JP2019195010A - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、搬送アームの熱による基板への影響を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。【解決手段】基板処理装置は、基板の下面を支持するように構成されたパッドを含む搬送アームと、パッドの周囲に気流を発生させて、パッドを冷却するように構成された冷却部とを備える。【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

特許文献１は、基板を載置させるように構成された突起を含む搬送アームによって、熱処理前の基板を搬送することと、基板を熱板上に載置して当該基板に対し熱処理を行うことと、熱処理された基板を当該搬送アームによって搬送することと、を繰り返し実行する基板処理方法を開示している。

特開２０１１−８６６７７号公報

本開示は、搬送アームの熱による基板への影響を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板の下面を支持するように構成されたパッドを含む搬送アームと、パッドの周囲に気流を発生させて、パッドを冷却するように構成された冷却部とを備える。

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、搬送アームの熱による基板への影響を抑制することが可能となる。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ―ＩＩ線断面図である。 図３は、単位処理ブロックを示す上面図である。 図４は、熱処理用のユニットを側方から見た断面図である。 図５は、熱処理用のユニットを上方から見た断面図である。 図６は、冷却板の切欠きの近傍に搬送アームのパッドが配置された状態を示す斜視図である。 図７は、図６にＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。 図８は、コントローラの機能的な構成を示すブロック図である。 図９は、コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。 図１０は、基板処理手順を示すフローチャートである。 図１１は、基板処理手順を説明するための概略図である。 図１２は、基板処理手順を説明するための概略図である。 図１３は、基板処理手順を説明するための概略図である。 図１４は、基板処理手順を説明するための概略図である。 図１５は、パッド冷却手順を示すフローチャートである。 図１６は、パッド冷却手順を説明するための概略図である。 図１７は、変形例に係る吸引部を示す概略図である。 図１８は、変形例に係る冷却部及び吸引部を示す概略図である。 図１９は、変形例に係る搬送アームを示す概略図である。 図２０は、変形例に係る冷却部を示す概略図である。

以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラ１０（制御部）とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）の表面に形成されたレジスト膜の露光処理（パターン露光）を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、円形の一部が切り欠かれていてもよいし、多角形など円形以外の形状を呈していてもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。

図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、モジュール１４〜１７を有する。これらのモジュールは、床面側からモジュール１７、モジュール１４、モジュール１５、モジュール１６の順に並んでいる。

モジュール１４は、ウエハＷの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１４は、図２及び図３に示されるように、複数の塗布用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。モジュール１４のユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。モジュール１４のユニットＵ２は、例えば熱板１１３（後述する）によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板１２１（後述する）により冷却して熱処理を行うように構成されている。モジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

モジュール１５は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１５は、図２及び図３に示されるように、複数の塗布用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。モジュール１５のユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。モジュール１５のユニットＵ２は、例えば熱板１１３（後述する）によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板１２１（後述する）により冷却して熱処理を行うように構成されている。モジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

モジュール１６は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１６は、図２及び図３に示されるように、複数の塗布用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。モジュール１６のユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト剤）を中間膜の上に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。モジュール１６のユニットＵ２は、例えば熱板１１３（後述する）によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板１２１（後述する）により冷却して熱処理を行うように構成されている。モジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。

モジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。モジュール１７は、図２及び図３に示されるように、複数の現像用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットＵ１，Ｕ２を経ずにウエハＷを棚ユニットＵ１０，Ｕ１１（後述する）間において直接搬送する搬送アームＡ６とを内蔵している。モジュール１７のユニットＵ１は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。モジュール１７のユニットＵ２は、例えば熱板１１３（後述する）によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板１２１（後述する）により冷却して熱処理を行うように構成されている。モジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面からモジュール１５に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には搬送アームＡ７が設けられている。搬送アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面からモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１１の近傍には搬送アームＡ８が設けられている。搬送アームＡ８は、棚ユニットＵ１１のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ９を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送アームＡ９は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。

コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。

［熱処理用のユニットの構成］
次に、熱処理用のユニットＵ２の構成について、図４〜図９を参照してさらに詳しく説明する。

ユニットＵ２は、図４及び図５に示されるように、筐体１００内に、ウエハＷを加熱するウエハ加熱部１１０と、ウエハＷを冷却するウエハ冷却部１２０と、気流を発生させて搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４（後述する）を冷却する冷却部１３０と、冷却部１３０によって発生された気流を吸引するように構成された吸引部１４０とを有する。筐体１００のうちウエハ冷却部１２０に対応する部分の端壁には、搬送アームＡ２〜Ａ５が出入り可能な搬入出口１０１が形成されている。搬送アームＡ２〜Ａ５は、ウエハＷを筐体１００の内部に搬入すると共にウエハＷを筐体１００外へと搬出するように構成されている。

搬送アームＡ２〜Ａ５は、図５に示されるように、基端部Ａｍ１と、一対のアーム部材Ａｍ２とを含む。一対のアーム部材Ａｍ２は、基端部Ａｍ１から先端側に向けて円弧状に延びている。アーム部材Ａｍ２の内周縁には、複数の支持突起Ａｍ３が設けられている。これらの支持突起Ａｍ３は、アーム部材Ａｍ２の内周縁から内側に向けて突出している。支持突起Ａｍ３は、図５〜図７に示されるように、ウエハＷの下面を支持するように構成されたパッドＡｍ４を含む。搬送アームＡ２〜Ａ５は、基端部Ａｍ１に設けられたアーム駆動部Ａｍ５により駆動され、例えば上下方向に移動可能に構成されている。

