CN1307143A

CN1307143A - 薄膜的制作方法及制作装置

Info

Publication number: CN1307143A
Application number: CN 00101623
Authority: CN
Inventors: 李景熙; 李文九
Original assignee: LEE GYONG HI
Current assignee: LEE GYONG HI
Priority date: 2000-01-21
Filing date: 2000-01-21
Publication date: 2001-08-08

Abstract

本发明是以提高电磁波的隔断、光学特性、电气特性、电气化学特性、机械特性等为目的的,关于薄膜制作方法及制作装置的发明。在本发明中,把真空镀膜(蒸涂、离子束、电子束、等离子束等)和溅镀、离子镀、离子注入法、紫外线辐射和等离子体蚀刻等几种制作薄膜的技术及装置同时或复合地组合在一起,利用一台装置制作薄膜。利用单一的装置生产成品,不但能缩短生产时间和简化生产流程,还极大地提高了产品质量。

Description

薄膜的制作方法及制作装置

本发明是以提高电磁波的隔断、光学特性、电气特性、电气化学特性、机械特性等为目的的关于薄膜制作方法及制作装置的发明。更具体的说，本发明是把真空镀膜(蒸涂、离子束、电子束、等离子束等)和溅镀、离子镀、离子注入法、紫外线辐射和等离子体蚀刻等几种制作薄膜的技术及装置同时或复合地组合在一起的技术和装置。

一般，制作单一及多层真空薄膜的技术有真空镀膜、溅镀、离子镀、离子注入法等。

真空镀膜是在真空容器内，利用通电的钨丝加热蒸发金属或非金属，让其蒸汽凝固在基板表面而形成薄膜的方法。真空镀膜有镀透镜的减反膜、表面反射镜等光学用途外，还可应用于电子器件中的纸介质电容器、电阻、印刷电路；塑料、纸的镀膜。离子注入法是由离子发生器、质量分离器、离子加速器、离子偏转器、离子注入室及抽真空机所构成的装置，先在质量分离器中分离出的不纯的离子流导入离子注入室，并利用电能加速后，按要求的深度注入离子的方法。

但，以往的薄膜制作技术只是利用上述技术中的某一种技术制作薄膜。只利用某一种薄膜技术时，只能使用符合该技术特性的材料，而且薄膜特性只局限于符合该技术特性的范围内。例如：利用真空镀膜的方法在塑料基板上镀膜时，膜层是一簇簇地形成。此时蒸发粒子同时具有热能和动能，所以可能会引起基板的热变形；且因粒子是以一簇簇地形成膜，所以分段覆盖度较差，从而膜层和基板不能很好的结合。

因此为了提高膜层和基板之间的结合力，需要镀膜前的前处理流程，同时也需要防止基板热变形的流程。

总之，以往的真空薄膜制作技术不但需要考虑前处理及基板特性的流程，还需要利用其他装置处理这些流程，所以生产率低下、成本上升。同时因利用诸多装置，会发生产品的移动及流程中的作业变数，可能导致生产时间和产品质量上的诸多问题。

本发明的目的是为解除以往技术上的缺陷和问题。本发明同时或组合应用多种真空薄膜制作技术于一台装置制作薄膜，从而提供了克服只采用单一的真空薄膜制作技术时发生的赋予产品特性时受到的局限性、选择符合产品特性的基板时受到的局限性、不同的基板上薄膜制作技术的应用受到的局限性的方法。

