KR102282148B1

KR102282148B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR102282148B1
Application number: KR1020190079201A
Authority: KR
Inventors: 박민정; 김경한
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2019-07-02
Filing date: 2019-07-02
Publication date: 2021-07-28
Also published as: KR20210003433A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 기판을 가열하는 가열 단계와; 상기 기판을 냉각하는 냉각 단계와; 상기 가열 단계에서 가열된 상기 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 단계를 포함하되, 상기 냉각 단계는 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{A substrate processing method and a substrate processing apparatus}

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다.

일반적으로 베이크 공정은 베이크 챔버 내에서 수행된다. 베이크 공정은 웨이퍼를 가열하는 가열 처리 공정과 웨이퍼를 냉각하는 냉각 처리 공정을 포함한다. 가열 처리 공정과 냉각 처리 공정은 순차적으로 수행된다. 가열 처리 공정은 웨이퍼가 가열 플레이트에 놓이고, 가열 플레이트가 웨이퍼에 온열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정은 웨이퍼가 냉각 플레이트에 놓이고, 냉각 플레이트가 웨이퍼에 냉열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정이 완료된 웨이퍼는 반송 로봇이 가지는 핸드에 의해 베이크 공정 외의 공정을 수행하는 챔버들 중 어느 하나로 반송된다. 그러나, 가열 처리 공정이 수행되면서 웨이퍼에는 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 가열 처리 공정 이후에 수행되는 냉각 처리 공정은 정해진 레시피 대로 공정이 수행되기 때문에, 웨이퍼에 발생한 휨(Warpage) 현상을 적절히 제거하지 못한다. 이에, 냉각 처리 이후 웨이퍼가 반송시, 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에 적절히 안착되지 못한다. 이에, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 반송 로봇으로부터 이탈될 수 있다. 또한, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에서 진동하여 파티클을 발생시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼를 반송하는 과정에서 웨이퍼가 기판 처리 장치의 기타 구성들과 충돌하여 파손될 수 있다.

본 발명은 기판에 발생된 휨 현상을 적절히 제거할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 기판을 반송 유닛의 핸드에 적절히 안착시켜, 기판이 핸드에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 증가시킬 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계는, 상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계가 수행되는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도는 일정하게 유지될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 단계는, 상기 기판이 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 가열 처리되어 수행될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 단계에는, 상기 기판을 냉각 시키는 가스를 공급하고, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시킬 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 휨 정도는 상기 기판에 광 또는 음파를 조사하여 검출되는 검출값으로 측정될 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 열 처리 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛과; 상기 가열 유닛이 가열한 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 유닛과; 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값을 전달 받고, 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 근거하여 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값이 클수록 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 유닛은, 기판이 안착되고, 안착된 기판을 냉각시키는 냉각 플레이트를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 냉각 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 내부 공간으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 팬 유닛을 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 팬 유닛을 더 제어하고, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 상기 측정 유닛은, 광 또는 음파를 조사하는 조사부와; 상기 조사부에서 조사하는 상기 광 또는 상기 음파를 수신하는 수신부를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 가열 유닛이 가열한 기판에 상기 광 또는 상기 음파를 조사하고, 수신하도록 상기 측정 유닛을 제어할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 발생된 휨 현상을 적절히 제거할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 반송 유닛의 핸드에 적절히 안착시켜, 기판이 핸드에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8은 도 7의 제1가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 제2가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 7의 측정 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 7의 냉각 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.

도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240), 팬 유닛(3250), 그리고 제어기(3260)를 포함한다.

처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.

냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(3236)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.

냉각 플레이트(3222)는 지지 부재(3237)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(3237)는 막대 형상의 제1지지 부재와 제1지지 부재의 중단에 결합되는 제2지지 부재를 포함할 수 있다. 제1지지 부재의 일단과 타단은 구동기(3226)와 결합된다. 구동기(3226)는 가이드 레일(3229) 상에 장착된다. 가이드 레일(3229)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 Y축 방향(14)이고 처리 용기(3201)의 양측에 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 Y축 방향(14)을 따라 이동할 수 있다.

