WO2024143348A1 - プラズマ処理装置及び基板吸着方法 - Google Patents

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WO2024143348A1
WO2024143348A1 PCT/JP2023/046616 JP2023046616W WO2024143348A1 WO 2024143348 A1 WO2024143348 A1 WO 2024143348A1 JP 2023046616 W JP2023046616 W JP 2023046616W WO 2024143348 A1 WO2024143348 A1 WO 2024143348A1
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WO
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chuck
voltage
plasma processing
electrode
nth
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/046616
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English (en)
French (fr)
Inventor
雄洋 谷川
理一郎 遠藤
和馬 喜田
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • This disclosure relates to a plasma processing apparatus and a substrate adsorption method.
  • Patent document 1 discloses an electrostatic adsorption method for electrostatically adsorbing a focus ring provided on an electrostatic chuck.
  • Patent document 2 discloses a substrate processing apparatus that applies an AC voltage to the electrodes of an electrostatic chuck to electrostatically adsorb the substrate and edge ring.
  • JP 2016-122740 A JP 2016-122740 A
  • the present disclosure provides a plasma processing apparatus and a substrate adsorption method that are suitable for electrostatic adsorption.
  • a plasma processing apparatus comprising: a plasma processing chamber; an electrostatic chuck disposed within the plasma processing chamber, the electrostatic chuck including a dielectric member having a substrate support surface and a ring support surface, and a plurality of chuck electrodes disposed within the dielectric member below the ring support surface; and an AC voltage generator configured to apply AC voltages to the plurality of chuck electrodes that are phase-shifted from each other, the plurality of chuck electrodes including one chuck electrode and another chuck electrode, the one chuck electrode having a plurality of arc portions, the other chuck electrode having a plurality of arc portions, and the arc portions of the one chuck electrode and the other chuck electrode having an alternating arrangement in the radial direction.
  • FIG. 1 is an example of a diagram for explaining a configuration example of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of an arrangement of electrostatic electrodes of an electrostatic chuck.
  • FIG. 11 is a plan view showing another example of the arrangement of electrostatic electrodes of the electrostatic chuck.
  • FIG. 11 is a plan view showing yet another example of the arrangement of electrostatic electrodes of the electrostatic chuck.
  • 4 is a graph showing an example of a two-phase AC voltage. 4 is a graph showing an example of a two-phase AC voltage.
  • FIG. 1 illustrates an example cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring according to an embodiment.
  • 4 is a graph showing an example of an AC voltage applied to an electrostatic electrode.
  • FIG. 13 is an example cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring according to another embodiment.
  • FIG. 13 is an example cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring according to another embodiment.
  • 1 illustrates an example cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring according to an embodiment.
  • 1 illustrates an example cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring according to an embodiment.
  • FIG. 2 is an example of an enlarged partial view of an annular region of an electrostatic chuck.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring taken along line BB.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring taken along the line CC.
  • FIG. 2 is an example of an enlarged partial view of an annular region of an electrostatic chuck.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring taken along the line D-D.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck and an edge ring taken along line E-E.
  • FIG. 11 is a plan view showing yet another example of the arrangement of electrostatic electrodes of the electrostatic chuck.
  • FIG. 11 is a plan view showing yet another example of the arrangement of electrostatic electrodes of the electrostatic chuck.
  • 10A and 10B are enlarged cross-sectional views of a portion of a substrate support part and an example of a diagram showing a relationship with potential
  • FIG. 13 is a diagram showing a wafer chucking force in an example of plasma processing.
  • 10A and 10B are enlarged cross-sectional views of a portion of a substrate support part and an example of a diagram showing a relationship with potential;
  • 10A and 10B are enlarged cross-sectional views of a portion of a substrate support part and an example of a diagram showing a relationship with potential;
  • Fig. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus (substrate processing apparatus) 1.
  • the substrate support 11 includes a main body 111 and a ring assembly 112.
  • the main body 111 has a central region 111a for supporting the substrate W and an annular region 111b for supporting the ring assembly 112.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the annular region 111b of the main body 111 surrounds the central region 111a of the main body 111 in a plan view.
  • the substrate W is disposed on the central region 111a of the main body 111
  • the ring assembly 112 is disposed on the annular region 111b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111a of the main body 111. Therefore, the central region 111a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 111b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 112.
  • the main body 111 includes a base 1110 and an electrostatic chuck 1111.
  • the base 1110 includes a conductive member.
  • the conductive member of the base 1110 can function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 1111 is disposed on the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member (dielectric member) 1111a, an electrostatic electrode 1111b disposed within the ceramic member 1111a, and an electrostatic electrode 1111c disposed within the ceramic member 1111a.
  • the ceramic member 1111a has a central region 111a. In one embodiment, the ceramic member 1111a also has an annular region 111b.
  • the ceramic member (dielectric member) 1111a has a substrate support surface (central region 111a) and a ring support surface (annular region 111b).
  • the electrostatic electrode 1111b is disposed below the central region 111a within the ceramic member 1111a.
  • the electrostatic electrode 1111b has N (N is an integer of 2 or more) chuck electrodes (chuck electrodes 1111b1 to 1111b3 shown in FIG. 2, described later).
  • the plasma processing apparatus 1 is equipped with a chuck power supply (AC voltage generator) 15 configured to apply a voltage to each of the N chuck electrodes.
  • the chuck power supply 15 applies N-phase AC voltages that are phase-shifted from each other to the N chuck electrodes.
  • the N chuck electrodes are electrically connected to the chuck power supply 15.
  • the electrostatic chuck 1111 includes first to Nth (N is an integer of 2 or more) chuck electrodes 1111b1 to 1111b3 disposed below the substrate support surface (central region 111a) within the ceramic member 1111a.
  • the chuck power supply 15 is configured to apply first to Nth AC voltages to the first to Nth chuck electrodes 1111b1 to 1111b3, respectively.
  • the first to Nth AC voltages are phase-shifted from each other.
  • the electrostatic electrode 1111c is disposed below the annular region 111b within the ceramic member 1111a.
  • the electrostatic electrode 1111c has N (N is an integer of 2 or more) chuck electrodes (chuck electrodes 1111c1 to 1111c2 shown in FIG. 2, described later).
  • the plasma processing apparatus 1 is provided with a chuck power supply (AC voltage generator) 16 configured to apply a voltage to each of the N chuck electrodes.
  • the chuck power supply 16 applies N-phase AC voltages that are phase-shifted from each other to the N chuck electrodes.
  • the N chuck electrodes are electrically connected to the chuck power supply 16.
  • the electrostatic chuck 1111 includes first to Nth (N is an integer of 2 or more) chuck electrodes 1111c1 to 1111c2 disposed below the ring support surface (annular region 111b) within the ceramic member 1111a.
  • the chuck power supply 16 is configured to apply first to Nth AC voltages to the first to Nth chuck electrodes 1111c1 to 1111c2, respectively.
  • the first to Nth AC voltages are phase-shifted from each other.
  • the RF/DC electrode When a bias RF signal and/or a DC signal, which will be described later, is supplied to the at least one RF/DC electrode, the RF/DC electrode is also referred to as a bias electrode.
  • the conductive member of the base 1110 and at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 1111b may function as a lower electrode. Therefore, the substrate support 11 includes at least one lower electrode.
  • the substrate support 11 may also include a temperature adjustment module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 112, and the substrate W to a target temperature.
  • the temperature adjustment module may include a heater, a heat transfer medium, a flow passage 1110a, or a combination thereof.
  • a heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow passage 1110a.
  • the flow passage 1110a is formed in the base 1110, and one or more heaters are disposed in the ceramic member 1111a of the electrostatic chuck 1111.
  • the substrate support 11 may also include a first heat transfer gas supply unit configured to supply a heat transfer gas to a gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a.
  • the first heat transfer gas supply unit supplies the heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a via a gas flow passage penetrating the base 1110 and a supply hole penetrating the electrostatic chuck 1111.
  • the substrate support 11 may also include a second heat transfer gas supply unit configured to supply a heat transfer gas to the gap between the rear surface of the edge ring 112A (see FIG. 15 described later) of the ring assembly 112 and the annular region 111b.
  • the second heat transfer gas supply unit supplies a heat transfer gas to the gap between the rear surface of the edge ring 112A of the ring assembly 112 and the annular region 111b (including the diffusion groove 113 described later in FIG. 15 etc.) via a gas flow passage penetrating the base 1110 and a supply hole penetrating the electrostatic chuck 1111.
  • the gas supply 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply 20 is configured to supply at least one process gas from a respective gas source 21 through a respective flow controller 22 to the showerhead 13.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply 20 may include one or more flow modulation devices to modulate or pulse the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s.
  • the RF power supply 31 can function as at least a part of a plasma generating unit configured to generate plasma from one or more processing gases in the plasma processing chamber 10.
  • a bias RF signal to the at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the sequence of voltage pulses may also include one or more positive polarity voltage pulses and one or more negative polarity voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generating units 32a and 32b may be provided in addition to the RF power source 31, or the first DC generating unit 32a may be provided in place of the second RF generating unit 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • the electrostatic electrode 1111c has a first chuck electrode 1111c1 and a second chuck electrode 1111c2.
  • the first chuck electrode 1111c1 and the second chuck electrode 1111c2 are formed in concentric rings.
  • the electrostatic electrode 1111b has a first chuck electrode 1111b1, a second chuck electrode 1111b2, and a third chuck electrode 1111b3.
  • the first chuck electrode 1111b1, the second chuck electrode 1111b2, and the third chuck electrode 1111b3 are formed in a spiral shape.
  • the phase adjuster 152 shifts the phase of the AC voltage supplied from the power supply 151 and supplies the phase-shifted AC voltage (second AC voltage) to the second chuck electrode 1111b2.
  • a phase adjuster 153 is connected between the power supply 151 and the third chuck electrode 1111b3. The phase adjuster 153 shifts the phase of the AC voltage supplied from the power supply 151 and supplies the phase-shifted AC voltage (third AC voltage) to the third chuck electrode 1111b3.
  • the chuck power supply 16 includes a first power supply 163 and a second power supply 164.
  • the first power supply 163 applies an AC voltage (first AC voltage) to the first chuck electrode 1111c1.
  • the power supply 163 has an AC power supply 163a and a DC power supply 163b.
  • the AC power supply 163a generates an AC voltage and applies it to the first chuck electrode 1111c1.
  • the DC power supply 163b generates a DC voltage and superimposes it on the AC voltage applied to the first chuck electrode 1111c1.
  • the power supply 163 may be configured to include only one of the AC power supply 163a and the DC power supply 163b.
  • the second power supply 164 applies an AC voltage (second AC voltage) to the second chuck electrode 1111c2.
  • the second arc portion 402 includes an extension portion 402a that extends toward the first arc portion 401.
  • the first connection portion 411 connects the middle of the first arc portion 401 (between one end of the first arc portion 401 and the other end of the first arc portion 401) to the middle of the third arc portion 403 (between one end of the third arc portion 403 and the other end of the third arc portion 403).
  • the second connection portion 412 connects the middle of the second arc portion 402 (between one end of the second arc portion 402 and the other end of the second arc portion 402) to the middle of the fourth arc portion 404 (between one end of the fourth arc portion 404 and the other end of the fourth arc portion 404).
  • the first chuck electrode 1111c1 and the second chuck electrode 1111c2 are formed in a nested structure.
  • the electrostatic electrode 1111b shown in FIG. 2 has been described as being formed in a spiral shape, but this is not limited thereto.
  • the electrostatic electrode 1111b may be formed in an annular shape (see electrostatic electrode 1111c in FIG. 2) or in a nested structure (see electrostatic electrode 1111c in FIG. 4).
  • the first to Nth chuck electrodes 1111b1 to 1111b3 have circular or ring shapes arranged concentrically.
  • the first to Nth chuck electrodes 1111b1 to 1111b3 have a spiral shape or a nested structure.
  • the first to Nth chuck electrodes 1111c1 to 1111c2 have ring shapes arranged concentrically.
  • the first to Nth chuck electrodes 1111c1 to 1111c2 have a spiral shape or a nested structure.
  • the chuck power supply 15 shown in FIG. 2 has been described as including the power supply 151 and the phase adjusters 152 and 153, but this is not limited to this.
  • the configuration may also be such that three power supplies are electrically connected to the three chuck electrodes 1111b1 to 1111b3, respectively.
  • FIG. 5A an example of an AC voltage applied to the first chuck electrode 1111c1 is shown by a solid line graph, and an example of an AC voltage applied to the second chuck electrode 1111c2 is shown by a dashed line graph.
  • the AC voltages applied by the chuck power supply 16 to each electrode (first chuck electrode 1111c1, second chuck electrode 1111c2) of the electrostatic electrode 1111c have the same maximum amplitude, the same frequency, and different phases.
  • the phase difference between the AC voltages applied to the first chuck electrode 1111c1 and the second chuck electrode 1111c2 is set to 90°. This creates a potential difference ⁇ V between the first chuck electrode 1111c1 and the second chuck electrode 1111c2.
  • the chucking force with which the electrostatic chuck 1111 chucks the edge ring 112A (see Figures 6A and 6B) of the ring assembly 112 can be made constant, even if the electrostatic electrode 1111c has two poles.
  • N-phase AC voltage is expressed by the following formula (1) with amplitude A and frequency f.
  • n is an individual integer corresponding to each electrode up to N.
  • Figure 5B shows an example of a three-phase AC voltage.
  • phase difference between an electrode and other electrodes on the inner circumference side is (1/N x 360°)
  • phase difference between an electrode and other electrodes on the outer circumference side is (1/N x 360°).
  • edge ring 112A This allows the edge ring 112A to be electrostatically attracted in an optimal manner. Furthermore, the edge ring 112A' continues to be electrostatically attracted until it is replaced the next time. For this reason, in a configuration in which a DC voltage is applied, there is a risk of residual adhesion becoming large. In contrast, by using an AC voltage, residual adhesion can be suppressed.
  • step S201 the control unit 2 places the substrate W on the substrate support surface (central region 111a) of the electrostatic chuck 1111.
  • step S304 the control unit 2 controls the chuck power supply 15 to start reducing the voltage level of the AC voltage applied to the electrostatic electrode 1111b.
  • step (j) is performed after the first through Nth AC voltages applied to the first through Nth chuck electrodes 1111b1 through 1111b3, respectively, are reduced to a zero voltage level. In one embodiment, step (j) is performed before the first through Nth AC voltages applied to the first through Nth chuck electrodes 1111b1 through 1111b3, respectively, are reduced to a zero voltage level.
  • the electrostatic electrode 1111c has a first arc portion 301, a second arc portion 302, a third arc portion 303, and a fourth arc portion 304, arranged in this order in the radial direction from the outer periphery toward the center.
  • the first arc portion 301 and the third arc portion 303 are connected by a first connection portion 311 (see FIG. 3), and the first arc portion 301 and the third arc portion 303 constitute a first chuck electrode 1111c1.
  • the second arc portion 302 and the fourth arc portion 304 are connected by a second connection portion 312 (see FIG. 3), and the second arc portion 302 and the fourth arc portion 304 constitute a second chuck electrode 1111c2.
  • the electrostatic chuck 1111 shown in Figures 2, 17, and 18 has a first chuck electrode 1111c1 and a second chuck electrode 1111c2, arranged in that order in the radial direction from the outer periphery toward the center. In other words, it has a double structure.
  • the chucking force F11 by the first chuck electrode 1111c1 is large, and the chucking force F12 by the second chuck electrode 1111c2 is small. This can cause an imbalance in the suction force in the radial direction of the edge ring 112A, which can cause the inner circumference of the edge ring 112A to lift up.
  • the bias in the distribution of the chucking force in the radial direction of the edge ring 112A is also suppressed at a timing when the applied voltage of the first chuck electrode 1111c1 is greater than the applied voltage of the second chuck electrode 1111c2. This helps prevent the edge ring 112A from floating up.
  • diffusion groove 113 has been described as having a circular shape, the shape is not limited to this.