本发明的另一目的在于提供符合上述目的的薄膜制作装置。

除上述目的外，同时为从中可容易地挖掘的其他目的，把真空镀膜(蒸涂、离子束、电子束、等离子束等)和溅镀、离子镀、离子注入法、紫外线辐射等离子体蚀刻等几种制作薄膜的技术及装置同时或复合地组合在一起，利用一台装置制作薄膜。所以用单一的装置生产成品，从而不但能缩短生产时间和简化作业流程，还极大地提高了产品质量。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的，提供一种薄膜制作装置，它包括：一夹具舱移动部，它包括一被水平支承的导轨，带有移动轮的、可在所述导轨上水平移动的垂直旋转轴支架；上端固定在垂直旋转轴支架上的垂直旋转轴；一垂直旋转轴连接架，其固定端连接在垂直旋转轴上，其盘状的两侧端被多个支架连接在一起；安装在垂直旋转轴连接架上的水平旋转轴；对称设置的夹具舱，它们分别包括安装在水平旋转轴上、并将垂直旋转轴连接架的两侧端夹在中间的夹具舱盖，以及固定连接在夹具舱盖上的基板支架舱；工作舱，它上部与移动导轨固定连接，下部与工作舱支架和薄膜移动支架固定连接；薄膜制作部，它包括与工作舱下部连接的薄膜移动支架，可在薄膜移动支架上移动的薄膜制作移动部，与薄膜制作移动部固定连接的、上面设有***孔的工作舱盖，以及固定在工作舱盖上的、具有多边形中空构造的固定支架；以及固定安装在固定支架上端的真空镀膜装置、外侧上的溅镀装置、离子镀装置、离子注入装置、紫外线辐射装置、等离子体蚀刻装置中的至少一种装置。

在所述的薄膜制作装置中，基板支架舱的外侧有多个基板支架舱骨架，内侧固定有多个基板支架导轨，在基板支架导轨内部插着插有基板的基板固定架。

在所述的薄膜制作装置中，真空镀膜装置包括让冷却水流入内部的冷却水流入管，向外排出冷却水、冷却水流入管在其内部保持一定间距、导电的冷却水排出管，让冷却水流入管在冷却水排出管内部保持一定间距、并防止冷却水排出管和工作舱通电而发生漏电的绝缘体，从冷却水排出管导出电流的、***并固定在两个冷却水排出管的导电体，***并固定在导电体的插槽上的、利用电阻热把形成薄膜的物质加热至蒸汽压以上的电阻，以及位于电阻上面的、盛镀膜物质的蒸发坩埚。

在所述的薄膜制作装置中，导电体使用纯铜或黄铜；电阻使用碳、石墨或电阻发热体；蒸发坩埚使用Mo、Co、W、Ti或高温陶瓷。

在所述的薄膜制作装置中，溅镀装置包括冷却阴极内部的冷却部、磁铁固定钳、磁铁固定板和高性能磁铁。

在所述的薄膜制作装置中，在薄膜制作部中，工作舱盖通过多个连接杆与薄膜制作移动部连接；薄膜制作移动部包括与连接杆连接的支架，固定在支架下面的支托，以及安装在支托下面的、可让薄膜制作移动部左右移动的多个移动轮。

本发明还提供一种薄膜制作方法，它利用上述装置，把至少一种以上的真空薄膜制作技术组合在一起制作薄膜。

在所述的薄膜制作方法中，薄膜材料使用Li、Be、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、A、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Pb、Ag、Cd、Sn、Te、La、Hf、Ta、Pt、Au、W、不锈钢、及其合金、金属化合物、高分子材料或复合材料。

在所述的薄膜制作方法中，在真空镀膜、溅镀、离子镀、离子注入等薄膜制作方法中，利用其中的至少一种以上的方法制作具有隔断电磁波、防止静电、电气、光学特性的薄膜时，使用不锈钢、Ag、Au、Pt、Ni、Al、Cu、Ti、TiN、Co、Mn、Mn₂O₄、Cr、Cr₂O₃、Al₂O₃、TiO、TiO₂等单一的薄膜材料或此类金属的合金薄膜材料制作单层或多层薄膜。

在所述的薄膜制作方法中，在薄膜制作中，为防止塑料或低熔点基板的热变形或脱气现象，使用液态氩、液态氮作为单一低温媒质，或同时或单一地使用液态二氧化碳、液态氧等其它低温媒质。

在所述的薄膜制作方法中，在以金属或耐热性材料为基板、镀高强度、耐磨性薄膜时，镀膜并真空处理后，为提高薄膜的强度耐磨性，使用液态氩、液态氮作为单一低温媒质，或同时或单一地使用液态二氧化碳、液态氧等其它低温媒质，并对基板的局部或整体做淬火处理。

