JP2002139542A - 検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクラブ操作によりプローブＮと検査用電極
Ｐを電気的に接触させると、スクラブによりプローブＮ
の寿命を縮めたり、図７の（ｂ）に示すように検査用電
極Ｐを傷つけてデバイスの歩留りを低下させる。 【解決手段】 本発明の検査方法は、検査用電極Ｐに検
査用プローブ１２Ａを電気的に接触させてデバイスの電
気的特性検査を行う検査方法において、フリッティング
現象を利用して検査用電極Ｐの絶縁被膜Ｏを破って検査
用プローブ１２Ａと検査用電極Ｐを電気的に接触させる
コンタクト工程を有する。
Ｐを電気的に接触させると、スクラブによりプローブＮ
の寿命を縮めたり、図７の（ｂ）に示すように検査用電
極Ｐを傷つけてデバイスの歩留りを低下させる。 【解決手段】 本発明の検査方法は、検査用電極Ｐに検
査用プローブ１２Ａを電気的に接触させてデバイスの電
気的特性検査を行う検査方法において、フリッティング
現象を利用して検査用電極Ｐの絶縁被膜Ｏを破って検査
用プローブ１２Ａと検査用電極Ｐを電気的に接触させる
コンタクト工程を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、検査方法及び検査
装置に関し、更に詳しくは、プローブの針圧を軽減し検
査用電極を損傷することなく確実に被検査体の検査を行
うことができると共に歩留まりを高めることができる検
査方法及び検査装置に関する。
装置に関し、更に詳しくは、プローブの針圧を軽減し検
査用電極を損傷することなく確実に被検査体の検査を行
うことができると共に歩留まりを高めることができる検
査方法及び検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程では半導体ウエハにデバ
イス等を作製した後、半導体ウエハ状態のデバイスやパ
ッケージ後のデバイス等の被検査体（以下、「デバイ
ス」と称す。）について電気的特性を検査する工程があ
る。これらの各検査工程ではプローブを接触子としてデ
バイスの検査用電極に電気的に接触させ、プローブを介
して電気信号を送信してデバイスの検査を行う。
イス等を作製した後、半導体ウエハ状態のデバイスやパ
ッケージ後のデバイス等の被検査体（以下、「デバイ
ス」と称す。）について電気的特性を検査する工程があ
る。これらの各検査工程ではプローブを接触子としてデ
バイスの検査用電極に電気的に接触させ、プローブを介
して電気信号を送信してデバイスの検査を行う。
【０００３】ところで、検査用電極はアルミニウム、
銅、半田等の酸化し易い材料によって形成されている
と、検査段階では検査用電極の表面には酸化膜等の絶縁
被膜が形成されているため、プローブと検査用電極を電
気的に接触させようとしても両者の電気的接触が安定し
ない。特に、検査用電極として一般的に用いられている
アルミニウムの場合には非常に硬い酸化膜が検査用電極
の表面に形成されるため、プローブと検査用電極の電気
的接触が難しい。
銅、半田等の酸化し易い材料によって形成されている
と、検査段階では検査用電極の表面には酸化膜等の絶縁
被膜が形成されているため、プローブと検査用電極を電
気的に接触させようとしても両者の電気的接触が安定し
ない。特に、検査用電極として一般的に用いられている
アルミニウムの場合には非常に硬い酸化膜が検査用電極
の表面に形成されるため、プローブと検査用電極の電気
的接触が難しい。
【０００４】そこで、従来は図２１に示すフローに従っ
てプローブと検査用電極を図２２に示すように電気的に
接触させている。即ち、デバイスの検査の準備を行った
後（Ｓ１）、図２２の（ａ）に示すようにプローブＮと
検査用電極Ｐを例えば１０〜２０ｇ／本程度の針圧で接
触させ（Ｓ２）、電気的に接触したか否かを判断し（Ｓ
３）、電気的に接触してエラーがないと判断すれば検査
を開始する（Ｓ４）。しかし、通常はプローブＮと検査
用電極Ｐを接触させただけでは絶縁被膜Ｏは破れず、Ｓ
３において電気的に接触していないエラーと判断し、プ
ローブＮと検査用電極Ｐを図２２の（ｂ）で矢印で示す
ように相対的に左右に往復移動させるスクラブを行って
絶縁被膜Ｏを削り取り（Ｓ５）、プローブＮと検査用電
極Ｐを電気的に接触させる。電気的接触が確認されれば
Ｓ４へ移行して検査を開始する。
てプローブと検査用電極を図２２に示すように電気的に
接触させている。即ち、デバイスの検査の準備を行った
後（Ｓ１）、図２２の（ａ）に示すようにプローブＮと
検査用電極Ｐを例えば１０〜２０ｇ／本程度の針圧で接
触させ（Ｓ２）、電気的に接触したか否かを判断し（Ｓ
３）、電気的に接触してエラーがないと判断すれば検査
を開始する（Ｓ４）。しかし、通常はプローブＮと検査
用電極Ｐを接触させただけでは絶縁被膜Ｏは破れず、Ｓ
３において電気的に接触していないエラーと判断し、プ
ローブＮと検査用電極Ｐを図２２の（ｂ）で矢印で示す
ように相対的に左右に往復移動させるスクラブを行って
絶縁被膜Ｏを削り取り（Ｓ５）、プローブＮと検査用電
極Ｐを電気的に接触させる。電気的接触が確認されれば
Ｓ４へ移行して検査を開始する。
【０００５】また、絶縁被膜を破る他の方法としてプロ
ーブ先端を尖らせ、先端の面圧を上げて検査用電極に刺
し込むことで電気的接触を取る方法もある。この場合に
は電気的接触を取るためにはプローブ先端を最低でも２
０００〜４０００オングストローム程刺し込んで電気的
に接触させている。
ーブ先端を尖らせ、先端の面圧を上げて検査用電極に刺
し込むことで電気的接触を取る方法もある。この場合に
は電気的接触を取るためにはプローブ先端を最低でも２
０００〜４０００オングストローム程刺し込んで電気的
に接触させている。
【０００６】更に、最近では例えばマイクロマシン加工
技術を用いてシリコン基板に数１０μｍの微小なプロー
ブを狭ピッチで作製したプローブカードも提案されてい
る。このプローブカードはマイクロ構造であるため、高
速信号に対応することができ、しかもシリコン基板上に
プローブを形成するため、デバイスとの熱膨張係数の違
いによる加熱試験への影響がない利点を具備している。
技術を用いてシリコン基板に数１０μｍの微小なプロー
ブを狭ピッチで作製したプローブカードも提案されてい
る。このプローブカードはマイクロ構造であるため、高
速信号に対応することができ、しかもシリコン基板上に
プローブを形成するため、デバイスとの熱膨張係数の違
いによる加熱試験への影響がない利点を具備している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁被
膜を削り取る方法の場合には、スクラブによって電気的
接触を取れる保証はなく（プローブＮに削り屑が付着し
導通不良になった場合等）、またスクラブによりプロー
ブＮの寿命を縮めたり、図２２の（ｂ）に示すように検
査用電極Ｐを傷つけてデバイスの歩留りを低下させると
いう課題があった。その上、スクラブによって折角位置
決めされたプローブＮと検査用電極Ｐの接触位置が最適
位置から位置ずれするという課題もあった。また、図２
２の（ｂ）に示すように絶縁被膜Ｏの削り屑が飛散しデ
バイスを汚染したり、削り屑がプローブＮに付着し接触
の安定性を阻害するという課題があった。更に、プロー
ブＮに削り屑が付着すればプローブＮのクリーニングが
定期的に必要となり自ずと検査効率が低下するという課
題があった。
膜を削り取る方法の場合には、スクラブによって電気的
接触を取れる保証はなく（プローブＮに削り屑が付着し
導通不良になった場合等）、またスクラブによりプロー
ブＮの寿命を縮めたり、図２２の（ｂ）に示すように検
査用電極Ｐを傷つけてデバイスの歩留りを低下させると
いう課題があった。その上、スクラブによって折角位置
決めされたプローブＮと検査用電極Ｐの接触位置が最適
位置から位置ずれするという課題もあった。また、図２
２の（ｂ）に示すように絶縁被膜Ｏの削り屑が飛散しデ
バイスを汚染したり、削り屑がプローブＮに付着し接触
の安定性を阻害するという課題があった。更に、プロー
ブＮに削り屑が付着すればプローブＮのクリーニングが
定期的に必要となり自ずと検査効率が低下するという課
題があった。
【０００８】また、プローブの先端を検査用電極に刺し
込む方法の場合にもダメージは少ないものの検査用電極
を傷つける点では上述の場合と変わりなく、しかもプロ
ーブの先端の形状を保持するための耐久性が要求され
る。更に、最近ではデバイスの集積度が非常に高くなっ
て微細化、薄膜化が飛躍的に進んで検査用電極の厚さが
薄くなっているため、電気的に接触するまでどプローブ
を刺し込むと下地を傷つける虞がある。
込む方法の場合にもダメージは少ないものの検査用電極
を傷つける点では上述の場合と変わりなく、しかもプロ
ーブの先端の形状を保持するための耐久性が要求され
る。更に、最近ではデバイスの集積度が非常に高くなっ
て微細化、薄膜化が飛躍的に進んで検査用電極の厚さが
薄くなっているため、電気的に接触するまでどプローブ
を刺し込むと下地を傷つける虞がある。
【０００９】また、マイクロマシン加工技術を用いて作
製したプローブカードは、プローブの構造が微小である
ため、大きな針圧を得ることが難しい。
製したプローブカードは、プローブの構造が微小である