パッドＡｍ４は、支持突起Ａｍ３の先端部に設けられている。搬送アームＡ２〜Ａ５にウエハＷが載置された状態において、ウエハＷとパッドＡｍ４とは重なり合っている。これにより、ウエハＷは、各パッドＡｍ４によって支持される。パッドＡｍ４は、耐熱性が高く、可塑性を有する材質で構成されていてもよい。パッドＡｍ４は、例えば樹脂で構成されていてもよい。樹脂としては、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＫ（ポリーエーテルケトン）樹脂、ＰＩ（ポリイミド）樹脂等が挙げられる。パッドＡｍ４の耐熱温度は、例えば、２００℃以上であってもよく、３００℃以上であってもよい。なお、ここでの「耐熱温度」は、短期的な耐熱性を示す温度（例えば、ビカット軟化温度、荷重たわみ温度など）であってもよい。

図示していないが、搬送アームＡ１，Ａ６〜Ａ９も、搬送アームＡ２〜Ａ５と同様の構造であってもよい。搬送アームＡ１，Ａ６〜Ａ９のパッドＡｍ４も、搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４と同様の材質及び耐熱温度を有していてもよい。

ウエハ加熱部１１０は、図４及び図５に示されるように、蓋部１１１と、熱板収容部１１２とを有する。蓋部１１１は、熱板収容部１１２の上方に位置している。蓋部１１１は、コントローラ１０が駆動源（図示せず）を制御することにより、熱板収容部１１２から離間した上方位置と熱板収容部１１２上に載置される下方位置との間で上下動可能に構成されている。蓋部１１１は、下方位置にあるときに熱板収容部１１２とともに処理室ＰＲを構成する。蓋部１１１の中央には、処理室ＰＲから気体を排気するための排気部１１１ａが設けられている。

熱板収容部１１２は、円筒状を呈しており、その内部に熱板１１３を収容している。熱板１１３の外周部は、支持部材１１４によって支持されている。支持部材１１４の外周は、筒状を呈するサポートリング１１５によって支持されている。サポートリング１１５の上面には、上方に向けて開口したガス供給口１１５ａが形成されている。ガス供給口１１５ａは、処理室ＰＲ内に不活性ガスを噴き出すように構成されている。

熱板１１３は、図５に示されるように、円形状を呈する平板である。熱板１１３の外形は、ウエハＷの外形よりも大きい。熱板１１３には、その厚さ方向に貫通して延びる貫通孔ＨＬが３つ形成されている。熱板１１３の上面には、図４及び図５に示されるように、ウエハＷを支持する少なくとも３つの支持ピンＰＮが設けられている。支持ピンＰＮの高さは、例えば１００μｍ程度であってもよい。熱板１１３の下面には、図４に示されるように、熱板１１３を加熱するように構成されたヒータ１１６が配置されている。

熱板１１３の下方には昇降機構１１９が配置されている。昇降機構１１９は、筐体１００外に配置されたモータ１１９ａと、モータ１１９ａによって上下動する３つの昇降ピン１１９ｂとを有する。昇降ピン１１９ｂはそれぞれ、対応する貫通孔ＨＬ内に挿通されている。昇降ピン１１９ｂの先端が熱板１１３及び支持ピンＰＮよりも上方に突出している場合、昇降ピン１１９ｂの先端上にウエハＷが載置されうる。昇降ピン１１９ｂの先端上に載置されたウエハＷは、昇降ピン１１９ｂの上下動に伴い昇降する。

ウエハ冷却部１２０は、図４及び図５に示されるように、ウエハ加熱部１１０に隣接して位置している。ウエハ冷却部１２０は、載置されたウエハＷを冷却するように構成された冷却板１２１を有する。冷却板１２１は、図５に示されるように、略円形状を呈する平板であり、ウエハＷを移送可能に構成されている。冷却板１２１の外形は、ウエハＷの外形よりも大きい。

冷却板１２１は、図４に示されるように、ウエハ加熱部１１０側に向かって延伸するレール１２３に取付けられている。冷却板１２１は、移動機構１２４により駆動され、レール１２３上を水平移動可能である。ウエハ加熱部１１０側まで移動した冷却板１２１は、熱板１１３の上方に位置する。そのため、冷却板１２１は、熱板１１３の上方位置と熱板１１３からの離間位置との間で移動可能である。冷却板１２１は、熱伝導性の良好な金属で構成されていてもよい。冷却板１２１の材質としては、例えば、アルミニウムが挙げられる。

冷却板１２１には、図５に示されるように、２本のスリット１２５と、複数の切欠き１２６が形成されている。スリット１２５は、冷却板１２１におけるウエハ加熱部１１０側の端部から冷却板１２１の中央部付近まで、レール１２３の延在方向に延びている。スリット１２５により、ウエハ加熱部１１０側に移動した冷却板１２１と熱板１１３上に突出した昇降ピン１１９ｂとの干渉が防止される。そのため、冷却板１２１は、ウエハＷを熱板１１３に受け渡し且つウエハＷを熱板１１３から受け取ることが可能である。

