JP2006245031A - 薄膜トランジスタパネル - Google Patents

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Abstract

【課題】 液晶表示装置（または有機ＥＬ表示装置）において、開口率を大きくする。
【解決手段】 薄膜トランジスタ５のゲート電極１１はｐ型またはｎ型不純物を含む透明な金属酸化物によって形成され、ソース電極１５およびドレイン電極１６は透明な金属酸化物またはＩＴＯによって形成されている。したがって、薄膜トランジスタ５は光を透過する構造となっており、この薄膜トランジスタ５のほぼ全部を画素電極４で覆っているので、薄膜トランジスタ５と画素電極４との重合部が開口率に寄与することととなり、したがって開口率を大きくすることができる。なお、ゲート電極１１およびドレイン電極１６の各一端部に接続された走査ライン２およびドレインライン３は、ゲート電極１１およびドレイン電極１６と同一の透明な材料によって形成されているが、両ライン２、３は、アルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなる補助容量電極６によって覆われている。
【選択図】 図１

Description

この発明は薄膜トランジスタパネルに関する。
例えば、液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルには、マトリクス状に設けられた走査ラインとデータラインとで囲まれた領域内に画素電極をスイッチング素子としての薄膜トランジスタを介して走査ラインおよびデータラインに接続させて設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、画素電極は、不純物を含む半導体材料からなり、薄膜トランジスタの半導体薄膜と同一の層上に該半導体薄膜に接続されて形成されている。薄膜トランジスタのゲート電極および該ゲート電極に接続された走査ラインはアルミニウム合金によって形成されている。
特開２００３−５０４０５号公報
ところで、上記従来の薄膜トランジスタパネルでは、薄膜トランジスタのゲート電極をアルミニウム合金つまり遮光性導電材料によって形成しているので、このゲート電極の部分が開口率に寄与しないことになり、開口率が小さいという問題があった。
そこで、この発明は、開口率を大きくすることができる薄膜トランジスタパネルを提供することを目的とする。
この発明は、上記目的を達成するため、マトリクス状に設けられた走査ラインとデータラインとで囲まれた領域内に画素用電極が薄膜トランジスタを介して前記走査ラインおよび前記データラインに接続されて設けられた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記薄膜トランジスタ、前記走査ラインおよび前記データラインは光を透過する構造となっており、前記画素用電極は前記薄膜トランジスタのほぼ全部を覆うように設けられていることを特徴とするものである。
この発明によれば、薄膜トランジスタを光が透過する構造とし、薄膜トランジスタのほぼ全部を画素用電極で覆っているので、薄膜トランジスタと画素用電極との重合部が開口率に寄与することとなり、したがって開口率を大きくすることができる。
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの要部の平面図を示し、図２（Ａ）は図１のIIＡ−IIＡ線に沿う断面図を示し、図２（Ｂ）は図１のIIＢ−IIＢ線に沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板１を備えている。
まず、図１を参照して説明する。ガラス基板１の上面側には走査ライン２およびデータライン３がマトリクス状に設けられ、両ライン２、３で囲まれた領域内には画素電極４が薄膜トランジスタ５を介して走査ライン２およびデータライン３に接続されて設けられ、さらに格子状の補助容量電極６が走査ライン２およびデータライン３と平行して設けられている。ここで、図１を明確にする目的で、画素電極４の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
この場合、走査ライン２とデータライン３とで囲まれた方形状の領域内に同じく方形状の画素電極４が走査ライン２およびデータライン３に可及的に近づけられた状態で配置されている。画素電極４の四辺の各周縁部は、その周囲に配置された格子状の補助容量電極６と重ね合わされている。薄膜トランジスタ５は、図１において、画素電極４の左下角部の下側に配置され、そのほぼ全部は画素電極４によって覆われている。
格子状の補助容量電極６は、データライン３と重ね合わされた部分を含む第１の補助容量電極部６ａと、走査ライン２と重ね合わされた部分を含む第２の補助容量電極部６ｂとからなっている。この場合、後で説明するが、補助容量電極６は走査ライン２と別の層上に設けられ、且つ、そのうちの特に第１の補助容量電極部６ａは、厚さ方向において、すなわち、図１における紙面垂直方向において、データライン３と画素電極４との間にそれぞれ絶縁膜を介して設けられている。
そして、第１の補助容量電極部６ａの幅はデータライン３の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第１の補助容量電極部６ａは、データライン３と直交する方向の位置ずれがあっても、データライン３が画素電極４と直接対向しないように、データライン３を確実に覆うようになっている。また、第１の補助容量電極部６ａはデータライン３の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第１の補助容量電極部６ａは、画素電極４に対し、データライン３と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極４の左右辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
第２の補助容量電極部６ｂの幅は走査ライン２の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第２の補助容量電極部６ｂは、走査ライン２と直交する方向の位置ずれがあっても、走査ライン２を確実に覆うようになっている。また、第２の補助容量電極部６ｂは走査ライン２の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第２の補助容量電極部６ｂは、画素電極４に対し、走査ライン２と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極４の上下辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