가열 유닛(3230)은 하우징(3232), 가열 플레이트(3234), 히터(3235), 리프트 핀(3236), 그리고 구동 부재(3238)를 포함할 수 있다. 하우징(3232)은 바디, 그리고 커버를 포함할 수 있다. 바디는 커버의 하부에 배치될 수 있다. 바디는 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 바디는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 커버는 바디의 상부를 덮을 수 있다. 커버는 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 이와 달리 커버는 바디의 상부를 덮는 판 형상을 가질 수도 있다. 바디와 커버는 서로 조합되어 처리 공간(3233)을 형성할 수 있다. 또한, 커버는 커버를 상하 방향으로 이동시키는 구동 부재(3238)와 연결될 수 있다. 이에, 커버는 상하 방향으로 이동하여 처리 공간(3233)을 개폐할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 처리 공간(3233)으로 반입 또는 반입되는 경우 커버는 상승하여, 처리 공간(3233)을 개방할 수 있다. 또한, 기판(W)이 처리 공간(3233)에서 처리되는 경우 커버를 하강하여 처리 공간(3233)을 폐쇄할 수 있다.

가열 플레이트(3234)는 처리 공간(3233)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 가열 플레이트(3234)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열 플레이트(3234)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열 플레이트(3234)에는 히터(3235)가 설치된다. 히터(3235)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 이에 가열 플레이트(3234)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3236)들이 제공된다. 리프트 핀(3236)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열 플레이트(3234) 상에 내려놓거나 가열 플레이트(3234)로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3236)은 3개가 제공될 수 있다.

측정 유닛(3240)은 기판(W)의 상태를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 가열 유닛(3230)이 가열한 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)의 상부에 배치될 수 있다. 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)에 기판(W)이 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 유닛(3240)은 광을 조사하는 조사부와, 조사부에서 조사하는 광을 수신하는 수신부를 포함할 수 있다. 일 예로, 측정 유닛(3240)이 포함하는 조사부는 광을 조사하는 발광 부재일 수 있다. 발광 부재는 기판(W)을 향하여 광 소자를 발광할 수 있다. 기판(W)에 전달된 광 소자는 기판(W)으로부터 반사되어 수신부로 전달될 수 있다. 이에 기판(W)의 영역 별 거리를 측정하고 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 기판(W)에 전달된 광 소자가 기판(W)으로부터 반사되는 반사각을 통해 휨 정도를 측정할 수도 있다. 측정 유닛(3240)은 측정한 기판(W)의 휨 정도 값을 제어기(3260)로 전달될 수 있다. 상술한 예에서는 조사부가 광을 조사하고, 수신부가 광을 수신하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 조사부가 초음파를 조사하고, 기판(W)에 충돌하여 반사되는 초음파를 수신부가 수신하여 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다.

팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)은 팬(3252)과 가스 공급 라인(3254)을 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(3254)은 팬(3252)과 연결될 수 있다. 팬(3252)의 회전으로 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다. 예컨대, 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 증가하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 증가 수 있다. 이와 반대로 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 감소하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 감소할 수 있다.

팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 온도 및/또는 습도가 조절된 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스는 배기 라인(3210)을 통해 처리 용기(3201)의 외부로 배기될 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 처리 용기(3201) 내의 파티클(Particle)을 외부로 배기할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 기판(W)을 소정의 온도로 조절할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다.

