JP2010263041A - ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

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Kazuyuki Kiuchi
一之 木内
Akinori Nishio
昭徳 西尾
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Nitto Denko Corp
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Abstract

【課題】厚さ５０μｍ以下というような極薄の半導体チップであっても破損することなく高い成功率でスムーズにピックアップでき、しかもダイアタッチにおける実装効率を低下させることがなく、高い生産性で半導体装置を製造できるダイアタッチフィルム付きダイシングテープを提供する。
【解決手段】本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープは、半導体ウエハのダイシングに用いるダイアタッチフィルム付きダイシングテープであって、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルムの層構成を有し、且つ前記支持テープが自己巻回剥離性を有するテープであることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハのダイシング工程からダイボンディング工程までの一連の工程で使用されるダイアタッチフィルム付きダイシングテープ、及び、該ダイアタッチフィルム付きダイシングテープを使用した半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は、一般に、半導体ウエハに回路パターン等を形成した後、ウエハ裏面を研削し、次いで、ウエハをダイシングテープで固定した状態でダイシングして小片に分断化し、得られた半導体チップをピックアップし、ダイパッド部にボンディングする工程を経て製造される。
半導体ウエハをチップへ分断した後のピックアップは、ニードルによる突き上げ法（ニードルピックアップ法）やダイシングテープを真空吸引するニードルレス法など様々な手法が使用されているが、近年の半導体チップの薄化に伴い、効率よく、且つ、破損することなくチップをピックアップすることが困難になっている。前記ニードルピックアップ方法では、ニードルピン先端形状、ピン配列、吸着コレット形状など装置による最適化と、ダイシングテープの粘着力や基材伸び性などの最適化が進み、チップ厚さ５０μｍ程度まではピックアップが可能となっている。
一方、従来、ダイボンディング工程でリードフレームやインターポーサーなどにチップを固定する際に接着剤として銀ペースト剤を使用していたが、均一に接着剤を塗布することが困難であり、また、チップ外周よりはみ出た銀ペースト剤が金ワイヤーと接触することにより回路短絡を招く恐れがあることから、銀ペースト剤の代わりにダイアタッチフィルムを使用するケースが増えている。例えば、フラッシュメモリのスタックパッケージ等では、ダイシング工程でウエハを固定するダイシングテープとダイボンディング工程でチップをダイパッド部に接着するダイアタッチフィルムとを組み合わせたダイアタッチフィルム付きダイシングテープの使用が主流となっている。そして、チップの厚みを５０μｍ以下にする検討が進んでいる。
しかし、チップ厚さを５０μｍ以下にすると、チップ剛性が著しく低下し、可撓性が強くなるため、ニードルで突き上げても、ダイシングテープの変形にダイアタッチフィルム付きチップが追従してしなり、吸着コレットでチップをピックアップできないケースが生じている。さらに深刻な場合は、ニードルで突き上げることによりチップが破損することもある。
また、ニードルレス方式においても、吸着コレットによるチップの真空吸着力とダイシングテープの真空吸引力のバランス設定が難しく、ニードルピックアップ方法の場合と同様にピックアップミスやチップの破損というリスクがあり、ピックアップ条件を最適化するために多大な労力が必要となる。
特開２００３−３３２２６７号公報には、加工、移送する際の薄膜化ウエハの破損を低減する方法として、半導体ウエハ／補強性シート／ダイシングテープの順に貼り合わせた状態で加工、移送する方法が記載されている。しかしながら、この方法では半導体ウエハをチップへ分断した後、ピックアップする際には、補強性シートの基材が剥離されるため、極薄の半導体チップではピックアップミスや破損が生じやすい。
特開２００３−３３２２６７号公報
本発明の目的は、厚さ５０μｍ以下というような極薄の半導体チップであっても、破損することなく高い成功率でスムーズにピックアップでき、しかもダイアタッチにおける実装効率を低下させることがなく、高い生産性で半導体装置を製造できるダイアタッチフィルム付きダイシングテープを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記ダイアタッチフィルム付きダイシングテープを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、極薄チップの場合、ピックアップ時のチップのしなりがダイシングテープからの剥離を阻害してピックアップミスやチップの破損を引き起こし、ピックアップ成功率を落とす主な原因であること、ダイシングテープとダイアタッチフィルムとの間に、自己巻回剥離性を有する支持テープを介在させると、剛性が付与されて、ピックアップ時のチップのしなりを防止でき、スムーズにダイシングテープ表面からピックアップできること、及びピックアップ後、不要となった支持テープは自己巻回剥離により、チップを破損させることなく容易に除去できるため、ダイアタッチでの実装効率を低下させることがないことを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。
すなわち、本発明は、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルムの層構成を有し、且つ前記支持テープが自己巻回剥離性を有するテープであることを特徴とするダイアタッチフィルム付きダイシングテープを提供する。
このダイアタッチフィルム付きダイシングテープにおいては、被着体ダイシング後のピックアップの際に、ダイシングテープと支持テープとの間で剥離可能であるのが好ましい。
前記支持テープは、ダイシングテープ側から順に、熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層、または熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層／粘着剤層（Ａ）の層構成を有していてもよい。前記粘着剤層（Ａ）は感圧接着剤又は活性エネルギー線硬化型粘着剤で構成できる。
前記ダイシングテープは、支持テープ側から順に、粘着剤層（Ｂ）／基材層の層構成を有していてもよい。前記粘着剤層（Ｂ）は感圧接着剤又は活性エネルギー線硬化型粘着剤で構成できる。
ダイアタッチフィルムはエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成されていてもよい。
本発明は、また、前記のダイアタッチフィルム付きダイシングテープのダイアタッチフィルム面に半導体ウエハを貼り合わせて。ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルム／ウエハ積層構造体を形成し、得られた積層構造体をウエハ側からダイシングし、続いて、ダイシングテープ側から突き上げて、支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収する工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
この製造方法は、さらに、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得る工程を含んでいてもよい。
また、上記製造方法において、加熱機構を具備したピックアップ用吸着コレットを使用して支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収し、続いて、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから、加熱により支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得てもよい。
前記製造方法は、さらに、得られたダイアタッチフィルム付き半導体チップをダイパッド部にボンディングする工程を含んでいてもよい。
本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープによれば、ダイシングテープとダイアタッチフィルムとが貼り合わされた構成を有しているためダイシングからダイボンディングまでの一貫した工程で効率よく半導体装置を製造することができる。また、ダイシングテープとダイアタッチフィルムが自己巻回剥離性を有する支持テープを介して積層されているので、しなり性を有する極薄のチップにも該支持テープにより剛性が付与されるため、チップのしなり（撓み）によるピックアップミスやチップの破損を防止でき、容易にスムーズにピックアップを行うことができる。また、ピックアップ後は、ダイボンディングまでの間に不要となった支持テープを加熱等により容易に自己巻回剥離させることができるので、ダイボンディング工程での実装効率を低下させない。したがって、極薄チップを用いた半導体装置を高い生産性で製造することが可能である。
本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープの一例を示す概略断面図である。 本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープにおける支持テープが自己巻回（自発巻回）する様子を示す図（斜視図）である。 本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す概略図（断面図）である。
以下に、本発明の実施の形態を、必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープの一例を示す概略断面図である。この例では、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４は、ダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３の順に積層されている。支持テープ２は、ダイシングテープ１側から順に、熱収縮性基材層２１／弾性層２２／剛性基材層２３／粘着剤層（Ａ）２４の層構成を有する。また、ダイシングテープ１は、支持テープ２側から順に、粘着剤層（Ｂ）１２／基材層１１の層構成を有している。
［ダイシングテープ］
本発明において、ダイシングテープとしては、半導体ウエハ等の被着体（被加工体）のダイシングの際に該被着体（被加工体）を仮固定するために用いられる公知のダイシングテープを使用できる。
ダイシングテープ１の基材層１１としては、プラスチックフィルム（プラスチック基材）が好ましく、基材層１１の素材として、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等が挙げられる。これらの素材は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なかでも、ピックアップ時の基材伸び性の観点から、オレフィン系樹脂やＰＶＣ等が好ましい。
粘着剤層（Ｂ）１２を構成する粘着剤としては、感圧接着剤（非活性エネルギー線硬化型粘着剤）又は活性エネルギー線硬化型粘着剤が好ましく、後述する支持テープ２の粘着剤層（Ａ）２４で例示するものと同様のものを使用できる。
粘着剤層（ｂ）１２のピックアップ時における粘着力（粘着剤層又は低粘着化処理後の粘着剤層の粘着力）（１８０°ピール剥離、対シリコンミラーウエハ、引張り速度３００ｍｍ／分）は、例えば、室温（２５℃）で、０．０１〜１Ｎ／１０ｍｍ程度、好ましくは、０．０１〜０．５Ｎ／１０ｍｍ程度である。
ダイシングテープ１としては、例えば、商品名「ＤＵ−３００」、「Ｖ−８−Ｓ」（日東電工（株）製）等の市販のダイシングテープを使用することができる。
［支持テープ］
本発明では、支持テープとして、自己巻回剥離性を有するテープ（シート）を用いる。自己巻回剥離性とは、熱等の刺激の付与により、その後は特に外力を加えることなく自己巻回して巻回体を形成しつつ、被支持体（ダイアタッチフィルム３）から剥離しうる性質をいう。支持テープの巻回を促す刺激としては、熱、光、電気等が挙げられるが、特に熱が好ましい。また、支持テープとしては、熱等の刺激により収縮する収縮性基材であるのが好ましい。なお、支持テープは、熱等の刺激により巻回して、両端が重なって完全に筒状に巻回した筒状巻回体を形成するのが好ましいが、完全に筒状に巻回するには至らず、両端が重ならずに、筒の側面の一部が長さ方向に開いた形状（樋状）のものであってもよい。
上記の例において、支持テープ２としては、前記の熱収縮性基材層２１／弾性層２２／剛性基材層２３／粘着剤層（Ａ）２４の層構成のほか、例えば、ダイアタッチフィルム３自体に自着性がある場合などには、ダイシングテープ１側から順に、熱収縮性基材層２１／弾性層２２／剛性基材層２３の層構成を有するテープ（シート）であってもよい。
（熱収縮性基材層）
熱収縮性基材層２１は、加熱することにより収縮性を発揮するフィルム層であればよく、一軸収縮性フィルム、二軸収縮性フィルム等のいずれであってもよい。一軸収縮性フィルムとしては、一軸方向のみに収縮性を有する一軸収縮性フィルムを使用してもよく、或る方向（一軸方向）に主たる収縮性を有し、該方向とは異なる方向（例えば、該方向に対して直行する方向）に副次的な収縮性を有する収縮性フィルムを使用してもよい。また、熱収縮性基材層２１は単層であってもよく、二以上の層からなる複層であってもよい。