ため、大きな針圧を得ることが難しい。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、針圧を格段に小さくすることができ、ひい
ては検査用電極のダメージを無くすると共にプローブの
寿命を延ばしてプローブを繰り返し使用することがで
き、しかもプローブのクリーニングを行う必要がなく検
査効率を高めることができる検査方法及び検査装置を提
供することを目的としている。
れたもので、針圧を格段に小さくすることができ、ひい
ては検査用電極のダメージを無くすると共にプローブの
寿命を延ばしてプローブを繰り返し使用することがで
き、しかもプローブのクリーニングを行う必要がなく検
査効率を高めることができる検査方法及び検査装置を提
供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の検査方法は、検査用電極にプローブを電気的に接触さ
せて被検査体の電気的特性検査を行う検査方法におい
て、フリッティング現象を利用して上記検査用電極の絶
縁被膜を破って上記プローブと上記検査用電極を電気的
に接触させるコンタクト工程を有することを特徴とする
ものである。
の検査方法は、検査用電極にプローブを電気的に接触さ
せて被検査体の電気的特性検査を行う検査方法におい
て、フリッティング現象を利用して上記検査用電極の絶
縁被膜を破って上記プローブと上記検査用電極を電気的
に接触させるコンタクト工程を有することを特徴とする
ものである。
【００１２】本発明の請求項２に記載の検査方法は、請
求項１に記載の発明において、上記コンタクト工程は、
上記プローブを検査用電極に接触させる工程と、上記プ
ローブと上記検査用電極間に電圧を印加して所定の電位
傾度を形成する工程と、上記電位傾度が大きくなって生
じるフリッティング現象によって上記検査用電極の絶縁
被膜を破って上記プローブと上記検査用電極間で通電さ
せる工程とを有することを特徴とするものである。
求項１に記載の発明において、上記コンタクト工程は、
上記プローブを検査用電極に接触させる工程と、上記プ
ローブと上記検査用電極間に電圧を印加して所定の電位
傾度を形成する工程と、上記電位傾度が大きくなって生
じるフリッティング現象によって上記検査用電極の絶縁
被膜を破って上記プローブと上記検査用電極間で通電さ
せる工程とを有することを特徴とするものである。
【００１３】本発明の請求項３に記載の検査方法は、請
求項１に記載の発明において、上記コンタクト工程は、
上記プローブとこれとは別に設けられた第２のプローブ
とを一つの検査用電極に一緒に接触させる工程と、両プ
ローブ間に電圧を印加して所定の電位傾度を形成する工
程と、上記電位傾度が大きくなって生じるフリッティン
グ現象によって上記検査用電極の絶縁被膜を破って上記
両プローブ間で通電させる工程と、第２のプローブを電
気的に切り離す工程とを有することを特徴とするもので
ある。
求項１に記載の発明において、上記コンタクト工程は、
上記プローブとこれとは別に設けられた第２のプローブ
とを一つの検査用電極に一緒に接触させる工程と、両プ
ローブ間に電圧を印加して所定の電位傾度を形成する工
程と、上記電位傾度が大きくなって生じるフリッティン
グ現象によって上記検査用電極の絶縁被膜を破って上記
両プローブ間で通電させる工程と、第２のプローブを電
気的に切り離す工程とを有することを特徴とするもので
ある。
【００１４】また、本発明の請求項４に記載の検査装置
は、テスタからの指示に基づいて検査用電極にプローブ
を電気的に接触させて被検査体の電気的特性検査を行う
検査装置において、上記プローブと上記検査用電極との
間に電圧を印加してこれら両者間の電位傾度によりフリ
ッティング現象を生じさせる印加手段と、上記プローブ
と上記検査用電極間の通電電流を制限する電流制限手段
と、上記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特
徴とするものである。
は、テスタからの指示に基づいて検査用電極にプローブ
を電気的に接触させて被検査体の電気的特性検査を行う
検査装置において、上記プローブと上記検査用電極との
間に電圧を印加してこれら両者間の電位傾度によりフリ
ッティング現象を生じさせる印加手段と、上記プローブ
と上記検査用電極間の通電電流を制限する電流制限手段
と、上記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特
徴とするものである。
【００１５】また、本発明の請求項５に記載の検査装置
は、テスタからの指示に基づいて検査用電極にプローブ
を電気的に接触させて被検査体の電気的特性検査を行う
検査装置において、上記プローブとこれとは別に設けら
れ且つ上記プローブと一緒に上記一つの検査用電極に接
触する第２のプローブと、上記プローブと第２のプロー
ブ間に電圧を印加する時の上記両プローブ間の電位傾度
によりフリッティング現象を生じさせて上記検査用電極
の絶縁被膜を破る印加手段と、上記プローブと第２のプ
ローブ間の通電電流を制限する電流制限手段と、第２の
プローブを電気的に切り離す切換手段と、上記各手段を
制御する制御手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
は、テスタからの指示に基づいて検査用電極にプローブ
を電気的に接触させて被検査体の電気的特性検査を行う
検査装置において、上記プローブとこれとは別に設けら
れ且つ上記プローブと一緒に上記一つの検査用電極に接
触する第２のプローブと、上記プローブと第２のプロー
ブ間に電圧を印加する時の上記両プローブ間の電位傾度
によりフリッティング現象を生じさせて上記検査用電極
の絶縁被膜を破る印加手段と、上記プローブと第２のプ
ローブ間の通電電流を制限する電流制限手段と、第２の
プローブを電気的に切り離す切換手段と、上記各手段を
制御する制御手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１６】また、本発明の請求項６に記載の検査装置
は、請求項４または請求項５に記載の発明において、上
記制御手段と上記テスタを通信回線で結んだことを特徴
とするものである。
は、請求項４または請求項５に記載の発明において、上
記制御手段と上記テスタを通信回線で結んだことを特徴
とするものである。
【００１７】また、本発明の請求項７に記載の検査装置
は、請求項５に記載の発明において、上記切換手段以外
の各手段を上記テスタに設けたことを特徴とするもので
ある。
は、請求項５に記載の発明において、上記切換手段以外
の各手段を上記テスタに設けたことを特徴とするもので
ある。
【００１８】また、本発明の請求項８に記載の検査装置
は、請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載の発明に
おいて、上記プローブ及び／または第２のプローブは、
タングステン、パラジウム、ベリリウム−銅合金のいず
れか一つからなることを特徴とするものである。
は、請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載の発明に
おいて、上記プローブ及び／または第２のプローブは、
タングステン、パラジウム、ベリリウム−銅合金のいず
れか一つからなることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明に実施の形態】以下、図１〜図５に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本発明の検査方法はフリ
ッティング現象を利用してデバイスの検査用電極の表面
に形成された酸化膜等の絶縁被膜を破ってプローブと検
査用電極とを電気的に接触させる点に特徴がある。フリ
ッティング現象を利用すればプローブと検査用電極間の
針圧を現状の針圧以下、例えば０．１ｇ以下で済ますこ
とができるため、検査用電極を傷つけることがなく、し
かもプローブの寿命を延ばすことができる。フリッティ
ング現象とは金属（本発明では検査用電極）の表面に形
成された酸化膜等の絶縁被膜に印加される電位傾度が１
０５〜１０６Ｖ／ｃｍ程度になると絶縁被膜の厚さや金
属の組成の不均一性により電流が流れて絶縁被膜が破壊
される現象をいう。
に基づいて本発明を説明する。本発明の検査方法はフリ
ッティング現象を利用してデバイスの検査用電極の表面
に形成された酸化膜等の絶縁被膜を破ってプローブと検
査用電極とを電気的に接触させる点に特徴がある。フリ
ッティング現象を利用すればプローブと検査用電極間の
針圧を現状の針圧以下、例えば０．１ｇ以下で済ますこ
とができるため、検査用電極を傷つけることがなく、し
かもプローブの寿命を延ばすことができる。フリッティ
ング現象とは金属（本発明では検査用電極）の表面に形
成された酸化膜等の絶縁被膜に印加される電位傾度が１
０５〜１０６Ｖ／ｃｍ程度になると絶縁被膜の厚さや金
属の組成の不均一性により電流が流れて絶縁被膜が破壊
される現象をいう。
【００２０】図１はフリッティング現象を生じさせるた
めに工夫された本発明に用いられるフリッティング装置
を示す原理図である。このフリッティング装置は、図１
に示すように、プログラマブル電圧源１、電圧印加バッ
ファアンプ２、電流センス抵抗３及び印加電流リミッタ