次に、この薄膜トランジスタパネルの具体的な構造について、図２（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲート電極１１および該ゲート電極１１に接続された走査ライン２が設けられている。この場合、ゲート電極１１および走査ライン２は、ｎ型またはｐ型の不純物を含んだ透明な金属酸化物によって形成されている。透明な金属酸化物としては、例えば、酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛などが挙げられる。ｎ型不純物としては、例えば、リン、ひ素、アンチモンなどが挙げられ、ｐ型不純物としては、例えば、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムなどが挙げられる。
ゲート電極１１および走査ライン２の形成方法としては、上述のｎ型またはｐ型の不純物を含んだ金属酸化膜をターゲットとしたスパッタ法により成膜して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする方法が推奨される。また、ｎ型金属酸化膜はデプレーション型となり、リーク電流が大きくなるため、限定する意味ではないが、ｎ型金属酸化膜よりもｐ型金属酸化膜が推奨される。
ゲート電極１１および走査ライン２を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設けられている。ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１２の上面には、バンドギャップが２．５Ｖ以上の透明で真性な上記金属酸化物からなる半導体薄膜１３が設けられている。バンドギャップが２．５Ｖ以上とワイドな半導体薄膜では、可視光を吸収しないため、光リークがなく、遮光の必要がない。半導体薄膜１３の上面ほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。
チャネル保護膜１４の上面両側、その両側における半導体薄膜１３の上面およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、透明なｎ型金属酸化物からなるソース電極１５、ドレイン電極１６および該ドレイン電極１６に接続されたデータライン３が設けられている。金属酸化物およびｎ型不純物の材料は、ゲート電極１１および走査ライン２の場合と同じである。ソース電極１２、ドレイン電極１６およびデータライン３は、ゲート電極１１および走査ライン２と同様に、ｎ型金属酸化膜をターゲットとしたスパッタ法により成膜して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする方法により形成される。
ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、ソース電極１５およびドレイン電極１６により、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタ５が構成されている。この場合、ゲート電極１１は透明なｐ型金属酸化物またはｎ型金属酸化物により形成され、ソース電極１５およびドレイン電極１６は透明なｎ型金属酸化物により形成されているので、薄膜トランジスタ５は光を透過する構造となっている。
薄膜トランジスタ５およびデータライン３を含むゲート絶縁膜１２の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜１７が設けられている。層間絶縁膜１７の上面の所定の箇所にはアルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなる補助容量電極６が設けられている。補助容量電極６を含む層間絶縁膜１７の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜（絶縁膜）１８が設けられている。
ソース電極１５の所定の箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜１８および層間絶縁膜１７にはコンタクトホール１９が設けられている。オーバーコート膜１８の上面の所定の箇所にはｎ型またはｐ型の不純物を含んだ透明な金属酸化物、あるいはＩＴＯなどの透明導電材料からなる画素電極（画素用電極）４がコンタクトホール１９を介してソース電極１５に接続されて設けられている。この場合、画素電極４は薄膜トランジスタ５のほぼ全部を覆うように設けられている。
以上のように、この薄膜トランジスタパネルでは、薄膜トランジスタ５が光を透過する構造となっており、この薄膜トランジスタ５のほぼ全部を画素電極４で覆っているので、薄膜トランジスタ５と画素電極４との重合部が開口率に寄与することとなり、したがって開口率を大きくすることができる。この場合、薄膜トランジスタ５の透明で真性な上記金属酸化物からなる半導体薄膜１３に光が入射されるが、そのまま透過するので、別に支障はない。
また、この薄膜トランジスタパネルでは、方形状の画素電極４の全周辺部にアルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなる補助容量電極６を重ね合わせ、且つ、当該補助容量電極６により、上下の画素電極４間に配置された透明な走査ライン２および左右の画素電極４間に配置された透明なデータライン３を覆っているので、薄膜トランジスタ５の配置領域を含む画素電極４の配置領域のうちの全周辺部を除く実質的な画素領域以外を補助容量電極６で確実に覆うことができ、したがって実質的な画素領域以外を覆うためのブラックマスクを不要とすることができる。
なお、この薄膜トランジスタパネルを用いて液晶表示装置を構成する場合、画素間の表示を仕切り、コントラストを向上するために画素電極４間を遮光することが望ましいが、そのためには下記に示す構成のいずれかを採用することが推奨される。（１）液晶表示装置がノーマルブラックモードの場合には、補助容量電極に印加される電位を、薄膜トランジスタパネルに対向して配置された対向電極パネルに形成された共通電極に印加される電位と同電位にする。（２）液晶表示装置がノーマルホワイトモードの場合には、補助容量電極と共通電極間に黒表示となる電圧を印加する。
上記において、ノーマルブラックモードとは、無電界時に白表示となる液晶表示モードのことで、例えば、捩れ角が９０度のＴＮ液晶では、上下の偏光板をその透過軸を平行に配置したものである。また、ノーマルホワイトモードとは、無電界時に黒表示となる液晶表示モードのことで、例えば、捩れ角が９０度のＴＮ液晶では、上下の偏光板をその透過軸を直交して配置したものである。
また、上記実施形態では、液晶の容量を補充するために補助容量電極を用いているが、本発明は、ゲートラインを補助容量電極に兼用する構成の液晶表示装置に適用することも可能であり、その場合には、画素電極４間の遮光膜を遮光性の樹脂を用いて形成することもできる。
さらに、この薄膜トランジスタパネルでは、データライン３と画素電極４との間にデータライン３の幅よりも広い幅を有する第１の補助容量電極部６ａを設けているので、この第１の補助容量電極部６ａにより、データライン３と画素電極４との間に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができ、表示特性を向上することができる。