在所述的薄膜制作方法中，利用一种以上的方法，且使用具有高强度、耐磨特性的薄膜材料，如W、WC、Co、Ti、TiN、TiO、Cr、Cr₂O₃、Al₂O₃、Fe₃C等单一材料或其合金制作单层或多层薄膜。

本发明的优点是，本发明把真空镀膜(蒸涂、离子束、电子束、等离子束等)和溅镀、离子镀、离子注入法、紫外线辐射和等离子体蚀刻等几种制作薄膜的技术及装置同时或复合地组合在一起，利用一台装置制作薄膜。利用单一的装置生产成品，不但能缩短生产时间和简化生产流程，还极大地提高了产品质量。本发明同时或组合应用多种真空薄膜制作技术于一台装置制作薄膜，从而提供了克服只采用单一的真空薄膜制作技术而发生的、赋矛产品特性时受到的局限性、选择符合产品特性的基板时受到的局限性、不同的基板上薄膜制作技术的应用受到的局限性的方法。

按附后的图纸，进一步说明本发明如下。其中：

图1是本发明装置主要部分的正面图。

图2是表示本发明装置处在工作状态时，主要部分的部分截面的正面图。

图3是本发明装置的右侧面图。

图4是图2的A-A′线截面图。

图5是本发明装置中夹具舱的概略的斜视图。

图6是本发明装置中薄膜制作部的斜视图。

图7是本发明装置中真空镀膜部的部分截面的正面图。

图8是图7中“A”部的详细侧面图。

图9是图8的电阻和蒸发坩埚的平面图。

图10是本发明装置中，溅镀用阴极的截面图。

图11是图10的B-B′线截面图。

本发明的薄膜制作装置包括垂直旋转轴11，垂直旋转轴连接架13的固定端131固定连接在垂直旋转轴11上，盘状的两侧端132和132′被多个支架133连在一起，插在垂直旋转轴连接架13内的水平旋转轴12和12′，夹具舱盖14和14′连在水平旋转轴12和12′上，而垂直旋转轴连接架13的两侧端132和132′插在其内部，固定连接在夹具舱盖14和14′的基板支架舱15和15′的夹具舱10。工作舱20的上部同夹具舱部移动导轨61固定连接，下部同工作舱支架及薄膜移动支架50固定连接，工作舱盖31同薄膜制作移动部70固定连接，可让固定支架32连接并固定，还设有***孔。固定支架32***并固定在工作舱盖31中，并具有多边形中空构造。固定在固定支架32上端的真空镀膜装置33，固定在固定支架32外侧的溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38，从而形成薄膜制作部30。

基板支架舱15和15′如图5所示，外侧有多个基板支架舱骨架16，内侧固定有多个基板支架导轨17，在基板支架导轨17的内部插着插有基板19的基板固定架18。

本发明的薄膜制作装置除了夹具舱支架40、工作舱支架及薄膜移动支架50、夹具舱移动部60、薄膜制作移动部70、真空泵80、控制箱90、变压器100之外，还至少可包含标号为33-38中的一个以上部件。

如图1及图2所示，夹具舱支架40和工作舱20水平地支持夹具舱移动部60。夹具舱移动部60上的垂直旋转轴支架62支持夹具舱10的垂直旋转轴11，垂直旋转轴11使夹具舱10维持在一定的高度。

夹具舱移动部60由带有移动轮63的垂直旋转轴支架62和让垂直旋转轴支架62按一定的轨迹移动的夹具移动部导轨61构成。可让垂直旋转轴11旋转自如的垂直旋转轴支架62顺着导轨61左右移动，从而可使整个夹具舱10左右移动。同时夹具舱10随着垂直旋转轴11的旋转，以垂直旋转轴11为中心旋转。因基板支架舱15和15′对称地连接在垂直旋转轴连接架13上，所以可连续地工作。夹具舱移动部60的驱动可采用油压、气压、马达驱动等多种驱动手段(没有图示)。垂直旋转轴11和水平旋转轴12和12′的驱动手段采用了本发明所属技术领域中常用的驱动手段(没有图示)。

