超音波振動板(14)から、上記液層を介して上記基板
に超音波振動を付与する工程とを含むことを特徴とする
基板処理方法である。この方法によって、請求項1に関
連して述べた効果を達成することができる。なお、この
請求項9に記載された基板処理方法に関しても、請求項
2ないし8に記載したような変形が可能である。
【0016】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置が適用された基板
洗浄装置の内部構成を簡略化して示す平面図である。こ
の基板洗浄装置は、CMP(化学的機械的研磨)処理後
の基板(たとえば半導体ウエハ)を洗浄するための装置
である。CMP処理後の基板Wの表面には、CMP処理
において用いられるスラリー(研磨剤)などのパーティ
クルが存在している。このスラリーは、半導体装置など
の製造工程における次のプロセスの前に、基板Wの表面
から取り除かれなければならない。このスラリーの除去
を目的とした基板洗浄装置が図1に示されている。
【0017】この基板洗浄装置は、前面パネル21の背
後に、超音波洗浄部10と、アンローダ32とを備えて
いる。超音波洗浄部10には、CMP処理装置(図示せ
ず)でCMP処理された基板Wが、搬送ロボット(図示
せず)によって搬入されるようになっている。そして、
超音波洗浄部10には、搬入されたCMP処理後の基板
Wを一時的に保持しつつ、これらの基板Wを待機中に超
音波洗浄処理するものである。また、アンローダ32
は、この基板洗浄装置によって洗浄された後の基板Wが
収容されるカセット37を載置することができるように
なっている。
【0018】この基板洗浄装置は、超音波洗浄部10か
らアンローダ32に至る、平面視においてほぼU字状の
経路40を通って搬送され、その過程で、洗浄処理およ
び乾燥処理が行われるようになっている。すなわち、こ
の経路40に沿って、超音波洗浄部10側から順に、こ
の発明の一実施形態に係る基板処理装置である超音波洗
浄部10、両面ブラシ洗浄部50、表面ブラシ洗浄部6
0、水洗・乾燥処理部70が配置されている。
【0019】さらに、経路40上には、超音波洗浄部1
0と両面ブラシ洗浄部50との間に第1中間搬送ロボッ
ト81が配置され、両面ブラシ洗浄部50と表面ブラシ
洗浄部60との間に、第2中間搬送ロボット82が配置
され、表面ブラシ洗浄部60と水洗・乾燥処理部70と
の間に第3中間搬送ロボット83が配置され、水洗・乾
燥処理部70とアンローダ32との間に、アンローダ搬
送ロボット42が配置されている。すなわち、これらの
搬送ロボット81,82,83,40によって、水中ロ
ーダ31からアンローダ32に至る処理部間での基板W
の移送が行われることによって、基板Wは、U字状の経
路40を搬送されつつ、超音波洗浄、両面ブラシ洗浄、
表面洗浄および水洗・乾燥処理などの処理を受けて、ア
ンローダ32に配置されたカセット37に収容される。
【0020】超音波洗浄部10に隣接して配置された第
1中間搬送ロボット81は、超音波洗浄部10から1枚
の基板Wを受け取り、両面ブラシ洗浄部50に受け渡
す。この第1中間搬送ロボット81は、水平面に沿って
回動自在な下アームLAと、このアームLAの先端にお
いて水平面に沿う回動が自在であるように設けられた上
アームUAとを有する屈伸型ロボットによって構成され
ている。すなわち、下アームLAが回動すると、上アー
ムUAは、下アームLAの回動方向とは反対方向に、下
アームLAの回動角度の2倍の角度だけ回動するように
構成されている。これにより、下アームLAと上アーム
UAとは、両アームが上下に重なり合った収縮状態と、
両アームが経路40に沿って超音波洗浄部10または両
面ブラシ洗浄部50に向かって展開された伸張状態とを
とることができる。
【0021】そして、上アームUAの先端には、基板W
を上方から把持する複数本(たとえば4本)の把持爪N
を有する搬送ハンドUHが設けられている。また、この
搬送ハンドUHの把持爪Nは、基板Wの把持時には、基
板Wの端面に接触して基板Wを把持するようになってお
り、基板の上面及び下面には接触しない構造となってい
る。また、第2中間搬送ロボット82および第3中間搬
送ロボット83は、上アームUAの先端部分の形状以外
は、第1中間搬送ロボット81と同様に構成されている