（第２実施形態）
図３はこの発明の第２実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの要部の平面図を示し、図４（Ａ）は図３のIVＡ−IVＡ線に沿う断面図を示し、図４（Ｂ）は図３のIVＢ−IVＢ線に沿う断面図を示す。この場合も、図３を明確にする目的で、画素電極４の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１および図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ５をトップゲート構造とした点である。そこで、この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１および図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと同一の名称のものについては、同一の参照符号を付して説明する。
この薄膜トランジスタパネルでは、ガラス基板１の上面の各所定の箇所に、ＩＴＯなどの透明導電材料からなるソース電極１５、ドレイン電極１６および該ドレイン電極１６に接続されたデータライン３が設けられている。ソース電極１１の上面の所定の箇所、ドレイン電極１２の上面の所定の箇所およびその間のガラス基板１の上面には透明で真性な上記金属酸化物からなる半導体薄膜１３が設けられている。半導体薄膜１３の上面全体には窒化シリコンからなる保護膜２０が設けられている。
半導体薄膜１３および保護膜２０の形成方法としては、まず、ソース電極１５、ドレイン電極１６およびデータライン３を含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性金属酸化物からなる半導体薄膜形成用膜および窒化シリコンからなる保護膜形成用膜を連続して成膜する。次に、保護膜形成用膜の上面にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして保護膜形成用膜をエッチングし、保護膜２０を形成する。
次に、レジストパターンをレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、保護膜２０下以外の領域における半導体薄膜形成用膜の表面がレジスト剥離液に曝されるが、この曝された部分はデバイスエリア以外であるので、別に支障はない。すなわち、保護膜２０下の半導体薄膜形成用膜は保護膜２０によって保護されている。次に、保護膜２０をマスクとして、半導体薄膜形成用膜をエッチングすると、保護膜２０下に半導体薄膜１３が形成される。
保護膜２０、データライン３およびソース電極１５を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設けられている。ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、透明なｐ型金属酸化物またはｎ型金属酸化物からなるゲート電１１および該ゲート電極１１に接続された走査ライン２が設けられている。
ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、保護膜２０、ソース電極１５およびドレイン電極１６により、トップゲート構造の薄膜トランジスタ５が構成されている。この場合、ゲート電極１１は透明なｐ型金属酸化物またはｎ型金属酸化物により形成され、ソース電極１５およびドレイン電極１６はＩＴＯなどの透明導電材料により形成されているので、薄膜トランジスタ５は光を透過する構造となっている。
ゲート電極１１および走査ライン２を含むゲート絶縁膜１２の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜１７が設けられている。層間絶縁膜１７の上面の所定の箇所にはアルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなる補助容量電極６が設けられている。補助容量電極６を含む層間絶縁膜１７の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１８が設けられている。
ソース電極１５の所定の箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜１８、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜１２にはコンタクトホール１９が設けられている。オーバーコート膜１８の上面の所定の箇所にはＩＴＯなどの透明導電材料からなる画素電極４がコンタクトホール１９を介してソース電極１５に接続されて設けられている。この場合、画素電極４は薄膜トランジスタ５のほぼ全部を覆うように設けられている。
そして、この薄膜トランジスタパネルでも、薄膜トランジスタ５が光を透過する構造となっており、この薄膜トランジスタ５のほぼ全部を画素電極４で覆っているので、薄膜トランジスタ５と画素電極４との重合部が開口率に寄与することとなり、したがって開口率を大きくすることができる。
（第３実施形態）
図５（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の第３実施形態としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の要部の断面図を示す。この有機ＥＬ表示装置において、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと同一の構成については、同一の参照符号を付してその説明を省略する。この有機ＥＬ表示装置においては、薄膜トランジスタ５上に有機ＥＬからなる発光部を具備する。
すなわち、薄膜トランジスタ５を含むゲート絶縁膜１２の上面にアクリル樹脂などの透明樹脂からなる平坦化膜２１を設け、平坦化膜２１の上面の所定の箇所にアノード電極（画素用電極）２２を平坦化膜２１に設けられたコンタクトホール２３を介してソース電極１５に接続させて設け、平坦化膜２１の上面の所定の箇所にポリイミドなどからなる仕切り壁２４を設け、仕切り壁２４間におけるアノード電極２２の上面に有機ＥＬ層２５を設け、有機ＥＬ層２５および仕切り壁２４の上面にカソード電極２６を設けた構成を有する。
この場合、アノード電極２２は薄膜トランジスタ５のほぼ全部を覆うように設けられている。また、アノード電極２２はＩＴＯなどの透明導電材料によって形成され、カソード電極２６はアルミニウムなどの高反射性金属によって形成されている。この構成では、有機ＥＬ層２５をで発光した光は該有機ＥＬ層２５をの上部に設けられたカソード電極２６で反射され、ガラス基板１側に出射するため、ボトムエミッション型と言われる。このようなボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置において、ソース電極１５およびドレイン電極１６は透明なＩＴＯにより形成され、ゲート電極１１および半導体薄膜１３は透明な金属酸化物により形成されており、有機ＥＬ層２５をで発光し、カソード電極２６で反射された光は、薄膜トランジスタ５を透過するため、薄膜トランジスタ５の全域が発光領域となり、開口率を大きくすることができる。