工作舱20位于夹具舱移动部导轨61和工作舱支架51之间。固定两侧可***夹具舱10和薄膜制作部30的圆桶的同时，再利用夹具舱10的夹具舱盖14或14′和薄膜制作部30的工作舱盖31的***来形成完整的工作舱20。

如图4及图6所示，薄膜制作部30包括真空镀膜装置33、溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37和等离子体蚀刻装置38，它们固定在工作舱盖31中央的多边形中空构造的、位于从工作舱盖31向工作舱20方向凸出的固定支架32外侧。由于真空镀膜、离子镀、离子注入可能要各自或两个以上组合后同时进行，所以真空镀膜装置33、离子镀装置35、离子注入装置36位于固定支架32的上侧；而溅镀装置34、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38位于上部以外的外侧。

如图7到图9所示，真空镀膜装置33包括让冷却水流入内部的冷却水流入管331；向外排除冷却水的、冷却水流入管331在其内部保持一定间距的、导电的冷却水排出管332；让冷却水流入管331在冷却水排出管332内部保持一定间距、并防止冷却水排出管332和工作舱20通电而发生漏电的绝缘体333和334；从冷却水排出管332导出电流的、***并固定在两个冷却水排出管332上的导电体335；***并固定在导电体335的插槽336里的、利用电阻热把形成薄膜的物质加热至蒸汽压以上的电阻337；位于电阻上面的、盛镀膜物质的蒸发坩埚338。

冷却水流入管331是让冷却水流入内部的管道，从管道流出的冷却水再通过冷却水排出管332向外排出。冷却水流入管331的材料可使用导热性良好的纯铜、黄铜、金、银等材料，还可使用本发明所属的技术领域中通常使用的金属、合金及金属化合物材料。冷却水排出管332还作为导真空镀膜用电流的导电体，其材料可使用导热性和导电性良好的纯铜、黄铜、金、银等材料，还可使用本发明所属的技术领域中通常使用的金属、合金及金属化合物材料。

绝缘体333起防止冷却水排出管332和工作舱20之间通电而发生漏电的作用，同时让工作舱20与外部压力完全脱离，使其维持独立的压力状态，从而可防止发生泄漏。绝缘体333的材料可使用绝缘性、热稳定性、强度、韧性良好的、同时脱气(Out Gassing)现象极少的聚四氟乙烯、乙缩醛、MC(MONOCAST NYLON)、氟化橡胶等材料，也可使用满足上述特性要求的其他材料。绝缘体334是防止冷却水排出管332和工作舱20之间通电，同时还起使冷却水流入管331在冷却水排出管332内维持一定间距的作用，绝缘体334可使用和绝缘体333相同的材料。

导电体335把冷却水排出管332的电流导给电阻337，从而利用电阻337的电阻热把形成薄膜的物质加热至蒸汽压以上，其材料可使用碳、石墨、电阻发热体等。蒸发坩埚338作为盛要镀在基板表面的镀膜物质的容器，还有传递电阻337产生的热量的作用。蒸发坩埚338的材料除可使用Mo、Co、W、Ti和高温陶瓷，还可使用有高熔融点及高蒸汽压和低热膨胀率的金属、金属化合物和陶瓷等。

如图10到图11所示，溅镀装置34包括让冷却水流入阴极内部并使阴极内部顺利地完成冷却的冷却部343、磁铁固定钳344、磁铁固定板345及最小3000高斯以上的高性能磁铁341和342，从而扩大了目标区的溅镀面积，可实现高速镀膜。

薄膜制作部30的溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38都各自插在固定支架32的外侧。详细地说，为让每个装置的边缘可同固定支架32结合，固定支架32上设有***孔321；从舱盖31的外部，把每个装置的边缘***固定支架32上设有的***孔321中并固定。在溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38中，可根据需要安装一个以上的装置。如未被特别指定使用，则可以使用冷却手段。掌握本发明所属技术领域的基本知识的人会很容易地在溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38中使用适合需要的组合。