ので、これらのロボット81,82,83の各部には、
第1中間搬送ロボット81の対応部分の参照符号を付し
て表すこととし、説明を省略する。なお、第2中間搬送
ロボット82および第3中間搬送ロボット83の上アー
ムUAの先端部分については、第1中間搬送ロボット8
1の搬送ハンドUHのようなものは設けられておらず、
単に上アームUAの先端上面に基板吸着用の孔が設けら
れただけの構成である。すなわち、これら第2中間搬送
ロボット82および第3中間搬送ロボット83において
は、上アームUAの先端の基板吸着用の孔によって、基
板Wの下面が吸着保持されることになる。
【0022】アンローダ搬送ロボット42は、上下一対
のアーム43,44で構成された屈伸式ロボットと、こ
の屈伸式ロボットを経路40に沿って往復直線移動させ
るための直線搬送機構(図示せず)と、さらに、屈伸式
ロボットを昇降させるための昇降機構(図示せず)とを
組み合わせて構成されている。すなわち、屈伸式ロボッ
トの下アーム44は、水平面に沿って回動自在とされて
おり、上アーム43は、下アーム44の先端において、
水平面に沿う回動が自在であるように取り付けられてい
る。そして、下アーム44が回動すると、上アーム43
は、下アーム44の回動方向とは反対方向に下アーム4
4の回動角度の2倍の角度だけ回動するように構成され
ている。この屈伸式ロボットの全体が、上記昇降機構に
保持されており、この昇降機構が、上記直線搬送機構の
キャリッジ(図示せず)に支持されている。直線搬送機
構は、たとえば、ボールねじ機構であってもよい。
【0023】図2は、超音波洗浄部10の構成を説明す
るための図解的な断面図である。超音波洗浄部10は、
鉛直方向に沿って配置された回転軸11と、この回転軸
11の上端にほぼ水平に固定されて処理対象の基板Wに
対向する円板状のベース部材12と、このベース部材1
2の周縁部に立設されたほぼ円筒形状の堰部材13と、
この堰部材13の内方において、ベース部材12の表面
に配置された超音波振動板14とを備えている。
【0024】回転軸11は中空軸であって、この回転軸
11の内部を挿通するように、純水供給下ノズル15が
配置されている。この純水供給下ノズル15は、ベース
部材12および超音波振動板14にそれぞれ形成された
貫通孔を貫通していて、超音波振動板14の上面中央か
ら露出して上方(処理対象の基板Wの下面中央)に向け
られた吐出口15Aを有している。堰部材13の内周面
であって、超音波振動板14の上面には、処理対象の基
板W(たとえば半導体ウエハのような円形基板)の下面
の周縁部に接触して、この基板Wを超音波振動板14の
上面から一定距離だけ離隔した位置に保持するための基
板支持部材16が設けられている。
【0025】この基板支持部材16は、たとえば、基板
Wの周縁部に複数箇所で接触するように、堰部材13の
周方向に間隔をあけて、複数箇所(たとえば3箇所)に
設けられている。この基板支持部材16によって支持さ
れることになる基板Wの上方には、純水供給上ノズル1
7が配置されている。この純水供給上ノズル17は、基
板Wのほぼ中心に向けて純水を吐出するように配置され
ている。純水供給下ノズル15および純水供給上ノズル
17には、純水供給源1からの純水が、純水供給バルブ
18,19をそれぞれ介して供給されるようになってい
る。また、回転軸11は、モータ等を含む回転駆動機構
2に結合されている。この回転駆動機構2によって回転
軸11を鉛直軸線まわりに回転駆動することによって、
ベース部材12、堰部材13および超音波振動板14
を、基板支持部材16に支持された基板Wとともに鉛直
軸線まわりに回転することができる。超音波振動板14
には、この超音波振動板14に給電して超音波振動を発
生させるためのドライバ回路3が接続されている。
【0026】図3は、堰部材13の構成を説明するため
の斜視図である。堰部材13は、処理対象の基板Wを内
部に収容することができる筒状に形成されている。たと
えば、基板Wが半導体ウエハのような円形基板である場
合には、堰部材13は円筒状に形成されることが好まし
い。また、基板Wが液晶表示装置用ガラス基板のような
角形基板であれば、それに応じて、堰部材13は平面視
における形状が矩形の四角筒状に形成されることが好ま
しい。