（第３実施形態の変形例）
上記第３実施形態においては、薄膜トランジスタ５のソース電極１５をｎ型金属酸化物により形成し、発光部のアノード電極２２をＩＴＯなどの透明導電材料によって形成したものであった。しかし、ｎ型金属酸化物からなる薄膜トランジスタ５のソース電極１５に発光部のアノード電極２２の機能を兼用させることも可能である。その場合の一例として、図５（Ａ）において、ｎ型金属酸化物からなるソース電極１５を平坦化膜２１上に右方向に延出してアノード電極とし、該アノード電極上に有機ＥＬ層およびカソード電極を積層して形成すればよい。
（その他の実施形態）
有機ＥＬ表示パネルの場合には、薄膜トランジスタは１組のアノード電極２２、有機ＥＬ層２５をおよびカソード電極２６からなる１画素に対して２個設けるようにしてもよく（例えば、特開２００４−１７１８８２号公報参照）、また３個設けるようにしてもよい（例えば、特開２００３−１９５８１０号公報参照）。
この発明の第１実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパ ネルの要部の平面図。 （Ａ）は図１のIIＡ−IIＡ線に沿う断面図、（Ｂ）は図１のIIＢ−IIＢ線に沿う 断面図。 この発明の第２実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパ ネルの要部の平面図。 （Ａ）は図３のIVＡ−IVＡ線に沿う断面図、（Ｂ）は図３のIVＢ−IVＢ線に沿う 断面図。 この発明の第３実施形態としての有機ＥＬ表示装置の要部の断面図。
符号の説明
１ ガラス基板
２ 走査ライン
３ データライン
４ 画素電極
５ 薄膜トランジスタ
６ 補助容量電極
１１ ゲート電極
１２ ゲート絶縁膜
１３ 半導体薄膜
１４ チャネル保護膜
１５ ソース電極
１６ ドレイン電極
１７ 層間絶縁膜
１８ オーバーコート膜
１９ コンタクトホール
２０ 保護膜
２１ 平坦化膜
２２ アノード電極
２３ コンタクトホール
２４ 仕切り壁
２５ 有機ＥＬ層
２６ カソード電極

Claims (13)

  1. マトリクス状に設けられた走査ラインとデータラインとで囲まれた領域内に画素用電極が薄膜トランジスタを介して前記走査ラインおよび前記データラインに接続されて設けられた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記薄膜トランジスタ、前記走査ラインおよび前記データラインは光を透過する構造となっており、前記画素用電極は前記薄膜トランジスタを覆うように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  2. 請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは、金属酸化物からなる半導体薄膜、不純物を含んだ金属酸化物からなるドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  3. 請求項２に記載の発明において、前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記半導体薄膜上に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  4. 請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは、金属酸化物からなる半導体薄膜、不純物を含んだ金属酸化物からなるゲート電極、透明導電材料からなるドレイン電極およびソース電極を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  5. 請求項４に記載の発明において、前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記半導体薄膜下に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  6. 請求項２または４に記載の発明において、前記薄膜トランジスタのゲート電極はｐ型不純物を含んだ金属酸化物によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  7. 請求項２または４に記載の発明において、前記ゲート電極に接続された前記走査ラインは前記ゲート電極と同一の材料によって形成され、前記ドレイン電極に接続された前記データラインは前記ドレイン電極と同一の材料によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  8. 請求項１に記載の発明において、前記画素用電極は透明導電材料によって形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  9. 請求項１に記載の発明において、前記画素用電極間に該画素用電極間よりも幅広の遮光膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  10. 請求項１に記載の発明において、前記画素電極と前記データラインとの間に補助容量電極がそれぞれ絶縁膜を介して設けられ、前記補助容量電極は前記画素電極の全周辺部と重ね合わされていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  11. 請求項１０に記載の発明において、前記補助容量電極は遮光性金属によって格子状に形成され、前記走査ラインおよび前記データラインを覆うように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  12. 請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは、金属酸化物からなる半導体薄膜、不純物を含んだ金属酸化物からなるドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を有し、パネルはさらに、アノード電極、有機ＥＬ層、カソード電極を有する発光部を具備することを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
  13. 請求項１に記載の発明において、薄膜トランジスタのソース電極を延出された部分が前記発光部の前記アノード電極とされていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211184A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Canon Inc アクティブマトリクス表示装置
JP2008276108A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Sony Corp 液晶表示装置
JP2010103778A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