熱収縮性基材層２１を構成する収縮性フィルムの主収縮方向の収縮率は、６０〜１８０℃の範囲の所定温度（例えば８０℃）において、好ましくは３０〜９０％、特に好ましくは５０〜９０％である。なお、６０〜１８０℃の範囲内の所定温度（例えば８０℃）において二軸に収縮する場合、収縮率がより高い軸方向を主収縮方向とする。収縮性フィルムの熱収縮性は、例えば押出機により押し出されたフィルムに一軸方向又は二軸方向に延伸処理を施すことにより付与することができ、その延伸の程度により収縮率を調整することができる。
一軸収縮性フィルムとしては、主収縮方向以外の方向の収縮率が、１０％未満（好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下）である収縮性フィルムを使用できる。一軸収縮性フィルムの場合、熱刺激を与えると、後述するように拘束層（弾性層２２＋剛性基材層２３）における熱収縮性基材層２１の収縮力に対する反発力が駆動力となって、支持テープ２の外縁部（１端部又は対向する２端部）が浮き上がり、熱収縮性基材層２１側を内にして、端部から１方向又は中心方向（通常、熱収縮性基材２１の主収縮軸方向）へ自己巻回して、ダイアタッチフィルム３から剥離する。
二軸収縮性フィルムとしては、主収縮方向以外の方向の収縮率が１０％以上［例えば１０〜８０％、好ましくは１５％以上（例えば、１５〜８０％）］である収縮性フィルムを使用できる。主収縮方向における収縮率［Ａ（％）］と主収縮方向に直交する方向における収縮率［Ｂ（％）］の比（Ａ：Ｂ）としては、１：１〜１０：１、なかでも１：１〜５：１が好ましく、特に１：１〜３：１が好ましい。二軸収縮性フィルムの場合、直交する２方向のみでなく、実際には２つの収縮軸で作られる収縮応力が合成されて働くと推測されるため、熱収縮性フィルムをどの方向から加熱しても収縮させることができ、支持テープ２が、熱収縮性基材層２１側を内にして自発的に反り、被着体との間に浮きを生じ、さらに加熱することにより１端部から１方向へ自発的に巻回して、ダイアタッチフィルム３から剥離する。
熱収縮性基材層２１と剛性基材層２３とを接合する弾性層２２、ダイアタッチフィルム３と貼り合わせるための粘着剤層（Ａ）２４として活性エネルギー線硬化型粘着剤層を使用する場合で、且つ、活性エネルギー線照射を熱収縮性基材層２１を通して行うときは、熱収縮性基材層２１は、所定量以上の活性エネルギー線を透過し得る材料（例えば、透明性を有する樹脂）で構成する必要がある。
熱収縮性基材層２１を構成する熱収縮性フィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン類；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸等のポリエステル類；カプトン等のポリイミド類；６，６−ナイロン等のポリアミド類；ポリエーテルスルホン酸類；ポリノルボルネン；ポリウレタン；ポリスチレン；ポリ塩化ビニリデン等の紫外線透過性を有するポリマーから選択される１種又は２種以上の樹脂からなる熱収縮性フィルムを好適に使用することができる。
熱収縮性フィルムとしては、なかでも、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリノルボルネン等のポリオレフィン系樹脂（環状ポリオレフィン系樹脂を含む）、ポリウレタン系樹脂からなる一軸又は二軸延伸フィルムが好ましい。これらのフィルムは、粘着剤の塗工作業性、コスト面などの経済性に優れ、後述する剛性基材層との貼り合わせに用いる弾性層との粘着性が高いことのほか、収縮開始温度に対しての応答性が高い等の利点がある。
熱収縮性基材層２１の厚みとしては、一般には５〜３００μｍであり、切断性の観点から、好ましくは１０〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜６０μｍである。熱収縮性基材層２１が厚すぎると、不経済となるだけでなく剛性が高くなって自己巻回が起こらず、熱収縮性基材層２１と弾性層２２との間で分離し、積層体破壊につながりやすい。一方、熱収縮性基材層２１の厚みが薄すぎると、製造時のフィルム巻き取りや、繰り出し操作等が困難になる等操作性が悪く、また、収縮応力が小さくなりすぎる結果、支持テープ２全体の剛性が勝るため自己巻回が起こりにくくなる。
熱収縮性基材層２１の表面は、隣接する層（ダイシングテープ１）との剥離性を高めるため慣用の剥離処理（離型処理）等が施されていてもよい。
本発明における熱収縮性基材層２１を形成する一軸収縮性フィルムとしては、例えば、商品名「スペースクリーン」（東洋紡社製）、商品名「ルミラー」（東レ社製）、商品名「アートン」（ＪＳＲ社製）、商品名「ゼオノア」（日本ゼオン社製）、商品名「サンテック」（旭化成社製）等の市販品を使用することができる。熱収縮性基材層２１を形成する二軸収縮性フィルムとしては、例えば、商品名「スペースクリーン」（東洋紡社製）、商品名「ファンシーラップ」（グンゼ社製）、商品名「トレファン」（東レ社製）、商品名「ルミラー」（東レ社製）、商品名「アートン」（ＪＳＲ社製）、商品名「ゼオノア」（日本ゼオン社製）、商品名「サンテック」（旭化成社製）、商品名「ソプラ」（積水フィルム社製）、商品名「コージンポリセット」（興人社製）、商品名「テラマック」（ユニチカ社製）等の市販品を使用することができる。また、上記市販品に、必要に応じて適宜延伸処理や架橋処理を施してもよく、表面にコロナ処理や印刷加工処理を施してもよい。延伸処理を施すことにより、更に高い収縮性を付与することができる。
（弾性層）
本発明において、弾性層２２と剛性基材層２３は熱収縮性基材層２１の収縮を拘束する拘束層として機能する。この拘束層は、熱収縮性基材層２１の収縮を拘束し、反作用力を生み出すことにより、支持テープ２全体として偶力を生み出し、巻回を引き起こす駆動力となる。
弾性層２２は、熱収縮性基材層２１の収縮時の温度下で変形しやすいこと、すなわちゴム状態であることが好ましい。但し、流動性のある材料では、十分な反作用力が生じず、最終的には熱収縮性基材層２１単独で収縮してしまい、変形（自己巻回）を起こすことができない。従って、弾性層２２は３次元架橋等により流動性を抑えたものが好ましい。また、弾性層２２は、その厚みによっても、熱収縮性基材層２１の非一様な収縮力のうち弱い力の成分に抵抗して、該弱い力の成分による収縮変形を防ぐことで、一様な収縮方向へと変換する作用を有する。
従って、弾性層２２は、粘着性を有し、ガラス転移温度が例えば５０℃以下、好ましくは室温（２５℃）以下、より好ましくは０℃以下の樹脂で形成するのが望ましい。弾性層２２の熱収縮性基材層２１側の表面の粘着力は、１８０°ピール剥離試験（ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠、引張り速度３００ｍｍ／分、５０℃）の値で、好ましくは０．５Ｎ／１０ｍｍ以上の範囲である。この粘着力が低すぎると、熱収縮性基材層２１と弾性層２２との間で剥離が生じやすくなる。
また、弾性層２２のずり弾性率Ｇは室温（２５℃）から剥離時温度（例えば８０℃）において、１×１０4Ｐａ〜５×１０6Ｐａであり、特に０．０５×１０6Ｐａ〜３×１０6Ｐａであるのが好ましい。ずり弾性率が小さすぎると熱収縮性基材層２１の収縮応力を巻回に必要な応力へと変換する作用が乏しくなり、逆に大きすぎると、剛性を強めるために巻回性に乏しくなるほか、一般に弾性が高いものは粘着性に乏しく積層体の作製が困難になりやすく、残存応力を緩和する働きも乏しくなる。
弾性層２２の厚みは、切断性や拘束層としての機能を損なわない範囲で適宜選択できるが、通常５０μｍ以下（例えば、１０〜５０μｍ）、好ましくは３５μｍ以下（例えば、１０〜３５μｍ）、さらに好ましくは２０μｍ以下（例えば、１０〜２０μｍ）である。前記厚みが薄すぎると、熱収縮性基材層２１の収縮に対する拘束性が得られにくく、応力緩和の効果も小さくなる。逆に厚すぎると、自己巻回性が低下しやすくなり、また切断性、取扱性、経済性に劣り好ましくない。
従って弾性層２２のずり弾性率Ｇ（例えば８０℃における値）と厚みの積（ずり弾性率Ｇ×厚み）は、好ましくは１〜２５０Ｎ／ｍ（より好ましくは１〜１５０Ｎ／ｍ、さらに好ましくは１．２〜１００Ｎ／ｍ）である。
弾性層２２として、例えば、表面（少なくとも熱収縮性基材層２１側の表面）に粘着処理が施されたウレタンフォームやアクリルフォームなどのフォーム材料（発泡フィルム）やゴム、熱可塑性エラストマー等を素材とする非発泡樹脂フィルム等の樹脂フィルム（シートを含む）などを使用できる。
前記粘着処理に用いる粘着剤としては、特に制限はなく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤などの公知の粘着剤を１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。特に、粘着力の調整などの点から、アクリル系粘着剤が好ましく用いられる。なお、粘着処理に用いる粘着剤の樹脂と、発泡フィルムや非発泡樹脂フィルムの樹脂は、高い親和性を得るため同種の樹脂が好ましい。例えば、粘着処理にアクリル系粘着剤を用いる場合には、樹脂フィルムとしてアクリルフォームなどが好適である。
また、弾性層２２として、例えば、架橋型アクリル系粘着剤、架橋型ポリエステル系粘着剤等のそれ自体接着性を有する樹脂組成物で形成してもよい。このような、架橋型アクリル系粘着剤、架橋型ポリエステル系粘着剤等により形成された層（粘着剤層）は、別途粘着処理を施す必要がなく比較的簡便な方法で製造可能であり、生産性、経済性に優れるため好ましく用いられる。
上記架橋型アクリル系粘着剤は、アクリル系重合体をベースポリマーとするアクリル系粘着剤に架橋剤が添加された構成を有している。アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸Ｃ1−Ｃ20アルキルエステルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルの単独又は共重合体；前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、他の共重合性モノマー［例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、無水マレイン酸などのカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリル酸モルホリルなどのアミノ基含有モノマー；（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー；（メタ）アクリロニトリルなどのシアノ基含有モノマー；（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステル等］との共重合体などが挙げられる。
アクリル系重合体としては、特に、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート等の（メタ）アクリル酸Ｃ1−Ｃ12アルキルエステルの１種又は２種以上と、２−ヒドロキシエチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー及びアクリル酸等のカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマーから選択された少なくとも１種の共重合性モノマーとの共重合体、或いは（メタ）アクリル酸Ｃ1−Ｃ12アルキルエステルの１種又は２種以上と、脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマー及びカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマーから選択された少なくとも１種の共重合性モノマーとの共重合体が好ましい。
アクリル系重合体は、例えば、上記に例示の単量体成分（及び重合開始剤）を無溶剤で光（紫外線等）重合することにより、高粘度の液状プレポリマーとして調製される。次に、このプレポリマーに架橋剤を添加することにより架橋型アクリル系粘着剤組成物を得ることができる。なお、架橋剤はプレポリマー製造時に添加しておいてもよい。また、上記に例示の単量体成分を重合して得られたアクリル系重合体又はその溶液に架橋剤と溶媒（アクリル系重合体の溶液を用いる場合は必ずしも必要ではない）を加えることにより、架橋型アクリル系粘着剤組成物を得ることもできる。
架橋剤としては、特に制限はなく、例えば、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アクリレート系架橋剤（多官能アクリレート）、イソシアネート基を有する（メタ）アクリル酸エステル等を使用できる。アクリレート系架橋剤としては、例えば、ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどが例示される。イソシアネート基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートなどが例示される。なかでも、架橋剤として、アクリレート系架橋剤（多官能アクリレート）やイソシアネート基を有する（メタ）アクリル酸エステル等の紫外線（ＵＶ）反応性架橋剤が好ましい。
架橋剤の添加量は、通常、上記ベースポリマー１００重量部に対して０．０１〜１５０重量部程度、好ましくは０．０５〜５０重量部程度、特に好ましくは０．０５〜３０重量部程度である。
架橋型アクリル系粘着剤は、ベースポリマー及び架橋剤のほかに、架橋促進剤、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂など）、増粘剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。
