JPH06169008A - 静電チャック装置および静電チャック方法 - Google Patents
静電チャック装置および静電チャック方法Info
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- JPH06169008A JPH06169008A JP32057592A JP32057592A JPH06169008A JP H06169008 A JPH06169008 A JP H06169008A JP 32057592 A JP32057592 A JP 32057592A JP 32057592 A JP32057592 A JP 32057592A JP H06169008 A JPH06169008 A JP H06169008A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、安定したチャッキングを行うこと
をのできる静電チャック装置および静電チャック方法を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の静電チャック方法では、試料が静電
チャック装置の試料支持台に接触する前は低電圧を印加
しておき、試料支持台に接触すると高電圧を印加するよ
うにしている。また本発明では、電極３が埋め込まれ、
表面が絶縁化された試料支持台１と、試料支持台１に対
する高さを変化できるように構成され試料を載置して、
下降せしめ試料支持台に接触可能なように構成され接地
電位に接続された導電性の支持棒８と、前記電極に電位
を付与するための電源６と、前記支持棒とを流れる電流
を検出する電流検出手段１３と、前記電流検出手段の電
流変化を検知し、前記電源電位を制御する制御手段１４
とを具備したことを特徴とする。
をのできる静電チャック装置および静電チャック方法を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の静電チャック方法では、試料が静電
チャック装置の試料支持台に接触する前は低電圧を印加
しておき、試料支持台に接触すると高電圧を印加するよ
うにしている。また本発明では、電極３が埋め込まれ、
表面が絶縁化された試料支持台１と、試料支持台１に対
する高さを変化できるように構成され試料を載置して、
下降せしめ試料支持台に接触可能なように構成され接地
電位に接続された導電性の支持棒８と、前記電極に電位
を付与するための電源６と、前記支持棒とを流れる電流
を検出する電流検出手段１３と、前記電流検出手段の電
流変化を検知し、前記電源電位を制御する制御手段１４
とを具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電チャック方法およ
び静電チャック装置に関する。
び静電チャック装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造装置のドライ化、自動
化が急速に進み、それに伴い高精度かつ生産性の高い生
産装置の開発が盛んに行われている。また、集積回路装
置においては、微細化の一途を辿っており、最近では最
小寸法が１μｍ以下の超超ＬＳＩも生産されるに至って
いる。これらの超微細デバイスの歩留まりはその生産工
程におけるミクロン単位のゴミによって左右されてお
り、従って生産装置は可能な限りごみの発生を少なくし
なければならない。前記の生産装置において例えばドラ
イエッチング装置、ＣＶＤ装置，レーザアニール装置の
ように試料の温度を十分に制御する必要がある場合には
ステージと被処理物との熱的コンタクトを良好にしなけ
ればならず、従って均一なチャッキング力が必要とされ
る。被処理物をステージにチャッキングする方法とし
て、機械的に保持する方法も実用化されているが、機械
的な駆動部を有するためゴミの発生を完全になくすこと
が難しい。特に、ドライエッチング装置のように高周波
放電を利用した装置では保持具の存在により電界に不均
一性が生じ、エッチングの均一性に不具合を生じるため
好ましくない。
化が急速に進み、それに伴い高精度かつ生産性の高い生
産装置の開発が盛んに行われている。また、集積回路装
置においては、微細化の一途を辿っており、最近では最
小寸法が１μｍ以下の超超ＬＳＩも生産されるに至って
いる。これらの超微細デバイスの歩留まりはその生産工
程におけるミクロン単位のゴミによって左右されてお
り、従って生産装置は可能な限りごみの発生を少なくし
なければならない。前記の生産装置において例えばドラ
イエッチング装置、ＣＶＤ装置，レーザアニール装置の
ように試料の温度を十分に制御する必要がある場合には
ステージと被処理物との熱的コンタクトを良好にしなけ
ればならず、従って均一なチャッキング力が必要とされ
る。被処理物をステージにチャッキングする方法とし
て、機械的に保持する方法も実用化されているが、機械
的な駆動部を有するためゴミの発生を完全になくすこと
が難しい。特に、ドライエッチング装置のように高周波
放電を利用した装置では保持具の存在により電界に不均
一性が生じ、エッチングの均一性に不具合を生じるため
好ましくない。
【０００３】そこでこのような不具合を解決すべく、静
電チャック法が実用化されている。静電チャック装置
は、図３にその一例を示すように、ステージ１の上面に
は絶縁層２が形成されておりこの絶縁層２上に電極層３
を介してさらに絶縁層４が形成されており、この電極層