【0027】この実施形態では、図3に示されているよ
うに、堰部材13は円形基板に対応した円筒状に形成さ
れている。この円筒状の堰部材13の上端付近には、堰
部材13内の処理液(純水)をオーバーフローさせるた
めの切欠き13Aが形成されている。この実施形態で
は、堰部材13の上端付近には、周方向に間隔をあけて
複数個(図3の例では等角度間隔で4個)の切欠き13
Aが形成されている。また、この切欠き13Aの下端の
高さは、基板支持部材16に支持された基板Wの下面の
高さより低くされている。なお、これら4個の切欠き1
3Aは、上述の第1中間搬送ロボット81の搬送ハンド
UHの4本の把持爪Nと同じ角度位置に形成されてお
り、基板Wの受渡し時には、把持爪Nが切欠き13Aに
入り込んで、堰部材13内に対して円滑に基板Wを受け
渡しできるようになっている。
【0028】第1中間搬送ロボット81(図1参照)
は、基板支持部材16上に、裏面(トランジスタなどの
機能素子が形成されていない側の面)を下方に向けた状
態で基板Wを受け渡す。この状態で、純水供給バルブ1
8,19を開くと、超音波振動板14の上面と、これに
対向することになる基板Wの下面との間には液層20が
形成され、かつ、基板Wの上面にも液層が形成される。
さらに、回転駆動機構2によって回転軸11が回転され
ることによって、ベース部材12および超音波振動板1
4は、基板Wとともに鉛直軸線まわりに回転する。この
状態で、ドライバ回路3から超音波振動板14に給電す
ることによって、基板Wと超音波振動板14の表面との
間の液層20を介して、基板Wに超音波振動を付与され
る。さらに、基板Wを伝搬して、基板Wの上面側の純水
にも超音波振動が伝達される。基板Wの上面側の純水
は、基板Wの周縁部から端面に至る。したがって、基板
Wの端面に対しても、全周にわたって、超音波振動を付
与することができる。
【0029】このようにして、基板Wの下面には、近接
して対向配置された超音波振動板14からの超音波振動
が効率的に伝搬される。これによって、基板Wが振動
し、かつ、この基板Wの近傍の純水が振動する。これに
より、基板Wの下面および上面ならびに端面のスラリー
が除去され、基板Wの周囲の純水中に放出される。こう
して放出された異物は、堰部材13の切欠き13Aを介
するオーバーフローによって、基板Wの表面からすみや
かに排除される。
【0030】ベース部材12および超音波振動板14が
基板Wとともに回転しているので、基板Wの下面および
上面においては、純水が回転中心から回転半径外方側に
向かう流れを形成することになる。これによって、基板
Wの表面から除去された異物は、効率的に堰部材13の
外方へと導かれることになり、異物が基板Wに再付着す
るおそれはない。上記の構成の超音波洗浄部10は、揺
動アームなどの可動部材がないので、極めて簡単な構成
を有している。そのため、安価に作製することができ
る。こうして、構成が簡単で安価な処理ユニットによっ
て、基板Wの下面(この実施形態では同時に上面)を洗
浄することができる。これにより、基板洗浄装置におけ
る基板Wの洗浄能力を向上できる。
【0031】次に、図1に示された基板洗浄装置の他の
構成部分について概説する。両面ブラシ洗浄部50は、
複数本(この実施形態では6本)の保持ローラ51A,
52Aによって、基板W(とくに円形の基板)の端面を
保持するとともに、この基板Wを水平面内で回転させ
る。それとともに、基板Wの上下に配置されたディスク
ブラシ53によって基板Wの上下面をスクラブ洗浄す
る。たとえば6本の保持ローラ51A,52Aのうちの
3本の保持ローラ51Aは保持機構51に保持されてい
て、残る3本の保持ローラ52Aは保持機構52に保持
されている。保持機構51,52は、互いに近接したり
離反したりすることができるようになっている。これに
より、基板Wを保持した状態と、基板Wの保持を解放し
た状態とをとることができる。
【0032】表面ブラシ洗浄部60は、複数本(たとえ
ば6本)の保持ピン61で基板Wの裏面の周縁部を支持
するスピンチャック62を備えている。スピンチャック
62は、保持ピン61によって水平に保持された基板W
を、鉛直軸線まわりに回転させる。スピンチャック62
に保持された基板Wの上方には、表面スクラブ洗浄機構
