TWI447837B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI447837B
TWI447837B TW099102767A TW99102767A TWI447837B TW I447837 B TWI447837 B TW I447837B TW 099102767 A TW099102767 A TW 099102767A TW 99102767 A TW99102767 A TW 99102767A TW I447837 B TWI447837 B TW I447837B
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Description

基板處理裝置
本發明係關於例如半導體晶圓或液晶顯示器用玻璃基板(FPD基板)之基板之處理裝置。
係半導體元件或FPD基板之製程之一，在基板上形成光阻圖案之步驟，係藉由於基板，例如半導體晶圓(以下稱晶圓。)形成光阻膜，並在使用光罩使該光阻膜曝光後進行顯影處理，藉此獲得所希望之圖案之一連串步驟進行，此等一連串步驟自以往係藉由塗布顯影裝置進行。
例如對於此顯影裝置中顯影處理結束之晶圓進行後烘烤之加熱處理，藉由顯影形成光阻圖案後使殘留於光阻膜中或表面之顯影液、潤洗液蒸發以去除之。此係為使光阻硬化並強化與晶圓之密接性之熱處理。例如以130℃~200℃之溫度進行。
此後烘烤處理結束，晶圓回到匣盒站之匣盒(FOUP)中，但經高溫處理之晶圓會自加熱處理裝置中被移出，在溫度高之情況下直接由匣盒(FOUP)加以收納。如此有時會導致發生匣盒(FOUP)蓄熱之問題或因晶圓之溫度下降不均一而成為晶圓翹曲之原因。
為解決上述問題，以往會在匣盒站與處理站之間設置亦可使用於傳遞晶圓之冷卻載置台(TCP)，且固持基板並可伸出沒入之複數支持銷可藉由缸筒等驅動而上下動。此冷卻載置台於內部有冷卻水流通，可將所載置之基板冷卻至既定溫度(參照例如專利文獻1)。
依專利文獻1所記載之技術，自處理站使後烘烤處理後高溫之晶圓回到輸送站時，可藉由使其通過此傳遞冷卻載置台使溫度下降以使其可收納於匣盒中。
且專利文獻1中記載有在對晶圓進行光阻液之塗布處理後，藉由曝光機使電路圖案進行曝光處理，然後由介面部接受，於傳遞至處理站後進行加熱處理之晶圓移動過程中，沿縱向排列之處理裝置群組G4中所設置之冷卻裝置有時會被當作傳遞台使用。此時，可在無不均勻之狀態下對通過之晶圓之溫度進行溫度調節，以供下一處理部處理。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平11-54428號公報(段落0027、圖1、圖3~圖7)
然而，業界要求最近高生產力之塗布顯影裝置需可對應隨處理單元處理之效率化，輸送裝置之處理速度亦快，係對應高生產力之曝光機，例如每1小時處理能力為180片至250片等，可高速處理之系統。因此吾人正戮力於盡量減少浪費掉的時間。
其中於專利文獻1所記載之傳遞冷卻處理裝置之構成中，採取將晶圓自輸送裝置之一臂傳遞至冷卻載置台時，於暫時令3個支持銷固持晶圓後使其下降以加以冷卻之方法。且接受晶圓一側之輸送裝置之一臂亦在冷卻後之晶圓已藉由支持銷上昇並待命之時點接受晶圓。
因此為提升生產力，並為對應專利文獻1所記載之構成需增加搭載數量，而需進行確保搭載空間、評估冷卻水設施、評估輸送裝置之移動軸等複數之檢討與對應。
鑑於如此情形，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，於高生產力之系統中可刪減不需之時間，具有傳遞基板之功能，且可迅速進行溫度調節，使高溫之基板降溫至既定溫度。