제어기(3260)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240), 그리고 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 제어기(3260) 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행하도록 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정하는 휨 정도 값을 전달 받을 수 있다. 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)으로부터 휨 정도 값을 전달 받고, 이에 근거하여 냉각 유닛(3220)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정한 휨 정도 값에 근거하여 냉각 유닛(3220)이 기판(W)을 냉각하는 시간을 조절하도록 측정 유닛(3240), 그리고 냉각 유닛(3220)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)으로부터 휨 정도 값을 전달 받고, 이에 근거하여 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3260)는 측정 유닛(3240)이 측정한 휨 정도 값에 근거하여 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력을 조절하도록 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 가열 단계(S10), 측정 단계(S20), 그리고 냉각 단계(S30)를 포함할 수 있다. 가열 단계(S10)는 제1가열 단계(S11)와 제2가열 단계(S12)를 포함할 수 있다. 제1가열 단계(S11), 제2가열 단계(S12), 측정 단계(S20), 그리고 냉각 단계(S30)는 순차적으로 수행될 수 있다. 가열 단계(S10)는 기판(W)을 가열 처리하는 단계이다. 측정 단계(S20)는 가열 단계(S10)에서 가열된 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 단계이다. 냉각 단계(S30)는 기판(W)을 냉각하는 단계이다.

도 8은 도 7의 제1가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 제1가열 단계(S11)에는 가열 플레이트(3234)의 상부에 기판(W)이 놓여진 상태에서 기판(W)을 가열할 수 있다. 제1가열 단계(S11)에는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 거리가 제1간격(D1)일 수 있다. 제1가열 단계(S11)는 제1시간 동안 수행될 수 있다.

도 9는 도 7의 제2가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 제2가열 단계(S12)는 가열 플레이트(3234)의 상부에 기판(W)이 놓여진 상태에서 기판(W)을 가열할 수 있다. 제2가열 단계(S12)에는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 거리가 제2간격(D2)일 수 있다. 제2간격(D2)은 제1간격(D1)보다 작은 간격일 수 있다. 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격은 리프트 핀(3236)에 의해 조절될 수 있다. 제2가열 단계(S12)는 제2시간 동안 수행될 수 있다. 제2시간은 제1시간보다 긴 시간일 수 있다. 즉, 제1가열 단계(S11)에는 제2가열 단계(S12) 보다 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격이 상대적으로 멀다. 제1가열 단계(S11)에서는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격을 크게하고, 제2가열 단계(S12)에서는 기판(W)과 가열 플레이트(3234) 사이의 간격을 좁힌다. 이에, 기판(W) 가열시 급격한 온도 변화로 기판(W)이 파손되는 위험을 최소화 할 수 있다. 또한, 제1가열 단계(S11)에서 가열 플레이트(3234) 온도와 제2가열 단계(S12)에서 가열 플레이트(3234)의 온도는 서로 같을 수 있다.

제2가열 단계(S12)의 수행이 완료되면, 기판(W)은 냉각 유닛(3220)으로 전달될 수 있다. 제2가열 단계(S12)의 수행이 완료되면, 리프트 핀(3236)은 기판(W)을 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 이후 하우징(3232)의 커버가 구동 부재(3238)에 의해 위 방향으로 이동될 수 있다. 이에 처리 공간(3233)은 개방된다. 이후 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)을 따라 가열 플레이트(3234)의 상부로 이동될 수 있다. 이때, 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 가열 플레이트(3234)의 사이 공간으로 이동될 수 있다. 이후 리프트 핀(3236)은 하강하여 기판(W)을 냉각 플레이트(3222)에 안착시킬 수 있다. 이후, 냉각 플레이트(3222)는 측정 유닛(3240)의 하부로 이동될 수 있다.

도 10은 도 7의 측정 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 측정 단계(S20)에는 가열 단계(S10)에서 가열된 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 단계(S20)에는 측정 유닛(3240)이 광 소자를 기판(W)으로 전달할 수 있다. 기판(W)에 전달된 광 소자가 측정 유닛(3240)의 수신부로 다시 전달되어 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 측정 단계(S20)에서 측정된 휨 정도 값은 제어기(3260)으로 전달될 수 있다.