溅镀装置34、离子镀装置35、离子注入装置36、紫外线辐射装置37、等离子体蚀刻装置38都各自配有为驱动各自装置的线路和为冷却各自装置的冷却管道。掌握本发明所属技术领域的基本知识的人会很容易地掌握驱动线路和冷却管道的配置，所以在本发明中只简略图示了冷却管道的配置。

薄膜制作部30通过连接工作舱盖31和薄膜制作移动部70的多个连接杆71与薄膜制作移动部70连接。薄膜制作移动部70包括连接杆71、支撑薄膜制作移动部70的支架72、下部设有多个移动轮74的、可让支架72和薄膜制作部30左右移动的支托73。薄膜制作移动部70的左右移动，将便于工作舱20内薄膜的形成、膜层材料的填充及装置的交换。

设在工作舱20的一侧、并同工作舱20相接的真空泵80可使工作舱20内形成高真空、低真空、气体氛围等符合作业的条件。控制箱90可使装置的操作为自动化操作或改变各装置的作业条件，掌握本发明所属技术领域的基本知识的人会很容易操作。变压器100的作用是使外部电压转换成符合本发明装置的电压。

举一生产流程为例，说明利用本发明装置形成薄膜的方法。

首先，在薄膜制作部30的固定支架32上装入适合形成符合要求的薄膜的装置后，利用薄膜制作移动部70把薄膜制作部30送入工作舱20内。

其次，在基板固定架18内***基板19后，在基板支架导轨17内插满基板固定架18。再利用垂直旋转轴11让夹具舱10转向工作舱20方向，随后利用夹具舱移动部60把夹具舱10送入工作舱20内，且让基板支架舱15位于工作舱20和薄膜制作部30之间。

最后，开动真空泵80使工作舱20内的气压达到要求的气压后，开动水平旋转轴12使支架舱15以水平旋转轴12为中心旋转，再开动薄膜制作部30。从而在基板19的表面上得到要求的薄膜。

上述薄膜制作技术可应用在前处理、镀膜、溅镀、离子镀、离子注入、紫外线辐射、等离子体蚀刻等方面，还可应用在其他技术中。

上述薄膜制作中可使用的薄膜材料有Li、Be、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、A、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Pb、Ag、Cd、Sn、Te、La、Hf、Ta、Pt、Au、W、不锈钢等，还可使用其他金属及其合金、金属化合物、高分子材料、复合材料等。

应用上述技术的薄膜制作可在低真空、高真空、气体氛围等作业条件下进行，所得到的薄膜可在电器件、光学、化学、电磁波的隔断、耐磨或高强度膜等用途中应用。

在适用于本发明的作业流程中，紫外线辐射是作为前处理流程，对基材做紫外线辐射；等离子体蚀刻有低真空蚀刻、高真空蚀刻方法，利用直流、无线电频率(RF)、交流电对基材表面进行蚀刻，从而可除去基材表面的杂质等，提高覆盖度，增强金属薄膜的结合力。

溅镀是先利用等离子体蚀刻做前处理后，再用溅镀的方法把原子或分子状态的金属镀在基材表面形成金属薄膜。溅镀的薄膜材料有Li、Be、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、A、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Pb、Ag、Cd、Sn、Te、La、Hf、Ta、Pt、Au、W、不锈钢等，还有其他金属及其合金、金属化合物、高分子材料、复合材料等。溅镀的方法有直流、无线电频率(RF)、交流电或利用这些的磁控溅镀法。

真空镀膜是把符合特性要求的薄膜材料在短时间内镀成薄膜的方法。主要采用粉末、颗粒状态或板状的薄膜材料。真空镀膜装置主要包括导电体、电阻、蒸发坩埚、冷却装置等。真空镀膜的薄膜材料有Li、Be、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、A、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Pb、Ag、Cd、Sn、Te、La、Hf、Ta、Pt、Au、W、不锈钢等，还有其他金属及其合金、金属化合物、高分子材料、复合材料等。