切欠き１２６は冷却板１２１の内側に向けて窪んでいる。各切欠き１２６は、搬送アームＡ２〜Ａ５と冷却板１２１とが上下に重なり合った場合に、支持突起Ａｍ３と対応する位置に配置されている。切欠き１２６は、パッドＡｍ４を内側空間ＳＰに収容可能に構成されている。そのため、搬送アームＡ２〜Ａ５が冷却板１２１に対して上下動する際には、支持突起Ａｍ３（パッドＡｍ４）は、対応する切欠き１２６を通過可能である。冷却板１２１にウエハＷが載置された状態において、ウエハＷと切欠き１２６の先端部とは重なり合っている。従って、パッドＡｍ４によって支持されているウエハＷは、搬送アームＡ２〜Ａ５が冷却板１２１に対して下方に移動することで、冷却板１２１上に載置される。一方、冷却板１２１上に載置されているウエハＷは、搬送アームＡ２〜Ａ５が冷却板１２１に対して上方に移動することで、パッドＡｍ４によって支持される。

冷却板１２１内には、図４に示されるように、気体（例えば、酸素、窒素等）が流通可能な流路１２２が形成されている。冷却板１２１内において、複数（例えば２つ）の流路１２２が形成されていてもよい。複数の流路１２２は、例えば上下に並んでいる。さらに、冷却板１２１内には、冷却部材が設けられていてもよい。冷却部材は、冷却板１２１の温度を調節するように構成されており、例えばペルチェ素子で構成されていてもよい。

冷却部１３０は、搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４の周囲に気流を発生させて、当該パッドＡｍ４を冷却するように構成されている（図６及び図７参照）。例えば冷却部１３０は、パッドＡｍ４の耐熱温度以下にパッドＡｍ４を冷却してもよいし、５０℃以下にパッドＡｍ４を冷却してもよいし、室温（例えば２３℃程度）以上で且つ５０℃以下にパッドＡｍ４を冷却してもよい。冷却部１３０は、図４〜図７に示されるように、吹付部１３１と、供給源１３２と、バルブ１３３とを有する。吹付部１３１は、冷却された気体をパッドＡｍ４に吹き付けるように構成されている。吹付部１３１は、例えば上記の流路１２２（上方に配置された流路１２２）と、当該流路１２２から切欠き１２６の内側空間ＳＰに貫通するように形成された吹出口１３４とによって構成されている。吹付部１３１は、パッドＡｍ４に向かう気体を吹き出す。

吹出口１３４は、切欠き１２６の内壁面１２６ｓに形成されている。例えば内壁面１２６ｓの上部において、複数の吹出口１３４が形成されている。吹出口１３４は、流路１２２から切欠き１２６の内側空間ＳＰに向かうにつれて下方に傾斜している。供給源１３２は、パッドＡｍ４を冷却するための気体を収容し、吹付部１３１に圧送する。供給源１３２に収容されている気体の温度は、冷却効率又はスループットの観点から、１０℃以上室温（例えば２３℃程度）以下であってもよい。或いは、供給源１３２に収容されている気体の温度の下限値は、パッドＡｍ４への結露の発生を抑制する観点から、室温よりも５℃程度低い温度（例えば１８℃程度）であってもよい。バルブ１３３は、供給源１３２から吹付部１３１への気体の流路を開閉するように構成されている。バルブ１３３は、供給源１３２から吹付部１３１へ接続される管路に設けられている。

吸引部１４０は、冷却部１３０によってパッドＡｍ４の周囲に発生された気流を吸引するように構成されている（図６及び図７参照）。吸引部１４０は、図４〜図７に示されるように、吸引室１４１と、ポンプ１４２とを有する。吸引室１４１は、例えば上記の流路１２２（下方に配置された流路１２２）と、当該流路１２２から切欠き１２６の内側空間ＳＰに貫通するように形成された吸引口１４４とによって構成されている。吸引室１４１には、パッドＡｍ４の周囲の気体が吸引される。

吸引口１４４は、切欠き１２６の内壁面１２６ｓに形成されている。例えば内壁面１２６ｓの下部において複数の吸引口１４４が形成されている。吸引口１４４は、吹出口１３４と同様に、流路１２２から切欠き１２６の内側空間ＳＰに向かうにつれて下方に傾斜していてもよい。ポンプ１４２は、吸引室１４１の気体を真空引きするように構成されている。ポンプ１４２は、吸引室１４１へ接続される管路に設けられている。

［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図８に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、搬送制御部Ｍ３と、ウエハ冷却制御部Ｍ４と、ウエハ加熱制御部Ｍ５と、パッド冷却制御部Ｍ６とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２が記憶するデータとしては、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み取られたプログラムが挙げられる。

搬送制御部Ｍ３は、搬送アームＡ２〜Ａ５がウエハＷを筐体１００の内部に搬入するようにアーム駆動部Ａｍ５を制御することと、搬送アームＡ２〜Ａ５がウエハＷを筐体１００外へと搬出するようにアーム駆動部Ａｍ５を制御することとを実行する。

ウエハ冷却制御部Ｍ４は、搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４によって支持されたウエハＷが冷却板１２１上に載置されるように、アーム駆動部Ａｍ５を制御する。具体的には、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１に対して下方に降下させるようにアーム駆動部Ａｍ５を制御する。さらに、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、ウエハ加熱部１１０において昇降ピン１１９ｂ上に載置されたウエハＷが冷却板１２１上に載置されるように、移動機構１２４を制御することと、冷却板１２１上に載置されたウエハＷがウエハ加熱部１１０において昇降ピン１１９ｂ上に載置されるように昇降機構１１９を制御することとを実行する。ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１をウエハ加熱部１１０へ進入させるように移動機構１２４を制御することと、冷却板１２１をウエハ加熱部１１０から退避させるように移動機構１２４を制御することとをさらに実行してもよい。