  • the radial grooves 113b are provided on the ring support surface (annular region 111b) of the electrostatic chuck 1111, are connected to the annular grooves 113a, and are grooves extending from the annular grooves 113a in the radial direction of the electrostatic chuck 1111. As shown in FIG. 21, the radial grooves 113b are formed as grooves extending radially outward and inward from the annular grooves 113a. That is, one end of the radial grooves 113b is provided radially inward from the annular grooves 113a. The other end of the radial grooves 113b is provided radially outward from the annular grooves 113a.
  • the radial grooves 113b are not limited to those shown in FIG. 21, and may be formed as grooves extending from the annular grooves 113a radially outward and/or radially inward.
  • the radial grooves 113b may be formed as grooves extending from the annular grooves 113a radially outward and/or radially inward.
  • the radial grooves 113b may be formed as grooves extending from the annular grooves 113a radially outward and/or radially inward.
  • the heat transfer gas supplied from the supply hole (not shown) is diffused in the circumferential direction of the ring support surface by the annular groove portion 113a. Furthermore, the heat transfer gas is diffused in the radial direction of the ring support surface by the radial groove portion 113b. In other words, the heat transfer gas is diffused over the entire ring support surface.
  • the annular groove portion 113a is provided at a position that does not overlap with each of the arc portions 301 to 304 of the electrostatic electrode 1111c.
  • the annular groove portion 113a is provided on the outer circumferential side of the third arc portion 303 and on the inner circumferential side of the second arc portion 302. That is, in the radial direction, the inner circumferential side surface of the annular groove portion 113a coincides with or is provided on the outer side of the outer circumferential end face of the third arc portion 303.
  • the outer circumferential side surface of the annular groove portion 113a coincides with or is provided on the inner side of the inner circumferential end face of the second arc portion 302.
  • the annular groove portion 113a and the arc portions 301 to 304 of the electrostatic electrode 1111c are described as being provided in positions where they do not overlap, but this is not limited to the above. They may be configured to overlap partially.
  • the overlapping area between the annular groove portion 113a and the third arc portion 303 is 17% or less of the area of the third arc portion 303.
  • the radial grooves 113b are provided at positions that overlap partially with the arc portions 301 to 304 of the electrostatic electrode 1111c.
  • the radial grooves 113b are provided so as to overlap with the second arc portion 302 and the third arc portion 303.
  • the adhesive force F can be expressed by the following formula (2). Note that C is the combined capacitance, V is the voltage, and d is the distance between the plates (the distance between the electrostatic electrode 1111c and the edge ring 112A).
  • the annular groove portion 113a of the diffusion groove 113 is provided so as not to overlap with the electrostatic electrode 1111c. That is, the combined capacitance C in the first arc portion 301 to the fourth arc portion 304 is approximately equal. This allows the suction force in the first arc portion 301, the suction force in the second arc portion 302, the suction force in the third arc portion 303, and the suction force in the fourth arc portion 304 to be approximately equal. This improves the in-plane uniformity of the suction force by the electrostatic chuck 1111. Furthermore, the improved in-plane uniformity of the suction force allows for stable temperature control of the edge ring 112A. Furthermore, the improved in-plane uniformity of the suction force allows for suppression of micro-vibrations of the edge ring 112A.
  • the electrostatic chuck 1111 according to this embodiment having the diffusion grooves 113 reduces the position dependency of the chucking force, improving the in-plane uniformity of the chucking force. Furthermore, the improved in-plane uniformity of the chucking force also improves the uniformity of cooling of the edge ring 112A.
  • the width of the annular groove portion 113a is preferably narrower than the distance between the third arc portion 303 and the second arc portion 302. In other words, it is preferable that the width is within the range from the outer diameter of the third arc portion 303 to the inner diameter of the second arc portion 302.
  • the length (longitudinal width) of the radial groove portion 113b is preferably a length that fits between the outer diameter of the fourth arc portion 304 and the inner diameter of the first arc portion 301. Furthermore, the amount of overlap between each arc portion 302, 303 and the diffusion groove 113 is determined based on the width of the annular groove portion 113a, the length (longitudinal width) of the radial groove portion 113b, the number of the radial groove portions 113b, and the width (shortitudinal width) of the radial groove portions 113b.
  • the number of radial grooves 113b and the width (short-side width) of the radial grooves 113b are preferably such that, when the length (longitudinal width) of the radial grooves 113b and the width of the annular grooves 113a are determined, the overlap amount between the third arc portion 303 and the diffusion groove 113 is 24.5% or less with respect to the electrode area of the third arc portion 303, and the overlap amount between the second arc portion 302 and the diffusion groove 113 is 45% or less with respect to the electrode area of the second arc portion 302.
  • FIG. 24 is an example of a partial enlarged view of the annular region 111b of the electrostatic chuck 1111. Note that the partial enlarged view shown in FIG. 24 is a view of the electrostatic chuck 1111 viewed from above.
  • FIG. 25 is an example of a cross-sectional view of the electrostatic chuck 1111 and edge ring 112A taken along line D-D.
  • FIG. 26 is an example of a cross-sectional view of the electrostatic chuck 1111 and edge ring 112A taken along line E-E.
  • the ring support surface (annular region 111b) of the electrostatic chuck 1111 that supports the edge ring 112A is provided with a diffusion groove 114.
  • the diffusion groove 114 is a groove for diffusing the heat transfer gas (also called backside gas) supplied from a supply hole (not shown) in the circumferential and radial directions of the ring support surface.
  • the diffusion groove 114 has an annular groove portion 114a1, an annular groove portion 114a2, and a number of radial groove portions 114b.
  • the annular grooves 114a1 and 114a2 are provided on the ring support surface (annular region 111b) of the electrostatic chuck 1111, and are annular grooves concentric with the center of the electrostatic chuck 1111. Although not shown in the figure, a supply hole (not shown) communicates with either the annular grooves 114a1 and 114a2.
  • the radial grooves 114b are provided on the ring support surface (annular region 111b) of the electrostatic chuck 1111, and are grooves that communicate with the annular grooves 114a1 and 114a2 and extend from the annular grooves 114a1 and 114a2 in the radial direction of the electrostatic chuck 1111. That is, the radial grooves 114b communicate the annular grooves 114a1 and 114a2. Also, as shown in FIG. 24, the radial grooves 114b are formed as grooves that extend radially outward and radially inward from the annular grooves 114a1 and 114a2.
  • one end of the radial grooves 114b is provided radially inward from the innermost annular groove 114a1 of the multiple annular grooves 114a1 and 114a2. Additionally, the other end of the radial groove 114b is located radially outward from the outermost annular groove 114a2 of the multiple annular grooves 114a1, 114a2.
  • the radial grooves 114b are not limited to those shown in FIG. 24, and may be formed as grooves extending from the annular grooves 114a1 and 114a2 to at least one of the radially outward and/or radially inward directions.
  • the radial grooves 114b may be formed as grooves extending from the annular grooves 114a1 and 114a2 to at least one of the outer circumferential side and/or inner circumferential side of the electrostatic chuck 1111.
  • the radial grooves 114b have been described as being linearly arranged with a groove extending radially inward from the annular groove 114a1, a groove connecting the annular groove 114a1 to the annular groove 114a2, and a groove extending radially outward from the annular groove 114a2, but are not limited to this, and may be provided in separate portions.
  • the heat transfer gas supplied from the supply hole (not shown) is diffused in the circumferential direction of the ring support surface by the annular grooves 114a1 and 114a2. Furthermore, the heat transfer gas is diffused in the radial direction of the ring support surface by the radial grooves 114b. In other words, the heat transfer gas is diffused over the entire ring support surface.
  • the annular grooves 114a1 and 114a2 are provided at positions that do not overlap with the arc portions 301 to 304 of the electrostatic electrode 1111c.
  • the annular groove 114a1 is provided on the outer circumferential side of the fourth arc portion 304 and on the inner circumferential side of the third arc portion 303. That is, in the radial direction, the inner circumferential side surface of the annular groove 114a1 coincides with or is provided on the outer side of the outer circumferential end surface of the fourth arc portion 304.
  • the outer circumferential side surface of the annular groove 114a1 coincides with or is provided on the inner side of the inner circumferential end surface of the third arc portion 303.
  • the annular groove portion 114a2 is provided on the outer circumferential side of the second arc portion 302 and on the inner circumferential side of the first arc portion 301. That is, in the radial direction, the inner circumferential side surface of the annular groove portion 114a2 coincides with or is provided on the outer side of the outer circumferential end face of the second arc portion 302. In the radial direction, the outer circumferential side surface of the annular groove portion 114a2 coincides with or is provided on the inner side of the inner circumferential end face of the first arc portion 301.
  • the radial grooves 114b are provided at positions that overlap partially with the arc portions 301 to 304 of the electrostatic electrode 1111c. In the example shown in FIG. 26, the radial grooves 114b are provided so as to overlap with the arc portions 301 to 304.
  • the diffusion grooves 113, 114 provided in the ring support surface (annular region 111b) that supports the edge ring 112A have been described as an example, the present invention is not limited to this. The same may also be applied to the diffusion grooves in the substrate support surface (annular region 111b) that supports the substrate W. That is, the diffusion grooves provided in the substrate support surface (annular region 111b) may have one or more annular groove portions that are arranged so as not to overlap the electrostatic electrode 1111b in a planar view, and multiple radial groove portions that communicate with the annular groove portions.
  • the first chuck electrode 1111c1 includes a first arc portion 501, a first connection portion 511, and a fourth arc portion 504.
  • the second chuck electrode 1111c2 includes a second arc portion 502, a second connection portion 512, and a fifth arc portion 505.
  • the third chuck electrode 1111c3 includes a third arc portion 503, a third connection portion 513, and a sixth arc portion 506.
  • the electrostatic electrode 1111c has a first arc portion 601, a second arc portion 602, a third arc portion 603, a fourth arc portion 604, a fifth arc portion 605, a sixth arc portion 606, a seventh arc portion 607, and an eighth arc portion 608, which are arranged in this order in the radial direction from the outer periphery toward the center.
  • the electrostatic electrode 1111c also has a first connection portion 611 that connects the first arc portion 601 and the fifth arc portion 605, a second connection portion 612 that connects the second arc portion 602 and the sixth arc portion 606, a third connection portion 613 that connects the third arc portion 603 and the seventh arc portion 607, and a fourth connection portion 614 that connects the fourth arc portion 604 and the eighth arc portion 608.
  • the first chuck electrode 1111c1 includes a first arc portion 601, a first connection portion 611, and a fifth arc portion 605.
  • the second chuck electrode 1111c2 includes a second arc portion 602, a second connection portion 612, and a sixth arc portion 606.
  • the third chuck electrode 1111c3 includes a third arc portion 603, a third connection portion 613, and a seventh arc portion 607.
  • the fourth chuck electrode 1111c4 includes a fourth arc portion 604, a fourth connection portion 614, and an eighth arc portion 608.
  • the DC power supply 163b generates a DC voltage and superimposes it on the AC voltage applied to the first chuck electrode 1111c1.
  • the power supply 163 may be configured to include only one of the AC power supply 163a and the DC power supply 163b.
  • the power supply 164 includes an AC power supply 164a and a DC power supply 164b.
  • the power supply 165 includes an AC power supply 165a and a DC power supply 165b.
  • the power supply 166 includes an AC power supply 166a and a DC power supply 166b.
  • the AC voltage of the first power supply 163, the AC voltage of the second power supply 164, the AC voltage of the third power supply 165, and the AC voltage of the fourth power supply 166 are phase-shifted from each other.
  • FIG. 29 is a graph showing the relationship between the voltage and the flow of the heat transfer gas.
  • “Amplitude” indicates the amplitude of the AC voltage applied to the electrostatic electrode 1111c.
  • “Offset” indicates the offset voltage of the AC voltage applied to the electrostatic electrode 1111c.
  • the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the voltage applied to the electrostatic electrode 1111c (chuck electrodes 1111c1 and 1111c2).
  • the AC voltage applied to the chuck electrode 1111c1 is indicated by a solid line, and the AC voltage applied to the chuck electrode 1111c2 is indicated by a dashed line.
  • the self-bias voltage Vdc (-1400V in the example of FIG. 29) is indicated by a dotted line.
  • ⁇ V min is the minimum voltage difference between the voltage applied to the electrostatic electrode 1111c and the self-bias voltage Vdc.
  • the offset voltage (average voltage of one period. Center of the amplitude of the AC voltage.) is typically indicated by a thick solid line.
  • He flow the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the flow rate of He gas (heat transfer gas) supplied to the diffusion groove 113 .
  • the power supply 161 includes an AC power supply 161a and a DC power supply 161b.
  • the AC power supply 161a generates an AC voltage and applies it to the first chuck electrode 1111c1.
  • the DC power supply 161b generates an offset voltage and superimposes it on the AC voltage applied to the first chuck electrode 1111c1.
  • (b) shows the case where the voltage applied to the electrostatic electrode 1111c has an amplitude of 5000 V and an offset voltage of 0 V.
  • the minimum voltage difference ⁇ V min is 2135 V. That is, by increasing the amplitude of the applied voltage, the minimum voltage difference ⁇ V min is increased compared to (a). In this case, the fluctuation in the flow rate of He gas is suppressed.
  • the variation width ⁇ of the flow rate of He gas was 0.1 sccm. That is, by increasing the amplitude of the applied voltage, the fluctuation in the chucking force is suppressed, and the edge ring 112A is prevented from floating up.
  • the offset amount of the voltage applied to the electrostatic electrode 1111c is not limited to the self-bias voltage Vdc. It is preferable that the offset amount of the voltage applied to the electrostatic electrode 1111c is within the range of 50% to 150% of the self-bias voltage Vdc.
  • control unit 2 controls the chuck power supply 16 to control the DC voltage (offset amount) superimposed on the AC voltage applied to the electrostatic electrode 1111c (chuck electrodes 1111c1, 1111c2). This makes it possible to improve the stability of chucking while suppressing the amplitude.
  • the potential difference between the back surface of the substrate W and the electrostatic electrode 1111b is (V_HV-Vdc).
  • the electrostatic adsorption force of the substrate W is proportional to (V_HV-Vdc) /2 .
  • control unit 2 controls the voltage V_HV (solid line) applied to the electrostatic electrode 1111b from the chuck power supply 15 so that (V_HV-Vdc) is constant.
  • control unit 2 changes the voltage V_HV (solid line) applied to the electrostatic electrode 1111b from the chuck power supply 15 according to the self-bias voltage Vdc (dashed line). This makes it possible to keep the wafer chucking force constant.
  • FIG 35 is a diagram showing the wafer chucking force in an example of plasma processing.
  • HF indicates the output of the source RF signal.
  • LF indicates the output of the bias RF signal.
  • the potential indicates the direct current (DC) component of the voltage V_HV applied from the chuck power supply 15 (i.e., the voltage component of the DC power supply 158) and the self-bias voltage Vdc.
  • the wafer chucking force indicates the electrostatic chucking force of the substrate W.
  • the horizontal axis indicates time.
  • the substrate W is subjected to plasma processing using HF and LF shown in Figure 35.
  • a self-bias voltage Vdc is generated, as indicated by the dashed line.
  • the self-bias voltage Vdc changes depending on the plasma processing conditions (HF, LF).
  • Figure 37 is an example of a partially enlarged cross-sectional view of the substrate support portion 11 and a diagram showing the relationship with the electric potential.
  • the plasma processing apparatus includes: (a) placing a substrate on the substrate support surface; (b) generating a first plasma in the plasma processing chamber; (c) applying first through Nth AC voltages to the first through Nth chuck electrodes, respectively, the first through Nth AC voltages having a first voltage level and a first frequency and being phase shifted from one another; (d) ceasing generation of the first plasma; (e) changing the first to Nth AC voltage
  • the first to Nth chuck electrodes include a first chuck electrode and a second chuck electrode
  • the AC voltage generator includes: an AC power supply configured to apply the first AC voltage to the first chuck electrode; a phase adjuster electrically connected between the AC power supply and the second chuck electrode and configured to apply a second AC voltage to the second chuck electrode, the second AC voltage being phase-shifted from the first AC voltage.
  • the plasma processing apparatus according to claim 8. (Appendix 11) The phase difference between the first to Nth AC voltages is 1/N ⁇ 360°.
  • the first to Nth chuck electrodes have a circular or ring shape. 12.