弾性層２２としての架橋型アクリル系粘着剤層は、例えば、上記プレポリマーに架橋剤を添加した架橋型アクリル系粘着剤組成物を、キャスト法などの公知の方法により、所望の厚み、面積を有するフィルム状とし、再度光照射して架橋反応（及び未反応モノマーの重合）を進行させることにより、目的に見合った弾性層２２を簡便に得ることができる。こうして得られた弾性層（架橋型アクリル系粘着剤層）は自粘着性を有するため、熱収縮性基材層２１と剛性基材層２３の層間にそのまま貼り合わせて使用することができる。架橋型アクリル系粘着剤層として、日東電工（株）製の商品名「ＨＪ−９１５０Ｗ」などの市販の両面接着テープを利用できる。なお、フィルム状の粘着剤を熱収縮性基材層２１と剛性基材層２３の層間に貼り合わせた後、再度光照射することにより架橋反応を行ってもよい。
また、弾性層２２としての架橋型アクリル系粘着剤層は、上記のアクリル系重合体と架橋剤とが溶媒に溶解した架橋型アクリル系粘着剤組成物を剛性基材層２３の表面に塗工し、その上に熱収縮性基材層２１を貼り合わせた後、光照射することにより得ることもできる。
上記架橋型エステル系粘着剤は、エステル系重合体をベースポリマーとするエステル系粘着剤に架橋剤が添加された構成を有している。エステル系重合体としては、例えば、ジオール成分とジカルボン酸成分との縮合重合物からなるポリエステルなどが挙げられる。
ジオール成分の例としては、例えば、（ポリ）カーボネートジオールが挙げられる。（ポリ）カーボネートジオールとしては、例えば、（ポリ）ヘキサメチレンカーボネートジオール、（ポリ）３−メチル（ペンタメチレン）カーボネートジオール、（ポリ）トリメチレンカーボネートジオールや、これらの共重合物などが挙げられる。なお、（ポリ）カーボネートジオールが、ポリカーボネートジオールである場合、その重合度は特に制限されない。
（ポリ）カーボネートジオールの市販品としては、例えば、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２０８ＰＬ」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２１０ＰＬ」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２２０ＰＬ」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２０８」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２１０」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２２０」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２０８ＨＬ」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬＣＤ２１０ＨＬ」、商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２２０ＨＬ」［以上、ダイセル化学工業（株）製］などが挙げられる。
ジオール成分としては、（ポリ）カーボネートジオールのほか、必要により、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、デカンジオール、オクタデカンジオールなどの成分を併用してもよい。ジオール成分又は（ポリ）カーボネートジオールは単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
ジカルボン酸成分としては、炭素数２〜２０の脂肪族又は脂環族炭化水素基を分子骨格とするジカルボン酸又はその反応性誘導体を必須成分として含むジカルボン酸成分を好適に用いることができる。前記炭素数２〜２０の脂肪族又は脂環族炭化水素基を分子骨格とするジカルボン酸又はその反応性誘導体において、炭化水素基は直鎖状であってもよく、また分岐鎖状であってもよい。このようなジカルボン酸又はその反応性誘導体の代表的な例として、コハク酸、メチルコハク酸、アジピン酸、ピメリック酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，１２−ドデカン二酸、１，１４−テトラデカン二酸、テトラヒドロフタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、及びこれらの酸無水物や低級アルキルエステルなどが挙げられる。ジカルボン酸成分は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
ジオール成分とジカルボン酸成分との組み合わせとしては、ポリカーボネートジオールとセバシン酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、フタル酸又はマレイン酸などが好ましく使用できる。
架橋型エステル系粘着剤における架橋剤としては、前記架橋型アクリル系粘着剤における架橋剤と同様のものを使用できる。架橋剤の添加量、添加してもよい添加剤、弾性層の形成方法も前記架橋型アクリル系粘着剤の場合と同様である。
本発明における弾性層２２の構成成分には、さらにガラスビーズ、樹脂ビーズ等のビーズが添加されていてもよい。弾性層２２にガラスビーズや樹脂ビーズを添加すると、粘着特性やずり弾性率を制御しやすい点で有利である。ビーズの平均粒径は、例えば１〜１００μｍ、好ましくは１〜２０μｍ程度である。ビーズの添加量は、弾性層２２の全体１００重量部に対して、例えば０．１〜１０重量部、好ましくは１〜４重量部である。前記添加量が多すぎると粘着特性が低下する場合があり、少なすぎると上記効果が不十分となりやすい。
（剛性基材層）
剛性基材層２３は拘束層（弾性層２２＋剛性基材層２３）に剛性あるいは靱性を付与することで、熱収縮性基材層２１の収縮力に対して反作用の力を生み出し、ひいては巻回に必要な偶力を発生する機能を有する。剛性基材層２３を設けることにより、熱収縮性基材層２１に熱刺激が付与された際、支持テープ２が、途中で停止したり方向がずれたりすることなく円滑に自己巻回し、形の整った筒状巻回体を形成することができる。また、ダイシングされた切断片に剛性が付与され、チップの破損を防止しつつピックアップを円滑に行うことができる。
剛性基材層２３を構成する剛性フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリイミド；ポリアミド；ポリウレタン；ポリスチレン等のスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニリデン；ポリ塩化ビニル等から選択される１種又は２種以上の樹脂からなるフィルムが挙げられる。なかでも、粘着剤の塗工作業性等に優れる点で、ポリエステル系樹脂フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルム等が好ましい。特に、ポリエチレンテレフタレートからなる剛性基材層は、コスト面などの経済性に優れ、前記熱収縮性基材層とを貼り合わせる弾性層との密着性が高いことのほか、耐熱安定性に優れ、高機械強度を有する等の利点があるため好ましい。剛性基材層２３は単層であっても２以上の層が積層された複層であってもよい。
剛性基材層２３を構成する剛性フィルムは非収縮性であることが好ましく、例えば、８０℃における熱収縮率は、例えば５％以下、好ましくは３％以下、さらに好ましくは１％以下（特に０．５％以下）である。剛性基材層２３は熱収縮性基材層２１の収縮時において、膨張してもよい。すなわち、剛性基材層２３の前記熱膨張率は、マイナスの値をとってもよい。剛性基材層２３の前記熱収縮率の下限は、例えば、−１％程度である。
剛性基材層２３のヤング率と厚みの積（ヤング率×厚み）は、剥離時温度（例えば８０℃）において、好ましくは３．０×１０5Ｎ／ｍ以下（例えば、１．０×１０2〜３．０×１０5Ｎ／ｍ）、さらに好ましくは２．８×１０5Ｎ／ｍ以下（例えば、１．０×１０3〜２．８×１０5Ｎ／ｍ）である。剛性基材層２３のヤング率と厚みの積が小さすぎると熱収縮性基材層２１の収縮応力を巻回応力へと変換する作用に乏しく、方向性収斂作用も低下しやすくなり、逆に大きすぎると剛性によって巻回が抑制されやすくなる。
剛性基材層２３のヤング率は、剥離時温度（例えば８０℃）において、好ましくは３×１０6〜２×１０10Ｎ／ｍ2、さらに好ましくは１×１０8〜１×１０10Ｎ／ｍ2である。ヤング率が小さすぎると形の整った巻回した筒状巻回体が得られにくくなり、逆に大きすぎると自発巻回が起こりにくくなる。
剛性基材層２３の厚みは、切断性と剛性とを考慮して選択できるが、例えば１０〜７５μｍ、好ましくは１５〜５０μｍ、さらに好ましくは２０〜４０μｍである。前記厚みが薄すぎると、形の整った巻回した筒状巻回体が得られにくくなり、厚すぎると自己巻回性が低下し、また切断性、取扱性、経済性に劣り好ましくない。
また、剛性基材層２３としては、粘着剤層（Ａ）２４がエネルギー線硬化型粘着剤層の場合にはエネルギー線を透過しやすい材料で形成され、製造上や作業性等の観点から厚みが適宜選択できてフィルム形状にしやすい成形加工性に優れるものであるのが好ましい。
なお、ダイアタッチフィルム３に自着性がある場合などは、前記のように粘着剤層（Ａ）２４を設けなくてもよい。この場合、剛性基材層２３のダイアタッチフィルム３との積層側に、シリコーン、フッ素系樹脂、長鎖アルキルなどによる離型処理を施した剛性基材を用いると、ダイアタッチフィルム３の剥離性を向上させることができる。さらに、ポリプロピレンやポリエチレンなどの表面張力に小さいオレフィン系基材等を剛性基材層２３として使用することもできる。この場合は、剛性基材層２３の弾性層２２側にコロナ処理やプライマー処理等を施して、弾性層２２との密着性を高めるのが好ましい。
剛性基材層２３としては、例えば、商品名「トレファン」（東レ社製）、商品名「ルミラー」（東レ社製）、商品名「アートン」（ＪＳＲ社製）、商品名「ゼオノア」（日本ゼオン社製）、商品名「メリネックス」（帝人デュポン社製）等の市販品を使用することができ、なかでも、商品名「ルミラー」（東レ社製）、商品名「メリネックス」（帝人デュポン社製）を好適に使用することができる。また、上記市販品に、必要に応じて適宜延伸処理や架橋処理を施してもよく、表面にコロナ処理や印刷加工処理を施してもよい。
（粘着剤層（Ａ））
粘着剤層（Ａ）２４としては、もともと粘着力の小さい粘着剤層を用いることもできるが、被着体に貼着可能な粘着性を有しており、所定の役割が終了した後には、何らかの方法（低粘着化処理）で粘着性を低下又は消失可能な再剥離性の粘着剤層であるのが好ましい。このような再剥離性粘着剤層は、公知の再剥離性粘着シートの粘着剤層と同様に構成できる。自己巻回性の観点から、粘着剤層又は低粘着化処理後の粘着剤層の粘着力（１８０°ピール剥離、対シリコンミラーウエハ、引張り速度３００ｍｍ／分）は、例えば常温（２５℃）で、６．５Ｎ／１０ｍｍ以下（特に６．０Ｎ／１０ｍｍ以下）であるのが望ましい。
なお、ウエハ等の被着体ダイシング後のピックアップ時において、支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップを円滑に回収するため、支持テープ２における粘着剤層（Ａ）２４のダイアタッチフィルム３に対する粘着力は、ダイシングテープ１における粘着剤層（Ｂ）１２の支持テープ２における熱収縮性基剤２１に対する粘着力より大きくなるように設定する必要がある。但し、ダイアタッチフィルム３自体に自着性があり、粘着剤層（Ａ）２４を設けない場合には、ダイシング後のピックアップ時において、ダイアタッチフィルム３の支持テープ２における剛性基材層２３に対する粘着力は、ダイシングテープ１における粘着剤層（Ｂ）１２の支持テープ２における熱収縮性基剤２１に対する粘着力より大きくなるように設定する必要がある。
粘着剤層（Ａ）２４としては、感圧接着剤（非活性エネルギー線硬化型粘着剤）又は活性エネルギー線硬化型粘着剤で構成できる。粘着剤層（Ａ）２４としては、エネルギー線硬化型粘着剤層（特に、活性エネルギー線硬化型粘着剤層）であるのが好ましい。エネルギー線硬化型粘着剤層は、初期には粘接着性を有し、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線などのエネルギー線の照射により３次元網目構造を形成して高弾性化するような材料で構成することができ、このような材料として、エネルギー線硬化型粘着剤等を利用できる。エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線硬化性を付与するためのエネルギー線反応性官能基を化学修飾した化合物、又はエネルギー線硬化性化合物（又はエネルギー線硬化性樹脂）を含有する。従って、エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線反応性官能基で化学的に修飾された母剤、又はエネルギー線硬化性化合物（又はエネルギー線硬化性樹脂）を母剤中に配合した組成物により構成されるものが好ましく用いられる。
前記母剤としては、例えば、従来公知の感圧性接着剤（粘着剤）等の粘着物質を使用することができる。粘着剤として、例えば、天然ゴムやポリイソブチレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴム、再生ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレンゴム、ＮＢＲなどのゴム系ポリマーをベースポリマーに用いたゴム系粘着剤；シリコーン系粘着剤；アクリル系粘着剤等が例示される。なかでも、アクリル系粘着剤が好ましい。母剤は１種、又は２種以上の成分で構成してもよい。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸Ｃ1−Ｃ20アルキルエステルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルの単独又は共重合体；該（メタ）アクリル酸アルキルエステルと他の共重合性モノマー［例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、無水マレイン酸などのカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリル酸モルホリルなどのアミノ基含有モノマー；（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー等］との共重合体などのアクリル系重合体をベースポリマーに用いたアクリル系粘着剤等が例示される。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