為解決該課題，本發明係一種基板處理裝置，包含：加熱處理部，用以對基板進行加熱處理；第1基板輸送機構，自加熱處理部接受於該加熱處理部中經加熱處理之基板，並將該基板載置於傳遞部；及第2基板輸送機構，包含自該傳遞部接受載置於該傳遞部之基板並輸送該基板之板狀之基板固持部；該基板處理裝置之特徵在於該傳遞部包含：載置台，具有載置基板用之冷卻面；溫度調節流路，設於該載置台內部，令用來將該載置台冷卻至較該加熱處理溫度為低之溫度的溫度調節水流通；及凹部，設於該載置台之冷卻面上，並具有相較於該第2輸送機構基板固持部之平面形狀稍大且相似之形狀，且該基板固持部之固持平面可相對於該冷卻面伸出沒入(請求項1)。
藉由如此構成，為控制在基板輸送機構與基板傳遞部之間傳遞基板，即使不由過去所用之基板支持銷進行傳遞之動作，亦可直接載置基板於載置台之冷卻面，故可縮短經加熱處理之基板之冷卻時間。
本發明中，該載置台之構成係設為：使由該第2輸送機構所固持之基板移動至該基板固持部位在該凹部上方且約略一致之既定位置並下降，而可接受基板(請求項2)。
藉由如此構成，可不以習知方式之支持銷傳遞晶圓而直接進行傳遞。
且於本發明中，宜移動該第2基板輸送機構之構成係設為：使該基板固持部移動進入到由該載置台所載置之基板背面與該凹部之間，並使該基板固持部上昇，俾接受該基板(請求項3)。
藉由如此構成，該載置台使第2基板輸送機構之基板固持部朝已載置有基板之狀態之冷卻面凹部進入至可接受基板之位置，俾不接觸凹部之冷卻面，自此狀態直接上昇，以接受基板，故可迅速接受基板。
且於本發明中，該第1基板輸送機構宜包含基板支持部，以複數支持方式支持著基板周緣而固持該基板，該載置台於其周緣部設有缺口部，俾讓該基板支持部可沿上下方向通過該載置台(請求項4)。
藉由如此構成，於第1基板輸送機構接受經處理之基板後承載基板於載置台時，亦可不使用基板支持銷，可實現縮短傳遞時間。
且於本發明中，該載置台亦可包含抽吸孔，以在載置有基板時抽吸基板(請求項5)。
藉由如此構成，抽吸基板以使其與冷卻面密接，藉此可於短時間內結束冷卻處理本身。
且於本發明中，該載置台宜於其內部設有氣體流動於其中之氣體流路，且於該凹部之壁面具有複數之氣體噴出孔，與該氣體流路連通，噴出用以冷卻被載置之基板之氣體，且沿該凹部之壁面設置該氣體流路(請求項6)。
藉由如此構成，載置基板於載置台時，藉由於凹部形成開口，令因溫度調節水之流路而經溫度調節，以使其與溫度調節之溫度成相同溫度之氣體流動，俾基板之溫度調節時間不延遲，故可於不接觸基板之凹部積極噴出冷空氣以冷卻之。
且於本發明中，宜設置該溫度調節流路與該氣體流路鄰接，流通於該氣體流路中之氣體由流通於該溫度調節流路中之溫度調節水調節其溫度(請求項7)。
藉由如此構成，溫度調節流體之溫度可對氣體側高效率導熱。
且於本發明中，自該氣體噴出孔噴出氣體時，宜在抽吸該基板之狀態下噴出氣體(請求項8)。
藉由如此構成，吸附基板時可提高冷卻氣體之流量，故可縮短冷卻時間並抑制冷卻斑點形成。
且於本發明中，該加熱處理部可進行顯影處理後之加熱處理或膜形成塗布處理後之加熱處理(請求項9)。
藉由如此構成，於顯影處理後之加熱處理中，為去除基板表面之水分，使形成圖案更為硬化，多半為高溫之狀態，而藉由急速於短時間內使基板回到基板收納部之溫度下降，可提升整體之處理量。
本發明中，雖亦使用2個不同形狀之基板輸送機構之基板固持機構，但於朝傳遞部傳遞基板時不需如以往自輸送機構朝冷卻板傳遞基板時藉由所使用之基板支持銷於冷卻處理前暫時進行基板載置動作，故可實現處理量之縮減。且冷卻面可藉由抽吸機構抽吸基板以縮短冷卻時間。藉此可提升裝置系統之生產力。
以下根據附圖說明關於本發明之實施形態。在此說明關於依本發明之基板處理裝置適用於半導體晶圓之塗布顯影裝置之情形。