  • the plasma processing apparatus is configured to perform a substrate dechucking sequence;
  • the substrate dechucking sequence includes: (g) changing the first to Nth AC voltages to a third frequency higher than the second frequency while maintaining the first voltage level; (h) generating a third plasma in the plasma processing chamber; (i) initiating a decrease in the voltage levels of the first to Nth AC voltages; (j) ceasing generation of the third plasma; 15.
  • the plasma processing apparatus according to claim 8, (Appendix 16) The step (j) after the first to Nth AC voltages have decreased to a zero voltage level; 16.
  • the plasma processing apparatus of claim 15. (Appendix 17) The step (j) before the first to Nth AC voltages are reduced to a zero voltage level. 16.
  • the first to Nth chuck electrodes include a first chuck electrode and a second chuck electrode
  • the AC voltage generator includes: a first power supply configured to apply the first AC voltage to the first chuck electrode; a second power supply configured to apply the second AC voltage to the second chuck electrode, the second AC voltage being phase shifted from the first AC voltage.
  • the plasma processing apparatus according to claim 4. (Appendix 7) The phase difference between the first to Nth AC voltages is 1/N ⁇ 360°. 7.
  • the first to Nth AC voltages have a frequency within a range of 0.01 Hz to 100 Hz. 8.
  • the first to Nth chuck electrodes have a ring shape.
  • the plasma processing apparatus of claim 9. (Appendix 12) a plasma processing chamber; a plasma generating unit configured to generate a plasma in the plasma processing chamber; an electrostatic chuck disposed within the plasma processing chamber, the electrostatic chuck including a dielectric member having a substrate support surface and a ring support surface, and first through Nth chucking electrodes (N being an integer equal to or greater than 2) disposed within the dielectric member below the substrate support surface; an AC voltage generator electrically connected to the first to Nth chuck electrodes; a controller configured to perform a substrate chucking sequence;
  • the substrate chucking sequence includes: (a) placing a substrate on the substrate support surface; (b) generating a first plasma in the plasma processing chamber; (c) applying first through Nth AC voltages to the first through Nth chuck electrodes, respectively, the first through Nth AC voltages having a first voltage level and a first frequency and being phase shifted from one another; (d)
  • the plasma generating unit includes: a source RF power generator configured to generate a source RF power for generating the plasma;
  • the source RF power is having a first power level in step (b); having a zero power level in step (d); having a second power level greater than the first power level in step (f); 13.
  • the first to Nth chuck electrodes include a first chuck electrode and a second chuck electrode
  • the AC voltage generator includes: a power supply configured to apply the first AC voltage to the first chuck electrode; a phase adjuster electrically connected between the power supply and the second chuck electrode and configured to apply a second AC voltage to the second chuck electrode that is phase shifted from the first AC voltage. 13.
  • the plasma processing apparatus of claim 12. (Appendix 15) The phase difference between the first to Nth AC voltages is 1/N ⁇ 360°. 15.
  • the plasma processing apparatus according to claim 12, (Appendix 16) The first to Nth chuck electrodes have a circular or ring shape. 16.
  • the plasma processing apparatus according to claim 12, (Appendix 17) The first to Nth chuck electrodes have a spiral shape or a nested structure. 18.
  • the plasma processing apparatus according to claim 12, (Appendix 18) The first to Nth AC voltages have frequencies within a range of 0.01 Hz to 100 Hz. 19.
  • the plasma processing apparatus is configured to perform a substrate dechucking sequence;
  • the substrate dechucking sequence includes: (g) changing the first to Nth AC voltages to a third frequency higher than the second frequency while maintaining the first voltage level; (h) generating a third plasma in the plasma processing chamber; (i) initiating a decrease in the voltage levels of the first to Nth AC voltages; (j) ceasing generation of the third plasma; 16.
  • the plasma processing apparatus according to claim 12, (Appendix 20) The step (j) performed after the first to Nth AC voltages are reduced to a zero voltage level; 20.
  • the plasma processing apparatus of claim 19. (Appendix 21) The step (j) before the first to Nth AC voltages are reduced to a zero voltage level.
  • the plasma processing apparatus of claim 19. (Appendix 22) a plasma processing chamber; a plasma generating unit that generates plasma in the plasma processing chamber; and an electrostatic chuck that is disposed in the plasma processing chamber, the electrostatic chuck comprising a dielectric member having a substrate support surface and a ring support surface, two or more chuck electrodes that are disposed within the dielectric member below the substrate support surface, an AC voltage generator that applies an AC voltage to the chuck electrodes, and a control unit that is configured to be capable of performing a process of electrostatically attracting a substrate attracted to the substrate support surface, the control unit comprising: placing a substrate on the substrate support surface; controlling the plasma generating unit to generate a first plasma in the plasma processing chamber; controlling the AC voltage generator to apply an AC voltage having a first voltage level and a first frequency to the chuck electrode; controlling the plasma generating unit to stop generation of the first plasma; controlling the AC voltage generator to change the AC voltage applied to the chuck electrode to a second frequency greater than the first frequency while maintaining the first
  • Plasma processing apparatus 10 Plasma processing chamber 11: Substrate support 111: Main body 111a: Central region 111b: Annular region 112: Ring assembly 112A: Edge ring 1110: Base 1111: Electrostatic chuck 1111a: Ceramic member (dielectric member) 1111b, 1111c Electrostatic electrode 1111b1 First chuck electrode 1111b2 Second chuck electrode 1111b3 Third chuck electrode 1111c1 First chuck electrode 1111c2 Second chuck electrode 15, 16 Chuck power supply 161 Power supply 162 Phase adjuster 163 First power supply 164 Second power supply 165 Third power supply 166 Fourth power supply 301 First arcuate portion 302 Second arcuate portion 303 Third arcuate portion 304 Fourth arcuate portion 311 First connection portion 312 Second connection portion

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Abstract

好適に静電吸着可能なプラズマ処理装置及び基板吸着方法を提供する。　プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される複数のチャック電極とを含む、静電チャックと、複数の前記チャック電極に互いに位相シフトされている交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器と、を備え、複数の前記チャック電極は、一のチャック電極及び他のチャック電極を有し、一の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、他の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、一の前記チャック電極の円弧部と、他の前記チャック電極の円弧部とは、径方向において交互に配置される、プラズマ処理装置。

Description

プラズマ処理装置及び基板吸着方法
　本開示は、プラズマ処理装置及び基板吸着方法に関する。
　特許文献１には、静電チャック上に設けられたフォーカスリングを静電吸着する静電吸着方法が開示されている。
　特許文献２には、静電チャックの電極に交流電圧を印加して、基板及びエッジリングを静電吸着する基板処理装置が開示されている。
特開２０１６－１２２７４０号公報 特開２０１６－１２２７４０号公報
　一の側面では、本開示は、好適に静電吸着可能なプラズマ処理装置及び基板吸着方法を提供する。
　上記課題を解決するために、一の態様によれば、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される複数のチャック電極とを含む、静電チャックと、複数の前記チャック電極に互いに位相シフトされている交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器と、を備え、複数の前記チャック電極は、一のチャック電極及び他のチャック電極を有し、一の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、他の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、一の前記チャック電極の円弧部と、他の前記チャック電極の円弧部とは、径方向において交互に配置される、プラズマ処理装置が提供される。
　一の側面によれば、好適に静電吸着可能なプラズマ処理装置及び基板吸着方法を提供することができる。
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。 静電チャックの静電電極の配置の一例を示す平面図。 静電チャックの静電電極の配置の他の一例を示す平面図。 静電チャックの静電電極の配置の更に他の一例を示す平面図。 ２相交流電圧の一例を示すグラフ。 ２相交流電圧の一例を示すグラフ。 エッジリングの残留吸着を示す模式断面図の一例。 エッジリングの残留吸着を示す模式断面図の一例。 静電電極に直流電圧を印加した場合の試験結果。 静電電極に交流電圧を印加した場合の試験結果。 エッジリングの交換処理の一例を示すフローチャート。 基板吸着処理の一例を示すフローチャート。 基板吸着処理の一例を示すタイムチャート。 基板吸着解除処理の一例を示すフローチャート。 基板吸着解除処理の一例を示すタイムチャート。 基板吸着解除処理の他の一例を示すタイムチャート。 一実施形態に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 静電電極に印加される交流電圧の一例を示すグラフ。 他の実施形態に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 他の実施形態に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 一実施形態に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 一実施形態に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 静電チャックの環状領域における部分拡大図の一例。 Ｂ－Ｂで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 Ｃ－Ｃで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 静電チャックの環状領域における部分拡大図の一例。 Ｄ－Ｄで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 Ｅ－Ｅで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。 静電チャックの静電電極の配置の更に他の一例を示す平面図。 静電チャックの静電電極の配置の更に他の一例を示す平面図。 電圧と伝熱ガスのフローとの関係を示すグラフ。 エッジリングの温度変化の一例を示すグラフ。 エッジリングの温度変化の一例を示すグラフ。 エッジリングの温度変化の一例を示すグラフ。 基板支持部の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例。 プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図。 プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図。 基板支持部の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例。 プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図。 基板支持部の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例。 基板支持部の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［プラズマ処理システム］
　以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置（基板処理装置）１の構成例を説明するための図の一例である。
　プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材（誘電体部材）１１１１ａと、セラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂと、セラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｃと、を含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。
　セラミック部材（誘電体部材）１１１１ａは、基板支持面（中央領域１１１ａ）及びリング支持面（環状領域１１１ｂ）を有する。
　静電電極１１１１ｂは、セラミック部材１１１１ａ内において、中央領域１１１ａの下方に配置される。静電電極１１１１ｂは、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のチャック電極（後述する図２に示すチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３）を有する。プラズマ処理装置１は、Ｎ個のチャック電極のそれぞれに電圧を印加するように構成されるチャック電源（交流電圧生成器）１５を備えている。チャック電源１５は、Ｎ個のチャック電極に対して互いに位相シフトされたＮ相の交流電圧をそれぞれ印加する。Ｎ個のチャック電極は、チャック電源１５と電気的に接続される。従って、静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａ内において基板支持面（中央領域１１１ａ）の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３を含む。そして、チャック電源１５は、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成される。第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされている。