３は真空容器５の外側に設置された電源６によって通電
可能なように構成され、試料７を載置したプッシャーピ
ン８が下降して絶縁層４に接触する際に、電源６から印
加された電圧により、プッシャーピン８を介して電子が
試料に供給され、試料７が負に帯電し、試料７とステー
ジ１との間に吸引力が働くように構成したものである。
この吸引力は電源から供給される電圧が高いほど強くな
ることが知られているが、試料が絶縁層４に接触する前
にあらかじめ高電圧を印加した場合には静電チャックと
周囲の金属との間に放電が起こり易い。すなわち、図４
に示すように絶縁層４の表面に電子がチャージされ、試
料が絶縁層に接触する際にプッシャピンを介して移動す
る電子の量が少なくなるため、十分なチャッキング力が
得られなくなるという問題がある。
電チャック法が実用化されている。静電チャック装置
は、図３にその一例を示すように、ステージ１の上面に
は絶縁層２が形成されておりこの絶縁層２上に電極層３
を介してさらに絶縁層４が形成されており、この電極層
３は真空容器５の外側に設置された電源６によって通電
可能なように構成され、試料７を載置したプッシャーピ
ン８が下降して絶縁層４に接触する際に、電源６から印
加された電圧により、プッシャーピン８を介して電子が
試料に供給され、試料７が負に帯電し、試料７とステー
ジ１との間に吸引力が働くように構成したものである。
この吸引力は電源から供給される電圧が高いほど強くな
ることが知られているが、試料が絶縁層４に接触する前
にあらかじめ高電圧を印加した場合には静電チャックと
周囲の金属との間に放電が起こり易い。すなわち、図４
に示すように絶縁層４の表面に電子がチャージされ、試
料が絶縁層に接触する際にプッシャピンを介して移動す
る電子の量が少なくなるため、十分なチャッキング力が
得られなくなるという問題がある。
【０００４】また、静電チャックと周囲の金属との放電
を防ぐため、試料が絶縁層に接触するまでの間の電圧を
０Ｖにしてしまうと、試料が絶縁層上に載置される際の
保持力がないため、試料が絶縁層上で滑り、正確な位置
に載置することができないという問題もある。
を防ぐため、試料が絶縁層に接触するまでの間の電圧を
０Ｖにしてしまうと、試料が絶縁層上に載置される際の
保持力がないため、試料が絶縁層上で滑り、正確な位置
に載置することができないという問題もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の静電
チャック方法では、あらかじめ高電圧を印加すると、静
電チャックと周囲の金属との間に放電が起こり易く、絶
縁層の表面に電子がチャージされ、試料が絶縁層に接触
する際にプッシャピンを介して移動する電子の量が少な
くなるため、十分なチャッキング力が得られなくなると
いう問題がある。 また、静電チャックと周囲の金属と
の放電を防ぐべく、試料が絶縁層に接触するまでの間の
電圧を０Ｖにしてしまうと、試料が絶縁層上に載置され
る際の保持力がないため、試料が絶縁層上で滑り、正確
な位置に載置することができないという問題があった。
チャック方法では、あらかじめ高電圧を印加すると、静
電チャックと周囲の金属との間に放電が起こり易く、絶
縁層の表面に電子がチャージされ、試料が絶縁層に接触
する際にプッシャピンを介して移動する電子の量が少な
くなるため、十分なチャッキング力が得られなくなると
いう問題がある。 また、静電チャックと周囲の金属と
の放電を防ぐべく、試料が絶縁層に接触するまでの間の
電圧を０Ｖにしてしまうと、試料が絶縁層上に載置され
る際の保持力がないため、試料が絶縁層上で滑り、正確
な位置に載置することができないという問題があった。
【０００６】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、安定したチャッキングを行うことをのできる静電チ
ャック装置および静電チャック方法を提供することを目
的とする。
で、安定したチャッキングを行うことをのできる静電チ
ャック装置および静電チャック方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の静電チャ
ック方法では、試料が静電チャック装置の試料支持台に
接触する前は低電圧を印加しておき、試料支持台に接触
すると高電圧を印加するようにしている。
ック方法では、試料が静電チャック装置の試料支持台に
接触する前は低電圧を印加しておき、試料支持台に接触
すると高電圧を印加するようにしている。
【０００８】また本発明では、電極が埋め込まれ、表面
が絶縁化された試料支持台と、試料支持台に対する高さ
を変化できるように構成され試料を載置して、下降せし
め試料支持台に接触可能なように構成され接地電位に接
続された導電性の支持棒と、前記電極に電位を付与する
ための電源と、前記支持棒とを流れる電流を検出する電
流検出手段と、前記電流検出手段の電流変化を検知し、
前記電源電位を制御する制御手段とを具備したことを特
徴とする。
が絶縁化された試料支持台と、試料支持台に対する高さ
を変化できるように構成され試料を載置して、下降せし
め試料支持台に接触可能なように構成され接地電位に接
続された導電性の支持棒と、前記電極に電位を付与する
ための電源と、前記支持棒とを流れる電流を検出する電
流検出手段と、前記電流検出手段の電流変化を検知し、
前記電源電位を制御する制御手段とを具備したことを特
徴とする。
【０００９】
