JP2010177686A - ウェハのチャッキング装置およびチャッキング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャッキング装置は、第1および第2電極4,6と、ウェハの裏面が載置される絶縁体部8と、絶縁体部の裏面から主面に貫通する貫通孔と有する静電チャック部2と、貫通孔を通過可能な導通針20と、導通針を絶縁体部の裏面から主面に向かって貫通孔内を移動させてウェハの裏面に導通針の他端を突き立てるように駆動する導通針駆動装置24と、第1および第2電極に極性が異なる電圧および極性が同じ電圧を与えることが可能で、かつ第1および第2電極に与える電圧の値を可変とすることの可能な電圧コントローラ10とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態によるウェハのチャッキング装置の構成を図1に示す。この実施形態によるウェハのチャッキング装置は、静電チャック部2と、電圧コントローラ10と、導通針20と、導通針駆動機構24とを備えている。静電チャック部2は、第1電極4と、第2電極6と、絶縁体部8とを備えている。絶縁体部8は、ウェハ100が載置される平坦な主面を有するとともに、裏面から上記主面に貫通する貫通孔9を端部に有している。なお、絶縁体部8の主面に接するのは、ウェハ100の裏面、すなわち半導体素子等が形成される面と反対側の面である。また、貫通孔9は導通針20が通過可能なサイズを有している。第1及び第2電極4,6は絶縁体部8に埋め込まれて、上記主面側から見て互いに重ならないように配置されている。
IΔEs =Is1 +Is2 ・・・(1)
となる。そして、Is1およびIs2は、
Is1 = Es1/(Res1+Res2+Rc) ・・・(2)
Is2 = Es2/(Res1+Res2+Rc) ・・・(3)となる。これらの(1)、(2)、(3)式から導通針20の接触抵抗Rsが求められる。仮に、抵抗Res1と抵抗Res2が同じ値Resであるとすると、すなわちRes1=Res2=Resであるとする、導通針20の接触抵抗Rsは、
Rs = ΔEs/IΔEs −(Res+Rc)
となる。
次に、本実施形態の第2実施形態によるウェハのチャッキング装置を、図13および図14を参照して説明する。この実施形態によるウェハのチャッキング装置は、フリッティング現象を利用して、ウェハの絶縁膜を破壊してウェハと導通針とを電気的に導通接触させるものである。フリッティング現象とは、ウェハ表面に酸化等による被膜が5nm以上になると、接触抵抗が上がるが、ある一定の電圧を与えると、急激に接触抵抗が下がる現象である。被膜が金属酸化膜の場合には、電位傾度が105〜106V/cmに達するとフリッティング現象が生じることが知られている。この実施形態によるウェハのチャッキング装置は、静電チャック部2Aと、静電チャック用電源10Bと、導通針20A,20Bと、導通針駆動機構40と、フリッティング電圧印加装置60とを備えている。
2A 静電チャック部
4 第1電極
5 静電チャック電極
6 第2電極
8 絶縁体部
9 貫通孔
9A 貫通孔
9B 貫通孔
10 電圧コントローラ
10B 静電チャック用電源
12 電源
13 スイッチ
14a 電源
14b 電源
16a スイッチ
16b スイッチ
20 導通針
20A 導通針
20B 導通針
24 導通針駆動機構
26 配線
28 電流計
40 導通針駆動機構
60 フリッティング電圧印加装置
Claims (10)
- 各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側の電極に電力を供給した後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子線を照射して所定の処理を施す電子線照射機構と、を備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側に最も近い電極のみに電力を供給した後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子線を照射して所定の処理を施す電子線照射機構と、を備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側の電極に電力を供給し導通機構と被処理基板とを電気的に導通自在とした後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子線を照射して所定の処理を施す電子線照射機構と、を備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極に同一極性の電力を供給し導通機構と被処理基板とを電気的に導通自在とした後に導通機構側の電極とは異なる電極に前記同一極性とは異なる極性の電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子線を照射して所定の処理を施す電子線照射機構と、を備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 前記静電チャック機構にて静電的に吸着保持された被処理基板の平面度を検出する検出機構をさらに設けたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子線描画装置。
- 静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子線を照射して所定の処理を施す電子線描画方法であって、
前記被処理基板の裏面の一部の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の一部の領域と異なる領域を静電的に吸着する工程と、
を備えたことを特徴とする電子線描画方法。 - 静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子線を照射して所定の処理を施す電子線描画方法であって、
前記被処理基板の裏面の第一の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の前記第一の領域とは異なる第二の領域を静電的に吸着する工程と、
この後、被処理基板の平面度を検出する工程と、
を備えたことを特徴とする電子線描画方法。 - 静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子線を照射して所定の処理を施す電子線描画方法であって、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる前にこの接触位置に近い前記被処理基板の裏面の第一の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の前記第一の領域とは異なる第二の領域を静電的に吸着する工程と、
この後、被処理基板の平面度を検出する工程と、
を備えたことを特徴とする電子線描画方法。 - 静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子線を照射して所定の処理を施す電子線描画方法であって、
前記被処理基板の裏面を同一極性の電力にて複数個所静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面を同一極性及び前記同一極性と異なる複数の極性の電力にて部分的に静電的に吸着する工程と、
を備えたことを特徴とする電子線描画方法。 - 前記被処理基板の吸着後さらに被処理基板の平面度を検出する工程と、を備えたことを特徴とする請求項6または9に記載の電子線描画方法。
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