エネルギー線硬化型粘着剤をエネルギー線硬化させるための化学修飾に用いるエネルギー線反応性官能基、及びエネルギー線硬化性化合物としては、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線などのエネルギー線により硬化可能なものであれば特に限定されないが、エネルギー線照射後のエネルギー線硬化型粘着剤の３次元網状化（網目化）が効率よくなされるものが好ましい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。化学修飾に用いられるエネルギー線反応性官能基としては、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、アセチレン基などの炭素−炭素多重結合を有する官能基等が挙げられる。これらの官能基は、エネルギー線の照射により炭素−炭素多重結合が開裂してラジカルを生成し、このラジカルが架橋点となって３次元網目構造を形成することができる。なかでも、（メタ）アクリロイル基は、エネルギー線に対して比較的高反応性を示すことができ、また豊富な種類のアクリル系粘着剤から選択して組み合わせて使用できるなど、反応性、作業性の観点で好ましい。
エネルギー線反応性官能基で化学的に修飾された母剤の代表的な例として、ヒドロキシル基やカルボキシル基等の反応性官能基を含む単量体［例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸等］を（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合させた反応性官能基含有アクリル系重合体に、分子内に前記反応性官能基と反応する基（イソシアネート基、エポキシ基等）及びエネルギー線反応性官能基（アクリロイル基、メタクリロイル基等）を有する化合物［例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチレンイソシアネートなど］を反応させて得られる重合体が挙げられる。
前記反応性官能基含有アクリル系重合体における反応性官能基を含む単量体の割合は、全単量体に対して、例えば５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％である。前記反応性官能基含有アクリル系重合体と反応させる際の分子内に前記反応性官能基と反応する基及びエネルギー線反応性官能基を有する化合物の使用量は、反応性官能基含有アクリル系重合体中の反応性官能基（ヒドロキシル基、カルボキシル基等）に対して、例えば５０〜１００モル％、好ましくは６０〜９５モル％である。
エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート等のポリ（メタ）アクリロイル基含有化合物等の炭素−炭素二重結合を２つ以上有する化合物などが挙げられる。これらの化合物は単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、ポリ（メタ）アクリロイル基含有化合物が好ましく、例えば特開２００３−２９２９１６号公報に例示されている。以下、ポリ（メタ）アクリロイル基含有化合物を、「アクリート系架橋剤」と称する場合がある。
エネルギー線硬化性化合物としては、また、オニウム塩等の有機塩類と、分子内に複数の複素環を有する化合物との混合物等を用いることもできる。前記混合物は、エネルギー線の照射により有機塩が開裂してイオンを生成し、これが開始種となって複素環の開環反応を引き起こして３次元網目構造を形成することができる。前記有機塩類には、ヨードニウム塩、フォスフォニウム塩、アンチモニウム塩、スルホニウム塩、ボレート塩等が含まれ、前記分子内に複数の複素環を有する化合物における複素環には、オキシラン、オキセタン、オキソラン、チイラン、アジリジン等が含まれる。具体的には、技術情報協会編、光硬化技術（２０００）に記載の化合物等を利用できる。
エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、分子末端に（メタ）アクリロイル基を有するエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、アクリル樹脂（メタ）アクリレート、分子末端にアリル基を有するチオール−エン付加型樹脂や光カチオン重合型樹脂、ポリビニルシンナマート等のシンナモイル基含有ポリマー、ジアゾ化したアミノノボラック樹脂やアクリルアミド型ポリマーなど、感光性反応基含有ポリマーあるいはオリゴマーなどが挙げられる。さらに高エネルギー線で反応するポリマーとしては、エポキシ化ポリブタジエン、不飽和ポリエステル、ポリグリシジルメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリビニルシロキサンなどが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性樹脂を使用する場合には、前記母剤は必ずしも必要でない。
エネルギー線硬化型粘着剤としては、前記アクリル系重合体又はエネルギー線反応性官能基で化学的に修飾されたアクリル系重合体（側鎖にエネルギー線反応性官能基が導入されたアクリル系重合体）と前記エネルギー線硬化性化合物（炭素−炭素二重結合を２つ以上有する化合物など）との組み合わせからなるものが特に好ましい。前記組み合わせは、エネルギー線に対して比較的高い反応性を示すアクリレート基を含み、しかも多様なアクリル系粘着剤から選択できるため、反応性や作業性の観点から好ましい。このような組み合わせの具体例として、側鎖にアクリレート基が導入されたアクリル系重合体と、炭素−炭素二重結合を有する官能基（特にアクリレート基）を２つ以上有する化合物との組み合わせ等が挙げられる。このような組み合わせとしては、特開２００３−２９２９１６号公報等に開示のものを利用できる。
前記側鎖にアクリレート基が導入されたアクリル系重合体の調製法としては、例えば、側鎖に水酸基を含むアクリル系重合体に、アクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタクリロイルオキシエチルイソシアナートなどのイソシナナート化合物を、ウレタン結合を介して結合する方法等を用いることができる。
エネルギー線硬化性化合物の配合量は、例えば、母剤（例えば、前記アクリル系重合体又はエネルギー線反応性官能基で化学的に修飾されたアクリル系重合体）１００重量部に対して、０．５〜２００重量部程度、好ましくは５〜１８０重量部、さらに好ましくは２０〜１３０重量部程度の範囲である。
エネルギー線硬化型粘着剤には、３次元網目構造を形成する反応速度の向上を目的として、エネルギー線硬化性を付与する化合物を硬化させるためのエネルギー線重合開始剤が配合されていてもよい。
エネルギー線重合開始剤は、用いるエネルギー線の種類（例えば、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線等）に応じて公知乃至慣用の重合開始剤を適宜選択できる。作業効率の面から、紫外線で光重合開始可能な化合物が好ましい。代表的なエネルギー線重合開始剤として、ベンゾフェノン、アセトフェノン、キノン、ナフトキノン、アンスラキノン、フルオレノン等のケトン系開始剤；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系開始剤；ベンゾイルパーオキシド、過安息香酸等の過酸化物系開始剤などが挙げられるが、これらに限定されない。市販品として、例えば、チバガイギー社製の商品名「イルガキュア１８４」、「イルガキュア６５１」などがある。
エネルギー線重合開始剤は単独で又は２種以上を混合して使用できる。エネルギー線重合開始剤の配合量としては、通常、上記母剤１００重量部に対して０．０１〜１０重量部程度、好ましくは１〜８重量部程度である。なお、必要に応じて前記エネルギー線重合開始剤とともにエネルギー線重合促進剤を併用してもよい。
エネルギー線硬化型粘着剤には、上記成分のほか、エネルギー線硬化前後に適切な粘着性を得るために、架橋剤、硬化（架橋）促進剤、粘着付与剤、加硫剤、増粘剤等、耐久性向上のために、老化防止剤、酸化防止剤等の適宜な添加剤が必要に応じて配合される。
好ましいエネルギー線硬化型粘着剤としては、例えば、エネルギー線硬化性化合物を母剤（粘着剤）中に配合した組成物、好ましくはＵＶ硬化性化合物をアクリル系粘着剤中に配合したＵＶ硬化型粘着剤が用いられる。特にエネルギー線硬化型粘着剤の好ましい態様としては、側鎖アクリレート含有アクリル粘着剤、アクリレート系架橋剤（ポリ（メタ）アクリロイル基含有化合物；多官能アクリレート）、及び紫外線光開始剤を含むＵＶ硬化型粘着剤が用いられる。側鎖アクリレート含有アクリル粘着剤とは、側鎖にアクリレート基が導入されたアクリル系重合体の意味であり、上記と同様のものを同様の方法で調製して利用できる。アクリレート系架橋剤とは、ポリ（メタ）アクリロイル基含有化合物として上記に例示の低分子化合物である。紫外線光開始剤としては、代表的なエネルギー線重合開始剤として上記に例示のものを利用できる。
なお、粘着剤層（Ａ）２４がエネルギー線硬化型粘着剤で構成されている場合は、エネルギー線照射後の粘着力（１８０°ピール剥離、対シリコンミラーウエハ、引張り速度３００ｍｍ／分）は、一般に、例えば常温（２５℃）で、０．５Ｎ／１０ｍｍ以下となる。
また、粘着剤層（Ａ）２４を構成する粘着剤として、上記アクリル系粘着剤を母材とした非エネルギー線硬化型粘着剤を用いることも可能である。この場合には、筒状巻回体を生成する際の剥離応力よりも小さな粘着力を有するものが適合可能であり、例えば、シリコンミラーウエハを被着体に用いた１８０°ピール剥離試験（室温（２５℃））において、６．５Ｎ／１０ｍｍ以下（例えば、０．０５〜６．５Ｎ／１０ｍｍ、好ましくは０．２〜６．５Ｎ／１０ｍｍ）、特に６．０Ｎ／１０ｍｍ以下（例えば、０．０５〜６．０Ｎ／１０ｍｍ、好ましくは０．２〜６．０Ｎ／１０ｍｍ）のものを用いることができる。但し、前記のように、ウエハダイシング後のピックアップ時において、粘着剤層（Ａ）２４のダイアタッチフィルム３に対する粘着力は、ダイシングテープ１における粘着剤層（Ｂ）１２の支持テープ２における熱収縮性基剤２１に対する粘着力より大きい必要がある。
このような粘着力の小さいアクリル系粘着剤を母材とした非エネルギー線硬化型粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル［例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸Ｃ1−Ｃ20アルキルエステル］と、反応性官能基を有するモノマー［例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、無水マレイン酸などのカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリル酸モルホリルなどのアミノ基含有モノマー；（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー等］と、必要に応じて用いられる他の共重合性モノマー［例えば、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステル、アクリロニトリル等］との共重合体に、前記反応性官能基と反応しうる架橋剤［例えば、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤、エポキシ系架橋剤等］を添加して架橋させたアクリル系粘着剤などが好ましく用いられる。
粘着剤層（Ａ）２４は、例えば、粘着剤、エネルギー線硬化性化合物、必要に応じて溶媒を添加して調製したコーティング液を、剛性基材層２３の表面に塗布する方法、適当な剥離ライナー（セパレータ）上に前記コーティング液を塗布して粘着剤層を形成し、これを剛性基材層２３上に転写（移着）する方法など、慣用の方法により形成できる。転写による場合は、剛性基材層２３との界面にボイド（空隙）が残る場合がある。この場合、オートクレーブ処理等により加温加圧処理を施し、ボイドを拡散させて消滅させることができる。粘着剤層（Ａ）２４は単層、複層の何れであってもよい。
本発明における粘着剤層（Ａ）２４の構成成分には、さらにガラスビーズ、樹脂ビーズ等のビーズが添加されていてもよい。粘着剤層（Ａ）２４にガラスビーズや樹脂ビーズを添加すると、ずり弾性率を高めて粘着力を低下させやすくなる。ビーズの平均粒径は、例えば１〜１００μｍ、好ましくは１〜２０μｍ程度である。ビーズの添加量は、粘着剤層（Ａ）２４の全体１００重量部に対して、例えば２５〜２００重量部、好ましくは５０〜１００重量部である。前記添加量が多すぎると分散不良を起こして粘着剤の塗布が困難になる場合があり、少なすぎると上記効果が不十分となりやすい。
粘着剤層（Ａ）２４の厚みは、切断性等を考慮して適宜選択できるが、一般には１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍである。前記厚みは、薄すぎると粘着力が不足するため被着体を保持、仮固定することが困難となりやすく、厚すぎると不経済であり、切断性、取扱性にも劣るため好ましくない。