【作用】上記方法によれば、試料が試料支持台すなわち
静電チャックに接触するまでは低電圧が印加されている
ため、静電チャックと周囲の金属間の放電は起こりにく
く、静電チャック上に電子がチャージされることなく良
好に安定して正確に支持することができる。
静電チャックに接触するまでは低電圧が印加されている
ため、静電チャックと周囲の金属間の放電は起こりにく
く、静電チャック上に電子がチャージされることなく良
好に安定して正確に支持することができる。
【００１０】また、上記装置は、試料が静電チャックに
接触すると同時に試料を介して支持棒に電流が流れる点
に着目し、この支持棒を流れる電流変化を検出し、この
変化に応じて電源電位を制御し、試料が静電チャックに
接触すると同時に自動的に大電圧が印加されるため、静
電チャック上に電子がチャージされることなく良好に安
定して正確に支持することができる。
接触すると同時に試料を介して支持棒に電流が流れる点
に着目し、この支持棒を流れる電流変化を検出し、この
変化に応じて電源電位を制御し、試料が静電チャックに
接触すると同時に自動的に大電圧が印加されるため、静
電チャック上に電子がチャージされることなく良好に安
定して正確に支持することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明実施例の静電チャック装置につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】この装置はドライエッチング装置用の静電
チャック装置であり、図１に示すように、電源６の電圧
を５００Ｖと２５００Ｖとの２段に切り替え可能なよう
に電源制御手段１２を具備したことを特徴とするもので
ある。
チャック装置であり、図１に示すように、電源６の電圧
を５００Ｖと２５００Ｖとの２段に切り替え可能なよう
に電源制御手段１２を具備したことを特徴とするもので
ある。
【００１３】この装置は、真空容器５を真空排気する排
気手段１１と、ガスを導入するガス供給部１０とを具備
し、試料７表面をドライエッチングするもので、他の部
分については図３に示した従来の静電チャック装置と同
様である。
気手段１１と、ガスを導入するガス供給部１０とを具備
し、試料７表面をドライエッチングするもので、他の部
分については図３に示した従来の静電チャック装置と同
様である。
【００１４】次にこの静電チャック装置を用いたドライ
エッチング方法について説明する。まず、電源電圧を５
００Ｖとなるように電源制御手段１２を制御し、ステー
ジ１の電極３に５００Ｖの電圧を印加し、試料７として
の半導体ウェハをプッシャピン８に載置する。このとき
プッシャピン８はアース電位に接続されているものとす
る。
エッチング方法について説明する。まず、電源電圧を５
００Ｖとなるように電源制御手段１２を制御し、ステー
ジ１の電極３に５００Ｖの電圧を印加し、試料７として
の半導体ウェハをプッシャピン８に載置する。このとき
プッシャピン８はアース電位に接続されているものとす
る。
【００１５】そして、プッシャピン８を下降せしめ、試
料７をステージ１の絶縁層４上に接触させる。
料７をステージ１の絶縁層４上に接触させる。
【００１６】この後、電源電圧を２５００Ｖとなるよう
に電源制御手段１２を制御し、ステージ１の電極３に２
５００Ｖの電圧を印加し、静電力により強く固定する。
に電源制御手段１２を制御し、ステージ１の電極３に２
５００Ｖの電圧を印加し、静電力により強く固定する。
【００１７】そして、排気手段１１を駆動して真空容器
５内の真空度を３０Ｐａ以下となるようにし、ガス供給
部１０からＣｌ2 ガスを５０ｓｃｃｍ供給し高周波電源
９からステージに高周波電力を印加し高周波放電を行
い、ドライエッチングを行う。このように本発明の方法
によれば、ステージに接触前は低電圧を印加しておき、
接触後は高電圧を印加するようにしているため、放電に
よるチャッキング力の低下はみられず、安定して位置精
度よく強固に固定することができ、良好な加工形状を得
ることができる。
５内の真空度を３０Ｐａ以下となるようにし、ガス供給
部１０からＣｌ2 ガスを５０ｓｃｃｍ供給し高周波電源
９からステージに高周波電力を印加し高周波放電を行
い、ドライエッチングを行う。このように本発明の方法
によれば、ステージに接触前は低電圧を印加しておき、
接触後は高電圧を印加するようにしているため、放電に
よるチャッキング力の低下はみられず、安定して位置精
度よく強固に固定することができ、良好な加工形状を得
ることができる。
【００１８】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００１９】この装置は、前記第１の実施例と同様ドラ
イエッチング装置用の静電チャック装置であり、図２に
示すように、プッシャピン８を流れる電流を検出するた
めの電流検出手段１３がプッシャピン８とアースとの間
に設置され、この電流検出手段１３の出力は電圧制御装
置１４を介して電源６に接続されており、電流検出手段
１３の出力に応じて電源６から電極３に印加される電圧
を５００Ｖと２５００Ｖとの２段に切り替え可能なよう
に構成したことを特徴とするものである。
イエッチング装置用の静電チャック装置であり、図２に
示すように、プッシャピン８を流れる電流を検出するた
めの電流検出手段１３がプッシャピン８とアースとの間
に設置され、この電流検出手段１３の出力は電圧制御装