４を備え、プログラマブル電圧源１からプローブカード
５の第１、第２のプローブ５Ａ、５Ｂに電圧を印加する
ように構成されている。第１のプローブ５Ａは電流セン
ス抵抗３を介して電圧印加バッファアンプ２に接続さ
れ、第２のプローブ５Ｂは電圧印加バッファアンプ２の
入力端子側に接続されていると共に接地されている。こ
れらのプローブ５Ａ、５Ｂとしては、例えばタングステ
ン（Ｗ）、ベリリウム−銅合金（ＢｅＣｕ）及びパラジ
ウム（Ｐｄ）等の導電性金属が好ましい。
めに工夫された本発明に用いられるフリッティング装置
を示す原理図である。このフリッティング装置は、図１
に示すように、プログラマブル電圧源１、電圧印加バッ
ファアンプ２、電流センス抵抗３及び印加電流リミッタ
４を備え、プログラマブル電圧源１からプローブカード
５の第１、第２のプローブ５Ａ、５Ｂに電圧を印加する
ように構成されている。第１のプローブ５Ａは電流セン
ス抵抗３を介して電圧印加バッファアンプ２に接続さ
れ、第２のプローブ５Ｂは電圧印加バッファアンプ２の
入力端子側に接続されていると共に接地されている。こ
れらのプローブ５Ａ、５Ｂとしては、例えばタングステ
ン（Ｗ）、ベリリウム−銅合金（ＢｅＣｕ）及びパラジ
ウム（Ｐｄ）等の導電性金属が好ましい。
【００２１】上記フリッティング装置は以下のようにし
て動作する。まず、プローブカード５の第１、第２のプ
ローブ５Ａ、５ＢをデバイスＤの検査用電極Ｐに低い針
圧（例えば、０．１ｇ以下）で接触させる。この状態で
プログラマブル電圧源１が作動し、電圧印加バッファア
ンプ２及び電流センス抵抗３を介して第１のプローブ５
Ａに電圧を印加すると絶縁被膜Ｏが極めて薄い場合には
最初は極めて僅かにトンネル電流が流れる。そして、プ
ログラマブル電圧源１の電圧を徐々に昇圧すると、第
１、第２のプローブ５Ａ、５Ｂ間の電位傾度が徐々に大
きくなり、所定の電位傾度（１０５〜１０６Ｖ／ｃｍ程
度）に達するとフリッティング現象が生じ、検査用電極
Ｐの絶縁被膜Ｏが破壊して第１のプローブ５Ａ及び第２
のプローブ５Ｂが金属面と接触し、第１のプローブ５Ａ
と第２のプローブ５Ｂの電流が急激に大きくなる。この
電流を印加電流リミッタ４が検出し、それ以上の電流が
流れないように電圧印加バッファアンプ２からの電圧の
印加を停止させる。この結果、第１、第２のプローブ５
Ａ、５Ｂと検査用電極Ｐが電気的に接触し、その後のデ
バイスの検査が可能になる。
て動作する。まず、プローブカード５の第１、第２のプ
ローブ５Ａ、５ＢをデバイスＤの検査用電極Ｐに低い針
圧（例えば、０．１ｇ以下）で接触させる。この状態で
プログラマブル電圧源１が作動し、電圧印加バッファア
ンプ２及び電流センス抵抗３を介して第１のプローブ５
Ａに電圧を印加すると絶縁被膜Ｏが極めて薄い場合には
最初は極めて僅かにトンネル電流が流れる。そして、プ
ログラマブル電圧源１の電圧を徐々に昇圧すると、第
１、第２のプローブ５Ａ、５Ｂ間の電位傾度が徐々に大
きくなり、所定の電位傾度（１０５〜１０６Ｖ／ｃｍ程
度）に達するとフリッティング現象が生じ、検査用電極
Ｐの絶縁被膜Ｏが破壊して第１のプローブ５Ａ及び第２
のプローブ５Ｂが金属面と接触し、第１のプローブ５Ａ
と第２のプローブ５Ｂの電流が急激に大きくなる。この
電流を印加電流リミッタ４が検出し、それ以上の電流が
流れないように電圧印加バッファアンプ２からの電圧の
印加を停止させる。この結果、第１、第２のプローブ５
Ａ、５Ｂと検査用電極Ｐが電気的に接触し、その後のデ
バイスの検査が可能になる。
【００２２】図２は上記フリッティング装置の原理を適
用した本実施形態の検査装置を示す構成図である。本実
施形態の検査装置１０は、図２に示すように、フリッテ
ィング装置１１と、プローブカード１２とを備え、上述
のようにテスタ１３との間で通信自在に接続されてい
る。フリッティング装置１１は、フリッティング現象を
実現するフリッティング回路１４と、フリッティング回
路１４を制御するフリッティング制御回路１５とを備え
ている。このフリッティング制御回路１５がＲＳやＧＰ
ＩＢ等の汎用通信回線１６を介してテスタ１３と接続さ
れている。プローブカード１２には、一つの検査用電極
Ｐに一緒に接触する第１、第２のプローブ１２Ａ、１２
Ｂがデバイスの検査用電極Ｐの数に対応して設けられて
いる。例えばデバイスにｎ個の検査用電極Ｐがあれば、
ｎ対の第１、第２のプローブ１２Ａ、１２Ｂがプローブ
カード１２に設けられている。第１、第２のプローブ１
２Ａ、１２Ｂのうち、第２のプローブ１２Ｂはフリッテ
ィング現象により絶縁被膜Ｏを破る時のみに使用され
る。そこで、以下では、第１のプローブ１２Ａを検査用
プローブ１２Ａ、第２のプローブ１２Ｂをフリッティン
グ用プローブ１２Ｂと称す。
用した本実施形態の検査装置を示す構成図である。本実
施形態の検査装置１０は、図２に示すように、フリッテ
ィング装置１１と、プローブカード１２とを備え、上述
のようにテスタ１３との間で通信自在に接続されてい
る。フリッティング装置１１は、フリッティング現象を
実現するフリッティング回路１４と、フリッティング回
路１４を制御するフリッティング制御回路１５とを備え
ている。このフリッティング制御回路１５がＲＳやＧＰ
ＩＢ等の汎用通信回線１６を介してテスタ１３と接続さ
れている。プローブカード１２には、一つの検査用電極
Ｐに一緒に接触する第１、第２のプローブ１２Ａ、１２
Ｂがデバイスの検査用電極Ｐの数に対応して設けられて
いる。例えばデバイスにｎ個の検査用電極Ｐがあれば、
ｎ対の第１、第２のプローブ１２Ａ、１２Ｂがプローブ
カード１２に設けられている。第１、第２のプローブ１
２Ａ、１２Ｂのうち、第２のプローブ１２Ｂはフリッテ
ィング現象により絶縁被膜Ｏを破る時のみに使用され
る。そこで、以下では、第１のプローブ１２Ａを検査用
プローブ１２Ａ、第２のプローブ１２Ｂをフリッティン
グ用プローブ１２Ｂと称す。
【００２３】上記フリッティング回路１４は、電圧印加
バッファアンプ１４Ａ、電流センス抵抗１４Ｂ、電流検
出アンプ１４Ｃ、電流制限アンプ１４Ｄ及びリレースイ
ッチ１４Ｅ、１４Ｆをそれぞれｎ対の検査用プローブ１
２Ａ及びフリッティング用プローブ１２Ｂに対応して備
え、リレースイッチ１４Ｅ、１４Ｆはフリッティング制
御回路１５を介してリレー制御される。リレースイッチ
１４Ｅは検査用プローブ１２Ａをフリッティング装置１
１側の接点１４Ｇとテスタ１３側の接点１４Ｈ間の切り
換えを行い、リレースイッチ１４Ｆは接地接点１４Ｉと
浮遊接点１４Ｊ間の切り換えを行う。そして、リレース
イッチ１４Ｅには検査用プローブ１２Ａが接続され、リ
レースイッチ１４Ｆにはフリッティング用プローブ１２
Ｂが接続されている。フリッティング用プローブ１２Ｂ
のリレースイッチ１４Ｆは極力プローブの近傍に接続
し、高周波特性を良好なものにする。リレースイッチ１
４Ｅ、１４Ｆとしては例えばピエゾ素子、バイメタル、
静電素子等を用いることができる。
バッファアンプ１４Ａ、電流センス抵抗１４Ｂ、電流検
出アンプ１４Ｃ、電流制限アンプ１４Ｄ及びリレースイ
ッチ１４Ｅ、１４Ｆをそれぞれｎ対の検査用プローブ１
２Ａ及びフリッティング用プローブ１２Ｂに対応して備
え、リレースイッチ１４Ｅ、１４Ｆはフリッティング制
御回路１５を介してリレー制御される。リレースイッチ
１４Ｅは検査用プローブ１２Ａをフリッティング装置１
１側の接点１４Ｇとテスタ１３側の接点１４Ｈ間の切り
換えを行い、リレースイッチ１４Ｆは接地接点１４Ｉと
浮遊接点１４Ｊ間の切り換えを行う。そして、リレース
イッチ１４Ｅには検査用プローブ１２Ａが接続され、リ
レースイッチ１４Ｆにはフリッティング用プローブ１２
Ｂが接続されている。フリッティング用プローブ１２Ｂ
のリレースイッチ１４Ｆは極力プローブの近傍に接続
し、高周波特性を良好なものにする。リレースイッチ１
４Ｅ、１４Ｆとしては例えばピエゾ素子、バイメタル、
静電素子等を用いることができる。
【００２４】次に、上記検査装置１０を用いた本発明の
検査方法の一実施形態について図３、図４をも参照しな
がら説明する。まず、検査用プローブ１２Ａ及びフリッ
ティング用プローブ１２ＢとデバイスＤの検査用電極Ｐ
との位置合わせを行い、検査を開始するための準備を行
う（Ｓ１１）。続いて、これらのプローブ１２Ａ、１２
ＢとデバイスＤの各検査用電極Ｐを図４の（ａ）に示す
ように低針圧（例えば、０．１ｇ以下）で接触させる
（Ｓ１２）。この時フリッティング制御回路１５を介し
てリレースイッチ１４Ｅが接点１４Ｇへ切り換わって検
査用プローブ１２Ａをフリッティング装置１１へ接続
し、リレースイッチ１４Ｆが接地接点１４Ｉへ切り換え
て接地し、プローブカード１２とフリッティング装置１
１を接続する。
検査方法の一実施形態について図３、図４をも参照しな
がら説明する。まず、検査用プローブ１２Ａ及びフリッ
ティング用プローブ１２ＢとデバイスＤの検査用電極Ｐ
との位置合わせを行い、検査を開始するための準備を行
う（Ｓ１１）。続いて、これらのプローブ１２Ａ、１２
ＢとデバイスＤの各検査用電極Ｐを図４の（ａ）に示す
ように低針圧（例えば、０．１ｇ以下）で接触させる
（Ｓ１２）。この時フリッティング制御回路１５を介し
てリレースイッチ１４Ｅが接点１４Ｇへ切り換わって検
査用プローブ１２Ａをフリッティング装置１１へ接続