粘着剤層（Ａ）は、ピックアップ工程において、チップ及びダイアタッチフィルムと共に支持テープ２をダイシングテープ１表面から剥離する際に、ダイアタッチフィルム３を保持する機能を有する。そして、ピックアップ工程終了後は、低粘着性であるか又は低粘着化処理が施されるため、支持テープ２の自己巻回剥離を妨げない。したがって、支持テープ２をダイアタッチフィルム３からスムーズに取り除くことができる。
支持テープ２は、熱収縮性基材層２１、弾性層２２及び剛性基材層２３を重ね、ハンドローラーやラミネーター等の積層手段や、オートクレーブなどの大気圧圧縮手段を、目的に応じて適宜選択的に用いて積層させ、次いでこの積層シートの剛性基材層２３の表面に粘着剤層（Ａ）２４を設けることにより、あるいは予め片面に粘着剤層（Ａ）２４を設けた剛性基材層２３を、熱収縮性基材層２１と弾性層２２と重ね合わせて積層することにより製造できる。
支持テープ２には、粘着剤層（Ａ）２４の表面の保護、ブロッキング防止の観点などから、粘着剤層（Ａ）２４の表面にセパレータ（剥離ライナー）が設けられていてもよい。セパレータは支持テープ２をダイアタッチフィルム３に貼着する際に剥がされるものである。用いられるセパレータとしては、特に限定されず、公知慣用の剥離紙などを使用できる。例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン系等の剥離剤により表面処理されたプラスチックフィルムや紙等の剥離層を有する基材；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマーからなる低接着性基材；オレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）等の無極性ポリマーからなる低接着性基材などを用いることができる。また、支持テープ２において、必要に応じて、各層間に下塗り層や中間層を設けてもよい。
支持テープ２によれば、ウエハ等の被着体に貼り付いてウエハ等の被着体に剛性を付与するので、例えば極薄の被着体をピックアップする際にも、被着体が撓んでピックアップミスが引き起こされることを防止できる。そして、ピックアップ終了後は、ダイボンディング工程前に、収縮原因となる熱等の刺激を付与することにより［粘着剤層（Ａ）２４に活性エネルギー線硬化型粘着剤層を使用する場合は、活性エネルギー線照射後、熱等の刺激を付与することにより］、熱収縮性基材層２１が収縮して、支持テープ２が剥離しながら自己巻回し、巻回体が形成される。そのため、極薄ウエハを損傷したり、不完全な剥離により極薄ウエハを汚染することなく、きわめて簡易に除去することができる。
図２は本発明における支持テープ２が自己巻回剥離する様子の一例を示す図（斜視図）である。図２において、（Ａ）は熱収縮性基材層の収縮原因となる熱刺激を加える前の支持テープ２を示す図、（Ｂ）は熱収縮性基材層に収縮原因となる熱刺激が付与された支持テープ２がシート外縁部（１端部）から一方向（通常、熱収縮性基材層の主収縮軸方向）に巻回し始めた時の状態を示す図、（Ｃ）はシートの巻回が終了して１個の筒状巻回体が形成された時の状態（一方向巻回）を示す図である。なお、シートの対向する２端部から中心に向かって（通常、熱収縮性基材層の主収縮軸方向へ）自己巻回して２個の筒状巻回体が形成される場合（二方向巻回）もある。支持テープ２が一方向巻回を起こすのか、或いはを起こすのかは、拘束層（弾性層２２＋剛性基材層２３）の熱収縮性基材層２１に対する粘着力や拘束層（特に弾性層２２）のずり弾性率等によって変わる。
［ダイアタッチフィルム］
ダイアタッチフィルム３は、半導体チップ等をダイパッド部に接着する際に使用されるフィルム状接着剤であり、公知のダイアタッチフィルムを用いることができる。ダイアタッチフィルム３としては、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない点で、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成されていることが好ましい。
樹脂組成物におけるエポキシ樹脂の配合割合としては、ポリマー成分全量に対して５重量％以上（好ましくは７重量％以上、さらに好ましくは９重量％以上）の範囲から適宜選択することができる。なお、エポキシ樹脂の配合割合の上限は、特に制限されず、ポリマー成分全量に対して１００重量％以下、好ましくは５０重量％以下（さらに好ましくは４０重量％以下）である。
エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定されることがなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
エポキシ樹脂としては、なかでも、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
また、ダイアタッチフィルム３を構成する樹脂組成物中には、必要に応じてその他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を配合することができる。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が、半導体装置の接続信頼性を向上させることができる点で好ましい。
前記フェノール樹脂の配合割合としては、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量（好ましくは、０．８当量〜１．２当量）になるように配合することが好適である。フェノール樹脂の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されることはなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル機、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
また、前記アクリル樹脂を形成する他のモノマー成分（炭素数３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のエステル以外のモノマー）としては、特に限定されることはなく、例えば、（メタ）アクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様なリン酸基含有モノマーなどが挙げられる。
本発明では、熱可塑性樹脂（特に、アクリル樹脂）は、エポキシ樹脂を含むポリマー成分全量に対して９０重量％未満（例えば、１〜９０重量％）の割合で用いることができる。アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂の割合としては、ポリマー成分全量に対して２０〜８５重量％であることが好ましく、さらに好ましくは４０〜８０重量％である。
エポキシ樹脂を含む樹脂組成物は、予め、ある程度架橋をさせておくことが好ましく、樹脂組成物の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
さらに、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、着色剤、増量剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる
ダイアタッチフィルム３は、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成された接着剤層（ダイ接着層）の単層構造としてもよく、エポキシ樹脂の他、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。
また、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイアタッチフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のままダイパッド部に接着すると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。そこで、透湿性の高いコア材料をエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成された接着剤層（ダイ接着層）により挟んだ多層構成としてもよい。そのような構造にすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。
前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
ダイアタッチフィルム３の厚さは特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは５μｍ〜５０μｍ程度である。
［ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ］
本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４は、上記ダイシングテープ１、支持テープ２、ダイアタッチフィルム３がこの順に積層されている。その製造方法としては特に限定されることがなく、例えば、塗工やラミネーションなどの積層体を製造する際に用いる慣用の方法で製造できる。本発明においては、特に、ダイシングテープ、支持テープ、ダイアタッチフィルムをそれぞれ別個に製造し、ラミネーションを行う方法が、目的に応じた多様な積層体を容易に製造できる点から好ましい。本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープは、シート状、テープ状などの適宜な形態を有することができる。
また、本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４は、ダイアタッチフィルム３側表面が、セパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイアタッチフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、支持テープ２の粘着剤層（Ａ）２４にダイアタッチフィルム３を転写する際の支持基材として用いることもできる。セパレータはダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４のダイアタッチフィルム３上に半導体ウエハ等を貼着する際に剥がされる。
セパレータとしては、特に限定されず、公知慣用の剥離紙などを使用できる。例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン系等の剥離剤により表面処理されたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム等）や紙等の剥離層を有する基材；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマーからなる低接着性基材；オレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）等の無極性ポリマーからなる低接着性基材などを用いることができる。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープによれば、ダイシングテープとダイアタッチフィルムとの間に特定の特性を有する支持テープが介在しているので、脆弱な被着体であっても適度な剛性が付与され、加工やピックアップを円滑に行うことができる。したがって、例えば、シリコンウエハ、ガリウム−ヒ素等の化合物半導体、サファイヤ、ＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ）の個片化・回収において高い歩留まりを達成することが可能となる。
［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置の製造方法は、前記本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープのダイアタッチフィルム面に半導体ウエハを貼り合わせて、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルム／ウエハ積層構造体を形成し、得られた積層構造体をウエハ側からダイシングし、続いて、ダイシングテープ側から突き上げて、支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収する工程を含んでいる。
本発明の半導体装置の製造方法は、また、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得る工程、さらに、得られたダイアタッチフィルム付き半導体チップをダイパッド部にボンディングする工程を含んでいてもよい。
この製造方法では、加熱機構を具備したピックアップ用吸着コレットを使用して支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収し、続いて、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから、加熱により支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得てもよい。
図３は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す概略図（断面図）であり、次のような各工程を有する。すなわち、
（１）ダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３からなるダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４のダイアタッチフィルム面を半導体ウエハ５に貼り合わせる（ウエハマウント）。