置１４を介して電源６に接続されており、電流検出手段
１３の出力に応じて電源６から電極３に印加される電圧
を５００Ｖと２５００Ｖとの２段に切り替え可能なよう
に構成したことを特徴とするものである。
【００２０】他の部分については図１に示した前記第１
の実施例の装置と同様である。
の実施例の装置と同様である。
【００２１】ここで電圧制御装置１４は、電流検出手段
１３の出力が所定の値以下であるとき、電源６から電極
３に印加される電圧が５００Ｖとなるようにし、一方電
流検出手段１３の出力が所定の値以上であるとき、電源
６から電極３に印加される電圧が２５００Ｖとなるよう
に構成されているものとする。
１３の出力が所定の値以下であるとき、電源６から電極
３に印加される電圧が５００Ｖとなるようにし、一方電
流検出手段１３の出力が所定の値以上であるとき、電源
６から電極３に印加される電圧が２５００Ｖとなるよう
に構成されているものとする。
【００２２】次にこの静電チャック装置を用いたドライ
エッチング方法について説明する。まず、初期状態では
電源制御装置１４により、電源６から電極３に印加され
る電圧は５００Ｖとなっている。この状態で、試料７と
しての半導体ウェハをプッシャピン８に載置する。この
ときプッシャピン８はアース電位に接続されているもの
とする。
エッチング方法について説明する。まず、初期状態では
電源制御装置１４により、電源６から電極３に印加され
る電圧は５００Ｖとなっている。この状態で、試料７と
しての半導体ウェハをプッシャピン８に載置する。この
ときプッシャピン８はアース電位に接続されているもの
とする。
【００２３】そして、プッシャピン８を下降せしめ、試
料７をステージ１の絶縁層４上に接触させる。
料７をステージ１の絶縁層４上に接触させる。
【００２４】このとき、接触と同時にプッシャピン８を
電流が流れ、電流検出手段１３の出力が所定の値以上と
なると、電源制御装置１４は自動的に電源電圧を２５０
０Ｖとなるように制御し、ステージ１の電極３に２５０
０Ｖの電圧を印加し、静電力により強く固定する。
電流が流れ、電流検出手段１３の出力が所定の値以上と
なると、電源制御装置１４は自動的に電源電圧を２５０
０Ｖとなるように制御し、ステージ１の電極３に２５０
０Ｖの電圧を印加し、静電力により強く固定する。
【００２５】そして、排気手段１１を駆動して真空容器
５内の真空度を３０Ｐａ以下となるようにし、ガス供給
部１０からＣｌ2 ガスを５０ｓｃｃｍ供給し高周波電源
９からステージに高周波電力を印加し高周波放電を行
い、ドライエッチングを行う。このように本発明の静電
チャック装置によれば、ステージに接触前は低電圧を印
加しておき、接触後は高電圧を印加するように自動的に
制御が行われるようになっているため、極めて作業性が
良好で、かつ放電によるチャッキング力の低下はみられ
ず、安定して位置精度よく強固に固定することができ、
良好な加工形状を得ることができる。
５内の真空度を３０Ｐａ以下となるようにし、ガス供給
部１０からＣｌ2 ガスを５０ｓｃｃｍ供給し高周波電源
９からステージに高周波電力を印加し高周波放電を行
い、ドライエッチングを行う。このように本発明の静電
チャック装置によれば、ステージに接触前は低電圧を印
加しておき、接触後は高電圧を印加するように自動的に
制御が行われるようになっているため、極めて作業性が
良好で、かつ放電によるチャッキング力の低下はみられ
ず、安定して位置精度よく強固に固定することができ、
良好な加工形状を得ることができる。
【００２６】なお、前記実施例ではいずれも、電源電圧
から電極に印加する電圧は段階的に制御するようにした
が、連続的に変化させるようにしてもよい。
から電極に印加する電圧は段階的に制御するようにした
が、連続的に変化させるようにしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、安
定したチャッキング力を良好に発揮し、安定な加工を行
うことが可能となる。
定したチャッキング力を良好に発揮し、安定な加工を行
うことが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の静電チャック装置を用
いたドライエッチング装置を示す図
いたドライエッチング装置を示す図
【図２】本発明の第２の実施例の静電チャック装置を用
いたドライエッチング装置を示す図
いたドライエッチング装置を示す図
【図３】従来例の静電チャック装置を示す図
【図４】従来例の静電チャック装置を示す図
１ ステージ ２ 絶縁層 ３ 電極 ４ 絶縁層 ５ 真空容器 ６ 電源 ７ 試料 ８ プッシャピン ９ 高周波電源 １０ ガス供給部 １１ 排気手段 １２ 電圧制御手段 １３ 電流検出手段 １４ 電圧制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 電極が埋め込まれ、表面が絶縁化された
試料支持台に、前記試料支持台から離間した位置に試料
を支持し、前記電極と試料およびその周辺部との間に放
電が生じない程度の低い電圧を前記電極に印加する工程
と前記試料を動かし前記試料支持台に接触したとき、前
記電極により高い電圧を印加し静電的に保持する工程と
を含むことを特徴とする静電チャック方法。 - 【請求項２】 電極が埋め込まれ、表面が絶縁化された
試料支持台と、 前記試料支持台に対する高さを変化できるように構成さ