도 11은 도 7의 냉각 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 냉각 단계(S30)에는 냉각 플레이트가 전달하는 냉열에 의해 기판(W)이 냉각될 수 있다. 냉각 단계(S30)는 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도에 따라 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 조절할 수 있다. 예컨대, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 클수록 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 증가시킬 수 있다. 이와 반대로, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 작을수록 냉각 단계(S30)가 수행되는 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 냉각 단계(S30)가 수행되는 동안 냉각 플레이트(3222)의 온도는 일정하게 유지될 수 있다. 이는 기판(W)의 휨 정도를 작게 하기 위해 냉각 플레이트(3222)의 온도를 변경하는 경우, 오히려 기판(W)에 대한 냉각 처리가 적절히 수행되지 않을 수 있기 때문이다. 냉각 플레이트(3222)는 열 전도성 재질로 제공될 수 있다. 즉, 냉각 플레이트(3222)의 온도는 즉각적으로 소정의 온도로 변경되기 어렵다. 이에, 냉각 플레이트(3222)의 온도를 변경하게 되면, 온도가 변경되는 과정에서 기판(W)의 냉각 처리가 적절히 수행되지 않을 수 있다. 이에, 냉각 단계(S30)에는 냉각 플레이트(3222)의 온도를 일정하게 유지한다.

또한, 냉각 단계(S30)에는 기판(W)으로 기판(W)을 냉각 시키는 가스가 공급될 수 있다. 기판(W)을 냉각 시키는 가스는 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스일 수 있다. 냉각 단계(S30)에는 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도에 따라 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다. 예컨대, 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 클 경우 팬 유닛(3250)에서 공급하는 가스의 공급 출력을 증가시킬 수 있다. 이와 반대로 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 휨 정도가 작을 경우 팬 유닛(3250)에서 공급하는 가스의 공급 출력을 감소시킬 수 있다.

또한, 냉각 단계(S30)에서 기판(W)의 휨 정도에 따라 냉각 플레이트(3222)가 기판(W)을 냉각 시키는 시간을 조절하고, 냉각 단계(S30)에서 기판(W)의 휨 정도에 따라 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스의 공급 출력을 조절하는 것은 서로 단독적으로 이용되거나, 서로 조합되어 이용될 수 있다.

일반적으로 가열 처리 공정이 수행되면서 기판에는 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 가열 처리 공정 이후에 수행되는 냉각 처리 공정은 정해진 레시피 대로 공정이 수행되기 때문에, 웨이퍼에 발생한 휨(Warpage)을 적절히 제거하지 못한다. 이에, 냉각 처리 이후 웨이퍼가 반송시, 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에 적절히 안착되지 못한다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 가열 단계(S10)가 수행된 이후, 기판(W)의 휨 정도 값을 측정하고 이에 근거하여 냉각 단계(S30)를 수행한다. 이에, 기판(W)의 휨 현상을 최소화 할 수 있다. 기판(W)의 휨 현상이 최소화 되면 열 처리 챔버(3200)로부터 반송되는 기판(W)이 반송 유닛의 핸드(A)에 적절히 안착될 수 있다. 이에, 기판(W)이 핸드(A)에서 이탈되거나, 진동하는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 핸드(A)에 안착된 기판(W)이 기판 처리 장치(1)의 구성들과 충돌하여 기판(W)이 파손되는 것을 최소화 할 수 있다.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

상술한 예에서는 측정 유닛(3240)이 냉각 플레이트(3240)의 상부에 배치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 측정 유닛(3240)은 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있도록 처리 용기(3201)의 다양한 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 하우징(3232)의 처리 공간(3233)에 배치될 수 있다. 또한 측정 유닛(3240)은 하우징(3232)의 내벽 중 측벽에 배치될 수 있다.

상술한 예에서는 측정 유닛(3240)이 기판(W)이 냉각 플레이트(3232)에 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 측정 유닛(3240)의 위치는 다양하게 변형될 수 있으며, 측정 유닛(3240)의 휨 정도 측정은 가열 유닛(3230)의 가열 처리 이후, 냉각 유닛(3220)의 냉각 처리 이전에 수행될 수 있다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 가열 유닛(3230)의 가열 플레이트(3234)에 기판(W)이 안착된 상태에서 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 냉각 플레이트(3222)에 의해 기판(W)이 반송되는 도중 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다.