（２）ダイサー６を使用して、ダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３／ウエハ５の積層構造体をウエハ５側から支持テープ２が完全に切断される深さまで切断する（ダイシング）。
（３）ピックアップニードル８を使用してダイシングテープ１側から突き上げる（ピックアップ）。
（４）ヒーターコレット９を使用して支持テープ２及びダイアタッチフィルム３付きチップ７を回収する（ピックアップ）。
（５）ヒーターコレット９の熱により支持テープ２を自己巻回剥離させる。
（６）ダイアタッチフィルム３付きチップ７をダイパッド部１０に固定する（ダイボンディング）。
半導体装置を製造する一連の工程として、通常、マウント工程、ダイシング工程、、ピックアップ工程、ダイボンディング工程等がある。マウント工程は、半導体ウエハ５とダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３の積層構造を有するダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４を貼り合わせてダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３／ウエハ５の積層構造体を形成する工程である。貼り合わせ方法としては、例えば、半導体ウエハ５とダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４とを、ダイアタッチフィルム３側が貼り合わせ面となるように重ね合わせ、圧着ローラー等の押圧手段により、押圧して行う方法がある。また、加圧可能な容器（例えば、オートクレーブ等）中で、半導体ウエハ５とダイアタッチフィルム付きダイシングテープ４とを前記のように重ね合わせ、容器内を加圧することにより貼り合わせることもできる。この際、適宜な押圧手段により、押圧しながら貼り合わせてもよい。さらにまた、真空チャンパー内で、前記と同様に貼り合わせることもできる。貼り合わせる際の温度は特に限定されるものではないが、２０〜８０℃が好ましい。
ダイシング工程は、半導体ウエハを個片化して半導体チップを製造する工程である。本発明においては、マウント工程で得られたダイシングテープ１／支持テープ２／ダイアタッチフィルム３／ウエハ５の積層構造体のウエハ５側からダイシングを行う。切断深さは、支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップダイシングテープ１表面から剥離できる程度（すなわち、ウエハ５から支持テープ２までが完全に切断されている状態）に切断されていればよい。ダイシングテープは一部が切断されていてもよい。ダイシング装置としては、特に限定されることはなく、公知のダイシング装置を用いることができる。
粘着剤層（Ａ）２４及び／又は粘着剤層（Ｂ）１２として活性エネルギー線硬化型粘着剤層を使用する場合、ダイシング工程後ピックアップ工程前に、活性エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させることが好ましい。粘着剤層を硬化させて粘着力を低減させることにより、ダイシングテープ１表面から、個片化された支持テープ／ダイアタッチフィルム／チップの積層体（支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップ）を容易に剥離させることができ、スムーズにピックアップを行うことができる。また、その後、支持テープ２をダイアタッチフィルム３からスムーズに自己巻回剥離させることができ、ダイアタッチフィルム付きチップを得ることができる。
活性エネルギー線露光手段としては、活性エネルギー線硬化型粘着剤を硬化させることができればよく、例えば、高圧水銀灯等の紫外線を効率よく生成する光源を使用した紫外線露光装置を使用することができる。活性エネルギー線照射の際の照射強度、照射時間等の照射条件は、特に限定されることはなく適宜必要に応じて設定することができ、例えば活性エネルギー線として紫外線を使用する場合、積算光量５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ2照射程度である。
チップのピックアップ工程は、ダイシングテープ１に接着固定された支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップ（個片化された支持テープ／ダイアタッチフィルム／ウエハ積層体）をダイシングテープ１から剥離・回収する工程である。ピックアップの方法としては、特に限定されることはなく、従来公知の種々の方法を採用することができる。例えば、個々のチップをダイシングテープ１側からニードルによって突き上げ、突き上げられたチップを吸着コレットによって回収する方法等が挙げられる。本発明の前記ダイアタッチフィルム付きダイシングテープを使用すると、チップが極めて薄く研削されても（極薄チップであっても）、支持テープ２によりチップに適度な剛性を付与することができるため、ニードルによって突き上げられる際にチップが撓んでピックアップミスが起こることを防止することができる。また、ニードルの突き上げで脆弱な極薄チップが破損することも防止することができる。
本発明においては、ピックアップ工程後、ダイボンディング工程前に、支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップの支持テープ２を加熱して、該支持テープ２を自己巻回剥離させる。特に、加熱機構を具備したピックアップ用吸着コレットを使用して支持テープ及びダイアタッチフィルム付きチップを回収し、続いて加熱することにより支持テープ２を自己巻回剥離させ、その後、ダイアタッチフィルム付きチップをダイパッド部１０にボンディングする方法が好ましい。支持テープ２を自己巻回剥離させることにより、引き剥がす手間を省くことができ、ダイボンディング工程に速やかに移行することができ、高い生産性を実現できる。また、引き剥がすことにより脆弱な極薄チップが破損するのを防止できる。
支持テープ２を自己巻回剥離させるための加熱温度、及び加熱時間は、チップおよびダイアタッチフィルムの熱容量、装置雰囲気温度、ピックアップを施行する地点から支持テープの剥離・回収を施行する地点までの搬送時間に応じて適宜調節することができる。加熱温度は、例えば６０〜１８０℃、好ましくは７０〜１４０℃である。加熱時間は、例えば５〜１８０秒間程度である。
支持テープの剥離・回収を施行する地点は、ピックアップを施行する地点とダイボンディングを施行する地点までの間に設けることが好ましい。筒状巻回体を形成した支持テープの剥離・回収方法としては、例えば、エアガン等により吹き飛ばして回収する方法、回収テープ（粘着テープ）により接着回収する方法、冶具（スクレーバー）により回収する方法など適宜な方法を採用できる。
ダイボンディング工程は、ダイアタッチフィルム付きチップをダイパッド部１０に接着する（基板又は下段チップにダイアタッチする）工程である。ダイパッド部１０に接着後は、ワイヤボンディング、モールド封止等の処理が施される。本発明においては、ダイアタッチフィルム３がチップサイズで裏面に均一に貼着されるため、液状接着剤を使用する場合のようなブリードや、均一に接着剤を塗布されていないことによりチップが傾くという問題が発生することがない。また、ダイシング工程からダイボンディング工程までを一つのテープで行うため、ダイシングテープとダイアタッチフィルムを使用する場合に比べてダイアタッチフィルムをチップに貼り合わせる工程を省くことができ、貼り合わせ時の熱処理によるウエハへのダメージがなくなると同時に工程の簡略化を実現することができる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
製造例１（ダイアタッチフィルムの作製）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）１００重量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」、ジャパンエポキシレジン（ＪＥＲ）株式会社製）５９重量部、エポキシ樹脂（商品名「エピコート８２７」、ジャパンエポキシレジン（ＪＥＲ）株式会社製）５３重量部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」、三井化学株式会社製）１２１重量部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製）２２２重量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分の濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
得られた接着剤組成物の溶液を、剥離ライナー（セパレータ）としてシリコーン離型処理したＰＥＴフィルム（厚さ：３８μｍ）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させて、厚さ２０μｍのダイアタッチフィルムを作製した。
製造例２−１（感圧接着剤層の作製）
アクリル系共重合体［２−エチルヘキシルアクリレート：アクリル酸モルホリル：アク
リル酸：２−ヒドロキシエチルアクリレート＝７５：２５：３：０．１（重量比）を共重
合して得られたもの］１００重量部に、架橋剤（商品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、三菱瓦斯化学社製）２重量部、架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）２重量部、商品名「エパン７１０」（第一工業製薬社製）０．０５重量部を混合して感圧接着剤（非活性エネルギー線硬化型粘着剤）を調製した。
得られた感圧接着剤を、アプリケータを用いて剥離シート（商品名「ＭＲＦ３８」、三菱ポリエステルフィルム（株）製）上に塗工した後、溶媒などの揮発物を乾燥して、厚み３０μｍの感圧接着剤層を得た。
製造例２−２（活性エネルギー線硬化型粘着剤層の作製）
アクリル系重合体［組成：２−エチルヘキシルアクリレート：アクリル酸モルホリル：２−ヒドロキシエチルアクリレート＝７０：３０：２０（重量比）を共重合して得られたもの］の２−ヒドロキシエチルアクリレート由来の水酸基の6０％をメタクリロイルオキシエチルイソシアナート（２−イソシアナトエチルメタクリレート）と結合させ、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系重合体を製造した。この側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系重合体１００重量部に対して、炭素−炭素２重結合を有する官能基を２つ以上含む化合物（商品名「紫光ＵＶ１７００」、日本合成化学工業社製）５０重量部、光開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・ジャパン社製）３重量部、架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）３．５重量部を混合してエネルギー線硬化型粘着剤を調製した。
得られたエネルギー線硬化型粘着剤を、アプリケータを用いて剥離シート（商品名「ＭＲＦ３８」、三菱ポリエステルフィルム（株）製）上に塗工した後、溶媒などの揮発物を
乾燥して、厚み３０μｍのエネルギー線硬化型粘着剤層を得た。
製造例３−１（熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層の作製）
商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２２０ＰＬ」（ダイセル化学社製）１００重量部とセバシン酸１０重量部から得られたエステル系重合体１００重量部に対して、架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）４重量部を混合した溶液を、剛性基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名「ルミラーＳ１０」、東レ社製、厚み５０μｍ）の一方の面に乾燥後の厚みが３０μｍとなるように塗布し、その上に熱収縮性基材層としての１軸延伸ポリエステルフィルム（商品名「スペースクリーンＳ５６３０」、東洋紡社製、厚み６０μｍ）を重ね、ハンドローラーを用いて積層して熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層（１）を得た。
製造例３−２（熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層の作製）
商品名「ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ２２０ＰＬ」（ダイセル化学社製）１００重量部とセバシン酸１０重量部から得られたエステル系重合体１００重量部に対して、架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）４重量部を混合した溶液を、剛性基材層としての剥離シート（商品名「ＭＲＦ３８」、三菱ポリエステルフィルム（株）製、厚み３８μｍ）の非離型処理面に乾燥後の厚みが３０μｍとなるように塗布し、その上に熱収縮性基材層としての１軸延伸ポリエステルフィルム（商品名「スペースクリーンＳ５６３０」、東洋紡社製、厚み６０μｍ）を重ね、ハンドローラーを用いて積層して熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層（２）を得た。
製造例４−１（支持テープの作製）
製造例３−１で得られた熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層（１）の剛性基材層側に製造例２−1で得られた感圧接着剤層をハンドローラーを用いて積層し、支持テープ（１）を得た。