下面再举例的目的是为了更详细说明本发明，但这并非是限制本发明的适用范畴。

例1

要在塑料基板上镀能隔断电磁波的薄膜材料，要求薄膜同基板的结合力及表面抗腐蚀能力优秀，则利用本发明装置进行的整个连续的流程是：①利用紫外线辐射对基板做前处理②等离子体蚀刻③利用真空镀膜形成导电性薄膜④利用溅镀形成耐腐蚀及耐磨的薄膜，最后可得到符合上述要求的厚度约为1μm的薄膜。

此时每个流程条件和通常的处理条件相同。

例2

要在基板上镀具有光学特性的TiN或TiO₂薄膜，则利用本发明装置进行的整个连续的流程是：①等离子体蚀刻②利用卤素要及其他发热体进行表面活化③溅镀或真空镀膜中利用反应性气体，形成具有光学特性的厚度为几十一几百的TiN或TiO₂薄膜。

此时每个流程条件和通常的处理条件相同。

例3

除了把例2中③的方法改为溅镀、离子镀、离子注入法外，其他用和例2相同的方法形成薄膜。

例4

利用例2和例3，但除了使用反应性气体和不使用反应性气体性外，其他用和例2、例3相同的方法形成薄膜。

例5

要求形成具有高强度、耐磨性的TiN、Cr、CrO₂、Al₂O₃薄膜，则利用本发明装置进行的整个连续的流程是：①等离子体蚀刻②利用卤素灯及其他发热体进行表面活化③利用真空溅镀形成薄膜④利用卤素灯及其他发热体进行表面热处理，最终得到具有高强度、耐磨性的薄膜。

例6

在例1的③流程后或在④流程前，为防止塑料基板的热变形或脱气现象，高真空工作舱内通常注入几Torr至几10^-1Torr的液态或气态的氩或氮，使整个工作舱内表面或基板冷却后，再进行例1的④流程或通常使用的方法形成薄膜。如此形成薄膜的结果，可显著减少基板的热变形或脱气现象，还可节省20％以上的生产时间。

在此注入液态气体时，使用通常的注入方法。

例7

用和例6相同的方法形成薄膜，只是把其中液态氩或氮换成液态二氧化碳或液态氧等其他低温媒质。

例8

为了进一步提高例5中的薄膜的强度，耐磨性需要利用淬火效果，为此在④流程结束后，如同例6和例7注入低温媒质淬火，形成了强度、耐磨性优秀的薄膜。

Claims

1．一种薄膜制作装置，其特征在于，它包括：

一夹具舱移动部(60)，它包括一被水平支承的导轨(61)，带有移动轮(63)的、可在所述导轨(61)上水平移动的垂直旋转轴支架(62)；

上端固定在垂直旋转轴支架(62)上的垂直旋转轴(11)；

一垂直旋转轴连接架(13)，其固定端(131)连接在垂直旋转轴(11)上，其盘状的两侧端(132,132′)被多个支架(133)连接在一起；

安装在垂直旋转轴连接架(13)上的水平旋转轴(12,12′)；

对称设置的夹具舱(10)，它们分别包括安装在水平旋转轴(12,12′)上、并将垂直旋转轴连接架(13)的两侧端(132,132′)夹在中间的夹具舱盖(14,14′)，以及固定连接在夹具舱盖(14,14′)上的基板支架舱(15,15′)；

工作舱(20)，它上部与移动导轨(61)固定连接，下部与工作舱支架(51)和薄膜移动支架(50)固定连接；

薄膜制作部(30)，它包括与工作舱(20)下部连接的薄膜移动支架(50)，可在薄膜移动支架(50)上移动的薄膜制作移动部(70)，与薄膜制作移动部(70)固定连接的、上面设有***孔的工作舱盖(31)，以及固定在工作舱盖(31)上的、具有多边形中空构造的固定支架(32)；以及

固定安装在固定支架(32)上端的真空镀膜装置(33)、外侧上的溅镀装置(34)、离子镀装置(35)、离子注入装置(36)、紫外线辐射装置(37)、等离子体蚀刻装置(38)中的至少一种装置。