し、リレースイッチ１４Ｆが接地接点１４Ｉへ切り換え
て接地し、プローブカード１２とフリッティング装置１
１を接続する。
【００２５】次いで、フリッティング制御回路１５から
印加電圧バッファアンプ１４Ａ及び電流センス抵抗１４
Ｂを介して検査用プローブ１２Ａへ電圧を印加してフリ
ッティング動作に入る（Ｓ１３）。絶縁被膜Ｏが極めて
薄い場合には当初は図４の（ａ）の矢印で示す方向へト
ンネル電流が流れる。トンネル電流は制限電流より遥か
に小さい微小電流である。この微小電流を電流検出アン
プ１４Ｃが電流センス抵抗１４Ｂを介して検出し、電流
制限アンプ１４Ｄへ出力する。この電流制限アンプ１４
Ｄにはフリッティング制御回路１５から制限電流を基準
電流として出力されている。従って、電流制限アンプ１
４Ｄは電流検出アンプ１４Ｃからの入力電流とフリッテ
ィング制御回路１５からの制限電流とを比較し、電流セ
ンス抵抗１４Ｂの電流が制限電流に達したか否かを判断
している（Ｓ１４）。フリッティング制御回路１５から
の印加電圧を徐々に昇圧するとこの間も電流制限アンプ
１４Ｄは電流センス抵抗１４Ｂの電流が制限電流に達し
たか否かの判断を行う。
印加電圧バッファアンプ１４Ａ及び電流センス抵抗１４
Ｂを介して検査用プローブ１２Ａへ電圧を印加してフリ
ッティング動作に入る（Ｓ１３）。絶縁被膜Ｏが極めて
薄い場合には当初は図４の（ａ）の矢印で示す方向へト
ンネル電流が流れる。トンネル電流は制限電流より遥か
に小さい微小電流である。この微小電流を電流検出アン
プ１４Ｃが電流センス抵抗１４Ｂを介して検出し、電流
制限アンプ１４Ｄへ出力する。この電流制限アンプ１４
Ｄにはフリッティング制御回路１５から制限電流を基準
電流として出力されている。従って、電流制限アンプ１
４Ｄは電流検出アンプ１４Ｃからの入力電流とフリッテ
ィング制御回路１５からの制限電流とを比較し、電流セ
ンス抵抗１４Ｂの電流が制限電流に達したか否かを判断
している（Ｓ１４）。フリッティング制御回路１５から
の印加電圧を徐々に昇圧するとこの間も電流制限アンプ
１４Ｄは電流センス抵抗１４Ｂの電流が制限電流に達し
たか否かの判断を行う。
【００２６】フリッティング制御回路１５からの印加電
圧が徐々に昇圧し、検査用プローブ１２Ａとフリッティ
ング用プローブ１２Ｂ間の電位傾度が徐々に大きくな
り、フリッティング現象を生じて検査用電極Ｐの絶縁被
膜Ｏが破れ（図４の（ｂ）参照）、電流検出アンプ１４
Ｃの検出電流が急激に大きくなり制限電流に達すると、
電流制限アンプ１４Ｄを介して印加電圧バッファアンプ
１４Ａからの電圧印加を止める。この時点で検査用プロ
ーブ１２Ａとフリッティング用プローブ１２Ｂは検査用
電極Ｐと電気的に接触し、検査可能な状態になる。この
状態でフリッティング制御回路１５の制御下でリレース
イッチ１４Ｅがフリッティング装置１１側の接点１４Ｇ
からテスタ１３側の接点１４Ｈへ順次切り換わると共に
これと同期してリレースイッチ１４Ｆが接地接点１４Ｉ
から浮遊接点１４Ｊへ順次切り換わる。これにより検査
用プローブ１２Ａがテスタ１３へ順次接続され、フリッ
ティング用プローブ１２Ｂが電気的に順次浮遊状態にな
る。この状態でフリッティング制御回路１５は検査可能
状態になったことを汎用通信回線１６を介してテスタ１
３に通知した後、テスタ１３が検査用信号を検査用プロ
ーブ１２Ａへ出力しデバイスの検査を実行する（Ｓ１
５）。
圧が徐々に昇圧し、検査用プローブ１２Ａとフリッティ
ング用プローブ１２Ｂ間の電位傾度が徐々に大きくな
り、フリッティング現象を生じて検査用電極Ｐの絶縁被
膜Ｏが破れ（図４の（ｂ）参照）、電流検出アンプ１４
Ｃの検出電流が急激に大きくなり制限電流に達すると、
電流制限アンプ１４Ｄを介して印加電圧バッファアンプ
１４Ａからの電圧印加を止める。この時点で検査用プロ
ーブ１２Ａとフリッティング用プローブ１２Ｂは検査用
電極Ｐと電気的に接触し、検査可能な状態になる。この
状態でフリッティング制御回路１５の制御下でリレース
イッチ１４Ｅがフリッティング装置１１側の接点１４Ｇ
からテスタ１３側の接点１４Ｈへ順次切り換わると共に
これと同期してリレースイッチ１４Ｆが接地接点１４Ｉ
から浮遊接点１４Ｊへ順次切り換わる。これにより検査
用プローブ１２Ａがテスタ１３へ順次接続され、フリッ
ティング用プローブ１２Ｂが電気的に順次浮遊状態にな
る。この状態でフリッティング制御回路１５は検査可能
状態になったことを汎用通信回線１６を介してテスタ１
３に通知した後、テスタ１３が検査用信号を検査用プロ
ーブ１２Ａへ出力しデバイスの検査を実行する（Ｓ１
５）。
【００２７】以上説明したように本実施形態によれば、
検査用プローブ１２Ａと検査用電極Ｐを低針圧で接触さ
せるだけでもフリッティング現象を利用して検査用電極
Ｐの絶縁被膜Ｏを破って検査用プローブ１２Ａと検査用
電極Ｐを電気的に接触させることができるため、被検査
体の電気的特性検査を確実に行うことができる。しか
も、検査用プローブ１２Ａは０．１ｇという極めて低い
針圧で検査用電極Ｐを傷つけることなく検査用電極Ｐと
電気的に接触をさせることができるため、被検査体の歩
留りを高めることができると共に検査用プローブ１２Ａ
の寿命を延ばすことができる。また、検査用プローブ１
２Ａは０．１ｇ以下の針圧で検査できるため、例えばボ
ンディングワイヤ等で立てただけの単純なプローブでも
確実に検査を行うことができる。更に、本実施形態によ
れば、検査用電極Ｐから削り屑が発生することがないた
め、被検査体を削り屑により汚染したり、検査用プロー
ブ１２Ａに削り屑が付着したりすることがなく、歩留り
を更に高めることができると共に、検査用プローブ１２
Ａのクリーニングも不要となって検査効率を高めること
ができる。
検査用プローブ１２Ａと検査用電極Ｐを低針圧で接触さ
せるだけでもフリッティング現象を利用して検査用電極
Ｐの絶縁被膜Ｏを破って検査用プローブ１２Ａと検査用
電極Ｐを電気的に接触させることができるため、被検査
体の電気的特性検査を確実に行うことができる。しか
も、検査用プローブ１２Ａは０．１ｇという極めて低い
針圧で検査用電極Ｐを傷つけることなく検査用電極Ｐと
電気的に接触をさせることができるため、被検査体の歩
留りを高めることができると共に検査用プローブ１２Ａ
の寿命を延ばすことができる。また、検査用プローブ１
２Ａは０．１ｇ以下の針圧で検査できるため、例えばボ
ンディングワイヤ等で立てただけの単純なプローブでも
確実に検査を行うことができる。更に、本実施形態によ
れば、検査用電極Ｐから削り屑が発生することがないた
め、被検査体を削り屑により汚染したり、検査用プロー
ブ１２Ａに削り屑が付着したりすることがなく、歩留り
を更に高めることができると共に、検査用プローブ１２
Ａのクリーニングも不要となって検査効率を高めること
ができる。
【００２８】また、本実施形態によれば、検査用プロー
ブ１２Ａに掛かる針圧が低いため、針先及び梁構造の自
由度が大きくなる。即ち、検査用プローブ１２Ａのコン
タクト開始から方向のバラツキを吸収するためのプロー
ブの移動量（オーバードライブ）を大きく取ることがで
きる。また、同一の針圧を得るための梁の長さを短くす
ることができ、プローブの高密度化が可能になる。ま
た、検査用プローブ１２Ａの針先形状によって接触の安
定性に影響が出ることが少ないため、針先に特別の形状
加工（ピラミッド形状等）が不要になる。
ブ１２Ａに掛かる針圧が低いため、針先及び梁構造の自
由度が大きくなる。即ち、検査用プローブ１２Ａのコン
タクト開始から方向のバラツキを吸収するためのプロー
ブの移動量（オーバードライブ）を大きく取ることがで
きる。また、同一の針圧を得るための梁の長さを短くす
ることができ、プローブの高密度化が可能になる。ま
た、検査用プローブ１２Ａの針先形状によって接触の安
定性に影響が出ることが少ないため、針先に特別の形状
加工（ピラミッド形状等）が不要になる。
【００２９】また、テスタのドライバをフリッティング
電源として使用できる場合には、図５に示すようにフリ
ッティング用プローブ２２Ｂを接地するリレー回路を設
ければ良い。即ち、検査用プローブ２２Ａはテスタ２３
の電圧電源（図示せず）に接続されている。フリッティ
ング用プローブ２２Ｂはリレースイッチ２４Ｆに接続さ
れている。リレースイッチ２４Ｆの制御にはテスタ２３
内のＩ／Ｏドライブを使用することができる。テスタ２
３を使用してフリッティングを行うことができるか否か
はテスタ２３の電源電流容量に依存する。ソフト面では
テスタ２３のプログラムにフリッティング用のプログラ
ムを追加するだけで良く、ハード面ではリレー回路を追
加するだけで良い。本実施形態においても上記実施形態
と同様の作用効果を期することができる。
電源として使用できる場合には、図５に示すようにフリ
ッティング用プローブ２２Ｂを接地するリレー回路を設
ければ良い。即ち、検査用プローブ２２Ａはテスタ２３
の電圧電源（図示せず）に接続されている。フリッティ
ング用プローブ２２Ｂはリレースイッチ２４Ｆに接続さ
れている。リレースイッチ２４Ｆの制御にはテスタ２３
内のＩ／Ｏドライブを使用することができる。テスタ２
３を使用してフリッティングを行うことができるか否か
はテスタ２３の電源電流容量に依存する。ソフト面では
テスタ２３のプログラムにフリッティング用のプログラ