ウエハ加熱制御部Ｍ５は、昇降ピン１１９ｂ上に載置されたウエハＷが熱板１１３の上面の支持ピンＰＮ上に支持されるように、昇降機構１１９（モータ１１９ａ）を制御することと、支持ピンＰＮ上に支持されたウエハＷが昇降ピン１１９ｂ上に載置されるように、昇降機構１１９（モータ１１９ａ）を制御することとを実行する。さらに、ウエハ加熱制御部Ｍ５は、熱板１１３を加熱するようにヒータ１１６を制御してもよい。

パッド冷却制御部Ｍ６は、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、吹出口１３４から気体をパッドＡｍ４に向けて吹き出すように冷却部１３０を制御する。例えば、パッド冷却制御部Ｍ６は、冷却板１２１上に載置されたウエハＷをパッドＡｍ４に載置するために搬送アームＡ２〜Ａ５が上昇している途中において、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰを通過する間に、吹出口１３４から気体をパッドＡｍ４に向けて吹き出すように冷却部１３０を制御する。パッド冷却制御部Ｍ６は、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、パッドＡｍ４の周囲に形成された気体を吸引口１４４から吸引するように吸引部１４０を制御することをさらに実行してもよい。

コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図９に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃ（記憶部）と、ストレージ１０Ｄ（記憶部）と、入出力ポート１０Ｅとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１０Ｅは、プロセッサ１０Ｂ、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄと、基板処理システム１の各種装置との間で、信号の入出力を行う。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。

［基板処理方法］
続いて、図１０〜図１６を参照し、基板処理方法の一例として、コントローラ１０が実行する基板処理の手順を説明する。図１０に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１は、例えば、塗布用のユニットＵ１内において塗布液がウエハＷの表面に塗布された状態で実行される。ステップＳ０１では、搬送制御部Ｍ３が、ウエハＷを筐体１００の内部に搬入するように搬送アームＡ２〜Ａ５を制御する（図１１参照）。例えば、搬送制御部Ｍ３が、ウエハＷを塗布用のユニットＵ１から搬出して熱処理用のユニットＵ２における筐体１００の内部に搬入するように搬送アームＡ２〜Ａ５を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４によって支持されたウエハＷが冷却板１２１上に載置されるように、ウエハ冷却制御部Ｍ４がアーム駆動部Ａｍ５を制御する（図１２参照）。

次に、コントローラ１０はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、冷却板１２１上に載置されたウエハＷがウエハ加熱部１１０において昇降ピン１１９ｂ上に載置されるように、ウエハ冷却制御部Ｍ４が移動機構１２４及び昇降機構１１９を制御する（図１３参照）。具体的には、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１を水平移動させてウエハ加熱部１１０内に進入させ、冷却板１２１が熱板１１３の上方に位置する第１の位置に配置されるように移動機構１２４を制御する。ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１が第１の位置に配置された状態において、昇降ピン１１９ｂを上昇させて、冷却板１２１上に載置されたウエハＷが昇降ピン１１９ｂ上に載置されるように昇降機構１１９を制御する。その後、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１を水平移動させてウエハ加熱部１１０内から退避させ、冷却板１２１が搬送アームＡ２〜Ａ５と上下方向に対向する第２の位置に配置されるように移動機構１２４を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、昇降ピン１１９ｂを下降させて、昇降ピン１１９ｂ上に載置されたウエハＷが熱板１１３の上面の支持ピンＰＮ上に支持されるように、ウエハ加熱制御部Ｍ５が昇降機構１１９（モータ１１９ａ）を制御する（図１４参照）。ウエハ加熱制御部Ｍ５は、ウエハＷが支持ピンＰＮ上に支持される前に、ヒータ１１６をＯＮ状態に切り替えて、熱板１１３を加熱するように制御してもよい。

次に、コントローラ１０はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、ウエハ加熱制御部Ｍ５が、ウエハＷを所定時間加熱するようにヒータ１１６による熱板１１３の加熱を継続させる。

次に、コントローラ１０はステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、昇降ピン１１９ｂを上昇させて、支持ピンＰＮ上に支持されたウエハＷが昇降ピン１１９ｂ上に載置されるように、ウエハ加熱制御部Ｍ５が昇降機構１１９（モータ１１９ａ）を制御する。その後、ウエハ加熱制御部Ｍ５は、ヒータ１１６をＯＦＦ状態に切り替えて、熱板１１３の加熱を停止するように制御してもよい。

次に、コントローラ１０はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、ウエハ加熱部１１０において昇降ピン１１９ｂ上に載置されたウエハＷが冷却板１２１上に載置されるように、ウエハ冷却制御部Ｍ４が移動機構１２４及び昇降機構１１９を制御する。具体的に、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１を水平移動させてウエハ加熱部１１０内に進入させ、冷却板１２１が第１の位置に配置されるように移動機構１２４を制御する。ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１が第１の位置に配置された状態において、昇降ピン１１９ｂを下降させて、昇降ピン１１９ｂ上に載置されたウエハＷが冷却板１２１上に載置されるように昇降機構１１９を制御する。その後、ウエハ冷却制御部Ｍ４は、冷却板１２１を水平移動させてウエハ加熱部１１０内から退避させ、冷却板１２１が第２の位置に配置されるように移動機構１２４を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、パッド冷却制御部Ｍ６が、パッドＡｍ４の周囲に気流を発生させて、パッドＡｍ４を冷却するように冷却部１３０を制御する。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、冷却板１２１上に載置されたウエハＷが搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４によって支持されるように、ウエハ冷却制御部Ｍ４がアーム駆動部Ａｍ５を制御する。その後、搬送制御部Ｍ３が搬送アームＡ２〜Ａ５によってウエハＷを筐体１００外へと搬出するようにアーム駆動部Ａｍ５を制御する。以上により、コントローラ１０は、基板処理を完了する。