製造例４−２（支持テープの作製）
製造例３−１で得られた熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層（１）の剛性基材層側に製造例２−２で得られた活性エネルギー線硬化型粘着剤層をハンドローラーを用いて積層し、支持テープ２を得た。
実施例１
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)に製造例４−１で得られた支持テープ（１）の熱収縮性基材層側をハンドローラーで貼り付け、続いて支持テープ（１）の感圧接着剤層側に製造例１で得られたダイアタッチフィルムをハンドローラーで貼り付け、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（１）を得た。
実施例２
製造例４−１で得られた支持テープ（１）の代わりに、製造例４−２で得られた支持テープ（２）を用いた以外は、実施例１と同様の操作によりダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（２）を得た。
実施例３
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)の代わりに、塩化ビニル基材ダイシングテープ(商品名「Ｖ−８−Ｓ」、感圧型、日東電工（株）製)を用いた以外は、実施例１と同様の操作によりダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（３）を得た。
実施例４
製造例４−１で得られた支持テープ１の代わりに、製造例４−２で得られた支持テープ（２）を用いた以外は、実施例３と同様の操作によりダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（４）を得た。
実施例５
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)に、製造例３−２で得られた熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層（２）の積層体（支持テープとして使用）の熱収縮性基材層側をハンドローラーで貼り付け、次に剛性基材層側（離型処理面）に製造例１で得られたダイアタッチフィルムをハンドローラーで貼り付け、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（５）を得た。
比較例１
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)に製造例１で得られたダイアタッチフィルムをハンドローラーで貼り付け、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（６）を得た。
比較例２
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)の代わりに、塩化ビニル基材ダイシングテープ(商品名「Ｖ−８−Ｓ」、感圧型、日東電工（株）製)を用いた以外は、比較例１と同様の操作によりダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（７）を得た。
比較例３
ポリオレフィン基材ダイシングテープ(商品名「ＤＵ−３００」、紫外線硬化型、日東電工（株）製)にポリエステルテープ(商品名「Ｎｏ．３１Ｋ」、感圧型、日東電工（株）製)の基材層側をハンドローラーで貼り付け、次に感圧接着剤層側に製造例１で得られたダイアタッチフィルムをハンドローラーで貼り付け、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（８）を得た。
実施例及び比較例で得られたダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（１）〜（８）について、下記方法により評価を行った。
［ピックアップ評価］
８インチシリコンウエハにバックグラインドテープ（商品名「Ｂテープ−ＲＦ ７２１３Ｐ」、感圧型、日東電工（株）製）を貼り付た後、バックグラインダー（商品名「ＤＦＧ８５６０」、ディスコ製）を使用して、シリコンウエハの厚さを３０μｍまで研削した。
この研削面に実施例及び比較例で得られたダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（１）〜（８）を貼り付けた後、ダイサー（商品名「ＤＦＤ６５１」、ディスコ製）を使用して１２ｍｍ×１２ｍｍのチップへ切断した。尚、切断深さは、ダイシングテープの基材が２０μｍ切り込まれる深さに設定した。
続いて、ダイシングテープ及び／又は支持テープに活性エネルギー線硬化型粘着剤を使用したダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（１）、（２）、（４）〜（６）、（８）には、高圧水銀灯にてダイシングテープ側から積算光量３００ｍＪ／ｃｍ2となるように紫外線を照射した。
ダイボンダー（商品名「ＦＥＤ−１７８０」、芝浦メカトロニクス（株）製）を使用してチップのピックアップを行なった。尚、ピックアップニードル（３５０Ｒ）は１０ｍｍ×１０ｍｍの四隅と中央の５箇所に配置し、ピックアップ高さは４００μｍ又は６００μｍ、タクトタイム（吸着コレットがチップに接触し、チップを持ち上げるまでの時間）は０．２秒でピックアップした。任意のチップ３０個をピックアップニードルで突き上げ、吸着コレットで吸着できたものの個数を数えた。
［支持テープ剥離性評価］
ピックアップニードルで突き上げられたチップ３０個について、チップ側から９０℃、１１０℃、及び１３０℃に加熱した吸着コレット（試作品）を使用して吸着し、吸着後０．２秒、０．５秒、１秒、２秒、３秒後にエアガンを使用して風を当てて、支持テープが剥がれ落ちるか否かを観察し、剥がれ落ちたものの個数を数えた。
上記結果を下記表にまとめて示す。
Figure 2010263041
上記結果より、極薄チップであっても、ダイシングテープとダイアタッチフィルムとの間に支持テープを貼り合わせた粘着テープを使用することにより、高い成功率でピックアップできることがわかった。一方、支持テープを貼り合わせていないダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（６）、（７）では、ピックアップ成功率は支持テープを貼り合わせた場合と比べて著しく低かった。
また、自己巻回剥離性を有する支持テープを使用した場合、加熱機構を具備した吸着コレット（ヒーターコレット）を使用して加熱することにより、支持テープを自己巻回させることができ、風を当てることで容易に支持テープを剥離・回収することができた。一方、自己巻回剥離性を有しない支持テープを使用した場合［ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ（８）］は、風を当てても支持テープを剥離できなかった。
さらにまた、ピックアップ直後は、支持テープは、ヒーターコレットの温度に関わらず何れの場合も自然落下することはなかった。これは、支持テープ乃至ダイアタッチフィルム自体に微粘着性があるためと考えられる。すなわち、ピックアップのタクトタイム（１秒未満）では自己巻回に伴う支持テープの落下は起こらず、従って、ピックアップ途中でウエハ上に剥離した巻回体が落下する恐れのないことがわかった。よって、ピックアップからダイボンディングまでの間に支持テープの剥離・回収機構を設けることで、連続的な作業が可能となることがわかった。
１ ダイシングテープ
１１ 基材層
１２ 粘着剤層（Ｂ）
２ 支持テープ
２１ 熱収縮性基材層
２２ 弾性層
２３ 剛性基材層
２４ 粘着剤層（Ａ）
３ ダイアタッチフィルム
４ ダイアタッチフィルム付きダイシングテープ
５ 半導体ウエハ
６ ダイサー
７ チップ
８ ピックアップニードル
９ ヒーターコレット
１０ ダイパッド部
２０ 筒状巻回体

Claims (11)

  1. ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルムの層構成を有し、且つ前記支持テープが自己巻回剥離性を有するテープであることを特徴とするダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  2. 被着体ダイシング後のピックアップの際に、ダイシングテープと支持テープとの間で剥離可能な請求項１に記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  3. 支持テープが、ダイシングテープ側から順に、熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層、または熱収縮性基材層／弾性層／剛性基材層／粘着剤層（Ａ）の層構成を有している請求項１又は２に記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  4. 粘着剤層（Ａ）が感圧接着剤又は活性エネルギー線硬化型粘着剤で構成されている請求項３記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  5. ダイシングテープが、支持テープ側から順に、粘着剤層（Ｂ）／基材層の層構成を有している請求項１〜４の何れかの項に記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  6. 粘着剤層（Ｂ）が感圧接着剤又は活性エネルギー線硬化型粘着剤で構成されている請求項５記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  7. ダイアタッチフィルムがエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成されている請求項１〜６の何れかの項に記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープ。
  8. 請求項１〜７の何れかの項に記載のダイアタッチフィルム付きダイシングテープのダイアタッチフィルム面に半導体ウエハを貼り合わせて、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルム／ウエハ積層構造体を形成し、得られた積層構造体をウエハ側からダイシングし、続いて、ダイシングテープ側から突き上げて、支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収する工程を含む半導体装置の製造方法。
  9. さらに、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得る工程を含む請求項８記載の半導体装置の製造方法。
  10. 加熱機構を具備したピックアップ用吸着コレットを使用して支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップを回収し、続いて、回収した支持テープ及びダイアタッチフィルム付き半導体チップから、加熱により支持テープを自己巻回剥離させて、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを得る請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. さらに、得られたダイアタッチフィルム付き半導体チップをダイパッド部にボンディングする工程を含む請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102632650A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 日东电工株式会社 自卷绕性粘合片及切断体的制造方法
JP2013084873A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Toray Advanced Materials Korea Inc モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープ
JP2013251402A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Lintec Corp ダイシング・ダイボンディングシート
WO2015122114A1 (ja) * 2014-02-12 2015-08-20 昭和電工株式会社 半導体用ダイアタッチペーストおよび半導体パッケージ
JP2019201050A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201051A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201049A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064983A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064984A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064985A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JPWO2020235373A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26
JP2021177575A (ja) * 2016-06-28 2021-11-11 株式会社ディスコ ウェハを処理する方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