ムを追加するだけで良く、ハード面ではリレー回路を追
加するだけで良い。本実施形態においても上記実施形態
と同様の作用効果を期することができる。
【００３０】
【実施例】次に、プローブに使用される材料とフリッテ
ィング特性の関係について図６に示す測定装置を用いて
検証し、その結果を図７〜図１８に示した。図６は本実
施例に用いられた測定装置である。プローブ５１とウエ
ハＷの電極の間の荷重（針圧）は電子天秤５２によって
測定した。電源５３によって印加された電流と電圧の測
定には電流計５４、電圧計５５を用いた。また、フリッ
ティングの波形の測定にはＡ／Ｄ変換器５６、５７を利
用し、電流及び電源電圧をそれぞれ測定し、記録した。
プローブ５１のＺ方向の制御には最大変位量が１００μ
ｍのピエゾステージ５８を用いた。ピエゾステージ５８
はピエゾドライバ５９を介して操作した。また、電子天
秤５２、電源５３、電流計５４、電圧計５５、Ａ／Ｄ変
換器５６、５７及びピエゾステージ５８は全て通信回線
（ＧＰＩＢ、ＲＳ−２３２Ｃ）を介してコンピュータ６
０に接続され、コンピュータ６０を介して印加電圧、ス
テージ位置の制御等を行い、測定結果を逐次記録するよ
うにした。測定は電圧制御、電圧測定、電流測定のルー
プを繰り返して行い、この時のループの速度はほぼ１０
回／秒であった。Ａ／Ｄ変換器５６、５７を用いて高周
波での測定を行い、各Ａ／Ｄ変換器５６、５７はそれぞ
れを流れる電源電流、電源電圧を測定した。Ａ／Ｄ変換
器５６、５７の変換値は、これらの変換値と電流計５
４、電圧計５５の測定値との関係を求め、ぞれぞれ電流
計５４、電圧計５５の測定値を用いて補正した。
ィング特性の関係について図６に示す測定装置を用いて
検証し、その結果を図７〜図１８に示した。図６は本実
施例に用いられた測定装置である。プローブ５１とウエ
ハＷの電極の間の荷重（針圧）は電子天秤５２によって
測定した。電源５３によって印加された電流と電圧の測
定には電流計５４、電圧計５５を用いた。また、フリッ
ティングの波形の測定にはＡ／Ｄ変換器５６、５７を利
用し、電流及び電源電圧をそれぞれ測定し、記録した。
プローブ５１のＺ方向の制御には最大変位量が１００μ
ｍのピエゾステージ５８を用いた。ピエゾステージ５８
はピエゾドライバ５９を介して操作した。また、電子天
秤５２、電源５３、電流計５４、電圧計５５、Ａ／Ｄ変
換器５６、５７及びピエゾステージ５８は全て通信回線
（ＧＰＩＢ、ＲＳ−２３２Ｃ）を介してコンピュータ６
０に接続され、コンピュータ６０を介して印加電圧、ス
テージ位置の制御等を行い、測定結果を逐次記録するよ
うにした。測定は電圧制御、電圧測定、電流測定のルー
プを繰り返して行い、この時のループの速度はほぼ１０
回／秒であった。Ａ／Ｄ変換器５６、５７を用いて高周
波での測定を行い、各Ａ／Ｄ変換器５６、５７はそれぞ
れを流れる電源電流、電源電圧を測定した。Ａ／Ｄ変換
器５６、５７の変換値は、これらの変換値と電流計５
４、電圧計５５の測定値との関係を求め、ぞれぞれ電流
計５４、電圧計５５の測定値を用いて補正した。
【００３１】測定は下記の測定条件で〜の手順に従
って行った。 ピエゾステージ５８を駆動し、プローブ５１とウエハ
Ｗの電極を近づける。この時の針圧は電子天秤５２を介
してモニターする。針圧が設定針圧を超えた時点でピエ
ゾステージ５８を停止し、この時点での針圧を接触荷重
とする。 電源５３をステップ状に印加し、電流または電圧を発
生させる。この直前にＡ／Ｄ変換器５６、５７を始動さ
せ、変換値を記録する。Ａ／Ｄ変換器５６、５７のメモ
リにはこのステップ状の電圧印加の前後の様子を記録す
る。 電圧印加後、１ｍＡ以上の電流が流れれば、これをフ
リッティングと看做す。電流が流れなければ、一旦印加
電圧を０に戻し、設定電圧を２倍にしての測定を再度
行う。 フリッティングが起こった後、電流を１ｍＡに設定し
て電圧を測定する。この値から計算される抵抗値を接触
抵抗とする。 印加電圧を０にした後、ピエゾステージ５８を駆動し
てプローブ５１と電極を引き離す。この時に測定される
荷重の最小値を引き離し力とする。 コンタクト位置を変えて〜の測定を繰り返す。
って行った。 ピエゾステージ５８を駆動し、プローブ５１とウエハ
Ｗの電極を近づける。この時の針圧は電子天秤５２を介
してモニターする。針圧が設定針圧を超えた時点でピエ
ゾステージ５８を停止し、この時点での針圧を接触荷重
とする。 電源５３をステップ状に印加し、電流または電圧を発
生させる。この直前にＡ／Ｄ変換器５６、５７を始動さ
せ、変換値を記録する。Ａ／Ｄ変換器５６、５７のメモ
リにはこのステップ状の電圧印加の前後の様子を記録す
る。 電圧印加後、１ｍＡ以上の電流が流れれば、これをフ
リッティングと看做す。電流が流れなければ、一旦印加
電圧を０に戻し、設定電圧を２倍にしての測定を再度
行う。 フリッティングが起こった後、電流を１ｍＡに設定し
て電圧を測定する。この値から計算される抵抗値を接触
抵抗とする。 印加電圧を０にした後、ピエゾステージ５８を駆動し
てプローブ５１と電極を引き離す。この時に測定される
荷重の最小値を引き離し力とする。 コンタクト位置を変えて〜の測定を繰り返す。
【００３２】［測定条件］ 電圧コントロールモード（Ｓ） 設定電圧：３０Ｖ、５Ｖ 電流リミッタ設定：１０ｍＡ、１００ｍＡ、２５０ｍＡ 針圧：０．１ｇ、０．０２ｇ、０．００５ｇ、０．００
１ｇ 電流コントロールモード（Ｉ） 設定電流：１０ｍＡ、１００ｍＡ、２５０ｍＡ 針圧：０．１ｇ、０．０２ｇ、０．００５ｇ、０．００
１ｇ プローブ材料：タングステン（Ｗ）、ベリリウム−銅
合金（ＢｅＣｕ） パラジウム（Ｐｄ） 電極：アルミニウム（Ａｌ）
１ｇ 電流コントロールモード（Ｉ） 設定電流：１０ｍＡ、１００ｍＡ、２５０ｍＡ 針圧：０．１ｇ、０．０２ｇ、０．００５ｇ、０．００
１ｇ プローブ材料：タングステン（Ｗ）、ベリリウム−銅
合金（ＢｅＣｕ） パラジウム（Ｐｄ） 電極：アルミニウム（Ａｌ）
【００３３】１．フリッティング時の波形 まず、タングステンプローブを用い、針圧、制限電流、
設定電圧を種々変更した時の電圧、電流の経時変化を測
定し、フリッティング前後の電圧、電流の波形を求めた
結果、３つの代表的なパターン波形が得られた。その結
果を図７〜図９に示した。
設定電圧を種々変更した時の電圧、電流の経時変化を測
定し、フリッティング前後の電圧、電流の波形を求めた
結果、３つの代表的なパターン波形が得られた。その結
果を図７〜図９に示した。
【００３４】図７は、タングステンプローブを用い、
０．０１ｇの針圧を掛けて制限電流を１０ｍＡに設定し
た状態で、電流をコントロールしてＡ／Ｄ変換器５６、
５７を用いて電流及び電圧を測定し、フリッティングを
起こした時の電流（同図に実線で示す）と電圧（同図に
破線で示す）の波形を示す図である。この図はフリッテ
ィング現象の典型的な波形を示している。この図によれ
ば、電圧が絶縁破壊を起こす電圧（フリッティング電
圧）に達したところでフリッティングが起こって電流が
流れ、抵抗が下がる。電流の最大値は電流リミッタで１
０ｍＡに設定されているが、電流リミッタが働くまでに
時間が掛かるために瞬間的に大きな電流が流れることが
判る。即ち、電流が流れ始める瞬間には６Ｖの電圧が掛
かって１７０ｍＡを超える電流が流れ、電流が流れ始め
るのとほぼ同時に電流リミッタが作動して電圧が下が
り、電流が制限電流の設定値の１０ｍＡになっているこ
とが判る。
０．０１ｇの針圧を掛けて制限電流を１０ｍＡに設定し
た状態で、電流をコントロールしてＡ／Ｄ変換器５６、
５７を用いて電流及び電圧を測定し、フリッティングを
起こした時の電流（同図に実線で示す）と電圧（同図に
破線で示す）の波形を示す図である。この図はフリッテ
ィング現象の典型的な波形を示している。この図によれ
ば、電圧が絶縁破壊を起こす電圧（フリッティング電
圧）に達したところでフリッティングが起こって電流が
流れ、抵抗が下がる。電流の最大値は電流リミッタで１
０ｍＡに設定されているが、電流リミッタが働くまでに
時間が掛かるために瞬間的に大きな電流が流れることが
判る。即ち、電流が流れ始める瞬間には６Ｖの電圧が掛
かって１７０ｍＡを超える電流が流れ、電流が流れ始め
るのとほぼ同時に電流リミッタが作動して電圧が下が
り、電流が制限電流の設定値の１０ｍＡになっているこ
とが判る。
【００３５】図８は、タングステンプローブを用い、
０．１ｇの針圧を掛けて制限電流を２５０ｍＡに設定
し、電圧を５Ｖに設定した状態で、電流をコントロール
してＡ／Ｄ変換器５６、５７を用いて電流及び電圧を測
定し、フリッティングを起こした時の電流（同図に実線
で示す）と電圧（同図に破線で示す）の波形を示す図で
ある。この図によれば、フリッティング後、電圧と電流
が比例して変化していることが判る。このことから絶縁
膜は図７で示す電気的破壊ではなく、機械的破壊である
ことが判る。
０．１ｇの針圧を掛けて制限電流を２５０ｍＡに設定
し、電圧を５Ｖに設定した状態で、電流をコントロール
してＡ／Ｄ変換器５６、５７を用いて電流及び電圧を測
定し、フリッティングを起こした時の電流（同図に実線
で示す）と電圧（同図に破線で示す）の波形を示す図で
ある。この図によれば、フリッティング後、電圧と電流
が比例して変化していることが判る。このことから絶縁
