JP2010512649A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって：
   処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
   該チャンバ内に反応ガスと還元ガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと；
   該基板内に該プラズマからのイオンを注入するステップと；
   を含む、前記方法。
2. 該反応ガスが、ＢＦ_３、Ｂ_２Ｈ_６、ＢＣｌ_３、Ｐ_２Ｈ_５、ＰＨ_３、ＧａＮ、ＡｓＦ_５、又はＰＦ_３の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
3. 該還元ガスが、ＳｉＨ_４、Ｂ_２Ｈ_６、ＮＨ_３、又はＨ_２の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
4. プラズマを生成させる該ステップが：
   該処理チャンバ内に該ガス混合物とともに窒素含有ガスを供給する工程；
   を更に含む、請求項１に記載の方法。
5. 該反応ガスが、ＢＦ_３であり、該還元ガスが、ＳｉＨ_４ガスである、請求項１に記載の方法。
6. 該反応ガスが、ＢＦ_３とＢ_２Ｈ_６であり、該還元ガスが、ＳｉＨ_４ガスである、請求項１に記載の方法。
7. 該反応ガスが、ＢＦ_３であり、該還元ガスが、Ｂ_２Ｈ_６ガスである、請求項１に記載の方法。
8. 該処理チャンバからポンプで排出する揮発性ガスを形成するステップ；
   を更に含む、請求項７に記載の方法。
9. 注入する該ステップが：
   該基板表面から約１０オングストローム〜約８００オングストロームの深さで該基板内に該イオンを注入する工程；
   を更に含む、請求項１に記載の方法。
10. 該反応ガスと該還元ガスが、約１：０.０１〜約１：０.５のガス流量比で供給される、請求項１に記載の方法。
11. 該還元ガスが、水素含有ガスである、請求項１に記載の方法。
12. プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって：
    処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
    該チャンバ内に反応ガスと水素含有還元ガスを含むガス混合物を供給するステップであって、該水素含有還元ガスはＳｉＨ _４ またはＢ _３ Ｈ _６ ガスのうち少なくとも一つを含む前記ステップと；
    該ガス混合物からプラズマを形成するステップと；
    該ガス混合物から該基板内にイオンを注入するステップと；
    を含む、前記方法。
13. プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって、
    処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
    反応ガスとＳｉＨ_４、Ｂ_２Ｈ_６、ＮＨ_３、及びＨ_２を含む群より選ばれる水素含有還元ガス含むガス混合物とを該チャンバ内に供給するステップと；
    ＲＦ電力を印加して、プラズマを形成させるステップと；
    該ガス混合物をイオン種として解離させるステップであって、該還元ガスからの該イオン種がイオン種の第一部分と反応する工程と、該チャンバから副生成物をポンプで排出する工程とを含む、前記ステップと；
    該ガス混合物からの該イオン種の第二部分を該基板内に注入するステップと；
    を含む、前記方法。
14. 該反応ガスが、ＢＦ_３であり、イオン種の該第一部分が、Ｆイオンである、請求項１３に記載の方法。
15. イオン種の該第一部分が、Ｆイオンであり、該イオンの該第二部分が、Ｂイオンである、請求項１４に記載の方法。