としてのスキャンブラシ63が備えられている。スキャ
ンブラシ63は、基板Wの表面に対してほぼ垂直な方向
に沿う回転軸まわりに回転駆動されるディスク型ブラシ
を先端に有する揺動アーム63Aを備えている。この揺
動アーム63Aが揺動することによって、基板Wの回転
中心位置とその周縁部との間の範囲でディスク型ブラシ
が繰り返し往復し、基板Wの表面の洗浄が行われる。
【0033】水洗・乾燥処理部70は、基板Wを水平に
保持して回転させるスピンチャック71と、このスピン
チャック71に保持された基板Wに対して純水を供給す
る純水供給ノズル(図示せず)とを備えている。この構
成によって、基板Wを高速回転させながら水洗が行わ
れ、さらに、純水の供給を停止して、基板Wの表裏面に
付着した水分を振り切る水切り乾燥が行われる。スピン
チャック71の上方には、基板Wの上方の空間を制限す
るための遮蔽板75が配置されている。この遮蔽板75
と基板Wの上面との間の空間には、乾燥時において、不
活性ガス(たとえば、窒素ガス)が供給され、これによ
り、乾燥処理の効率化が図られている。
【0034】以上、この発明の一実施形態ついて説明し
たが、この発明は上記の実施形態に限定されるものでは
ない。たとえば、上記の実施形態では、純水をオーバー
フローさせるための切欠き13Aが堰部材13に形成さ
れているが、この切欠き13Aを形成せずに、堰部材1
3の上端縁から純水をオーバーフローさせることとして
もよい。ただし、堰部材13内に基板Wを確実に保持す
るためには、切欠きを形成しておくことが好ましい。ま
た、切欠き13Aに変えて、堰部材13の適当な高さの
位置に丸孔や角孔などの任意の形状の開口を形成して、
この開口を介して純水をオーバーフローさせるようにし
てもよい。
【0035】また、上記の実施形態では、堰部材13の
内方に基板支持部材16を設けて基板Wを支持すること
としているが、この基板支持部材16は、省かれてもよ
い。すなわち、純水供給下ノズル15の吐出口から基板
Wの下面中央に向けて純水を吐出することによって形成
された液層20上に基板Wを浮遊させ、その状態で、超
音波振動板14からの超音波振動を、液層20を介して
基板Wに伝達することとしてもよい。
【0036】また、上記の実施形態では、堰部材13の
内周面に基板支持部材16を設けることとしたが、この
基板支持部材16は、たとえば、超音波振動板14の内
方の領域に突設された基板支持ピン(好ましくは、基板
Wの下面に接触する接触面が凸湾曲面のもの)を設け
て、この支持ピンにより基板Wを保持することとしても
よい。この場合、基板支持ピンは、複数箇所に設けられ
ることが好ましい。また、上記の実施形態では、基板W
の裏面側を超音波振動板14に対向させることとしてい
るが、基板Wの表面(たとえば、トランジスタなどの機
能素子が形成された表面)を超音波振動板14に対向す
る下面として超音波洗浄部10にセットするようにして
もよい。
【0037】また、上記の実施形態では、基板Wの上面
側にも純水を供給することとしているが、この純水の供
給は省かれてもよい。超音波振動板14と基板Wの下面
との間に形成される液層の厚み(すなわち、基板支持部
材16の超音波振動板14からの高さ)は、超音波振動
板14から基板Wへの超音波の伝達効率と、上記液層を
構成する純水の置換速度を考慮して適当に定めればよ
い。たとえば、上記液層の厚みは、10ミリ程度とする
ことがが適当である。より具体的には、超音波振動板1
4が堰部材13の内部の液層20内に定常波を形成する
場合に、この定常波の腹の部分が基板Wの下面に対応す
るように、上記液層の厚みを設定すればよい。
【0038】さらに、上述の実施形態では、堰部材13
内の基板Wに処理液としての純水が供給される構成につ
いて説明したが、アンモニア水などの薬液を処理液とし
て基板Wに供給することとしてもよい。その他、特許請
求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施
すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置が適
用された基板洗浄装置の内部構成を簡略化して示す平面
図である。
【図2】超音波洗浄部の構成を説明するための図解的な
断面図である。