［パッド冷却手順］
続いて、上記ステップＳ０８の具体的な処理内容を説明する。図１５に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、吹出口１３４から気体をパッドＡｍ４に向けて吹き出すように、パッド冷却制御部Ｍ６が冷却部１３０を制御する。具体的には、搬送アームＡ２〜Ａ５を上昇させるとともに（図１６（ａ）参照）、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰに到達したときに、搬送アームＡ２〜Ａ５の上昇を停止するように、パッド冷却制御部Ｍ６がアーム駆動部Ａｍ５を制御する。その後、パッド冷却制御部Ｍ６が、バルブ１３３を開いて吹出口１３４からの気体の吹き出しを開始するように冷却部１３０を制御する。これにより、パッドＡｍ４の周囲に気流が形成される（図１６（ｂ）参照）。

さらに、パッド冷却制御部Ｍ６は、パッドＡｍ４が切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、パッドＡｍ４の周囲に形成された気体を吸引口１４４から吸引するように吸引部１４０を制御する。具体的には、パッド冷却制御部Ｍ６が、ポンプ１４２による真空引きによって吸引口１４４からの気体の吸引を開始するように吸引部１４０を制御する。これにより、パッドＡｍ４の周囲に形成された気流が吸引される（図１６（ｂ）参照）。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、パッド冷却制御部Ｍ６が、冷却部１３０による気流の形成と吸引部１４０による気流の吸引とを所定時間継続させる。所定時間は、例えば、１秒以上１０秒以内であってもよいし、１秒以上５秒以内であってもよいし、１秒以上２秒以内であってもよい。

次に、コントローラ１０は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、パッド冷却制御部Ｍ６が、冷却部１３０による気体の形成と吸引部１４０による気流の吸引とを停止させる。具体的には、パッド冷却制御部Ｍ６は、バルブ１３３を閉じて吹出口１３４からの気体の吹き出しを停止するように冷却部１３０を制御する。同様に、パッド冷却制御部Ｍ６は、ポンプ１４２による真空引きを止めて吸引口１４４からの気体の吸引を停止するように吸引部１４０を制御する。その後、搬送アームＡ２〜Ａ５の上昇を再開するように、パッド冷却制御部Ｍ６がアーム駆動部Ａｍ５を制御する（図１６（ｃ）参照）。これにより、冷却板１２１上に載置されたウエハＷが搬送アームＡ２〜Ａ５のパッドＡｍ４によって支持される。以上により、コントローラ１０は、パッド冷却用の処理を完了する。

［作用］
以上のような本実施形態においては、冷却部１３０がパッドＡｍ４の周囲に気流を発生させることにより、当該パッドＡｍ４が冷却される。そのため、搬送アームＡ２〜Ａ５は、パッドＡｍ４の温度が十分に下がった状態で、パッドＡｍ４によってウエハＷの下面を支持することが可能となる。従って、搬送アームＡ２〜Ａ５の熱によるウエハＷへの影響を抑制することができる。

本実施形態において、冷却部１３０は、気体をパッドＡｍ４に吹き付けるように構成された吹付部１３１を含んでいてもよい。この場合、吹付部１３１が気体をパッドＡｍ４に吹き付けることにより、冷却部１３０が発生させた気流をパッドＡｍ４に到達させやすい。そのため、パッドＡｍ４を効率よく冷却することができる。

本実施形態において、ウエハＷを冷却するように構成された冷却板１２１をさらに備え、冷却板１２１は、パッドＡｍ４を内側空間ＳＰに収容可能に構成された切欠き１２６を含み、冷却部１３０は、切欠き１２６の内壁面１２６ｓに形成された吹出口１３４であって、パッドＡｍ４に向かう気体を吹き出す吹出口１３４を含んでいてもよい。本実施形態において、冷却板１２１から搬送アームＡ２〜Ａ５にウエハＷが受け渡される過程で、ウエハＷが載置された冷却板１２１の切欠き１２６をパッドＡｍ４が通過する。そのため、パッドＡｍ４が切欠き１２６近傍にあるときに当該切欠き１２６の内壁面１２６ｓの吹出口１３４からパッドＡｍ４に向かう気体を吹き出すことにより、冷却板１２１及び搬送アームＡ２〜Ａ５間におけるウエハＷの受け渡しを活用して、ウエハＷを効率よく冷却することができる。

本実施形態において、パッドＡｍ４が内側空間ＳＰにあるときに、吹出口１３４から気体をパッドＡｍ４に向けて吹き出すように冷却部１３０を制御するコントローラ１０をさらに備えていてもよい。この場合、冷却板１２１の切欠き１２６の内側空間ＳＰにおいてパッドＡｍ４が冷却されるので、冷却部１３０が過剰に気流を発生させることが抑制される。そのため、冷却部１３０によるパッドＡｍ４の冷却に際し、他の機構への影響が抑制される。また、冷却されたパッドＡｍ４によってウエハＷが支持されるので、パッドＡｍ４の熱によるウエハＷへの影響をより確実に抑制することができる。

本実施形態において、冷却部１３０によってパッドの周囲に発生された気流を吸引するように構成された吸引部１４０を更に備えていてもよい。この場合、吸引部１４０によって気流が吸引されるので、冷却部１３０によって発生した気流が広範囲に巻き散ることを抑制することができる。