WO2016003888A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-07 Immunolight, Llc Improved adhesive bonding composition and method of use
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
EP2490251B1 (en) * 2009-10-16 2017-08-23 LG Chem, Ltd. Die attach film
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP5666335B2 (ja) * 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
US8859068B2 (en) 2011-08-04 2014-10-14 Apple Inc. Adhesive stack with a central shear layer
US8945335B2 (en) 2011-08-04 2015-02-03 Apple Inc. Adhesive stack with a central shear layer
US9073748B2 (en) * 2011-11-10 2015-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Microelectro mechanical system encapsulation scheme
TW201341199A (zh) * 2011-12-12 2013-10-16 Nitto Denko Corp 積層片材以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
US8969177B2 (en) * 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
KR101322872B1 (ko) * 2012-07-16 2013-10-29 (주)테크피아 점착제, 점착제 테이프 및 표시 장치
WO2014018312A1 (en) 2012-07-26 2014-01-30 3M Innovative Properties Company Heat de-bondable adhesive articles
EP2877883B1 (en) 2012-07-26 2017-08-23 3M Innovative Properties Company Heat de-bondable optical articles
US9785185B2 (en) 2012-09-11 2017-10-10 Apple Inc. Removable adhesive joint for computing device
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
US9484260B2 (en) 2012-11-07 2016-11-01 Semiconductor Components Industries, Llc Heated carrier substrate semiconductor die singulation method
US10037896B2 (en) 2013-07-25 2018-07-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays
TWI524998B (zh) * 2013-09-25 2016-03-11 友達光電股份有限公司 基板之黏結及分離的方法
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9787345B2 (en) 2014-03-31 2017-10-10 Apple Inc. Laser welding of transparent and opaque materials
US10200516B2 (en) 2014-08-28 2019-02-05 Apple Inc. Interlocking ceramic and optical members
US9716073B2 (en) * 2014-11-19 2017-07-25 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Machine for transferring micro-device
EP3329525A4 (en) * 2015-07-29 2019-01-30 Henkel IP & Holding GmbH FORMAT CONTAINING A BARRIER FILM AND ITS USE FOR PRE-APPLIED UNDERLYING FILLING FILM FOR TSV 3D PACKAGINGS
EP3234992B1 (de) * 2016-01-29 2018-09-26 JENOPTIK Optical Systems GmbH Verfahren und vorrichtung zum herauslösen eines mikro-chips aus einem wafer und aufbringen des mikro-chips auf ein substrat
JP6582013B2 (ja) * 2017-03-31 2019-09-25 古河電気工業株式会社 剥離ライナー付マスク一体型表面保護テープ
US10373869B2 (en) 2017-05-24 2019-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus
EP3760097A4 (en) 2018-02-27 2021-03-31 FUJIFILM Corporation ENDOSCOPE ADHESIVE, CURED PRODUCT, ENDOSCOPE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ENDOSCOPE
CN108598116A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置、显示面板母板及其制作方法
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139048B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7143023B2 (ja) * 2018-08-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
TWI826660B (zh) * 2019-03-07 2023-12-21 日商琳得科股份有限公司 黏晶片、以及附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法
CN113366621B (zh) * 2019-05-10 2021-12-31 昭和电工材料株式会社 拾取性的评价方法、切晶粘晶一体型膜、切晶粘晶一体型膜的评价方法及分选方法、以及半导体装置的制造方法
JP6835296B1 (ja) * 2019-05-10 2021-02-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法
EP4130185A4 (en) * 2020-03-27 2024-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation ADHESIVE COMPOSITION, ADHESIVE, TAPE AND TAPE FOR AIR-TIGHT AND WATER-TIGHT SEALS
CN113410164B (zh) * 2021-06-15 2024-04-09 珠海天成先进半导体科技有限公司 一种单芯片daf胶带粘晶方法
US20230064066A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Texas Instruments Incorporated Wafer-level backside layer for semiconductor apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2007311421A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129227A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Lintec Corp 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法
JP3865184B2 (ja) * 1999-04-22 2007-01-10 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3933118B2 (ja) * 2003-10-02 2007-06-20 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP4151850B2 (ja) * 2006-11-10 2008-09-17 日東電工株式会社 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000136362A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Lintec Corp 両面粘着シ―トおよびその使用方法
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2007311421A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップの製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102632650A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 日东电工株式会社 自卷绕性粘合片及切断体的制造方法
JP2013084873A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Toray Advanced Materials Korea Inc モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープ
JP2013251402A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Lintec Corp ダイシング・ダイボンディングシート
WO2015122114A1 (ja) * 2014-02-12 2015-08-20 昭和電工株式会社 半導体用ダイアタッチペーストおよび半導体パッケージ
JP2021177575A (ja) * 2016-06-28 2021-11-11 株式会社ディスコ ウェハを処理する方法
JP7205810B2 (ja) 2016-06-28 2023-01-17 株式会社ディスコ ウェハを処理する方法
JP7134561B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201049A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201050A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201051A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7134560B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7130323B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171135B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064985A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064983A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171136B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064984A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2020235373A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JPWO2020235373A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26
JP7224456B2 (ja) 2019-05-23 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

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Publication number Publication date
KR20100119725A (ko) 2010-11-10
CN101877323A (zh) 2010-11-03
TW201103967A (en) 2011-02-01
US20100279491A1 (en) 2010-11-04

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