　静電電極１１１１ｃは、セラミック部材１１１１ａ内において、環状領域１１１ｂの下方に配置される。静電電極１１１１ｃは、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のチャック電極（後述する図２に示すチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２）を有する。プラズマ処理装置１は、Ｎ個のチャック電極のそれぞれに電圧を印加するように構成されるチャック電源（交流電圧生成器）１６を備えている。チャック電源１６は、Ｎ個のチャック電極に対して互いに位相シフトされたＮ相の交流電圧をそれぞれ印加する。Ｎ個のチャック電極は、チャック電源１６と電気的に接続される。従って、静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａ内においてリング支持面（環状領域１１１ｂ）の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２を含む。そして、チャック電源１６は、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成される。第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされている。
　なお、以下の説明においては、静電電極１１１１ｂ及び静電電極１１１１ｃは、それぞれ複数の電極を有するものとして説明するが静電チャック１１１１の構成は、これに限られるものではない。静電電極１１１１ｂ及び静電電極１１１１ｃの一方が、単極の構成であってもよい。また、静電電極１１１１ｂ及び静電電極１１１１ｃの一方が、直流電圧を印加する構成であってもよい。
　なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリング１１２Ａ（図６Ａ及び図６Ｂ参照）と少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリング１１２Ａは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された第１の伝熱ガス供給部を含んでもよい。第１の伝熱ガス供給部は、基台１１１０を貫通するガス流路及び静電チャック１１１１を貫通する供給孔を介して、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給する。
　また、基板支持部１１は、リングアセンブリ１１２のエッジリング１１２Ａ（後述する図１５参照）の裏面と環状領域１１１ｂとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された第２の伝熱ガス供給部を含んでもよい。第２の伝熱ガス供給部は、基台１１１０を貫通するガス流路及び静電チャック１１１１を貫通する供給孔を介して、リングアセンブリ１１２のエッジリング１１２Ａの裏面と環状領域１１１ｂとの間の間隙（図１５等で後述する拡散溝１１３を含む）に伝熱ガスを供給する。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　次に、静電チャック１１１１の一例について、図２から図４を用いて説明する。図２は、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｂ，１１１１ｃの配置の一例を示す平面図である。図３は、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｃの配置の他の一例を示す平面図である。図４は、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｃの配置の更に他の一例を示す平面図である。なお、図２において、静電電極１１１１ｂは、３極（Ｎ＝３）の場合を例に説明する。また、図３から図４において、中央領域１１１ａの下方に配置される静電電極１１１１ｂは図示を省略している。また、図２から図４において、静電電極１１１１ｃは、２極（Ｎ＝２）の場合を例に説明する。また、図２から図４において、静電電極１１１１ｃには、ハッチングを付して明示している。
　図２に示す静電チャック１１１１の一例において、静電電極１１１１ｃは、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２を有する。第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２は、同心の環状に形成される。
　チャック電源１６は、電源１６１と、位相調整器１６２と、を含む。電源１６１は、第１のチャック電極１１１１ｃ１に交流電圧（第1の交流電圧）を印加する。ここで、電源１６１は、交流電源１６１ａと、直流電源１６１ｂと、を有する。交流電源１６１ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する。直流電源１６１ｂは、直流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１６１は、交流電源１６１ａ及び直流電源１６１ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。また、電源１６１と第２のチャック電極１１１１ｃ２との間には、位相調整器１６２が電気的に接続される。位相調整器１６２は、電源１６１から供給された交流電圧を位相シフトして、位相シフトされた交流電圧（第２の交流電圧）を第２のチャック電極１１１１ｃ２に供給する。
　また、図２に示す静電チャック１１１１の一例において、静電電極１１１１ｂは、第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２及び第３のチャック電極１１１１ｂ３を有する。第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２及び第３のチャック電極１１１１ｂ３は、渦巻き状に形成される。
　チャック電源１５は、電源１５１と、位相調整器１５２，１５３と、を含む。電源１５１は、第１のチャック電極１１１１ｂ１に交流電圧（第１の交流電圧）を印加する。ここで、電源１５１は、交流電源１５１ａと、直流電源１５１ｂと、を有する。交流電源１５１ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｂ１に印加する。直流電源１５１ｂは、直流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｂ１に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１５１は、交流電源１５１ａ及び直流電源１５１ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。また、電源１５１と第２のチャック電極１１１１ｂ２との間には、位相調整器１５２が接続される。位相調整器１５２は、電源１５１から供給された交流電圧を位相シフトして、位相シフトされた交流電圧（第２の交流電圧）を第２のチャック電極１１１１ｂ２に供給する。また、電源１５１と第３のチャック電極１１１１ｂ３との間には、位相調整器１５３が接続される。位相調整器１５３は、電源１５１から供給された交流電圧を位相シフトして、位相シフトされた交流電圧（第３の交流電圧）を第３のチャック電極１１１１ｂ３に供給する。
　図３に示す静電チャック１１１１の他の一例において、静電電極１１１１ｃは、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２を有する。第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２は、渦巻き状に形成される。静電電極１１１１ｃは、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部３０１、第２の円弧部３０２、第３の円弧部３０３、第４の円弧部３０４を有する。また、静電電極１１１１ｃは、第１の円弧部３０１と第３の円弧部３０３とを接続する第１の接続部３１１と、第２の円弧部３０２と第４の円弧部３０４とを接続する第２の接続部３１２と、を有する。
　第１のチャック電極１１１１ｃ１は、第１の円弧部３０１と、第１の接続部３１１と、第３の円弧部３０３と、を含む。第２のチャック電極１１１１ｃ２は、第２の円弧部３０２と、第２の接続部３１２と、第４の円弧部３０４と、を含む。
　また、第２のチャック電極１１１１ｃ２において、第２の円弧部３０２は、第１の円弧部３０１の側に延出する延出部３０２ａを含む。これにより、第１の接続部３１１は、外周側に第１のチャック電極１１１１ｃ１の延出部３０２ａ及び／又は第２の円弧部３０２が配置され、内周側に第１のチャック電極１１１１ｃ１の第２の接続部３１２及び／又は第４の円弧部３０４が配置される。
　また、第１のチャック電極１１１１ｃ１において、第３の円弧部３０３は、第４の円弧部３０４の側に延出する延出部３０３ａを含む。これにより、第２の接続部３１２は、外周側に第２のチャック電極１１１１ｃ２の第１の円弧部３０１及び／又は第１の接続部３１１が配置され、内周側に第２のチャック電極１１１１ｃ２の第１の接続部３１１及び／又は延出部３０３ａが配置される。
　ここで、第１のチャック電極１１１１ｃ１において、第１の接続部３１１は、第１の円弧部３０１の一端と第３の円弧部３０３の一端とを接続する。また、第２のチャック電極１１１１ｃ２において、第２の接続部３１２は、第２の円弧部３０２の一端と第４の円弧部３０４の一端とを接続する。これにより、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２は、渦巻き状に形成される。
　チャック電源１６は、第１の電源１６３と、第２の電源１６４と、を含む。第１の電源１６３は、第１のチャック電極１１１１ｃ１に交流電圧（第１の交流電圧）を印加する。ここで、電源１６３は、交流電源１６３ａと、直流電源１６３ｂと、を有する。交流電源１６３ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する。直流電源１６３ｂは、直流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１６３は、交流電源１６３ａ及び直流電源１６３ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。また、第２の電源１６４は、第２のチャック電極１１１１ｃ２に交流電圧（第２の交流電圧）を印加する。ここで、電源１６４は、交流電源１６４ａと、直流電源１６４ｂと、を有する。交流電源１６４ａは、交流電圧を生成して、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加する。直流電源１６４ｂは、直流電圧を生成して、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１６４は、交流電源１６４ａ及び直流電源１６４ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。更に、第１の電源１６３（交流電源１６３ａ）の交流電圧に対し、第２の電源１６４（交流電源１６４ａ）の交流電圧は、位相がシフトされている。
　図４に示す静電チャック１１１１の更に他の一例において、静電電極１１１１ｃは、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２を有する。第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２は、入れ子構造に形成される。静電電極１１１１ｃは、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部４０１、第２の円弧部４０２、第３の円弧部４０３、第４の円弧部４０４を有する。また、静電電極１１１１ｃは、第１の円弧部４０１と第３の円弧部４０３とを接続する第１の接続部４１１と、第２の円弧部４０２と第４の円弧部４０４とを接続する第２の接続部４１２と、を有する。
　第１のチャック電極１１１１ｃ１は、第１の円弧部４０１と、第１の接続部４１１と、第３の円弧部４０３と、を含む。第２のチャック電極１１１１ｃ２は、第２の円弧部４０２と、第２の接続部４１２と、第４の円弧部４０４と、を含む。なお、第４の円弧部４０４は、図４に示すように円環形状に形成されていてもよい。
　また、第２のチャック電極１１１１ｃ２において、第２の円弧部４０２は、第１の円弧部４０１の側に延出する延出部４０２ａを含む。
　ここで、第１のチャック電極１１１１ｃ１において、第１の接続部４１１は、第１の円弧部４０１の途中（第１の円弧部４０１の一端と第１の円弧部４０１の他端の間）と第３の円弧部４０３の途中（第３の円弧部４０３の一端と第３の円弧部４０３の他端の間）とを接続する。また、第２のチャック電極１１１１ｃ２において、第２の接続部４１２は、第２の円弧部４０２の途中（第２の円弧部４０２の一端と第２の円弧部４０２の他端の間）と第４の円弧部４０４の途中（第４の円弧部４０４の一端と第４の円弧部４０４の他端の間）とを接続する。これにより、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２は、入れ子構造に形成される。
　図２に示す静電電極１１１１ｃにおいて、図３に示すように第１の電源１６３及び第２の電源１６４から交流電圧が印加される構成であってもよい。また、図３に示す静電電極１１１１ｃにおいて、図２に示すように電源１６１及び位相調整器１６２から交流電圧が印加される構成であってもよい。また、図４に示す静電電極１１１１ｃにおいて、図２に示すように電源１６１及び位相調整器１６２から交流電圧が印加される構成であってもよく、図３に示すように第１の電源１６３及び第２の電源１６４から交流電圧が印加される構成であってもよい。
　図２に示す静電電極１１１１ｂにおいて、渦巻き状に形成されるものとして説明したが、これに限られるものではない。静電電極１１１１ｂは、環状（図２の静電電極１１１１ｃ参照）に形成されていてもよく、入れ子構造（図４の静電電極１１１１ｃ参照）に形成されていてもよい。一実施形態において、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３は、同心円状に配置される円形状またはリング形状を有する。一実施形態において、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３は、渦巻き形状または入れ子構造を有する。一実施形態において、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２は、同心円状に配置されるリング形状を有する。一実施形態において、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２は、渦巻き形状または入れ子構造を有する。
　また、図２に示すチャック電源１５において、電源１５１と、位相調整器１５２，１５３と、を含むものとして説明したが、これに限られるものではない。３つのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３に対して３つの電源がそれぞれ電気的に接続される構成であってもよい。
　図５Ａ及び図５Ｂは、交流電圧の一例を示すグラフである。図５Ａは、２相交流電圧の一例を示すグラフである。図５Ｂは、３相交流電圧の一例を示すグラフである。縦軸は印加電圧を示し、横軸は時間を示す。
　図５Ａにおいて、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加される交流電圧の一例を実線のグラフで示し、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加される交流電圧の一例を破線のグラフで示す。
　チャック電源１６によって静電電極１１１１ｃの各電極（第１のチャック電極１１１１ｃ１、第２のチャック電極１１１１ｃ２）にそれぞれ印加される交流電圧は、同じ最大振幅を有し、同じ周波数を有し、互いに異なる位相を有している。例えば、第１のチャック電極１１１１ｃ１、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加される交流電圧の位相差は９０°に設定される。これにより、第１のチャック電極１１１１ｃ１と第２のチャック電極１１１１ｃ２との間に、電位差ΔＶが形成される。このように電圧を印加することにより、静電電極１１１１ｃの極数が２極であっても、静電チャック１１１１がリングアセンブリ１１２のエッジリング１１２Ａ（図６Ａ及び図６Ｂ参照）を吸着する吸着力を一定とすることができる。
　また、静電電極１１１１ｃの極数がＮ個である場合、Ｎ相の交流電圧は、振幅Ａとし、周波数ｆとして、以下の式（１）で表される。なお、ｎはＮ以下の各電極に対応する個別の整数である。図５Ｂは、３相の交流電圧の一例を示す。
　Ａｓｉｎ（２πｆｔ＋ｎ／Ｎ×３６０°）・・・（１）
　また、ある電極において、内周側の他の電極との位相差は（１／Ｎ×３６０°）であり、外周側の他の電極との位相差は（１／Ｎ×３６０°）である。このため、隣接する電極間の電位差を小さくすることができる。これにより、電極間のショートを抑制することができる。
　換言すれば、電極間の間隔を狭めることができ、電極の面積（径方向幅）を広くすることができる。これにより、リング支持面（環状領域１１１ｂ）における静電電極１１１１ｃが占める割合を増やすことができる。ここで、吸着力は電極の形成された位置で発生し、電極間の絶縁領域においては吸着力が発生しない。静電チャック１１１１によれば、電極の面積を広くすることで、エッジリング１１２Ａの吸着力を向上させることができる。また、吸着力の面内均一性を向上させることができる。なお、エッジリング１１２Ａを吸着する静電電極１１１１ｃを例に説明したが、基板Ｗを吸着する静電電極１１１１ｂについても同様である。
　次に、エッジリング１１２Ａの静電吸着について図６Ａ及び図６Ｂを用いて説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、エッジリング１１２Ａの残留吸着を示す模式断面図の一例である。
　図６Ａは、直流電源１６Ａから静電電極１１１１ｃに直流電圧を印加する場合を示す。ここで、エッジリング１１２Ａの洗浄や、エッジリング１１２Ａを大気雰囲気で保管する等によって、エッジリング１１２Ａの裏面（リング支持面との当接面）において、水分子６００が付着している場合がある。図６Ａの構成に示すように、静電電極１１１１ｃに直流電圧を印加した場合、静電電極１１１１ｃとエッジリング１１２Ａとの間に形成される電界とは逆向きの電界を形成にように水分子６００が整列して分極する。これにより、実効的にエッジリング１１２Ａと静電チャック１１１１との吸着力を弱める働きをする。
　また、直流電源１６Ａから静電電極１１１１ｃへの直流電圧の印加を停止した後において、水分子６００の双極子モーメントによって吸着（残留吸着）が発生する。これにより、残留吸着が低減するまでエッジリング１１２Ａを静電チャック１１１１から取り外すことができないおそれがある。
　図６Ｂは、チャック電源１６から静電電極１１１１ｃに交流電圧を印加する場合を示す。チャック電源１６は、水分子６００の分極速度よりも速い周波数、具体的には０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する交流電圧を静電電極１１１１ｃに印加する。このため、時間平均としての電界はゼロとなり、水分子６００の分極を抑制することができる。これにより、水分子６００の分極によるエッジリング１１２Ａと静電チャック１１１１との吸着力の低下を抑制することができる。また、水分子６００の分極による残留吸着を抑制することができる。
　ここで、エッジリング１１２Ａの吸着力に関する模擬的な試験結果について、図７から図８を用いて説明する。
　図７は、静電電極１１１１ｃに直流電圧を印加した場合の試験結果を示す。ここでは、静電チャック１１１１のリング支持面にエッジリング１１２Ａを載置して、直流電源１６Ａから静電電極１１１１ｃに直流電圧を印加した。その後、吸着力を測定した。最初に測定した吸着力（Ｔｒｙ１）を網掛けした棒グラフで示す。吸着力が基準値（図７において一点鎖線で示す）未満の場合、水分子６００の分極を解消するために直流電源１６Ａから静電電極１１１１ｃに印加する直流電圧の正負を３回逆転させた後、再度の吸着力を測定した。再度測定した吸着力（Ｔｒｙ２）を白抜きした棒グラフで示す。
　次に、静電電極１１１１ｃに印加する直流電圧を停止し、エッジリング１１２Ａが静電チャック１１１１から持ち上がるか否かを測定した。持ち上がらない場合、５分ごとに持ち上げを行った。持ち上がるまでの時間（換言すれば、残留吸着が十分に低下するまでの時間）を併記する。
　以上の試験を４回行った。
　図７に示すように、直流電圧による吸着の場合、最初に測定した吸着力（Ｔｒｙ１）は、基準値（図７において一点鎖線で示す）未満のものが多く含まれた。また、直流電圧の正負を３回逆転させた後に再度測定した吸着力（Ｔｒｙ２）では、基準値を超え、好適に吸着されたことを示す。
　図８は、静電電極１１１１ｃに交流電圧を印加した場合の試験結果を示す。ここでは、静電チャック１１１１のリング支持面にエッジリング１１２Ａを載置して、チャック電源１６から静電電極１１１１ｃに交流電圧を印加した。その後、吸着力を測定した。
　次に、静電電極１１１１ｃに印加する交流電圧を停止し、エッジリング１１２Ａが静電チャック１１１１から持ち上がるか否かを測定した。持ち上がらない場合、５分ごとに持ち上げを行った。持ち上がるまでの時間（換言すれば、残留吸着が十分に低下するまでの時間）を併記する。
　以上の試験を５回行った。
　図８に示すように、交流電圧による吸着の場合、最初に測定した吸着力から基準値（図８において一点鎖線で示す）を超えることが確認できた。
　また、交流電圧による吸着の場合、待機時間を経過することなく（０ｍｉｎ）、エッジリング１１２Ａを持ち上げることができた。即ち、残留吸着が十分に低減されていることを確認できた。
＜エッジリング１１２Ａの交換処理＞
　次に、エッジリング１１２Ａを交換する処理（エッジリング交換シーケンス）について、図９を用いて説明する。図９は、エッジリング１１２Ａの交換処理の一例を示すフローチャートである。ここでは、静電チャック１１１１のリング支持面に載置された使用済みエッジリング（第１のエッジリング）１１２Ａを未使用エッジリング（第２のエッジリング）１１２Ａ'に交換する場合について説明する。
　なお、交換処理の開始時において、静電チャック１１１１のリング支持面に使用済みエッジリング（第１のエッジリング）１１２Ａが載置され、静電電極１１１１ｃに交流電圧が印加され、使用済みエッジリング１１２Ａが静電チャック１１１１に吸着されているものとする。
　ステップＳ１０１において、制御部２は、チャック電源１６を制御して、静電電極１１１１ｃに印加する交流電圧を停止する。
　ステップＳ１０２において、制御部２は、静電チャック１１１１のリング支持面から使用済みエッジリング１１２Ａを取り外す。例えば、制御部２は、搬送装置（図示せず）を制御して、使用済みエッジリング１１２Ａを静電チャック１１１１のリング支持面から取り外し、使用済みエッジリング１１２Ａをプラズマ処理チャンバ１０外に搬出する。ここで、図８に示すように、静電電極１１１１ｃに印加する電圧として交流電圧を用いることにより、残留吸着を抑制することができる。よって、残留吸着力が低減するまでの待ち時間を削減または不要とすることができ、使用済みエッジリング１１２Ａを取り外すことができる。
　ステップＳ１０３において、制御部２は、静電チャック１１１１のリング支持面に未使用エッジリング（第２のエッジリング）１１２Ａ'を載置する。例えば、制御部２は、搬送装置（図示せず）を制御して、未使用エッジリング１１２Ａ'をプラズマ処理チャンバ１０内に搬入し、未使用エッジリング１１２Ａ'を静電チャック１１１１のリング支持面に載置する。
　ステップＳ１０４において、制御部２は、チャック電源１６を制御して、静電電極１１１１ｃに交流電圧を印加する。ここで、図８に示すように、１回の吸着処理で好適に未使用エッジリング１１２Ａ'を吸着することができる。