本実施形態において、冷却部１３０は、室温以上５０℃以下にパッドＡｍ４を冷却するように構成されていてもよい。冷却部１３０によってパッドＡｍ４が５０℃以下に冷却されることにより、ウエハＷを保持した際のウエハＷへの影響を十分に抑制することが可能となる。パッドＡｍ４を室温以上（例えば、室温程度）に冷却する構成により、冷却部１３０は、既存の設備（例えば工場用力等）から導くことが可能な室温程度の気体をそのままの温度で冷却に活用できるので、装置構成の複雑化を抑制可能となる。

［変形例］
今回開示された実施形態及び変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、上記実施形態において、冷却部１３０は、加熱されたウエハＷを支持する前のパッドＡｍ４の周囲に気流を発生させて当該パッドＡｍ４を冷却するように構成されていたが、冷却部１３０がパッドＡｍ４を冷却するタイミングは適宜変更してよい。例えば、パッドＡｍ４が加熱されたウエハＷを支持した後に（当該パッドＡｍ４を含む搬送アームＡ２〜Ａ５が、加熱されたウエハＷを別の機構に受け渡した後に）、冷却部１３０が当該パッドＡｍ４を冷却するように構成されていてもよい。この場合、冷却されたパッドＡｍ４が、加熱される前のウエハＷを支持するので、加熱される前のウエハＷ（例えば、塗布処理後且つ加熱処理前のウエハＷ、露光後且つ現像処理及び加熱処理前のウエハＷ等）に対するパッドＡｍ４から熱の影響をより効果的に抑制できる。

冷却部１３０は、搬送アームＡ２〜Ａ５を移動させるように構成されたアーム駆動部Ａｍ５によって構成されていてもよい。この場合、アーム駆動部Ａｍ５は、搬送アームＡ２〜Ａ５の移動によりパッドＡｍ４の周囲に発生した気流でパッドＡｍ４を冷却するように構成される。アーム駆動部Ａｍ５は、搬送アームＡ２〜Ａ５を上下移動させるように構成されていてもよく、水平移動させるように構成されていてもよく、回転移動するように構成されていてもよい。この場合、冷却部１３０は、アーム駆動部Ａｍ５による搬送アームＡ２〜Ａ５の移動によって気流を発生させるので、簡易な構成でパッドＡｍ４を冷却することができる。

図１７に示されるように、搬送アームＡ２〜Ａ５の内部には、吸引流路Ａｍ６が形成されていてもよく、搬送アームＡ２〜Ａ５は、バキューム方式のパッドＡｍ４を有していてもよい。この場合、図１８に示されるように、吸引部１４０の吸引室１４１は、吸引流路Ａｍ６と、当該吸引流路Ａｍ６からパッドＡｍ４の上面に貫通するように形成された吸引口Ａｍ７とによって構成されていてもよい。このとき、冷却板１２１の下側の流路１２２及び吸引口１４４が省略されていてもよい。

基板処理システム１は、ダミーウエハＷｄ（ダミー基板）がパッドＡｍ４で支持されるように、ダミーウエハＷｄを搬送アームＡ２〜Ａ５に受け渡すように構成された受渡部１５０をさらに備えていてもよい。受渡部１５０は、例えば、アーム駆動部Ａｍ５によって構成されていてもよく（図１９参照）、他の機構（例えば、搬送アームＡ１，Ａ６〜Ａ９等の他の搬送アーム）によって構成されていてもよい。この場合、ダミーウエハＷｄにパッドの熱が伝導されるので、より効率よくパッドを冷却することができる。このとき、ダミーウエハＷｄの温度は、例えば、室温程度であってもよい。

冷却部１３０は、搬送アームＡ１，Ａ６〜Ａ９のパッドＡｍ４の周囲に気流を発生させて、当該パッドＡｍ４を冷却するように構成されていてもよい。吹付部１３１は、例えば、図２０に示されるように、搬送アームＡ７，Ａ８のパッドＡｍ４に気体を吹き付けるノズル１３６によって構成されていてもよい。

冷却部１３０は、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１に設けられていてもよい。棚ユニットＵ１０，Ｕ１１は、例えば、ウエハＷを載置させる載置部１３７と、冷却板１２１とを有する。この場合、コントローラ１０は、パッドＡｍ４が、棚ユニットＵ１０，Ｕ１１の冷却板１２１に設けられている切欠き１２６の内側空間ＳＰにあるときに、切欠き１２６に形成された吹出口から気体をパッドＡｍ４に向けて吹き出すように冷却部１３０を制御してもよく、ウエハＷが載置部１３７上に載置されているときに、パッドＡｍ４の周囲に気流を発生させて、パッドＡｍ４を冷却するように冷却部１３０を制御してもよい。

冷却部１３０は、搬送アームＡ１〜Ａ９に設けられていてもよい。例えば、搬送アームＡ１〜Ａ９の内部には、パッドＡｍ４を冷却するための気体が流れる流路（図示せず）が形成されていてもよく、搬送アームＡ１〜Ａ９の外表面には、パッドＡｍ４に向かう気体を吹き出し可能な吹出口（図示せず）が形成されていてもよい。