膜は図７で示す電気的破壊ではなく、機械的破壊である
ことが判る。
【００３６】図９は、タングステンプローブを用い、
０．０２ｇの針圧を掛けて制限電流を２５０ｍＡに設定
し、電圧を３０Ｖに設定した状態で、電流をコントロー
ルしてＡ／Ｄ変換器５６、５７を用いて電流及び電圧を
測定し、フリッティングを起こした時の電流（同図に実
線で示す）と電圧（同図に破線で示す）の波形を示す図
である。この図によれば、フリッティング時の電流が制
限電流に達していないため、フリッティング後には電圧
と電流が比例して上昇し、制限電流に達した時点で電
圧、電流が一定値を示していることが判る。
０．０２ｇの針圧を掛けて制限電流を２５０ｍＡに設定
し、電圧を３０Ｖに設定した状態で、電流をコントロー
ルしてＡ／Ｄ変換器５６、５７を用いて電流及び電圧を
測定し、フリッティングを起こした時の電流（同図に実
線で示す）と電圧（同図に破線で示す）の波形を示す図
である。この図によれば、フリッティング時の電流が制
限電流に達していないため、フリッティング後には電圧
と電流が比例して上昇し、制限電流に達した時点で電
圧、電流が一定値を示していることが判る。
【００３７】２．針圧とフリッティング電圧の関係 ここではフリッティング電圧とは電流が初めて１ｍＡを
超えた瞬間の電圧値のことを云う。プローブの材料とし
て、Ｗ、ＢｅＣｕ、Ｐｄを用いて、それぞれのプローブ
の針圧とフリッティング電圧との関係を求め、その結果
を図１０〜図１２に示した。図１０〜図１２は、縦軸は
全体を１とした場合の度数の割合を示し、Ｗプローブ、
ＢｅＣｕプローブ、Ｐｄプローブにおけるフリッティン
グ電圧の分布を針圧によって分けて示した。各プローブ
にはそれぞれ０．００１ｇ（×印で示す）、０．００５
ｇ（△印で示す）、０．０２ｇ（○印で示す）及び０．
１ｇ（□印で示す）の針圧を掛けた。図１０はＷプロー
ブ、図１１はＢｅＣｕプローブ、図１２はＰｄプローブ
の結果を示している。
超えた瞬間の電圧値のことを云う。プローブの材料とし
て、Ｗ、ＢｅＣｕ、Ｐｄを用いて、それぞれのプローブ
の針圧とフリッティング電圧との関係を求め、その結果
を図１０〜図１２に示した。図１０〜図１２は、縦軸は
全体を１とした場合の度数の割合を示し、Ｗプローブ、
ＢｅＣｕプローブ、Ｐｄプローブにおけるフリッティン
グ電圧の分布を針圧によって分けて示した。各プローブ
にはそれぞれ０．００１ｇ（×印で示す）、０．００５
ｇ（△印で示す）、０．０２ｇ（○印で示す）及び０．
１ｇ（□印で示す）の針圧を掛けた。図１０はＷプロー
ブ、図１１はＢｅＣｕプローブ、図１２はＰｄプローブ
の結果を示している。
【００３８】図１０〜図１２から明らかなように、針圧
が小さい時には１３Ｖと５Ｖ付近の２箇所にフリッティ
ング電圧が分布している。針圧が大きくなるに連れて全
体的にピークが低電圧側にシフトすると同時に、１Ｖ以
下のところにピークが現れる。針圧が０．１ｇになると
１３Ｖ以上のピークがなくなり、１Ｖ以下でも電流が流
れ始め、５Ｖのところのピークが約３Ｖのところにシフ
トしているように観える。
が小さい時には１３Ｖと５Ｖ付近の２箇所にフリッティ
ング電圧が分布している。針圧が大きくなるに連れて全
体的にピークが低電圧側にシフトすると同時に、１Ｖ以
下のところにピークが現れる。針圧が０．１ｇになると
１３Ｖ以上のピークがなくなり、１Ｖ以下でも電流が流
れ始め、５Ｖのところのピークが約３Ｖのところにシフ
トしているように観える。
【００３９】これらの結果から以下のことが推察され
る。 絶縁膜は２種類あり、一つの絶縁膜は５Ｖ程度の破壊
電圧を要し、もう一つの絶縁膜はおそらく８Ｖ（＝１３
Ｖ−５Ｖ）程度の破壊電圧を要することが判った。ま
た、後者の絶縁被膜は介在する場合と介在しない場合の
あることが判った。 針圧が大きくなると、低い電圧でフリッティングする
確率が高くなり、０．１ｇの針圧では８Ｖの破壊電圧を
示す絶縁被膜は存在しないことが判った。また、針圧が
大きくなると１Ｖ以下にピークが現れるが、これは絶縁
破壊ではなく、機械的な破壊によるものと考えられる。 絶縁被膜はＡｌの酸化膜、プローブ材料の酸化膜ある
いは水等の汚染層が考えられる。 また、針圧を０．１ｇにすると５Ｖ以下でほぼ確実に
フリッティングが起こると考えられる。
る。 絶縁膜は２種類あり、一つの絶縁膜は５Ｖ程度の破壊
電圧を要し、もう一つの絶縁膜はおそらく８Ｖ（＝１３
Ｖ−５Ｖ）程度の破壊電圧を要することが判った。ま
た、後者の絶縁被膜は介在する場合と介在しない場合の
あることが判った。 針圧が大きくなると、低い電圧でフリッティングする
確率が高くなり、０．１ｇの針圧では８Ｖの破壊電圧を
示す絶縁被膜は存在しないことが判った。また、針圧が
大きくなると１Ｖ以下にピークが現れるが、これは絶縁
破壊ではなく、機械的な破壊によるものと考えられる。 絶縁被膜はＡｌの酸化膜、プローブ材料の酸化膜ある
いは水等の汚染層が考えられる。 また、針圧を０．１ｇにすると５Ｖ以下でほぼ確実に
フリッティングが起こると考えられる。
【００４０】３．最大電流と接触抵抗の関係 Ｗプローブ、ＢｅＣｕプローブ及びＰｄプローブを用い
たフリッティング時の最大電流と接触抵抗を測定し、そ
の結果を図１３〜図１５に示した。図１３〜図１５はぞ
れそれぞれＷプローブ、ＢｅＣｕプローブ及びＰｄプロ
ーブの最大電流と接触抵抗の関係を示している。ここで
最大電流とはフリッティングの瞬間に流れる電流の最大
値のことを云い、接触抵抗とはフリッティング後に電流
を１ｍＡに設定した時の接触抵抗値のことを云う。各図
において、□は電圧コントロールモードによる測定結
果、△は電流コントロールモードによる測定結果を示し
ている。
たフリッティング時の最大電流と接触抵抗を測定し、そ
の結果を図１３〜図１５に示した。図１３〜図１５はぞ
れそれぞれＷプローブ、ＢｅＣｕプローブ及びＰｄプロ
ーブの最大電流と接触抵抗の関係を示している。ここで
最大電流とはフリッティングの瞬間に流れる電流の最大
値のことを云い、接触抵抗とはフリッティング後に電流
を１ｍＡに設定した時の接触抵抗値のことを云う。各図
において、□は電圧コントロールモードによる測定結
果、△は電流コントロールモードによる測定結果を示し
ている。
【００４１】各プローブ共電流を大きくすると抵抗が下
がる傾向が観られる。Ｗプローブ、ＢｅＣｕプローブの
場合には０．５Ａを超える最大電流が流れると抵抗が１
Ω以下に下がっていることが判る。また、電流が同じ場
合にはＷプローブとＢｅＣｕプローブがほぼ同じ接触抵
抗値を示し、ＰｄプローブがＷプローブ及びＢｅＣｕプ
ローブの１．５倍の接触抵抗値を示している。これらの
ことから、低い接触抵抗を得る条件としてはフリッティ
ングの最大電流が大きくすれば良いことが判った。
がる傾向が観られる。Ｗプローブ、ＢｅＣｕプローブの
場合には０．５Ａを超える最大電流が流れると抵抗が１
Ω以下に下がっていることが判る。また、電流が同じ場
合にはＷプローブとＢｅＣｕプローブがほぼ同じ接触抵
抗値を示し、ＰｄプローブがＷプローブ及びＢｅＣｕプ
ローブの１．５倍の接触抵抗値を示している。これらの
ことから、低い接触抵抗を得る条件としてはフリッティ
ングの最大電流が大きくすれば良いことが判った。
【００４２】４．フリッティング電圧と最大電流の関係 図１６はフリッティングの瞬間（１ｍＡ以上の電流を検
出する瞬間）における電圧（フリッティング電圧）と電
流の関係を示す。この時のプロットは２５Ωの線上にあ
るが、これは回路抵抗と一致した。また、図１７はフリ
ッティング電圧と最大電流の関係を示している。図１７
によれば、フリッティング時に流れる電流（図１６で示
す電流）が制限電流より小さい時にはフリッティング
後、電流は制限電流に達するまで増加する（図９参
照）。フリッティング電圧が大きい時にはフリッティン
グの瞬間の電流が最大電流になっている。本実施例では
電源の容量から最大電流が３００ｍＡであったが、５０
０ｍＡ以上の電流を流せる電源を用いれば、図１３〜図
１５に示したように１Ω以下の接触抵抗を安定して得る
ことができると考えられる。
出する瞬間）における電圧（フリッティング電圧）と電
流の関係を示す。この時のプロットは２５Ωの線上にあ
るが、これは回路抵抗と一致した。また、図１７はフリ
ッティング電圧と最大電流の関係を示している。図１７
によれば、フリッティング時に流れる電流（図１６で示
す電流）が制限電流より小さい時にはフリッティング
後、電流は制限電流に達するまで増加する（図９参
照）。フリッティング電圧が大きい時にはフリッティン
グの瞬間の電流が最大電流になっている。本実施例では
電源の容量から最大電流が３００ｍＡであったが、５０
０ｍＡ以上の電流を流せる電源を用いれば、図１３〜図
１５に示したように１Ω以下の接触抵抗を安定して得る
ことができると考えられる。
【００４３】また、電圧を一定値に設定した状態でプロ
ーブを電極に近づける測定を行った。これによって接触
部に掛かる電圧を制御することができる。３０Ｖの電圧
を掛けた場合、フリッティングの瞬間には電流リミッタ
を大きく超える電流を流すことができた。この結果、図
示してないが図１３〜図１５に示す結果と良く一致し、
最大電流が大きいほど接触抵抗を小さくできることが判
った。
ーブを電極に近づける測定を行った。これによって接触