　従って、上述したエッジリング交換シーケンスは、下記の工程（ａ）～（ｄ）を含む。
（ａ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程、
（ｂ）リング支持面（環状領域１１１ｂ）上の第１のエッジリング１１２Ａを取り外す工程、
（ｃ）リング支持面（環状領域１１１ｂ）上に第２のエッジリング１１２Ａ'を載置する工程、
（ｄ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｃ１～１１１１ｃ２にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程。
　これによれば、好適にエッジリング１１２Ａを静電吸着することができる。また、エッジリング１１２Ａ'は、次に交換がなされるまで静電吸着され続ける。このため、直流電圧を印加する構成では、残留吸着が大きくなるおそれがある。これに対し、交流電圧を用いることにより、残留吸着を抑制することができる。
　なお、ステップＳ１０２及びステップＳ１０３における使用済みエッジリング１１２Ａの取り外し及び未使用エッジリング１１２Ａ'の載置は、プラズマ処理チャンバ１０を開き大気開放した状態で、オペレータが作業してもよい。
＜基板Ｗの吸着処理＞
　次に、基板Ｗの吸着処理（基板チャックシーケンス）について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、基板Ｗの吸着処理の一例を示すフローチャートである。図１１は、基板Ｗの吸着処理の一例を示すタイムチャートである。図１１において、ＨＦは、プラズマ生成用の高周波電力を示す。即ち、第１のＲＦ生成部３１ａが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を示す。ＡＣＶｏｌｔａｇｅは、静電電極１１１１ｂに印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。ＡＣＦｒｅｑｕｅｎｃｙは、静電電極１１１１ｂに印加される高周波電圧の周波数（式（１）における周波数ｆに相当）を示す。なお、静電電極１１１１ｂは例えば３極のチャック電極１１１１ｂ１，１１１１ｂ２，１１１１ｂ３（図２参照）であって、３極のチャック電極１１１１ｂ１，１１１１ｂ２，１１１１ｂ３のそれぞれに式（１）に示すように位相差１２０°の高周波電圧が印加される。ＡＣＦＲ－ａは、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。ＡＣＦＲ－ｂは、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。なお、図１０及び図１１に示す処理において、エッジリング１１２Ａは静電チャック１１１１に吸着された状態を維持している。
　なお、基板Ｗの吸着処理の開始時において、静電チャック１１１１のリング支持面にエッジリング１１２Ａが載置され、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２に交流電圧が印加され、エッジリング１１２Ａが静電チャック１１１１に吸着されているものとする。
　ステップＳ２０１において、制御部２は、基板Ｗを静電チャック１１１１の基板支持面（中央領域１１１ａ）に載置する。
　ステップＳ２０２において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内に除電用のプラズマ（第１のプラズマ）を生成する。ここでは、第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極にプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を供給する。これにより、プラズマ処理チャンバ１０内に除電用のプラズマを生成する。このプラズマに基板Ｗの表面が曝されることにより、基板Ｗの表面に帯電した電荷を逃がすことができる。
　ステップＳ２０３において、制御部２は、チャック電源１５を制御して、静電電極１１１１ｂに交流電圧を印加する。ここでは、第１の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）及び第１の周波数（式（１）における周波数ｆに相当）の交流電圧を印加する。ここで、第１の周波数は、水分子６００の分極速度よりも速い周波数、具体的には、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数である。
　ステップＳ２０４において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内の除電用プラズマ生成を停止する。
　ステップＳ２０５において、制御部２は、チャック電源１５を制御して、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の周波数を変更する。ここでは、第１の電圧レベルを維持しつつ、周波数を第１の周波数から第１の周波数よりも小さな周波数である第２の周波数に変更する。
　ステップＳ２０６において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内に基板処理用のプラズマ（第２のプラズマ）を生成する。ここでは、第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極にプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を供給する。
　従って、上述した基板チャックシーケンスは、以下の工程（ａ）～（ｆ）を含む。
（ａ）基板支持面（中央領域１１１ａ）に基板Ｗを載置する工程、
（ｂ）プラズマ処理チャンバ１０内に第１のプラズマを生成する工程、
（ｃ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加する工程（第１～第Ｎの交流電圧は、第１の電圧レベル及び第１の周波数を有し、互いに位相シフトされている）、
（ｄ）第１のプラズマの生成を停止する工程、
（ｅ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧を、第１の電圧レベルに維持しつつ、第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程、
（ｆ）プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程。
　これにより、プラズマ処理チャンバ１０内に基板処理用のプラズマを生成する。また、ソースＲＦ電力は、工程（ｂ）において第１の電力レベルを有し、工程（ｄ）においてゼロ電力レベルを有し、工程（ｆ）において第１の電力レベルよりも大きい第２の電力レベルを有する。
　図１０及び図１１に示す処理によれば、ステップＳ２０３おいて、基板処理（Ｓ２０６）における静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の周波数（第２の周波数）よりも高い周波数である第１の周波数で基板Ｗを静電吸着する。これにより、基板Ｗの表面に吸着した水分子６００の分極速度よりも速い周波数（例えば、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数）の交流電圧を静電電極１１１１ｃに印加することにより、時間平均としての電界はゼロとなり、水分子６００の分極を抑制することができる。これにより、水分子６００の分極によるエッジリング１１２Ａと静電チャック１１１１との吸着力の低下を抑制することができる。
　また、ステップＳ２０５おいて、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の周波数を第２の周波数（第１の周波数＞第２の周波数）に変更する。これにより、ステップＳ２０６の基板処理において、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧が基板処理に与える影響を抑制することができる。
＜基板Ｗの吸着解除処理＞
　次に、基板Ｗの吸着解除処理（基板デチャックシーケンス）について、図１２から図１４を用いて説明する。図１２は、基板Ｗの吸着解除処理の一例を示すフローチャートである。図１３は、基板Ｗの吸着解除処理の一例を示すタイムチャートである。図１４は、基板Ｗの吸着解除処理の他の一例を示すタイムチャートである。図１３及び図１４において、ＨＦは、プラズマ生成用の高周波電力を示す。即ち、第１のＲＦ生成部３１ａが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を示す。ＡＣＶｏｌｔａｇｅは、静電電極１１１１ｂに印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。ＡＣＦｒｅｑｕｅｎｃｙは、静電電極１１１１ｂに印加される高周波電圧の周波数（式（１）における周波数ｆに相当）を示す。なお、静電電極１１１１ｂは例えば３極のチャック電極１１１１ｂ１，１１１１ｂ２，１１１１ｂ３（図２参照）であって、３極のチャック電極１１１１ｂ１，１１１１ｂ２，１１１１ｂ３のそれぞれに式（１）に示すように位相差１２０°の高周波電圧が印加される。ＡＣＦＲ－ａは、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。ＡＣＦＲ－ｂは、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加される高周波電圧の電圧レベル（式（１）における振幅Ａに相当）を示す。なお、図１０及び図１１に示す処理において、エッジリング１１２Ａは静電チャック１１１１に吸着された状態を維持している。
　なお、基板Ｗの吸着解除処理の開始時において、静電チャック１１１１のリング支持面にエッジリング１１２Ａが載置され、第１のチャック電極１１１１ｃ１及び第２のチャック電極１１１１ｃ２に交流電圧が印加され、エッジリング１１２Ａが静電チャック１１１１に吸着されているものとする。また、静電チャック１１１１の基板支持面に基板Ｗが載置され、第１のチャック電極１１１１ｂ１～第３のチャック電極１１１１ｃ３に交流電圧が印加され、基板Ｗが静電チャック１１１１に吸着されているものとする。なお、第１のチャック電極１１１１ｂ１～第３のチャック電極１１１１ｃ３に交流電圧は、第１の電圧レベルと、第２の周波数を有する。
　ステップＳ３０１において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内に基板処理用のプラズマ（第２のプラズマ）を生成する。これにより、基板Ｗにプラズマ処理を施す。ここでは、第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極にプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を供給する。これにより、プラズマ処理チャンバ１０内に基板処理用のプラズマを生成する。
　ステップＳ３０２において、制御部２は、チャック電源１５を制御して、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の周波数を変更する。ここでは、第１の電圧レベルを維持しつつ、周波数を第２の周波数から第２の周波数よりも大きな周波数である第３の周波数に変更する。ここで、第３の周波数は、水分子６００の分極速度よりも速い周波数、具体的には、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数である。
　ステップＳ３０３において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内に除電用のプラズマ（第３のプラズマ）を生成する。ここでは、第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極にプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を供給する。これにより、プラズマ処理チャンバ１０内に除電用のプラズマを生成する。このプラズマに基板Ｗの表面が曝されることにより、基板Ｗの表面に帯電した電荷を逃がすことができる。
　ステップＳ３０４において、制御部２は、チャック電源１５を制御して、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルの減少を開始する。
　ステップＳ３０５において、制御部２は、プラズマ生成部を制御して、プラズマ処理チャンバ１０内の除電用プラズマ生成を停止する。
　なお、図１３に示すように、ステップＳ３０５に示すプラズマの生成を停止する時点において、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルを十分に小さくし、ステップＳ３０５に示すプラズマの生成を停止した後に、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルをゼロとしてもよい。
　また、図１３では、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルを連続的に減少させるものとして図示しているが、これに限られるものではない。例えば、静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルを多段階でステップ状に減少させるものとしてもよい。
　また、図１４に示すように、ステップＳ３０５に示すプラズマの生成を停止する前に静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の電圧レベルをゼロとしてもよい。
　図１２から図１４に示す処理によれば、ステップＳ２０３おいて、基板処理（Ｓ３０１）における静電電極１１１１ｂに印加する交流電圧の周波数（第２の周波数）よりも高い周波数である第３の周波数を印加する。これにより、水分子６００の分極によるエッジリング１１２Ａと静電チャック１１１１との残留吸着を抑制することができる。
　従って、上述した基板デチャックシーケンスは、以下の工程（ｇ）～（ｊ）を含む。
（ｇ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧を、第１の電圧レベルに維持しつつ、第２の周波数よりも大きい第３の周波数に変更する工程、
（ｈ）プラズマ処理チャンバ内に第３のプラズマを生成する工程、
（ｉ）第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧の電圧レベルの減少を開始する工程、
（ｊ）第３のプラズマの生成を停止する工程。
　一実施形態において、工程（ｊ）は、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少した後に行われる。一実施形態において、工程（ｊ）は、第１～第Ｎのチャック電極１１１１ｂ１～１１１１ｂ３にそれぞれ印加される第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少する前に行われる。
　次に、図３に示す静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｃによるエッジリング１１２Ａの静電吸着の一例について、図１５から図２０を用いて説明する。
　図１５は、一実施形態に係る静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。ここでは、図３に示す静電電極１１１１ｃを有する静電チャック１１１１を例に説明する。図１５は、Ａ－Ａ（図３参照）で切断した静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。また、図１５（及び後述する図１７から図２６）において、左側が静電チャック１１１１の中心側に相当し、右側が静電チャック１１１１の外周側に相当する。
　エッジリング１１２Ａを支持する静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）には、拡散溝１１３が設けられている。拡散溝１１３は、エッジリング１１２Ａとリング支持面との間の空隙に伝熱ガスを拡散させる。また、拡散溝１１３は、伝熱ガス供給部から供給孔を介して供給された伝熱ガス（裏面ガスともいう。）をリング支持面の周方向及び径方向に拡散させるための溝である。拡散溝１１３は、静電チャック１１１１の中心と同心の円環形状の溝である。なお、図示は省略するが、供給孔は拡散溝１１３と連通する。
　静電電極１１１１ｃは、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部３０１、第２の円弧部３０２、第３の円弧部３０３、第４の円弧部３０４を有する。第１の円弧部３０１と第３の円弧部３０３とは、第１の接続部３１１（図３参照）で接続されており、第１の円弧部３０１及び第３の円弧部３０３は、第１のチャック電極１１１１ｃ１を構成する。第２の円弧部３０２と第４の円弧部３０４とは、第２の接続部３１２（図３参照）で接続されており、第２の円弧部３０２及び第４の円弧部３０４は、第２のチャック電極１１１１ｃ２を構成する。
　また、環状領域１１１ｂには、外周側から第１の円弧部３０１が配置される第１の円環領域と、第２の円弧部３０２が配置される第２の円環領域と、第３の円弧部３０３が配置される第３の円環領域と、第４の円弧部３０４が配置される第４の円環領域と、を有する。第１の接続部３１１は、第１の円環領域の第１の円弧部３０１から第２の円環領域を通り、第３の円環領域の第３の円弧部３０３へと接続する。第２の円環領域の第２の円弧部３０２は、切り欠き部を有しており、その切り欠き部に第１の接続部３１１が配置される。第２の接続部３１２は、第２の円環領域の第２の円弧部３０２から第３の円環領域を通り、第４の円環領域の第４の円弧部３０４へと接続する。第３の円環領域の第３の円弧部３０３は、切り欠き部を有しており、その切り欠き部に第２の接続部３１２が配置される。
　図１６は、静電電極１１１１ｃに印加される交流電圧の一例を示すグラフである。図１６において、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加される交流電圧の一例を実線のグラフで示し、第２のチャック電極１１１１ｃ２に印加される交流電圧の一例を破線のグラフで示す。ここでは、第１のチャック電極１１１１ｃ１には、振幅ＷＡＣの交流電圧が印加される。また、第２のチャック電極１１１１ｃ２には、振幅ＷＡＣであって、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加される交流電圧とは位相が異なる交流電圧が印加される。また、図１６において、タイミングＴ１は、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧と第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧とが異なるタイミングである。また、タイミングＴ２は、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧と第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧とが等しいタイミングである。
　図１７及び図１８は、他の実施形態に係る静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。ここでは、図２に示す静電電極１１１１ｃを有する静電チャック１１１１の例を示す。また、図１７では、タイミングＴ１（図１６参照）における吸着力の大きさを白抜き矢印の長さで示す。図１８では、タイミングＴ２（図１６参照）における吸着力の大きさを白抜き矢印の長さで示す。
　図２及び図１７，１８に示す静電チャック１１１１は、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１のチャック電極１１１１ｃ１、第２のチャック電極１１１１ｃ２を有する。即ち、２重の構造となっている。
　図１６に示すタイミングＴ１において、第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧の方が第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧よりも大きい。このため、図１７に示すように、第１のチャック電極１１１１ｃ１による吸着力Ｆ１１は小さく、第２のチャック電極１１１１ｃ２による吸着力Ｆ１２は大きくなる。このため、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力に偏りが生じて、エッジリング１１２Ａの外周側が浮き上がるおそれがある。なお、図示は省略するが、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧の方が第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧の方よりも大きいタイミングにおいては、第１のチャック電極１１１１ｃ１による吸着力Ｆ１１は大きく、第２のチャック電極１１１１ｃ２による吸着力Ｆ１２は小さくなる。このため、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力に偏りが生じて、エッジリング１１２Ａの内周側が浮き上がるおそれがある。
　図１６に示すタイミングＴ２において、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧と第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧とは同等となっている。このため、図１８に示すように、第１のチャック電極１１１１ｃ１による吸着力Ｆ１３と、第２のチャック電極１１１１ｃ２による吸着力Ｆ１４とは、等しくなる。
　このように、図２及び図１７，１８に示す静電チャック１１１１においては、エッジリング１１２Ａの吸着安定性が低下するおそれがある。エッジリング１１２Ａの吸着安定性が低下することにより、拡散溝１１３からプラズマ処理空間１０ｓにリークする伝熱ガスが増えるおそれがある。また、エッジリング１１２Ａと本体部１１１との接触が低下することで、エッジリング１１２Ａから本体部１１１への伝熱性が低下するおそれがある。
　図１９及び図２０は、一実施形態に係る静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。ここでは、図１５と同様に、図３に示す静電電極１１１１ｃを有する静電チャック１１１１の例を示す。また、図１９では、タイミングＴ１（図１６参照）における吸着力の大きさを白抜き矢印の長さで示す。図２０では、タイミングＴ２（図１６参照）における吸着力の大きさを白抜き矢印の長さで示す。
　図３及び図１９，２０に示す静電チャック１１１１は、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部３０１（第１のチャック電極１１１１ｃ１）、第２の円弧部３０２（第２のチャック電極１１１１ｃ２）、第３の円弧部３０３（第１のチャック電極１１１１ｃ１）、第４の円弧部３０４（第２のチャック電極１１１１ｃ２）、を有する。即ち、４重の構造となっている。