【図3】堰部材の構成を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
1 純水供給源 2 回転駆動機構 3 ドライバ回路 10 超音波洗浄部 11 回転軸 12 ベース部材 13 堰部材 13A 切欠き 14 超音波振動板 15 純水供給下ノズル 15A 吐出口 16 基板支持部材 17 純水供給上ノズル 18 純水供給バルブ 20 液層 31 水中ローダ 50 両面ブラシ洗浄部 60 表面ブラシ洗浄部 70 水洗・乾燥処理部 W 基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/68 H01L 21/68 N Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 AB34 AB42 BA02 BA13 BA33 BB21 BB85 BB93 CC01 CC12 CC13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 GA08 GA15 GA43 GA47 GA48 GA49 HA09 HA46 HA48 HA59 LA12 MA03 MA23 NA04

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ほぼ水平に保持される基板の少なくとも下
    面を処理液によって処理する基板処理装置であって、 基板の下面に対向するように設けられた対向部材と、 この対向部材と基板の下面との間に処理液を供給し、上
    記対向部材と基板の下面との間に処理液の液層を形成す
    る処理液供給手段と、 上記対向部材の上面に設けられ、上記液層を介して、上
    記基板に超音波振動を付与する超音波振動板とを含むこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】上記対向部材の上面には、上記液層を維持
    するための堰部材が設けられていることを特徴とする請
    求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】上記堰部材には、処理液を排出するための
    切欠きまたは開口が形成されていることを特徴とする請
    求項2記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】上記処理液供給手段は、上記対向部材を貫
    通して吐出口を基板に向けたノズルを含むことを特徴と
    する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装
    置。
  5. 【請求項5】上記ノズルの吐出口が基板の中心に向けら
    れていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装
    置。
  6. 【請求項6】基板の上面に処理液を供給する上面処理液
    供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし
    5のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】上記対向部材の上方で基板を支持する基板
    支持部材をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし
    6のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 【請求項8】上記対向部材を基板とともに回転させる回
    転駆動機構をさらに含むことを特徴とする請求項1ない
    し7のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 【請求項9】ほぼ水平に保持される基板の下面に処理液
    の液層を形成する工程と、 上記液層を挟んで基板の下面に対向して配置された超音
    波振動板から、上記液層を介して上記基板に超音波振動
    を付与する工程とを含むことを特徴とする基板処理方
    法。
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