部に掛かる電圧を制御することができる。３０Ｖの電圧
を掛けた場合、フリッティングの瞬間には電流リミッタ
を大きく超える電流を流すことができた。この結果、図
示してないが図１３〜図１５に示す結果と良く一致し、
最大電流が大きいほど接触抵抗を小さくできることが判
った。
【００４４】５．接触抵抗と引き離し力の関係 プローブを電極から引き離す時の力（引き離し力）を測
定し、この結果を図１８〜図２０に示した。図１８はＷ
プローブ、図１９はＢｅＣｕプローブ、図２０はＰｄプ
ローブに関するものである。図１８〜図２０に示す結果
によれば、接触抵抗が大きい時には引き離し力は小さい
が、接触抵抗が小さくなるに従って引き離し力が大きく
なることが判った。このことは、真の接触部分の面積に
関係していると考えられる。真の接触部分では金属同士
が接合しているため、これを引き離す力は面積に比例す
る一方、接触面積が大きくなると接触抵抗が小さくなる
小さくなると考えられる。同一の接触抵抗ではＰｄプロ
ーブの引き離し力が最も大きく、ＢｅＣｕプローブ、Ｗ
プローブの順に小さくなる。
定し、この結果を図１８〜図２０に示した。図１８はＷ
プローブ、図１９はＢｅＣｕプローブ、図２０はＰｄプ
ローブに関するものである。図１８〜図２０に示す結果
によれば、接触抵抗が大きい時には引き離し力は小さい
が、接触抵抗が小さくなるに従って引き離し力が大きく
なることが判った。このことは、真の接触部分の面積に
関係していると考えられる。真の接触部分では金属同士
が接合しているため、これを引き離す力は面積に比例す
る一方、接触面積が大きくなると接触抵抗が小さくなる
小さくなると考えられる。同一の接触抵抗ではＰｄプロ
ーブの引き離し力が最も大きく、ＢｅＣｕプローブ、Ｗ
プローブの順に小さくなる。
【００４５】尚、本発明は上記各実施形態に何等制限さ
れるものではなく、フリッティング現象を生じさせる回
路構成を有するものであれば、本発明に包含される。ま
た、上記実施例では針圧が０．００１〜０．１ｇまで変
化させた場合について説明したが、本発明は、この範囲
の針圧に制限されるものではなく、現状の針圧（針圧＝
１０〜２０ｇ／１本）より小さく、フリッティング現象
が得られる針圧であれば良く、特定の針圧範囲に制限さ
れるものではない。また、上記実施例ではフリッティン
グ時の最大電流が大きいほどプローブと電極間の接触抵
抗が低くなる点について説明したが、フリッティング時
の電流は小さくても良く、本発明はフリッティング現象
を得られる電流であれば、特定の電流範囲に制限される
ものではない。
れるものではなく、フリッティング現象を生じさせる回
路構成を有するものであれば、本発明に包含される。ま
た、上記実施例では針圧が０．００１〜０．１ｇまで変
化させた場合について説明したが、本発明は、この範囲
の針圧に制限されるものではなく、現状の針圧（針圧＝
１０〜２０ｇ／１本）より小さく、フリッティング現象
が得られる針圧であれば良く、特定の針圧範囲に制限さ
れるものではない。また、上記実施例ではフリッティン
グ時の最大電流が大きいほどプローブと電極間の接触抵
抗が低くなる点について説明したが、フリッティング時
の電流は小さくても良く、本発明はフリッティング現象
を得られる電流であれば、特定の電流範囲に制限される
ものではない。
【００４６】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項８に記載の発
明によれば、針圧を格段に小さくすることができ、ひい
ては検査用電極のダメージを無くすると共にプローブの
寿命を延ばしてプローブを繰り返し使用することがで
き、しかもプローブのクリーニングを行う必要がなく検
査効率を高めることができる検査方法及び検査装置を提
供することができる。
明によれば、針圧を格段に小さくすることができ、ひい
ては検査用電極のダメージを無くすると共にプローブの
寿命を延ばしてプローブを繰り返し使用することがで
き、しかもプローブのクリーニングを行う必要がなく検
査効率を高めることができる検査方法及び検査装置を提
供することができる。
【図１】本発明の検査方法を実施する際に用いられるフ
リッティング装置の原理図である。
リッティング装置の原理図である。
【図２】図１に示す原理を適用した本発明の検査装置の
一実施形態を示す構成図である。
一実施形態を示す構成図である。
【図３】本発明の検査方法の一実施形態を示すフロー図
である。
である。
【図４】図２に示す検査装置を用いてフリッティング現
象により検査用プローブと検査用電極を電気的に接触さ
せる状態を示す説明図で、（ａ）は検査用プローブ及び
フリッティング用プローブが検査用電極に接触し、電圧
が印加された状態を示す図、（ｂ）はフリッティング現
象により検査用プローブと検査用電極が電気的に接触し
た状態を示す図である。
象により検査用プローブと検査用電極を電気的に接触さ
せる状態を示す説明図で、（ａ）は検査用プローブ及び
フリッティング用プローブが検査用電極に接触し、電圧
が印加された状態を示す図、（ｂ）はフリッティング現
象により検査用プローブと検査用電極が電気的に接触し
た状態を示す図である。
【図５】本発明の検査装置の他の実施形態を示す図２に
相当する図である。
相当する図である。
【図６】フリッティング現象を検証するために用いられ
た測定装置である。
た測定装置である。
【図７】典型的なフリッティング現象を示す電流及び電
圧の波形を示す図である。
圧の波形を示す図である。
【図８】絶縁膜が機械的に破壊された時の電流及び電圧
の波形を示す図である。
の波形を示す図である。
【図９】フリッティング時の電流がリミット値に達しな
い場合の電流及び電圧の波形を示す図である。
い場合の電流及び電圧の波形を示す図である。
【図１０】Ｗプローブの針圧とフリッティング電圧との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図１１】ＢｅＣｕプローブの針圧とフリッティング電
圧との関係を示すグラフである。
圧との関係を示すグラフである。
【図１２】Ｐｄプローブの針圧とフリッティング電圧と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図１３】Ｗプローブの最大電流と接触抵抗の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１４】ＢｅＣｕプローブの最大電流と接触抵抗の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図１５】Ｐｄプローブの最大電流と接触抵抗の関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１６】Ｗプローブ、ＢｅＣｕプローブ、Ｐｄプロー
ブのフリッティング電圧と電流の関係を示すグラフであ
る。
ブのフリッティング電圧と電流の関係を示すグラフであ
る。
【図１７】Ｗプローブ、ＢｅＣｕプローブ、Ｐｄプロー
ブのフリッティング電圧と最大電流の関係を示すグラフ
である。
ブのフリッティング電圧と最大電流の関係を示すグラフ
である。
【図１８】フリッティング後のＷプローブと電極の接触
抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
【図１９】フリッティング後のＢｅＣｕプローブと電極
の接触抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
の接触抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
【図２０】フリッティング後のＰｄプローブと電極の接
触抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
触抵抗と引き離し力の関係を示すグラフである。
【図２１】従来の検査方法を示すフロー図である。
【図２２】従来の検査方法を用いてプローブと検査用電
極を電気的に接触させる状態を示す説明図で、（ａ）は
プローブと検査用電極を接触させた状態を示す図、
（ｂ）はスクラブによりプローブと検査用電極が電気的
に接触した状態を示す図である。
極を電気的に接触させる状態を示す説明図で、（ａ）は
プローブと検査用電極を接触させた状態を示す図、
（ｂ）はスクラブによりプローブと検査用電極が電気的
に接触した状態を示す図である。
Ｄ デバイス（被検査体） Ｏ 絶縁被膜 １０ 検査装置 １１ フリッティング装置 １２ プローブカード １２Ａ 検査用プローブ（プローブ） １２Ｂ フリッティング用プローブ（第２のプローブ） １３ テスタ １４ フリッティング回路 １４Ａ 印加電圧バッファアンプ（印加手段） １４Ｄ 電流制限アンプ（電流制限手段） １５ フリッティング制御回路（制御手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯野 伸治 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 竹腰 清 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 須賀 唯知 東京都目黒区駒場２−２−２−207 (72)発明者 伊藤 寿浩 千葉県千葉市稲毛区弥生町１−170 東大 職員宿舎４−201 (72)発明者 片岡 憲一 東京都世田谷区若林５−21−７ 若林ハイ ツ201 Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AG03 AG08 AG12 AH05 AH07 2G011 AA17 AC14 AE03 AF07 2G132 AF02 AF06 AL11 4M106 AA01 BA01 DD30