　図１６に示すタイミングＴ１において、第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧の方が第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧よりも大きい。このため、図１９に示すように、第１のチャック電極１１１１ｃ１による吸着力Ｆ２１，Ｆ２３は小さく、第２のチャック電極１１１１ｃ２による吸着力Ｆ２２，Ｆ２４は大きくなる。しかしながら、第１のチャック電極１１１１ｃ１と第２のチャック電極１１１１ｃ２とが径方向にみて交互に配置されることにより、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力の分布の偏りを抑制する。これにより、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを抑制することができる。なお、図示は省略するが、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧の方が第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧の方よりも大きいタイミングにおいても同様に、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力の分布の偏りを抑制する。これにより、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを抑制することができる。
　図１６に示すタイミングＴ２において、第１のチャック電極１１１１ｃ１の印加電圧と第２のチャック電極１１１１ｃ２の印加電圧とは同等となっている。このため、図２０に示すように、第１のチャック電極１１１１ｃ１による吸着力Ｆ１３と、第２のチャック電極１１１１ｃ２による吸着力Ｆ１４とは、等しくなる。
　このように、図３及び図１５、図１９，２０に示す静電チャック１１１１においては、チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２は、多重環構造を有する。即ち、チャック電極１１１１ｃ１は、径の異なる第１の円弧部３０１及び第３の円弧部３０３を有する。また、チャック電極１１１１ｃ２は、径の異なる第２の円弧部３０２及び第４の円弧部３０４を有する。そして、チャック電極１１１１ｃ１の円弧部とチャック電極１１１１ｃ２の円弧部とは、径方向に交互に配置される。即ち、一のチャック電極は複数の円弧部を有し、他のチャック電極は複数の円弧部を有し、一のチャック電極の円弧部と他のチャック電極の円弧部とは、径方向において交互に配置される。これにより、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力の分布の偏りを抑制する。これにより、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを抑制することができる。
　また、チャック電極１１１１ｃ１は、第１の円弧部３０１と第３の円弧部３０３とを接続する第１の接続部３１１を有する。また、チャック電極１１１１ｃ２は、第２の円弧部３０２と第４の円弧部３０４とを接続する第２の接続部３１２を有する。これにより、複数の円弧部に対して、１つの電源から電圧を印加することができる。よって、電源１６３，１６４からチャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２への給電ラインの増加を抑制することができる。
　なお、拡散溝１１３の形状は、円環状であるものとして説明したが、これに限られるものではない。
　図２１は、静電チャック１１１１の環状領域１１１ｂにおける部分拡大図の一例である。なお、図２１に示す部分拡大図は静電チャック１１１１を上方から見た図である。図２２は、Ｂ－Ｂで切断した静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。図２３は、Ｃ－Ｃで切断した静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。
　エッジリング１１２Ａを支持する静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）には、拡散溝１１３が設けられている。拡散溝１１３は、エッジリング１１２Ａとリング支持面との間の空隙に伝熱ガスを拡散させる。また、拡散溝１１３は、供給孔（図示せず）から供給された伝熱ガス（裏面ガスともいう。）をリング支持面の周方向及び径方向に拡散させるための溝である。
　拡散溝１１３は、円環状溝部１１３ａと、複数の放射状溝部１１３ｂと、を有する。
　円環状溝部１１３ａは、静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられ、静電チャック１１１１の中心と同心の円環形状の溝である。なお、図示は省略するが、供給孔（図示せず）は円環状溝部１１３ａと連通する。
　放射状溝部１１３ｂは、静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられ、円環状溝部１１３ａと連通し、円環状溝部１１３ａから静電チャック１１１１の径方向に伸びる溝である。また、図２１に示すように、放射状溝部１１３ｂは、円環状溝部１１３ａから径方向外側及び径方向内側に伸びる溝として形成される。即ち、放射状溝部１１３ｂの一端は、円環状溝部１１３ａよりも径方向内側に設けられる。また、放射状溝部１１３ｂの他端は、円環状溝部１１３ａよりも径方向外側に設けられる。
　なお、放射状溝部１１３ｂは、図２１に示すものに限られず、円環状溝部１１３ａから径方向外側及び／又は径方向内側の少なくとも一方に伸びる溝として形成されてもよい。また、放射状溝部１１３ｂは、円環状溝部１１３ａから静電チャック１１１１の外周側及び／又は静電チャック１１１１の内周側の少なくとも一方に伸びる溝として形成されてもよい。
　このように、供給孔（図示せず）から供給された伝熱ガスは、円環状溝部１１３ａによってリング支持面の周方向に拡散される。更に、伝熱ガスは、放射状溝部１１３ｂによってリング支持面の径方向に拡散される。即ち、伝熱ガスは、リング支持面の全体にわたって拡散される。
　また、リング支持面を平面視した際、円環状溝部１１３ａは、静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４と重ならない位置に設けられる。図２２に示す例では、円環状溝部１１３ａは、第３の円弧部３０３よりも外周側かつ、第２の円弧部３０２よりも内周側に設けられる。即ち、径方向において、円環状溝部１１３ａの内周側側面は、第３の円弧部３０３の外周側端面と一致又は外側に設けられる。また、径方向において、円環状溝部１１３ａの外周側側面は、第２の円弧部３０２の内周側端面と一致又は内側に設けられる。
　なお、図２２では、円環状溝部１１３ａと静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４とは、重ならない位置に設けられるものとして説明したが、これに限られるものではない。一部がオーバーラップする構成であってもよい。例えば、円環状溝部１１３ａの内周側が第３の円弧部３０３とオーバーラップする場合、第３の円弧部３０３の面積に対する円環状溝部１１３ａと第３の円弧部３０３とがオーバーラップする面積が１７％以下であることが好ましい。同様に、円環状溝部１１３ａの外周側が第２の円弧部３０２とオーバーラップする場合、第２の円弧部３０２の面積に対する円環状溝部１１３ａと第２の円弧部３０２とがオーバーラップする面積が３６％以下であることが好ましい。
　また、リング支持面を平面視した際、放射状溝部１１３ｂは、静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４と一部が重なる位置に設けられる。図２３に示す例では、放射状溝部１１３ｂは、第２の円弧部３０２及び第３の円弧部３０３と重なるように設けられる。
　次に、エッジリング１１２Ａを静電吸着する吸着力について説明する。
　ここで、吸着力Ｆは、以下の式（２）で表すことができる。なお、Ｃは合成容量であり、Ｖは電圧であり、ｄは極板間距離（静電電極１１１１ｃとエッジリング１１２Ａとの距離）である。
　Ｆ＝ＣＶ２／２ｄ　　　・・・（２）
　式（１）に示すように、静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４に印加する電圧Ｖが等しく、極板間距離ｄが等しい場合であっても、合成容量Ｃが異なると吸着力Ｆが異なることとなる。
　拡散溝１１３の円環状溝部１１３ａは、静電電極１１１１ｃと重ならないように設けられる。即ち、第１の円弧部３０１～第４の円弧部３０４における合成容量Ｃは、略等しくなる。これにより、第１の円弧部３０１における吸着力、第２の円弧部３０２における吸着力、第３の円弧部３０３における吸着力、第４の円弧部３０４における吸着力を略等しくすることができる。これにより、静電チャック１１１１による吸着力の面内均一性が向上する。また、吸着力の面内均一性が向上することで、エッジリング１１２Ａの温度制御を安定とすることができる。また、吸着力の面内均一性が向上することで、エッジリング１１２Ａの微振動を抑制することができる。
　このように、拡散溝１１３を有する本実施形態に係る静電チャック１１１１によれば、吸着力の位置依存が緩和され、吸着力の面内均一性が向上する。また、吸着力の面内均一性が向上することで、エッジリング１１２Ａの冷却の均一性も向上する。
　なお、円環状溝部１１３ａの幅は、第３の円弧部３０３と第２の円弧部３０２との間隔よりも狭いことが好ましい。換言すれば、第３の円弧部３０３の外径から第２の円弧部３０２の内径までの間に収まる幅であることが好ましい。
　放射状溝部１１３ｂの長さ（長手方向の幅）は、第４の円弧部３０４の外径から第１の円弧部３０１の内径までの間に収まる長さであることが好ましい。また、各円弧部３０２，３０３と拡散溝１１３とのオーバーラップ量は、円環状溝部１１３ａの幅、放射状溝部１１３ｂの長さ（長手方向の幅）、放射状溝部１１３ｂの個数及び放射状溝部１１３ｂの幅（短手方向の幅）に基づいて定まる。放射状溝部１１３ｂの個数及び放射状溝部１１３ｂの幅（短手方向の幅）は、放射状溝部１１３ｂの長さ（長手方向の幅）及び円環状溝部１１３ａの幅が定められたとき、第３の円弧部３０３の電極面積に対して第３の円弧部３０３と拡散溝１１３とのオーバーラップ量が２４．５％以下となり、かつ、第２の円弧部３０２の電極面積に対して第２の円弧部３０２と拡散溝１１３とのオーバーラップ量が４５％以下となるような寸法が好ましい。
　図２４は、静電チャック１１１１の環状領域１１１ｂにおける部分拡大図の一例である。なお、図２４に示す部分拡大図は静電チャック１１１１を上方から見た図である。図２５は、Ｄ－Ｄで切断した静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。図２６は、Ｅ－Ｅで切断した静電チャック１１１１及びエッジリング１１２Ａの断面図の一例である。
　エッジリング１１２Ａを支持する静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）には、拡散溝１１４が設けられている。拡散溝１１４は、供給孔（図示せず）から供給された伝熱ガス（裏面ガスともいう。）をリング支持面の周方向及び径方向に拡散させるための溝である。
　拡散溝１１４は、円環状溝部１１４ａ１と、円環状溝部１１４ａ２と、複数の放射状溝部１１４ｂと、を有する。
　円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２は、静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられ、静電チャック１１１１の中心と同心の円環形状の溝である。なお、図示は省略するが、供給孔（図示せず）は円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２のいずれかと連通する。
　放射状溝部１１４ｂは、静電チャック１１１１のリング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられ、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２と連通し、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２から静電チャック１１１１の径方向に伸びる溝である。即ち、放射状溝部１１４ｂは、円環状溝部１１４ａ１と円環状溝部１１４ａ２とを連通させる。また、図２４に示すように、放射状溝部１１４ｂは、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２から径方向外側及び径方向内側に伸びる溝として形成される。即ち、放射状溝部１１４ｂの一端は、複数の円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２のうち最内周側の円環状溝部１１４ａ１よりも径方向内側に設けられる。また、放射状溝部１１４ｂの他端は、複数の円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２のうち最外周側の円環状溝部１１４ａ２よりも径方向外側に設けられる。
　なお、放射状溝部１１４ｂは、図２４に示すものに限られず、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２から径方向外側及び／又は径方向内側の少なくとも一方に伸びる溝として形成されてもよい。また、放射状溝部１１４ｂは、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２から静電チャック１１１１の外周側及び／又は静電チャック１１１１の内周側の少なくとも一方に伸びる溝として形成されてもよい。また、放射状溝部１１４ｂは、円環状溝部１１４ａ１から径方向内側に伸びる溝、円環状溝部１１４ａ１から円環状溝部１１４ａ２に連通させる溝、円環状溝部１１４ａ２から径方向外側に伸びる溝が、直線状に配置されるものとして説明したが、これに限られるものではなく、これらが分割して設けられていてもよい。
　このように、供給孔（図示せず）から供給された伝熱ガスは、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２によってリング支持面の周方向に拡散される。更に、伝熱ガスは、放射状溝部１１４ｂによってリング支持面の径方向に拡散される。即ち、伝熱ガスは、リング支持面の全体にわたって拡散される。
　また、リング支持面を平面視した際、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２は、静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４と重ならない位置に設けられる。図２５に示す例では、円環状溝部１１４ａ１は、第４の円弧部３０４よりも外周側かつ、第３の円弧部３０３よりも内周側に設けられる。即ち、径方向において、円環状溝部１１４ａ１の内周側側面は、第４の円弧部３０４の外周側端面と一致又は外側に設けられる。また、径方向において、円環状溝部１１４ａ１の外周側側面は、第３の円弧部３０３の内周側端面と一致又は内側に設けられる。
また、円環状溝部１１４ａ２は、第２の円弧部３０２よりも外周側かつ、第１の円弧部３０１よりも内周側に設けられる。即ち、径方向において、円環状溝部１１４ａ２の内周側側面は、第２の円弧部３０２の外周側端面と一致又は外側に設けられる。また、径方向において、円環状溝部１１４ａ２の外周側側面は、第１の円弧部３０１の内周側端面と一致又は内側に設けられる。
　なお、図２５では、円環状溝部１１４ａ１，１１４ａ２と静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４とは、重ならない位置に設けられるものとして説明したが、これに限られるものではない。一部がオーバーラップする構成であってもよい。
　また、リング支持面を平面視した際、放射状溝部１１４ｂは、静電電極１１１１ｃの各円弧部３０１～３０４と一部が重なる位置に設けられる。図２６に示す例では、放射状溝部１１４ｂは、円弧部３０１～３０４と重なるように設けられる。
　また、拡散溝が有する円環状溝部の数は、これに限られず３つ以上であってもよい。例えば、拡散溝は、第４の円弧部３０４と第３の円弧部３０３との間に設けられる円環状溝部と、第３の円弧部３０３と第２の円弧部３０２との間に設けられる円環状溝部と、第２の円弧部３０２と第１の円弧部３０１との間に設けられる円環状溝部と、を有する構成であってもよい。また、拡散溝は、第４の円弧部３０４よりの内周側に円環状溝部が設けられていてもよい。また、拡散溝は、第１の円弧部３０１よりの外周側に円環状溝部が設けられていてもよい。放射状溝部は、これらの環状静電電極を連通するように設けられている。
　また、静電電極１１１１ｃは、複数の円環状に設けられるものとして説明したが、これに限られるものではない。静電電極１１１１ｃは、２つの電極がらせん状に巻き回されて形成されていてもよい。この場合、拡散溝は、平面視した際、２つの電極の間でらせん状に設けられるらせん状溝部と、複数の放射状溝部と、を有していてもよい。
　また、エッジリング１１２Ａを支持するリング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられる拡散溝１１３，１１４を例に説明したが、これに限られるものではない。基板Ｗを支持する基板支持面（環状領域１１１ｂ）における拡散溝においても同様に適用してもよい。即ち、基板支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられる拡散溝は、平面視して静電電極１１１１ｂとオーバーラップしないように設けられた１又は複数の円環状溝部と、円環状溝部と連通する複数の放射状溝部と、を有していてもよい。
　以上、図３に示す静電チャック１１１１を例に説明したが、図４に示す静電チャック１１１１においても同様に、エッジリング１１２Ａの径方向において吸着力の分布の偏りを抑制することができる。また、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを抑制することができる。また、電源１６３，１６４からチャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２への給電ラインの増加を抑制することができる。
　また、２極の静電電極１１１１ｃを例に説明したが、これに限られるものではなく、３極の静電電極１１１１ｃにおいて適用してもよい。
　図２７は、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｃの配置の更に他の一例を示す平面図である。図２７に示すように、３極の静電電極１１１１ｃであってもよい。
　静電電極１１１１ｃは、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部５０１、第２の円弧部５０２、第３の円弧部５０３、第４の円弧部５０４、第５の円弧部５０５、第６の円弧部５０６、を有する。また、静電電極１１１１ｃは、第１の円弧部５０１と第４の円弧部５０４とを接続する第１の接続部５１１と、第２の円弧部５０２と第５の円弧部５０５とを接続する第２の接続部５１２と、第３の円弧部５０３と第６の円弧部５０６とを接続する第３の接続部５１３と、を有する。
　第１のチャック電極１１１１ｃ１は、第１の円弧部５０１と、第１の接続部５１１と、第４の円弧部５０４と、を含む。第２のチャック電極１１１１ｃ２は、第２の円弧部５０２と、第２の接続部５１２と、第５の円弧部５０５と、を含む。第３のチャック電極１１１１ｃ３は、第３の円弧部５０３と、第３の接続部５１３と、第６の円弧部５０６と、を含む。
　チャック電源１６は、第１の電源１６３と、第２の電源１６４と、第３の電源１６５と、を含む。第１の電源１６３は、第１のチャック電極１１１１ｃ１に交流電圧（第１の交流電圧）を印加する。第２の電源１６４は、第２のチャック電極１１１１ｃ２に交流電圧（第２の交流電圧）を印加する。第３の電源１６５は、第３のチャック電極１１１１ｃ３に交流電圧（第３の交流電圧）を印加する。ここで、電源１６３は、交流電源１６３ａと、直流電源１６３ｂと、を有する。交流電源１６３ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する。直流電源１６３ｂは、直流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１６３は、交流電源１６３ａ及び直流電源１６３ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。同様に、電源１６４は、交流電源１６４ａと、直流電源１６４ｂと、を有する。また、電源１６５は、交流電源１６５ａと、直流電源１６５ｂと、を有する。更に、第１の電源１６３の交流電圧、第２の電源１６４の交流電圧、第３の電源１６５の交流電圧は、互いに位相がシフトされている。
　図２８は、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｃの配置の更に他の一例を示す平面図である。図２８に示すように、４極の静電電極１１１１ｃであってもよい。
　静電電極１１１１ｃは、外周側から中心側に向かって径方向において順番に第１の円弧部６０１、第２の円弧部６０２、第３の円弧部６０３、第４の円弧部６０４、第５の円弧部６０５、第６の円弧部６０６、第７の円弧部６０７、第８の円弧部６０８、を有する。また、静電電極１１１１ｃは、第１の円弧部６０１と第５の円弧部６０５とを接続する第１の接続部６１１と、第２の円弧部６０２と第６の円弧部６０６とを接続する第２の接続部６１２と、第３の円弧部６０３と第７の円弧部６０７とを接続する第３の接続部６１３と、第４の円弧部６０４と第８の円弧部６０８とを接続する第４の接続部６１４と、を有する。
　第１のチャック電極１１１１ｃ１は、第１の円弧部６０１と、第１の接続部６１１と、第５の円弧部６０５と、を含む。第２のチャック電極１１１１ｃ２は、第２の円弧部６０２と、第２の接続部６１２と、第６の円弧部６０６と、を含む。第３のチャック電極１１１１ｃ３は、第３の円弧部６０３と、第３の接続部６１３と、第７の円弧部６０７と、を含む。第４のチャック電極１１１１ｃ４は、第４の円弧部６０４と、第４の接続部６１４と、第８の円弧部６０８と、を含む。
　チャック電源１６は、第１の電源１６３と、第２の電源１６４と、第３の電源１６５と、第４の電源１６６と、を含む。第１の電源１６３は、第１のチャック電極１１１１ｃ１に交流電圧（第１の交流電圧）を印加する。第２の電源１６４は、第２のチャック電極１１１１ｃ２に交流電圧（第２の交流電圧）を印加する。第３の電源１６５は、第３のチャック電極１１１１ｃ３に交流電圧（第３の交流電圧）を印加する。第４の電源１６６は、第４のチャック電極１１１１ｃ４に交流電圧（第４の交流電圧）を印加する。ここで、電源１６３は、交流電源１６３ａと、直流電源１６３ｂと、を有する。交流電源１６３ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する。直流電源１６３ｂは、直流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する交流電圧に重畳する。なお、電源１６３は、交流電源１６３ａ及び直流電源１６３ｂのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。同様に、電源１６４は、交流電源１６４ａと、直流電源１６４ｂと、を有する。また、電源１６５は、交流電源１６５ａと、直流電源１６５ｂと、を有する。また、電源１６６は、交流電源１６６ａと、直流電源１６６ｂと、を有する。更に、第１の電源１６３の交流電圧、第２の電源１６４の交流電圧、第３の電源１６５の交流電圧、第４の電源１６６の交流電圧は、互いに位相がシフトされている。
　次に、静電電極１１１１ｃ（チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２）に印加される電圧と吸着力との関係について、図２９を用いてさらに説明する。図２９は、電圧と伝熱ガスのフローとの関係を示すグラフである。