［例示］
ところで、例えば基板に対する熱処理を行った後、十分に基板が冷却されないうちに搬送アームによって基板を搬送すること等により、搬送アームにおける基板を支持する部分（例えば、基板を支持するように構成されたパッド）が蓄熱する場合がある。このような場合、搬送アームの熱が、当該搬送アームによって搬送される次の基板にも伝わることが考えられる。このとき、基板のうち、搬送アームのパッド等に接触する部分が他の部分よりも高温となりやすい。そのため、基板に温度差が生じ、例えば、基板に対する塗布処理後の基板の膜厚の均一性が保たれにくくなる等の影響が及ぼされる可能性がある。

一方で、例えば熱処理後の基板の冷却時間を長くしたり、蓄熱したパッドの温度が十分に下がるまで搬送アームを待機させたりすることも考えられるが、処理時間が長くなりスループットが低下するおそれがある。

そこで、以下に、搬送アームの熱による基板への影響を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を例示する。

例１．本開示の一つの例に係る基板処理装置（１）は、基板（Ｗ）の下面を支持するように構成されたパッド（Ａｍ４）を含む搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）と、パッド（Ａｍ４）の周囲に気流を発生させて、パッド（Ａｍ４）を冷却するように構成された冷却部（１３０）とを備える。この装置（１）によれば、冷却部（１３０）がパッド（Ａｍ４）の周囲に気流を発生させることにより、当該パッド（Ａｍ４）が冷却される。そのため、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）は、パッド（Ａｍ４）の温度が十分に下がった状態で、パッド（Ａｍ４）によって基板（Ｗ）の下面を支持することが可能となる。従って、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）の熱による基板（Ｗ）への影響を抑制することができる。

例２．例１に係る装置（１）において、冷却部（１３０）は、気体をパッド（Ａｍ４）に吹き付けるように構成された吹付部（１３１）を含んでいてもよい。この場合、吹付部（１３１）が気体をパッド（Ａｍ４）に吹き付けることにより、冷却部（１３０）が発生させた気流をパッド（Ａｍ４）に到達させやすい。そのため、パッド（Ａｍ４）を効率よく冷却することができる。

例３．例２に係る装置（１）において、基板（Ｗ）を冷却するように構成された冷却板（１２１）をさらに備え、冷却板（１２１）は、パッド（Ａｍ４）を内側空間（ＳＰ）に収容可能に構成された切欠き（１２６）を含み、冷却部（１３０）は、切欠き（１２６）の内壁面（１２６ｓ）に形成された吹出口（１３４）であって、パッド（Ａｍ４）に向かう気体を吹き出す吹出口（１３４）を含んでいてもよい。冷却板（１２１）から搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）に基板（Ｗ）が受け渡される過程で、基板（Ｗ）が載置された冷却板（１２１）の切欠き（１２６）をパッド（Ａｍ４）が通過する。そのため、パッドＡｍ４が切欠き１２６近傍にあるときに当該切欠き（１２６）の内壁面（１２６ｓ）の吹出口（１３４）からパッド（Ａｍ４）に向かう気体を吹き出すことにより、冷却板（１２１）及び搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）間における基板（Ｗ）の受け渡しを活用して、基板（Ｗ）を効率よく冷却することができる。

例４．例３に係る装置（１）において、パッド（Ａｍ４）が内側空間（ＳＰ）にあるときに、吹出口（１３４）から気体をパッド（Ａｍ４）に向けて吹き出すように冷却部（１３０）を制御する制御部（１０）をさらに備えていてもよい。この場合、冷却板（１２１）の切欠き（１２６）の内側空間（ＳＰ）においてパッド（Ａｍ４）が冷却されるので、冷却部（１３０）が過剰に気流を発生させることが抑制される。そのため、冷却部（１３０）によるパッド（Ａｍ４）の冷却に際し、他の機構への影響が抑制される。また、冷却されたパッド（Ａｍ４）によって基板（Ｗ）が支持されるので、パッド（Ａｍ４）の熱による基板（Ｗ）への影響をより確実に抑制することができる。

例５．例１〜４のいずれかの装置（１）において、冷却部（１３０）によってパッド（Ａｍ４）の周囲に発生された気流を吸引するように構成された吸引部（１４０）を更に備えていてもよい。この場合、吸引部（１４０）によって気流が吸引されるので、冷却部（１３０）によって発生した気流が広範囲に巻き散ることを抑制することができる。

例６．例１〜５のいずれかの装置（１）において、ダミー基板（Ｗｄ）がパッド（Ａｍ４）で支持されるように、ダミー基板（Ｗｄ）を搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）に受け渡すように構成された受渡部（１５０）をさらに備えていてもよい。この場合、ダミー基板（Ｗｄ）にパッド（Ａｍ４）の熱が伝導されるので、より効率よくパッド（Ａｍ４）を冷却することができる。

例７．例１〜６のいずれかの装置（１）において、冷却部（１３０）は、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）を移動させるように構成されたアーム駆動部（Ａｍ５）であって、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）の移動によりパッド（Ａｍ４）の周囲に発生した気流でパッド（Ａｍ４）を冷却するように構成されたアーム駆動部（Ａｍ５）を含んでいてもよい。この場合、冷却部（１３０）は、アーム駆動部（Ａｍ５）による搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）の移動によって気流を発生させるので、簡易な構成でパッド（Ａｍ４）を冷却することができる。

例８．例１〜７のいずれかの装置（１）において、冷却部（１３０）は、室温以上５０℃以下にパッド（Ａｍ４）を冷却するように構成されていてもよい。冷却部（１３０）によってパッド（Ａｍ４）が５０℃以下に冷却されることにより、基板（Ｗ）を保持した際の基板（Ｗ）への影響を十分に抑制することが可能となる。パッド（Ａｍ４）を室温以上（例えば、室温程度）に冷却する構成により、冷却部（１３０）は、既存の設備（例えば工場用力等）から導くことが可能な室温程度の気体をそのままの温度で冷却に活用できるので、装置構成の複雑化を抑制可能となる。