2．如权利要求1所述的薄膜制作装置，其特征在于，基板支架舱(15,15′)的外侧有多个基板支架舱骨架(16)，内侧固定有多个基板支架导轨(17)，在基板支架导轨(17)内部插着插有基板(19)的基板固定架(18)。

3．如权利要求1所述的薄膜制作装置，其特征在于，真空镀膜装置(33)包括让冷却水流入内部的冷却水流入管(331)，向外排出冷却水、冷却水流入管(331)在其内部保持一定间距、导电的冷却水排出管(332)，让冷却水流入管(331)在冷却水排出管(332)内部保持一定间距、并防止冷却水排出管(332)和工作舱(20)通电而发生漏电的绝缘体(333,334)，从冷却水排出管(332)导出电流的、***并固定在两个冷却水排出管(332)的导电体(335)，***并固定在导电体(335)的插槽(366)上的、利用电阻热把形成薄膜的物质加热至蒸汽压以上的电阻(337)，以及位于电阻上面的、盛镀膜物质的蒸发坩埚(338)。

4．如权利要求3所述的薄膜制作装置，其特征在于，导电体(335)使用纯铜或黄铜；电阻(337)使用碳、石墨或电阻发热体；蒸发坩埚(338)使用Mo、Co、W、Ti或高温陶瓷。

5．如权利要求1所述的薄膜制作装置，其特征在于，溅镀装置包括冷却阴极内部的冷却部、磁铁固定钳(344)、磁铁固定板(345)和高性能磁铁(341,342)。

6．如权利要求1所述的薄膜制作装置，其特征在于，在薄膜制作部(30)中，工作舱盖(31)通过多个连接杆(71)与薄膜制作移动部(70)连接；薄膜制作移动部(70)包括与连接杆(71)连接的支架(72)，固定在支架(72)下面的支托(73)，以及安装在支托(73)下面的、可让薄膜制作移动部(30)左右移动的多个移动轮(74)。

7．一种薄膜制作方法，其特征在于，利用权利要求1-6之一所述的装置，把至少一种以上的真空薄膜制作技术组合在一起制作薄膜。

8．如权利要求7所述的薄膜制作方法，其特征在于，薄膜材料使用Li、Be、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、A、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Pb、Ag、Cd、Sn、Te、La、Hf、Ta、Pt、Au、W、不锈钢、及其合金、金属化合物、高分子材料或复合材料。

9．如权利要求7所述的薄膜制作方法，其特征在于，在真空镀膜、溅镀、离子镀、离子注入等薄膜制作方法中，利用其中的至少一种以上的方法制作具有隔断电磁波、防止静电、电气、光学特性的薄膜时，使用不锈钢、Ag、Au、Pt、Ni、Al、Cu、Ti、TiN、Co、Mn、Mn₂O₄、Cr、Cr₂O₃、Al₂O₃、TiO、TiO₂等单一的薄膜材料或此类金属的合金薄膜材料制作单层或多层薄膜。

10．如权利要求7所述的薄膜制作方法，其特征在于，在薄膜制作中，为防止塑料或低熔点基板的热变形或脱气现象，使用液态氩、液态氮作为单一低温媒质，或同时或单一地使用液态二氧化碳、液态氧等其它低温媒质。

11．如权利要求7所述的薄膜制作方法，其特征在于，在以金属或耐热性材料为基板、镀高强度、耐磨性薄膜时，镀膜并真空处理后，为提高薄膜的强度耐磨性，使用液态氩、液态氮作为单一低温媒质，或同时或单一地使用液态二氧化碳、液态氧等其它低温媒质，并对基板的局部或整体做淬火处理。

12．如权利要求9至11之一所述的薄膜制作方法，其特征在于，利用一种以上的方法，且使用具有高强度、耐磨特性的薄膜材料，如W、WC、Co、Ti、TiN、TiO、Cr、Cr₂O₃、Al₂O₃、Fe₃C等单一材料或其合金制作单层或多层薄膜。