塗布顯影裝置中設有載具區塊S1，係第2基板輸送機構之傳遞臂C自載置於該載具區塊S1之載置台80a上，係密閉型基板收納容器之輸送工具80中取出晶圓W，將其傳遞至處理區塊S2，傳遞臂C並自處理區塊S2接受處理完畢之晶圓W，使其回到輸送工具70。
於該處理區塊S2內，如圖8所示，在此例中自下而上依序堆疊有：第1區塊(DEV層)B1，以進行顯影處理；第2區塊(BCT層)B2，用以就形成於光阻膜下層側之抗反射膜進行形成處理；第3區塊(COT層)B3，用以塗布光阻膜；及第4區塊(TCT層)B4，用以使形成於光阻膜上層側之抗反射膜形成。
第2區塊(BCT層)B2與第4區塊(TCT層)B4分別由下列者構成：依本形態之塗布單元1，藉由旋轉塗布法塗布用以形成抗反射膜之藥液；加熱‧冷卻系之處理單元群組，用以進行於此塗布單元1中所進行之處理之前處理及後處理；及輸送臂A2、A4，設於該塗布單元1與處理單元群組之間，於此等者之間傳遞晶圓W。
關於第3區塊(COT層)B3，除該藥液係光阻液外係相同之構成。
另一方面，關於第1區塊(DEV層)B1，如圖9所示，於一個DEV層B1內堆疊有成2段之顯影單元。又，於DEV層B1內設有係第1輸送機構之輸送臂A1，以朝此等2段之顯影單元輸送晶圓W。亦即，相對於2段之顯影單元，輸送臂A1已共通化。
且處理區塊S2中，如圖7及圖9所示設有棚架單元U5，來自載具區塊S1之晶圓W藉由傳遞臂C傳遞至該棚架單元U5之一之傳遞單元TRS1(傳送平台)，並藉由設於該棚架單元U5附近，可任意昇降之傳遞臂D1，依序輸送至第2區塊(BCT層)B2對應之冷卻處理單元CPL2(冷卻板)。第2區塊(BCT層)B2內之輸送臂A2自此冷卻處理單元CPL2接受晶圓W並輸送至各單元(抗反射膜單元及加熱‧冷卻系之處理單元群組)，以藉由此等單元形成抗反射膜在晶圓W上。
其後，晶圓W經由棚架單元U5之傳遞待命單元BF2、傳遞臂D1、棚架單元U5之冷卻處理單元CPL3(冷卻板)及輸送臂A3被送入第3區塊(COT層)B3，以形成光阻膜。且晶圓W經由輸送臂A3→棚架單元U5之傳遞冷卻待命單元BF3→傳遞臂D1被傳遞至棚架單元U5中之傳遞冷卻單元CPL11(冷卻板)。其次，為將基板交給在與曝光機之間傳遞基板之介面臂B，晶圓W藉由用以直接輸送晶圓W，係專用之輸送機構之穿梭臂E，將傳遞冷卻單元CPL11之基板傳遞至棚架單元U5與棚架單元U6之傳遞冷卻單元CPL12(冷卻板)。
又，形成有光阻膜之晶圓W有時亦會於第4區塊(TCT層)B4中更形成抗反射膜。此時，晶圓W經由冷卻處理單元CPL5(冷卻板)傳遞至輸送臂A4，於形成抗反射膜後藉由輸送臂A4傳遞至傳遞單元TRS4，再傳遞至傳遞冷卻單元CPL11。傳遞待命單元BF附有之傳遞單元兼為可載置複數片晶圓W之緩衝單元。
接著，將直接輸送至棚架單元U6之傳遞冷卻單元CPL12之晶圓W導入介面區塊S3並傳遞至曝光處理裝置。藉由與第1輸送裝置構成相同，係輸送裝置之介面臂B輸送晶圓W至曝光裝置S4，在此進行既定之曝光處理，然後將該晶圓載置於棚架單元U6之傳遞單元TRS6(傳送平台)上而回到處理區塊S2。以例如110℃，於第1區塊(DEV層)B1中對回來的晶圓W進行顯影前之加熱處理(曝後烤)之處理，然後進行顯影處理，以例如160℃進行顯影後之加熱處理(後烘烤)，然後藉由輸送臂A1將該晶圓傳遞至為可與設於棚架單元U5之不同種的輸送機構進行傳遞之構成，係冷卻處理裝置之TCP1(傳送冷硬板)以收納晶圓W於輸送工具內。該基板處理裝置進行降溫至不產生問題之溫度，例如30度以下之冷卻處理後由傳遞臂C接受晶圓W。其後，晶圓W藉由傳遞臂C回到輸送工具80。又，圖7中符號U1~U4分別係堆疊有加熱部與冷卻部之加熱處理裝置之單元群組。