例９．本開示の他の例に係る基板処理方法は、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）が含むパッド（Ａｍ４）であって基板（Ｗ）の下面を支持するように構成されたパッド（Ａｍ４）の周囲に気流を発生させて、パッド（Ａｍ４）を冷却することを含む。この方法によれば、例１の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１０．例９に係る方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、気体をパッド（Ａｍ４）に吹き付けることを含んでいてもよい。この場合、例２の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１１．例１０に係る方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、基板（Ｗ）を冷却するように構成された冷却板（１２１）が含む切欠き（１２６）であって、パッド（Ａｍ４）を内側空間（ＳＰ）に収容可能に構成された切欠き（１２６）の内壁面（１２６ｓ）に形成された吹出口（１３４）からパッド（Ａｍ４）に向かう気体を吹き出すことで、気体をパッド（Ａｍ４）に吹き付けることを含んでもよい。この場合、例３の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１２．例１１に係る方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、パッド（Ａｍ４）が内側空間（ＳＰ）にあるときに、吹出口（１３４）から気体をパッド（Ａｍ４）に向けて吹き出すことを含んでもよい。この場合、例４の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１３．例９〜１２のいずれかの方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、パッド（Ａｍ４）の周囲に形成された気流を吸引することをさらに含んでいてもよい。この場合、例５の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１４．例９〜１３のいずれかの方法において、ダミー基板（Ｗｄ）がパッド（Ａｍ４）で支持されるように、ダミー基板（Ｗｄ）を搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）に受け渡すことをさらに含んでいてもよい。この場合、例６の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１５．例９〜１４のいずれかの方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、搬送アーム（Ａ２〜Ａ５）の移動によりパッド（Ａｍ４）の周囲に発生した気流でパッド（Ａｍ４）を冷却することを含んでもよい。この場合、例７の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１６．例９〜１５のいずれかの方法において、パッド（Ａｍ４）を冷却することは、パッド（Ａｍ４）の温度を室温以上５０℃以下とすることを含んでもよい。この場合、例８の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例１７．本開示の他の例に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体（ＲＭ）は、例９〜１６のいずれかに記載の方法を基板処理装置（１）に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例９〜１６のいずれかの方法と同様の作用効果を有する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体（ＲＭ）には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置（基板処理装置）、１０…コントローラ（制御部）、１２１…冷却板、１２６…切欠き、１２６ｓ…内壁面、１３０…冷却部、１３１…吹付部、１３４…吹出口、１４０…吸引部、１５０…受渡部、Ａ１〜Ａ９…搬送アーム、Ａｍ４…パッド、Ａｍ５…アーム駆動部、ＲＭ…記録媒体、ＳＰ…内側空間、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗｄ…ダミーウエハ（ダミー基板）。

Claims (17)

1. 基板の下面を支持するように構成されたパッドを含む搬送アームと、
   前記パッドの周囲に気流を発生させて、前記パッドを冷却するように構成された冷却部とを備える、基板処理装置。
2. 前記冷却部は、気体を前記パッドに吹き付けるように構成された吹付部を含む、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板を冷却するように構成された冷却板をさらに備え、
   前記冷却板は、前記パッドを内側空間に収容可能に構成された切欠きを含み、
   前記冷却部は、前記切欠きの内壁面に形成された吹出口であって、前記パッドに向かう気体を吹き出す前記吹出口を含む、請求項２に記載の装置。
4. 前記パッドが前記内側空間にあるときに、前記吹出口から気体を前記パッドに向けて吹き出すように前記冷却部を制御する制御部をさらに備える、請求項３に記載の装置。
5. 前記冷却部によって前記パッドの周囲に発生された気流を吸引するように構成された吸引部を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
6. ダミー基板が前記パッドで支持されるように、前記ダミー基板を前記搬送アームに受け渡すように構成された受渡部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記冷却部は、前記搬送アームを移動させるように構成されたアーム駆動部であって、前記搬送アームの移動により前記パッドの周囲に発生した気流で前記パッドを冷却するように構成されたアーム駆動部を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記冷却部は、室温以上５０℃以下に前記パッドを冷却するように構成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
9. 搬送アームが含むパッドであって、基板の下面を支持するように構成された前記パッドの周囲に気流を発生させて、前記パッドを冷却することを含む、基板処理方法。
10. 前記パッドを冷却することは、気体を前記パッドに吹き付けることを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記パッドを冷却することは、前記基板を冷却するように構成された冷却板が含む切欠きであって、前記パッドを内側空間に収容可能に構成された前記切欠きの内壁面に形成された吹出口から前記パッドに向かう気体を吹き出すことで、気体を前記パッドに吹き付けることを含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記パッドを冷却することは、前記パッドが前記内側空間にあるときに、前記吹出口から気体を前記パッドに向けて吹き出すことを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記パッドを冷却することは、前記パッドの周囲に形成された気流を吸引することをさらに含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. ダミー基板が前記パッドで支持されるように、前記ダミー基板を前記搬送アームに受け渡すことをさらに含む、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記パッドを冷却することは、前記搬送アームの移動により前記パッドの周囲に発生した気流で前記パッドを冷却することを含む、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記パッドを冷却することは、前記パッドの温度を室温以上５０℃以下とすることを含む、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 請求項９〜１６のいずれか一項に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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