상술한 예서는 측정 유닛(3240)이 광 소자를 전달하여 기판(W)의 휨 정도를 측정하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 측정 유닛(3240)은 기판(W)으로 초음파를 전달하여 비접촉 방식으로 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 기판(W)에 레이저를 조사하고, 기판(W)으로부터 반사되는 레이저 변위를 검출하여 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다. 또한, 측정 유닛(3240)은 2D 삼각 측정 방식으로 기판(W)의 휨 정도를 측정할 수도 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

열 처리 챔버: 3200
처리 용기 : 3201
냉각 유닛 : 3220
가열 유닛 : 3230
측정 유닛 : 3240
팬 유닛 : 3250
제어기 : 3260
가열 단계 ; S10
측정 단계 : S20
냉각 단계 : S30

Claims

기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 가열 플레이트 상에서 가열하는 가열 단계와;
상기 기판을 냉각하는 냉각 단계와;
상기 가열 단계에서 가열된 상기 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 단계를 포함하되,
상기 냉각 단계는 상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 조절하되,
상기 가열 단계는,
상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제1거리로 제공되며 제1시간 동안 수행되는 제1가열 단계와;
상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제2거리로 제공되며 제2시간 동안 수행되는 제2가열 단계를 포함하고,
상기 제1시간은 상기 제2시간 보다 짧은 시간으로 제공되고,
상기 제1거리는 상기 제2거리보다 먼 거리로 제공되는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 냉각 단계가 수행되는 시간을 증가시키는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서,
상기 냉각 단계는,
상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행되는 기판 처리 방법.
제3항에 있어서,
상기 냉각 단계가 수행되는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도는 일정하게 유지되는 기판 처리 방법.
제3항에 있어서,
상기 가열 단계는,
상기 기판이 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 가열 처리되어 수행되는 기판 처리 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 냉각 단계에는,
상기 기판을 냉각 시키는 가스를 공급하고,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하는 기판 처리 방법.
제6항에 있어서,
상기 측정 단계에서 측정된 상기 휨 정도가 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키는 기판 처리 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 휨 정도는 상기 기판에 광 또는 음파를 조사하여 검출되는 검출값으로 측정되는 기판 처리 방법.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부 공간을 가지는 열 처리 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 가열하며 상기 기판이 놓이는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과;
상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛과;
상기 가열 유닛이 가열한 기판의 휨 정도를 측정하는 측정 유닛과;
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값을 전달 받으며, 상기 가열 유닛 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 기판이 상기 가열 플레이트 상에서 가열되되,
제1시간 동안 상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제1거리로 제공되도록 하고,
제2시간 동안 상기 가열 플레이트와 상기 기판 사이의 거리가 제2거리로 제공되도록 하고,
이후에 상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 근거하여 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 조절하도록 상기 가열 유닛, 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하되,
상기 제1시간은 상기 제2시간 보다 짧은 시간으로 제공되고,
상기 제1거리는 상기 제2거리보다 먼 거리로 제공되는 기판 처리 장치.
제9항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값이 클수록 상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 시간을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 냉각 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
제10항에 있어서,
상기 냉각 유닛은,
기판이 안착되고, 안착된 기판을 냉각시키는 냉각 플레이트를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 냉각 유닛이 기판을 냉각하는 동안 상기 냉각 플레이트의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 냉각 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 내부 공간으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 팬 유닛을 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 팬 유닛을 더 제어하고,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 따라 상기 가스의 공급 출력을 조절하도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
제12항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 측정 유닛이 측정한 상기 휨 정도 값에 클수록 상기 가스의 공급 출력을 증가시키도록 상기 측정 유닛, 그리고 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측정 유닛은,
광 또는 음파를 조사하는 조사부와;
상기 조사부에서 조사하는 상기 광 또는 상기 음파를 수신하는 수신부를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 가열 유닛이 가열한 기판에 상기 광 또는 상기 음파를 조사하고, 수신하도록 상기 측정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.