其次參照圖1~圖3說明關於依本發明之基板處理裝置適用於塗布顯影裝置之實施形態。先說明依實施形態之基板冷卻處理裝置構成之概要。圖1係基板處理裝置之概略立體圖，圖2(a)係設於棚架單元U5之基板處理裝置之概略俯視圖，圖2(b)、圖2(c)係沿I-I之剖面圖、沿II-II之剖面圖。圖3係說明基板處理裝置之載置晶圓W並進行冷卻處理之冷卻板11詳細情形之構成圖。
如圖2(a)所示，依本實施形態的基板處理裝置TCP1在被固定於用以水平承載作為載置台之冷卻板11的底板10之狀態下，階層式地設於棚架單元U5。此冷卻板11以例如厚度為15mm之不鏽鋼或鋁等導熱材料製作。此冷卻板11中，於載置晶圓W之冷卻面11b上具有在剖面圖即圖2(b)、圖2(c)內可觀察到的深度為例如7mm之凹部11a，且內部設有使溫度調節介質液流通之溫度調節流路16或氣體流路15，並設有載置晶圓W時用以朝冷卻板11抽吸之抽吸流路17。
於冷卻板11之載置側表面(冷卻面11b)設有用來以例如100μm在與晶圓W之間保持少許間隙之複數空隙間隔件18、與抽吸流路17連接之複數抽吸孔19及與氣體流路15連接之複數氣體噴出孔20。且於冷卻板周緣例如4處設有缺口部13。藉由此缺口部13，輸送臂A1之傳遞機構亦即基板固持部13a之基板支持部13b沿上下方向使基板固持部13a移動時可不干擾冷卻板11而穿通。
於冷卻板11與底板10之間夾設有用以維持冷卻板11相當高，藉由例如約40mm之隔熱材形成之板支架14。此板支架14為輸送臂A1可為將晶圓W傳遞至冷卻板11上而使輸送臂A1自冷卻板11表面下降至背面側，在晶圓W之傳遞結束後於不接觸冷卻板11背面與底板10之情形下將基板固持部13a拉回原位置之高度即可。且板支架14中分別設有係設於冷卻板11中之各種流路(氣體流路15、溫度調節流路16、抽吸流路17)連接設施配管之連接口之溫度調節流體之導入排出配管口12、氣體導入配管口12a與抽吸配管口12b。此等配管口12、12a、12b分別連接未圖示之溫度調節流體循環線與工廠用側供給系線。
其次以圖4、圖5說明傳遞臂C，並以圖6說明關於藉由本發明之基板處理裝置中不同之基板輸送裝置進行之晶圓W傳遞。圖4中，在係設於載具區塊S1之基板輸送裝置之輸送基台29上具有X軸基座32，可沿X方向任意進退，並設有係基板固持部，約略呈Y字狀之夾鉗34，此輸送基台29可藉由旋轉軸部33任意沿水平方向旋轉，且與Z軸基座30連接，可沿上下方向昇降，並可藉由朝橫向移動之Y軸基座31任意沿橫向移動。本發明中，夾鉗34可為接受晶圓W而相對於冷卻板11進退。圖5(a)顯示晶圓W由夾鉗34固持之狀態，晶圓W被載置並被固持在設於夾鉗34基端部之平面圓弧狀之基板載置部35，與設於夾鉗34前端部之基板載置片35a之間。又，圖5(b)係沿圖5(a)之III-III線之剖面圖。
其次，參照圖6，顯示晶圓W經由冷卻板11傳遞至不同之輸送裝置之狀態，並同時詳細說明冷卻處理之狀態。首先，如圖6(a)所示，顯影處理結束並經後烘烤處理之晶圓W傳遞至輸送臂A1，基板固持部13a輸送晶圓W至棚架單元U5之TCP1上方。其次如圖6(b)所示，使基板固持部13a下降至基板支持部13b可通過冷卻板11之缺口部13之位置。此時由冷卻板11側載置晶圓W並約略同時自抽吸孔19抽吸晶圓W以使其與載置面之間密接。
如此抽吸以使其密接冷卻板11之表面，藉此更為提高晶圓W之冷卻效果，即使對已發生翹曲之晶圓W亦具有冷卻效果。且為在載置晶圓W後提高冷卻效果，自氣體噴出孔20朝晶圓背面噴出溫度調節氣體，且朝凹部面之方向廣範圍地噴出氣體。藉由設置溫度調節流路16與氣體流路15於冷卻板11中接近(鄰接)，溫度調節流體之溫度對此溫度調節氣體之氣體側高效率地導熱。因此可省略調節氣體溫度之設備。且抽吸動作亦具有抑制晶圓W浮升之效果。然而，以抽吸之方式使晶圓密接與藉由噴出氣體調節溫度非必要條件，藉由設於冷卻板11之溫度調節流體冷卻即可。