れ試料を載置して、下降せしめ試料支持台に接触可能な
ように構成され接地電位に接続された導電性の支持棒
と、 前記電極に電位を付与するための電源と、 前記支持棒を流れる電流を検出する電流検出手段と、 前記電流検出手段の電流変化を検知し、所定の電流以上
となったとき前記電極の電位をより高くするように前記
電源電位を制御する制御手段とを具備したことを特徴と
する静電チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32057592A JP3269678B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 静電チャック装置および静電チャック方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32057592A JP3269678B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 静電チャック装置および静電チャック方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169008A true JPH06169008A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3269678B2 JP3269678B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=18122964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32057592A Expired - Lifetime JP3269678B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 静電チャック装置および静電チャック方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269678B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0922899A (ja) * | 1995-05-02 | 1997-01-21 | Nissin Electric Co Ltd | 真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法 |
| JP2004319840A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | E-Beam Corp | ウェハのチャキング装置およびチャキング方法 |
| US7642485B2 (en) | 2005-01-26 | 2010-01-05 | Disco Corporation | Laser beam processing machine |
| JP2010177686A (ja) * | 2010-03-24 | 2010-08-12 | Ebara Corp | ウェハのチャッキング装置およびチャッキング方法 |
| US7837822B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus and method of fabricating organic light emitting display using the same |
| JP2019004086A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP32057592A patent/JP3269678B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0922899A (ja) * | 1995-05-02 | 1997-01-21 | Nissin Electric Co Ltd | 真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法 |
| JP2004319840A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | E-Beam Corp | ウェハのチャキング装置およびチャキング方法 |
| US7837822B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus and method of fabricating organic light emitting display using the same |
| US7642485B2 (en) | 2005-01-26 | 2010-01-05 | Disco Corporation | Laser beam processing machine |
| JP2010177686A (ja) * | 2010-03-24 | 2010-08-12 | Ebara Corp | ウェハのチャッキング装置およびチャッキング方法 |
| JP2019004086A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3269678B2 (ja) | 2002-03-25 |
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