　図２９において、「振幅」は、静電電極１１１１ｃに印加する交流電圧の振幅を示す。「Ｏｆｆｓｅｔ」は、静電電極１１１１ｃに印加する交流電圧のオフセット電圧を示す。「電流波形イメージ」は、横軸は時間を示し、縦軸は静電電極１１１１ｃ（チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２）に印加される電圧を示す。また、チャック電極１１１１ｃ１に印加される交流電圧を実線で示し、チャック電極１１１１ｃ２に印加される交流電圧を破線で示す。また、セルフバイアス電圧Ｖｄｃ（図２９の例では－１４００Ｖ）を点線で示す。ΔＶｍｉｎは、静電電極１１１１ｃに印加される電圧とセルフバイアス電圧Ｖｄｃとの最小電圧差である。（ｃ）（ｄ）において、オフセット電圧（１周期の平均電圧。交流電圧の振幅の中心。）を太い実線で模式的に示す。「Ｈｅ　ｆｌｏｗ」は、横軸は時間を示し、縦軸は拡散溝１１３に供給されるＨｅガス（伝熱ガス）の流量を示す。
　例えば、電源１６１は、交流電源１６１ａと、直流電源１６１ｂと、を有する。交流電源１６１ａは、交流電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する。直流電源１６１ｂは、オフセット電圧を生成して、第１のチャック電極１１１１ｃ１に印加する交流電圧に重畳する。
　（ａ）は、静電電極１１１１ｃへの印加電圧を振幅４０００Ｖ、オフセット電圧０Ｖとした場合である。最小電圧差ΔＶｍｉｎは、１４２８Ｖである。この場合、Ｈｅガスの流量が変動している。Ｈｅガスの流量の変量幅Δは、０．６ｓｃｃｍであった。即ち、吸着力に変動が生じていることを示す。
　（ｂ）は、静電電極１１１１ｃへの印加電圧を振幅５０００Ｖ、オフセット電圧０Ｖとした場合である。最小電圧差ΔＶｍｉｎは、２１３５Ｖである。即ち、印加電圧を振幅を大きくすることで、（ａ）と比較して最小電圧差ΔＶｍｉｎを大きくしている。この場合、Ｈｅガスの流量の変動が抑制されている。Ｈｅガスの流量の変量幅Δは、０．１ｓｃｃｍであった。即ち、印加電圧を振幅を大きくすることで、吸着力の変動を抑制し、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを防止する。
　（ｃ）は、静電電極１１１１ｃへの印加電圧を振幅５０００Ｖ、セルフバイアス電圧Ｖｄｃとは逆向きに直流電圧を重畳（オフセット）した場合である。ここでは、＋１０００Ｖでオフセットした。最小電圧差ΔＶｍｉｎは、１１３５Ｖである。即ち、セルフバイアス電圧Ｖｄｃとは逆向きに電圧をオフセットしたことで、（ａ）（ｂ）と比較して最小電圧差ΔＶｍｉｎが小さくなる。この場合、Ｈｅガスの流量が変動している。Ｈｅガスの流量の変量幅Δは、０．６ｓｃｃｍであった。即ち、吸着力に変動が生じていることを示す。
　（ｄ）は、静電電極１１１１ｃへの印加電圧を振幅３６００Ｖ、セルフバイアス電圧Ｖｄｃと同じ向きの直流電圧を重畳（オフセット）した場合である。ここでは、－１４００Ｖでオフセットした。最小電圧差ΔＶｍｉｎは、２５４５Ｖである。即ち、セルフバイアス電圧Ｖｄｃと同じ向きに直流電圧をオフセットしたことで、（ａ）～（ｃ）と比較して最小電圧差ΔＶｍｉｎが大きくなる。この場合、Ｈｅガスの流量の変動が抑制されている。Ｈｅガスの流量の変量幅Δは、０．１ｓｃｃｍであった。即ち、静電電極１１１１ｃへの印加電圧は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃと同じ向きの直流電圧をオフセットすることで、最小電圧差ΔＶｍｉｎを大きくすることができ、吸着力の変動を抑制し、エッジリング１１２Ａの浮き上がりを防止する。
　このように、静電電極１１１１ｃへ印加する電圧をセルフバイアス電圧Ｖｄｃと同じ向きの電圧でオフセットすることにより、振幅を抑えつつ、吸着の安定性を向上させることができる。
　また、静電電極１１１１ｃへ印加する電圧の振幅を抑えることで、省電力化を図ることができる。
　また、静電電極１１１１ｃへ印加する電圧のオフセット量は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃ（図２９の例では－１４００Ｖ）と同じ向きの直流電圧（負の直流電圧）である。また、静電電極１１１１ｃへ印加する電圧のオフセット量は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃ（図２９（ｄ）参照）とすることが好ましい。これにより、最小電圧差ΔＶｍｉｎを大きくすることができる。
　なお、静電電極１１１１ｃへ印加する電圧のオフセット量は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃに限られるものではない。静電電極１１１１ｃへ印加する電圧のオフセット量は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃの５０％～１５０％の範囲内が好ましい。
　即ち、制御部２は、チャック電源１６を制御して、静電電極１１１１ｃ（チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２）に印加される交流電圧に重畳する直流電圧（オフセット量）を制御する。これにより、振幅を抑えつつ、吸着の安定性を向上させることができる。
　また、エッジリング１１２Ａを静電吸着する静電電極１１１１ｃへ印加する電圧について説明したが、これに限られるものではない。基板Ｗを静電吸着する静電電極１１１１ｂへ印加する交流電圧について、セルフバイアス電圧Ｖｄｃと同じ向きの直流電圧（負の直流電圧）でオフセットしてもよい。
　次に、静電電極１１１１ｃ（チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２）に印加される電圧とエッジリング１１２Ａの温度との関係について、図３０Ａから図３０Ｃを用いてさらに説明する。図３０Ａから図３０Ｃは、エッジリング１１２Ａの温度変化の一例を示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸は、エッジリング１１２Ａの温度変化を示す。また、図３０Ａは、静電電極１１１１ｃへ印加する交流電圧の周波数を０．１Ｈｚとした場合を示す。図３０Ｂは、静電電極１１１１ｃへ印加する交流電圧の周波数を２Ｈｚとした場合を示す。図３０Ｃは、静電電極１１１１ｃへ直流電圧を印加する場合を示す。
　図３０Ｂ及び図３０Ｃにおいて、エッジリング１１２Ａの温度を略一定とすることができる。
　これに対し、図３０Ａにおいて、交流電圧の周波数（０．１Ｈｚ）と対応する周期Ｔ（１０ｓｅｃ）でエッジリング１１２Ａの温度を変動させることができる。このように、静電電極１１１１ｃに印加する交流電圧の周波数を制御することで、エッジリング１１２Ａの吸着を保持しつつ、エッジリング１１２Ａの温度を制御することができる。
　即ち、制御部２は、チャック電源１６を制御して、静電電極１１１１ｃ（チャック電極１１１１ｃ１，１１１１ｃ２）に印加される交流電圧における周波数を制御する。これにより、エッジリング１１２Ａの温度を制御することができる。
　また、エッジリング１１２Ａを静電吸着する静電電極１１１１ｃへ印加する電圧について説明したが、これに限られるものではない。基板Ｗを静電吸着する静電電極１１１１ｂへ印加する交流電圧について、周波数を制御することで、基板Ｗの温度を制御してもよい。
　次に、基板Ｗの吸着力について説明する。なお、以下の説明では、基板Ｗの吸着の例を説明するがこれに限られるものではなく、リングアセンブリ１１２のエッジリング１１２Ａの吸着についても同様であり、重複する説明を省略する。
　図３１は、基板支持部１１の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例である。
　下部電極として機能する基台１１１０の導電性部材には、第１のＲＦ生成部３１ａからソースＲＦ信号（以下、ＨＦとも称する。）が供給され、第２のＲＦ生成部３１ｂからバイアスＲＦ信号（以下、ＬＦとも称する。）が供給される。また、図３１から図３３の例では、チャック電源１５から静電電極１１１１ｂに直流電圧Ｖ＿ＨＶが印加されるものとする。
　図３１のグラフに示すように、基台１１１０の電位は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃとなる。基台１１１０の上面（静電チャック１１１１の下面）から静電電極１１１１ｂに向かって電位が上昇し、静電電極１１１１ｂの電位は、チャック電源１５から印加された電圧Ｖ＿ＨＶとなる。静電電極１１１１ｂから基板Ｗの裏面（静電チャック１１１１の基板支持面）に向かって電位が下降し、基板Ｗの裏面（静電チャック１１１１の基板支持面）の電位は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃとなる。基板Ｗの表面からプラズマＰのシースに向かって電位が上昇し、プラズマＰの電位は、電圧Ｖｐとなる。
　このように、基板Ｗの裏面と静電電極１１１１ｂとの電位差は（Ｖ＿ＨＶ－Ｖｄｃ）となる。また、基板Ｗの静電吸着力（ウエハ吸着力）は（Ｖ＿ＨＶ－Ｖｄｃ）２に比例する。
　図３２は、プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図である。ここで、ＨＦは、ソースＲＦ信号の出力を示す。ＬＦは、バイアスＲＦ信号の出力を示す。電位では、チャック電源１５から印加された電圧Ｖ＿ＨＶ及びセルフバイアス電圧Ｖｄｃを示す。ウエハ吸着力は、基板Ｗの静電吸着力を示す。横軸は時間を示す。ここでは、図３２に示すＨＦ、ＬＦを用いて、基板Ｗにプラズマ処理を施す。この際、破線で示すセルフバイアス電圧Ｖｄｃが発生する。プラズマ処理において、セルフバイアス電圧Ｖｄｃは、プラズマ処理条件（ＨＦ，ＬＦ）に応じて変化する。
　ここで、制御部２は、チャック電源１５から静電電極１１１１ｂに印加される電圧Ｖ＿ＨＶ（実線）を一定で制御する。この場合、セルフバイアス電圧Ｖｄｃが変化することで、ウエハ吸着力も変化する。
　図３３は、プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図である。ここで、ＨＦは、ソースＲＦ信号の出力を示す。ＬＦは、バイアスＲＦ信号の出力を示す。電位では、チャック電源１５から印加された電圧Ｖ＿ＨＶ及びセルフバイアス電圧Ｖｄｃを示す。ウエハ吸着力は、基板Ｗの静電吸着力を示す。横軸は時間を示す。ここでは、図３３に示すＨＦ、ＬＦを用いて、基板Ｗにプラズマ処理を施す。この際、破線で示すセルフバイアス電圧Ｖｄｃが発生する。プラズマ処理において、セルフバイアス電圧Ｖｄｃは、プラズマ処理条件（ＨＦ，ＬＦ）に応じて変化する。
　ここで、制御部２は、（Ｖ＿ＨＶ－Ｖｄｃ）が一定となるように、チャック電源１５から静電電極１１１１ｂに印加される電圧Ｖ＿ＨＶ（実線）を制御する。即ち、制御部２は、チャック電源１５から静電電極１１１１ｂに印加される電圧Ｖ＿ＨＶ（実線）をセルフバイアス電圧Ｖｄｃ（破線）に応じて変更する。これにより、ウエハ吸着力を一定とすることができる。
　次に、チャック電源１５から静電電極１１１１ｂに交流電圧Ｖ＿ＨＶが印加される場合について、図３４から図３７を用いて説明する。
　図３４は、基板支持部１１の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例である。
　下部電極として機能する基台１１１０の導電性部材には、第１のＲＦ生成部３１ａからソースＲＦ信号（以下、ＨＦとも称する。）が供給され、第２のＲＦ生成部３１ｂからバイアスＲＦ信号（以下、ＬＦとも称する。）が供給される。また、図３４（及び後述する図３６，３７）の例では、静電電極１１１１ｂが２極（第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２）である場合を例に説明する。チャック電源１５は、第１の交流電源１５６と、第２の交流電源１５７と、直流電源１５８と、を含む。
　第１の交流電源１５６は、第１のチャック電極１１１１ｂ１に交流電圧を印加する。第２の交流電源１５７は、第２のチャック電極１１１１ｂ２に交流電圧を印加する。直流電源１５８は、第１の交流電源１５６及び第２の交流電源１５７に対して直列に配置される。
　図３５は、プラズマ処理の一例におけるウエハ吸着力を示す図である。ここで、ＨＦは、ソースＲＦ信号の出力を示す。ＬＦは、バイアスＲＦ信号の出力を示す。電位では、チャック電源１５から印加された電圧Ｖ＿ＨＶの直流（ＤＣ）成分（即ち、直流電源１５８の電圧成分）及びセルフバイアス電圧Ｖｄｃを示す。ウエハ吸着力は、基板Ｗの静電吸着力を示す。横軸は時間を示す。ここでは、図３５に示すＨＦ、ＬＦを用いて、基板Ｗにプラズマ処理を施す。この際、破線で示すセルフバイアス電圧Ｖｄｃが発生する。プラズマ処理において、セルフバイアス電圧Ｖｄｃは、プラズマ処理条件（ＨＦ，ＬＦ）に応じて変化する。
　ここで、制御部２は、チャック電源１５から印加された電圧Ｖ＿ＨＶのＤＣ成分がセルフバイアス電圧Ｖｄｃと一致するように直流電源１５８を制御する。即ち、制御部２は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃに応じて直流電源１５８を制御する。これにより、チャック電源１５は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃでオフセットされた交流電圧を第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２に印加する。これにより、ウエハ吸着力を一定とすることができる。
　図３６は、基板支持部１１の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例である。
　ここでは、チャック電源１５は、第１の交流電源１５６と、第２の交流電源１５７と、ＲＦフィルター１５９と、を含む。第１の交流電源１５６及び第２の交流電源１５７は、ＲＦフィルター１５９を介して基台１１１０の導電性部材に電気的に接続される。ＲＦフィルター１５９は、高周波成分（ソースＲＦ信号、バイアスＲＦ信号）を除去して、直流成分を透過する。ここで、基台１１１０の導電性部材の電位は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃとなっている。これにより、チャック電源１５は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃでオフセットされた交流電圧を第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２に印加する。これにより、ウエハ吸着力を一定とすることができる。
　また、電位的に浮いた第１の交流電源１５６及び第２の交流電源１５７へのパワー供給としては、バッテリや絶縁トランス等を用いることができる。
　図３７は、基板支持部１１の部分拡大断面図と、電位との関係を示す図の一例である。
　ここでは、基台１１１０の電位、即ちセルフバイアス電圧Ｖｄｃを検出する電圧センサ１７を備える。制御部２は、電圧センサ１７で検出したセルフバイアス電圧Ｖｄｃに基づいて、直流電源１５８を制御する。これにより、チャック電源１５は、セルフバイアス電圧Ｖｄｃでオフセットされた交流電圧を第１のチャック電極１１１１ｂ１、第２のチャック電極１１１１ｂ２に印加する。これにより、ウエハ吸着力を一定とすることができる。
　以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
　前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされている、交流電圧生成器と、
　エッジリング交換シーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
　前記エッジリング交換シーケンスは、
　（ａ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程と、
　（ｂ）前記リング支持面上の第１のエッジリングを取り外す工程と、
　（ｃ）前記リング支持面上に第２のエッジリングを載置する工程と、
　（ｄ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程と、を含む、
プラズマ処理装置。
（付記２）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される交流電源と、
　前記交流電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記３）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される第１の交流電源と、
　前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される第２の交流電源と、を含む、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記４）
　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
付記１乃至付記３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記５）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、リング形状を有する、
付記１乃至付記４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記６）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
付記１乃至付記４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記７）
　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
付記１乃至付記６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記８）
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
　前記第１～第Ｎのチャック電極に電気的に接続される交流電圧生成器と、
　基板チャックシーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
　前記基板チャックシーケンスは、
　（ａ）前記基板支持面に基板を載置する工程と、
　（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
　（ｃ）前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加する工程であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、第１の電圧レベル及び第１の周波数を有し、互いに位相シフトされている、工程と、
　（ｄ）前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
　（ｅ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
　（ｆ）前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
プラズマ処理装置。
（付記９）
　前記プラズマ生成部は、
　プラズマ生成用のソースＲＦ電力を生成するように構成されるソースＲＦ電力生成器を含み、
　前記ソースＲＦ電力は、
　前記工程（ｂ）において第１の電力レベルを有し、
　前記工程（ｄ）においてゼロ電力レベルを有し、
　前記工程（ｆ）において前記第１の電力レベルよりも大きい第２の電力レベルを有する、
付記８に記載のプラズマ処理装置。
（付記１０）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される交流電源と、
　前記交流電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
付記８に記載のプラズマ処理装置。
（付記１１）
　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
付記８乃至付記１０のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１２）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、円形状またはリング形状を有する、
付記８乃至付記１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１３）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
付記８乃至付記１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１４）
　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
付記８乃至付記１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１５）
　前記制御部は、基板デチャックシーケンスを実行するように構成され、
　前記基板デチャックシーケンスは、
　（ｇ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第２の周波数よりも大きい第３の周波数に変更する工程と、
　（ｈ）前記プラズマ処理チャンバ内に第３のプラズマを生成する工程と、
　（ｉ）前記第１～第Ｎの交流電圧の電圧レベルの減少を開始する工程と、
　（ｊ）前記第３のプラズマの生成を停止する工程と、を含む、
付記８乃至付記１４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１６）
　前記工程（ｊ）は、
　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少した後に行われる、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
（付記１７）
　前記工程（ｊ）は、
　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少する前に行われる、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
（付記１８）
　プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される２以上の複数のチャック電極と、複数の前記チャック電極に交流電圧を印加する交流電圧生成器と、前記基板支持面に吸着された基板静電吸着する処理を実行可能に構成される制御部と、を備えるプラズマ処理装置の基板吸着方法であって、
　前記基板支持面に基板を載置する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に第１の電圧レベル及び第１の周波数を有する交流電圧を印加する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に印加する交流電圧を、前記第１の電圧レベルを維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
基板吸着方法。
　また、以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される複数のチャック電極とを含む、静電チャックと、
　複数の前記チャック電極に互いに位相シフトされている交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器と、を備え、
　複数の前記チャック電極は、一のチャック電極及び他のチャック電極を有し、
　一の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、