其次說明關於冷卻處理結束，藉由傳遞臂C接受晶圓W之動作。圖6(c)係傳遞臂C之夾鉗34為接受晶圓而朝冷卻板11移動之圖，圖6(d)係夾鉗34進入載置有晶圓W之冷卻板11之凹部11a之圖。凹部11a形成為稍大於約略呈Y字狀之夾鉗34之平面形狀之相似形，具有不接觸在與載置完畢之晶圓背面之間進入之夾鉗34之高度與寬度。
其後，如圖6(e)所示，夾鉗34進行上昇至可接受冷卻板11上之晶圓之既定位置，於固持晶圓並後退後將其收納於輸送工具70中之動作。藉由以上方式可傳遞冷卻處理結束之晶圓。
藉此，冷卻板11本身不使用複雜之機構而可傳遞並接受晶圓W故可加快處理量。且可減少故障或調整處。又，冷卻板11之凹部11a不限於圖示之形狀，係板狀即可，若可傳遞晶圓W並縮小凹部11a之占有面積，即可在不損害冷卻板11之冷卻效果之情形下對應。且傳遞臂C之形狀即使為2條板狀叉形，亦可達成冷卻效果。
本發明之適用不限於上述記載，例如在介面區塊S3與處理區塊S2之間傳遞晶圓W時可取代搭載於棚架單元U6之傳遞單元TRS6以設置之。此時，至PED(曝後烤)前為止可使用於降低晶圓面內之溫度並定常化之情形中，故設置與上述構成相同之基板冷卻處理裝置，以相反之順序傳遞晶圓W至輸送臂A1。事實上則進行藉由介面臂B載置晶圓，輸送臂A1接受晶圓之動作。
且搭載於棚架單元U5之輸送臂D1中亦可藉由使輸送臂D1之基板固持部形狀與輸送臂A1相同使冷卻板11之缺口部13可上下穿通，藉此亦可使用於例如在塗布光阻之COT層B3中進行塗布光阻後之加熱處理(預烘烤)，然後收納晶圓於輸送工具70內之情形中。且亦可取代傳遞單元TRS1以設置之。如以上可設置於需提升處理量之位置。又，圖7所示之輸送臂D1基板固持部之形狀可為板狀，亦可以不損害冷卻板11之冷卻功能程度之大小形狀設置凹部11a。此時，亦可在棚架單元U5之其他處理單元內以習知式之基板支持銷傳遞晶圓W。
A1．．．輸送臂(第1基板輸送機構)
A2、A3、A4．．．輸送臂
B1．．．第1區塊(DEV層)
B2．．．第2區塊(BCT層)
B3．．．第3區塊(COT層)
B4．．．第4區塊(TCT層)
BF、BF2．．．傳遞待命單元
BF3．．．傳遞冷卻待命單元
B．．．介面臂
CPL11、CPL12．．．傳遞冷卻單元(冷卻板)
CPL2、CPL5．．．冷卻處理單元(冷卻板)
CPL3．．．冷卻處理單元
C．．．傳遞臂(輸送臂)(第2基板輸送機構)
D1．．．傳遞臂(輸送臂)
E．．．穿梭臂
G4．．．處理裝置群組
S1．．．載具區塊(輸送站區塊)
S2．．．處理區塊
S3．．．介面區塊
S4．．．曝光裝置
TCP1．．．冷卻處理裝置(傳送冷硬板)
TRS1、TRS4、TRS6．．．傳遞單元
U1~U4．．．單元群組
U5、U6．．．棚架單元
W．．．晶圓
1．．．塗布單元
10．．．底板
11．．．冷卻板(載置台)
11a．．．凹部
11b．．．冷卻面
12．．．導入排出配管口(溫度調節流體之導入排出配管口)(配管口)
12a‧‧‧氣體導入配管口(配管口)
12b‧‧‧抽吸配管口(配管口)
13‧‧‧缺口部
13a‧‧‧基板固持部
13b‧‧‧基板支持部
14‧‧‧板支架
15‧‧‧氣體流路
16‧‧‧溫度調節流路
17‧‧‧抽吸流路
18‧‧‧空隙間隔件
19‧‧‧抽吸孔
20‧‧‧氣體噴出孔
29‧‧‧輸送基台
30‧‧‧Z軸基座
31‧‧‧Y軸基座
32‧‧‧X軸基座
33‧‧‧旋轉軸部
34‧‧‧夾鉗(基板固持部)
35‧‧‧基板載置部
35a‧‧‧基板載置片
70、80‧‧‧輸送工具
80a‧‧‧載置台
圖1係顯示依本發明之基板處理裝置重要部位之概略立體圖。