Claims (8)
- 【請求項１】 検査用電極にプローブを電気的に接触さ
せて被検査体の電気的特性検査を行う検査方法におい
て、フリッティング現象を利用して上記検査用電極の絶
縁被膜を破って上記プローブと上記検査用電極を電気的
に接触させるコンタクト工程を有することを特徴とする
検査方法。 - 【請求項２】 上記コンタクト工程は、上記プローブを
検査用電極に接触させる工程と、上記プローブと上記検
査用電極間に電圧を印加して所定の電位傾度を形成する
工程と、上記電位傾度が大きくなって生じるフリッティ
ング現象によって上記検査用電極の絶縁被膜を破って上
記プローブと上記検査用電極間で通電させる工程とを有
することを特徴とする請求項１に記載の検査方法。 - 【請求項３】 上記コンタクト工程は、上記プローブと
これとは別に設けられた第２のプローブとを一つの検査
用電極に一緒に接触させる工程と、両プローブ間に電圧
を印加して所定の電位傾度を形成する工程と、上記電位
傾度が大きくなって生じるフリッティング現象によって
上記検査用電極の絶縁被膜を破って上記両プローブ間で
通電させる工程と、第２のプローブを電気的に切り離す
工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の検査
方法。 - 【請求項４】 テスタからの指示に基づいて検査用電極
にプローブを電気的に接触させて被検査体の電気的特性
検査を行う検査装置において、上記プローブと上記検査
用電極との間に電圧を印加してこれら両者間の電位傾度
によりフリッティング現象を生じさせる印加手段と、上
記プローブと上記検査用電極間の通電電流を制限する電
流制限手段と、上記各手段を制御する制御手段とを備え
たことを特徴とする検査装置。 - 【請求項５】 テスタからの指示に基づいて検査用電極
にプローブを電気的に接触させて被検査体の電気的特性
検査を行う検査装置において、上記プローブとこれとは
別に設けられ且つ上記プローブと一緒に上記一つの検査
用電極に接触する第２のプローブと、上記プローブと第
２のプローブ間に電圧を印加する時の上記両プローブ間
の電位傾度によりフリッティング現象を生じさせて上記
検査用電極の絶縁被膜を破る印加手段と、上記プローブ
と第２のプローブ間の通電電流を制限する電流制限手段
と、第２のプローブを電気的に切り離す切換手段と、上
記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
る検査装置。 - 【請求項６】 上記制御手段と上記テスタを通信回線で
結んだことを特徴とする請求項４または請求項５に記載
の検査装置。 - 【請求項７】 上記切換手段以外の各手段を上記テスタ
に設けたことを特徴とする請求項５に記載の検査装置。 - 【請求項８】 上記プローブ及び／または第２のプロー
ブは、タングステン、パラジウム、ベリリウム−銅合金
のいずれか一つからなることを特徴とする請求項６〜請
求項９のいずれか１項に記載の検査装置。
Priority Applications (14)
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|---|---|---|---|
| JP2001093303A JP4841737B2 (ja) | 2000-08-21 | 2001-03-28 | 検査方法及び検査装置 |
| TW090120363A TW497194B (en) | 2000-08-21 | 2001-08-20 | Inspection method and inspection apparatus |
| US09/931,888 US6777967B2 (en) | 2000-08-21 | 2001-08-20 | Inspection method and inspection apparatus |
| AT01119644T ATE309547T1 (de) | 2000-08-21 | 2001-08-21 | Inspektionsverfahren und -vorrichtung durch sinterung |
| EP01119644A EP1182460B1 (en) | 2000-08-21 | 2001-08-21 | Fritting inspection method and apparatus |
| KR1020010050240A KR20020015294A (ko) | 2000-08-21 | 2001-08-21 | 검사 방법 및 검사 장치 |
| DE60114730T DE60114730T2 (de) | 2000-08-21 | 2001-08-21 | Inspektionsverfahren und -vorrichtung durch Sinterung |
| US10/802,882 US7061259B2 (en) | 2000-08-21 | 2004-03-18 | Inspection method and inspection apparatus |
| US11/415,202 US7304489B2 (en) | 2000-08-21 | 2006-05-02 | Inspection method and inspection apparatus |
| KR1020060048355A KR20060066165A (ko) | 2000-08-21 | 2006-05-29 | 검사 방법 및 검사 장치 |
| US11/759,816 US7319339B2 (en) | 2000-08-21 | 2007-06-07 | Inspection apparatus to break the oxide of an electrode by fritting phenomenon |
| KR1020080077587A KR20080077952A (ko) | 2000-08-21 | 2008-08-07 | 검사 방법 및 검사 장치 |
| KR1020100008515A KR20100018603A (ko) | 2000-08-21 | 2010-01-29 | 검사 방법 및 검사 장치 |
| KR1020100136160A KR101132904B1 (ko) | 2000-08-21 | 2010-12-28 | 검사 방법 및 검사 장치 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249702 | 2000-08-21 | ||
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| JP2000249702 | 2000-08-21 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002139542A true JP2002139542A (ja) | 2002-05-17 |
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ID=26598157
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|---|---|---|---|
| JP2001093303A Expired - Fee Related JP4841737B2 (ja) | 2000-08-21 | 2001-03-28 | 検査方法及び検査装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6777967B2 (ja) |
| EP (1) | EP1182460B1 (ja) |
| JP (1) | JP4841737B2 (ja) |
| KR (5) | KR20020015294A (ja) |
| AT (1) | ATE309547T1 (ja) |
| DE (1) | DE60114730T2 (ja) |
| TW (1) | TW497194B (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004023547A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Octec Inc. | プローブ方法、プローブ装置、及び電極の還元／プラズマエッチング処理機構 |
| WO2004075270A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Octec Inc. | プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置 |
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