　他の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、
　一の前記チャック電極の円弧部と、他の前記チャック電極の円弧部とは、径方向において交互に配置される、
プラズマ処理装置。
（付記２）
　一の前記チャック電極は、第１の円弧部と、第３の円弧部と、前記第１の円弧部と前記第３の円弧部とを接続する第１の接続部と、を有し、
　他の前記チャック電極は、第２の円弧部と、第４の円弧部と、前記第２の円弧部と前記第４の円弧部とを接続する第２の接続部と、を有し、
　外周側から中心側に向かって径方向に順番に、前記第１の円弧部、前記第２の円弧部、前記第３の円弧部、前記第４の円弧部を有する、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記３）
　複数の前記チャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
付記１または付記２に記載のプラズマ処理装置。
（付記４）
　エッジリング交換シーケンスを実行するように構成される制御部と、を更に備え、
　複数の前記チャック電極は、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成され、前記第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされ、
　前記エッジリング交換シーケンスは、
　（ａ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程と、
　（ｂ）前記リング支持面上の第１のエッジリングを取り外す工程と、
　（ｃ）前記リング支持面上に第２のエッジリングを載置する工程と、
　（ｄ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程と、を含む、
付記１乃至付記３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（付記５）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される電源と、
　前記電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
付記４に記載のプラズマ処理装置。
（付記６）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される第１の電源と、
　前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される第２の電源と、を含む、
付記４に記載のプラズマ処理装置。
（付記７）
　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
付記４乃至付記６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（付記８）
　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
付記４乃至付記７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（付記９）
前記第１～第Ｎの交流電圧は、セルフバイアス電圧でオフセットされる、
付記４乃至付記８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（付記１０）
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
　前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされている、交流電圧生成器と、
　エッジリング交換シーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
　前記エッジリング交換シーケンスは、
　（ａ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程と、
　（ｂ）前記リング支持面上の第１のエッジリングを取り外す工程と、
　（ｃ）前記リング支持面上に第２のエッジリングを載置する工程と、
　（ｄ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程と、を含む、
プラズマ処理装置。
（付記１１）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、リング形状を有する、
付記９に記載のプラズマ処理装置。
（付記１２）
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
　前記第１～第Ｎのチャック電極に電気的に接続される交流電圧生成器と、
　基板チャックシーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
　前記基板チャックシーケンスは、
　（ａ）前記基板支持面に基板を載置する工程と、
　（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
　（ｃ）前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加する工程であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、第１の電圧レベル及び第１の周波数を有し、互いに位相シフトされている、工程と、
　（ｄ）前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
　（ｅ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
　（ｆ）前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
プラズマ処理装置。
（付記１３）
　前記プラズマ生成部は、
　プラズマ生成用のソースＲＦ電力を生成するように構成されるソースＲＦ電力生成器を含み、
　前記ソースＲＦ電力は、
　前記工程（ｂ）において第１の電力レベルを有し、
　前記工程（ｄ）においてゼロ電力レベルを有し、
　前記工程（ｆ）において前記第１の電力レベルよりも大きい第２の電力レベルを有する、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
（付記１４）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
　前記交流電圧生成器は、
　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される電源と、
　前記電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
（付記１５）
　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
付記１２乃至付記１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（付記１６）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、円形状またはリング形状を有する、
付記１２乃至付記１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１７）
　前記第１～第Ｎのチャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
付記１２乃至付記１７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１８）
　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
付記１２乃至付記１８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１９）
　前記制御部は、基板デチャックシーケンスを実行するように構成され、
　前記基板デチャックシーケンスは、
　（ｇ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第２の周波数よりも大きい第３の周波数に変更する工程と、
　（ｈ）前記プラズマ処理チャンバ内に第３のプラズマを生成する工程と、
　（ｉ）前記第１～第Ｎの交流電圧の電圧レベルの減少を開始する工程と、
　（ｊ）前記第３のプラズマの生成を停止する工程と、を含む、
付記１２乃至付記１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記２０）
　前記工程（ｊ）は、
　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少した後に行われる、
付記１９に記載のプラズマ処理装置。
（付記２１）
　前記工程（ｊ）は、
　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少する前に行われる、
付記１９に記載のプラズマ処理装置。
（付記２２）
　プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される２以上の複数のチャック電極と、複数の前記チャック電極に交流電圧を印加する交流電圧生成器と、前記基板支持面に吸着された基板静電吸着する処理を実行可能に構成される制御部と、を備えるプラズマ処理装置の基板吸着方法であって、
　前記基板支持面に基板を載置する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に第１の電圧レベル及び第１の周波数を有する交流電圧を印加する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に印加する交流電圧を、前記第１の電圧レベルを維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
基板吸着方法。
　なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
　尚、本願は、２０２２年１２月２８日に出願した日本国特許出願２０２２－２１２２６３号に基づく優先権、及び、２０２３年９月１５日に出願した日本国特許出願２０２３－１５０２０７号に基づく優先権を主張するものであり、これらの日本国特許出願の全内容を本願に参照により援用する。
Ｗ　　　　　基板
１　　　　　プラズマ処理装置
１０　　　　プラズマ処理チャンバ
１１　　　　基板支持部
１１１　　　本体部
１１１ａ　　中央領域
１１１ｂ　　環状領域
１１２　　　リングアセンブリ
１１２Ａ　　エッジリング
１１１０　　基台
１１１１　　静電チャック
１１１１ａ　セラミック部材（誘電体部材）
１１１１ｂ，１１１１ｃ　静電電極
１１１１ｂ１　第１のチャック電極
１１１１ｂ２　第２のチャック電極
１１１１ｂ３　第３のチャック電極
１１１１ｃ１　第１のチャック電極
１１１１ｃ２　第２のチャック電極
１５，１６　チャック電源
１６１　　　電源
１６２　　　位相調整器
１６３　　　第１の電源
１６４　　　第２の電源
１６５　　　第３の電源
１６６　　　第４の電源
３０１　　　第１の円弧部
３０２　　　第２の円弧部
３０３　　　第３の円弧部
３０４　　　第４の円弧部
３１１　　　第１の接続部
３１２　　　第２の接続部

Claims (22)

  1. 　プラズマ処理チャンバと、
    　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される複数のチャック電極とを含む、静電チャックと、
    　複数の前記チャック電極に互いに位相シフトされている交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器と、を備え、
    　複数の前記チャック電極は、一のチャック電極及び他のチャック電極を有し、
    　一の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、
    　他の前記チャック電極は、複数の円弧部を有し、
    　一の前記チャック電極の円弧部と、他の前記チャック電極の円弧部とは、径方向において交互に配置される、
    プラズマ処理装置。
  2. 　一の前記チャック電極は、第１の円弧部と、第３の円弧部と、前記第１の円弧部と前記第３の円弧部とを接続する第１の接続部と、を有し、
    　他の前記チャック電極は、第２の円弧部と、第４の円弧部と、前記第２の円弧部と前記第４の円弧部とを接続する第２の接続部と、を有し、
    　外周側から中心側に向かって径方向に順番に、前記第１の円弧部、前記第２の円弧部、前記第３の円弧部、前記第４の円弧部を有する、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 　複数の前記チャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  4. 　エッジリング交換シーケンスを実行するように構成される制御部と、を更に備え、
    　複数の前記チャック電極は、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含み、
    　前記交流電圧生成器は、前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成され、前記第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされ、
    　前記エッジリング交換シーケンスは、
    　（ａ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程と、
    　（ｂ）前記リング支持面上の第１のエッジリングを取り外す工程と、
    　（ｃ）前記リング支持面上に第２のエッジリングを載置する工程と、
    　（ｄ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程と、を含む、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  5. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
    　前記交流電圧生成器は、
    　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される電源と、
    　前記電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
    　前記交流電圧生成器は、
    　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される第１の電源と、
    　前記第１の交流電圧から位相シフトされた前記第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される第２の電源と、を含む、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  7. 　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  8. 　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記第１～第Ｎの交流電圧は、セルフバイアス電圧でオフセットされる、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  10. 　プラズマ処理チャンバと、
    　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記リング支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
    　前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加するように構成される交流電圧生成器であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、互いに位相シフトされている、交流電圧生成器と、
    　エッジリング交換シーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
    　前記エッジリング交換シーケンスは、
    　（ａ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオン状態からオフ状態に変更する工程と、
    　（ｂ）前記リング支持面上の第１のエッジリングを取り外す工程と、
    　（ｃ）前記リング支持面上に第２のエッジリングを載置する工程と、
    　（ｄ）前記第１～第Ｎの交流電圧をオフ状態からオン状態に変更する工程と、を含む、
    プラズマ処理装置。
  11. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、リング形状を有する、
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
  12. 　プラズマ処理チャンバと、
    　前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
    　前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャック電極とを含む、静電チャックと、
    　前記第１～第Ｎのチャック電極に電気的に接続される交流電圧生成器と、
    　基板チャックシーケンスを実行するように構成される制御部と、を備え、
    　前記基板チャックシーケンスは、
    　（ａ）前記基板支持面に基板を載置する工程と、
    　（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
    　（ｃ）前記第１～第Ｎのチャック電極に第１～第Ｎの交流電圧をそれぞれ印加する工程であって、前記第１～第Ｎの交流電圧は、第１の電圧レベル及び第１の周波数を有し、互いに位相シフトされている、工程と、
    　（ｄ）前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
    　（ｅ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
    　（ｆ）前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
    プラズマ処理装置。
  13. 　前記プラズマ生成部は、
    　プラズマ生成用のソースＲＦ電力を生成するように構成されるソースＲＦ電力生成器を含み、
    　前記ソースＲＦ電力は、
    　前記工程（ｂ）において第１の電力レベルを有し、
    　前記工程（ｄ）においてゼロ電力レベルを有し、
    　前記工程（ｆ）において前記第１の電力レベルよりも大きい第２の電力レベルを有する、
    請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
  14. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、第１のチャック電極と、第２のチャック電極とを含み、
    　前記交流電圧生成器は、
    　前記第１の交流電圧を前記第１のチャック電極に印加するように構成される電源と、
    　前記電源と前記第２のチャック電極との間に電気的に接続され、前記第１の交流電圧から位相シフトされた第２の交流電圧を前記第２のチャック電極に印加するように構成される位相調整器とを含む、
    請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
  15. 　前記第１～第Ｎの交流電圧の位相差は、１／Ｎ×３６０°である、
    請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
  16. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、円形状またはリング形状を有する、
    請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  17. 　前記第１～第Ｎのチャック電極は、渦巻き形状または入れ子構造を有する、
    請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  18. 　前記第１～第Ｎの交流電圧は、０．０１Ｈｚから１００Ｈｚの範囲内の周波数を有する、
    請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  19. 　前記制御部は、基板デチャックシーケンスを実行するように構成され、
    　前記基板デチャックシーケンスは、
    　（ｇ）前記第１～第Ｎの交流電圧を、前記第１の電圧レベルに維持しつつ、前記第２の周波数よりも大きい第３の周波数に変更する工程と、
    　（ｈ）前記プラズマ処理チャンバ内に第３のプラズマを生成する工程と、
    　（ｉ）前記第１～第Ｎの交流電圧の電圧レベルの減少を開始する工程と、
    　（ｊ）前記第３のプラズマの生成を停止する工程と、を含む、
    請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  20. 　前記工程（ｊ）は、
    　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少した後に行われる、
    請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
  21. 　前記工程（ｊ）は、
    　前記第１～第Ｎの交流電圧がゼロ電圧レベルまで減少する前に行われる、
    請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
  22. 　プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される静電チャックであって、前記静電チャックは基板支持面及びリング支持面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材内において前記基板支持面の下方に配置される２以上の複数のチャック電極と、複数の前記チャック電極に交流電圧を印加する交流電圧生成器と、前記基板支持面に吸着された基板静電吸着する処理を実行可能に構成される制御部と、を備えるプラズマ処理装置の基板吸着方法であって、
    　前記基板支持面に基板を載置する工程と、
    　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第１のプラズマを生成する工程と、
    　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に第１の電圧レベル及び第１の周波数を有する交流電圧を印加する工程と、
    　前記プラズマ生成部を制御して、前記第１のプラズマの生成を停止する工程と、
    　前記交流電圧生成器を制御して、前記チャック電極に印加する交流電圧を、前記第１の電圧レベルを維持しつつ、前記第１の周波数よりも大きい第２の周波数に変更する工程と、
    　前記プラズマ生成部を制御して、前記プラズマ処理チャンバ内に第２のプラズマを生成する工程と、を含む、
    基板吸着方法。
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