圖2(a)係顯示依本發明之基板處理裝置重要部位之俯視圖。
圖2(b)係沿圖2(a)之I-I線之剖面圖。
圖2(c)係沿圖2(a)之II-II線之剖面圖。
圖3係設於基板處理裝置之冷卻板構造圖。
圖4係顯示輸送站之基板輸送裝置之立體圖。
圖5(a)~(b)係傳遞臂夾鉗之構成圖。
圖6(a)~(e)係顯示適用依本發明之冷卻板之實施形態圖。
圖7係顯示適用上述塗布單元之塗布顯影裝置實施形態之俯視圖。
圖8係上述塗布顯影裝置之立體圖。
圖9係上述塗布顯影裝置之縱剖面圖。
A1．．．輸送臂(第1基板輸送機構)
C．．．傳遞臂(輸送臂)(第2基板輸送機構)
10．．．底板
11．．．冷卻板(載置台)
11a．．．凹部
11b．．．冷卻面
13．．．缺口部
13a．．．基板固持部
13b．．．基板支持部
18．．．空隙間隔件
19．．．抽吸孔
20．．．氣體噴出孔
34．．．夾鉗(基板固持部)
35．．．基板載置部
35a．．．基板載置片

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，包含：加熱處理部，用以對基板進行加熱處理；第1基板輸送機構，自加熱處理部接受於該加熱處理部中經加熱處理之基板，並將該基板載置於傳遞部；及第2基板輸送機構，包含自該傳遞部接受載置於該傳遞部之基板並輸送該基板之板狀之基板固持部；該基板處理裝置之特徵在於該傳遞部包含：載置台，具有載置基板用之冷卻面；溫度調節流路，設於該載置台內部，令用來將該載置台冷卻至較該加熱處理溫度為低之溫度的溫度調節水流通；及凹部，設於該載置台之冷卻面上，並具有相較於該第2輸送機構基板固持部之平面形狀稍大且相似之形狀，且該基板固持部之固持平面可相對於該冷卻面伸出沒入；該載置台之構成係設為：使由該第2輸送機構所固持之基板移動至該基板固持部位在該凹部上方且約略一致之既定位置並下降，而可接受基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，移動該第2基板輸送機構之構成係設為：使該基板固持部移動進入到由該載置台所載置之基板背面與該凹部之間，並使該基板固持部上昇，俾接受該基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該第1基板輸送機構包含基板支持部，以複數支持方式支持著基板周緣而固持該基板，該載置台於其周緣部設有缺口部，俾讓該基板支持部可沿上下方向通過該載置台。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該載置台設有抽吸孔，用以在載置基板時抽吸基板。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該載置台於其內部設有供氣體流動之氣體流路；且於該凹部之壁面具有複數 之氣體噴出孔，與該氣體流路連通，噴出用以冷卻載置之基板的氣體，且該氣體流路係沿該凹部之壁面設置。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該溫度調節流路係與該氣體流路鄰接設置，流通於該氣體流路中之氣體由流通於該溫度調節流路中之溫度調節水調節其溫度。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，自該氣體噴出孔噴出氣體時，係在抽吸該基板之狀態下噴出氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該加熱處理部施行顯影處理後之加熱處理或膜形成塗布處理後之加熱處理。
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