JP2010156805A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Casio Computer Co Ltd 液晶表示素子
KR20110015380A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
KR20110015388A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2011044702A (ja) * 2009-07-23 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013201436A (ja) * 2009-03-27 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015133490A (ja) * 2014-01-13 2015-07-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示パネル
JP2015222827A (ja) * 2008-12-25 2015-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015228032A (ja) * 2009-09-04 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016129250A (ja) * 2009-12-04 2016-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017028298A (ja) * 2009-07-18 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9583510B2 (en) 2013-08-07 2017-02-28 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101760241B1 (ko) * 2009-08-07 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101770548B1 (ko) * 2009-08-07 2017-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2017211656A (ja) * 2017-06-30 2017-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び電子機器
JP2018072836A (ja) * 2008-05-16 2018-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10012880B2 (en) 2007-05-18 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10073314B2 (en) 2014-09-10 2018-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, liquid crystal display device, and semiconductor device manufacturing method
JP2018142730A (ja) * 2009-03-05 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018186273A (ja) * 2009-07-18 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10373843B2 (en) 2009-08-27 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2019140409A (ja) * 2009-07-10 2019-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021006915A (ja) * 2019-07-25 2021-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2021513106A (ja) * 2018-09-30 2021-05-20 云谷（固安）科技有限公司 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
JP2021108374A (ja) * 2009-09-04 2021-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5117667B2 (ja) * 2005-02-28 2013-01-16 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
US7731377B2 (en) 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
KR101217555B1 (ko) * 2006-06-28 2013-01-02 삼성전자주식회사 접합 전계 효과 박막 트랜지스터
KR100941836B1 (ko) 2008-05-19 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치
KR101462539B1 (ko) 2010-12-20 2014-11-18 삼성디스플레이 주식회사 그라펜을 이용한 유기발광표시장치
TWI491050B (zh) * 2011-11-25 2015-07-01 Sony Corp 電晶體，顯示器及電子裝置
TWI445181B (zh) * 2012-02-08 2014-07-11 E Ink Holdings Inc 薄膜電晶體
CN103219341B (zh) * 2013-04-03 2016-08-31 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及制备方法、显示装置
JP2015072339A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
TWI553836B (zh) * 2014-05-07 2016-10-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
US10276593B2 (en) * 2015-06-05 2019-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and method for manufacturing same, display device using active matrix substrate
CN105304653B (zh) 2015-11-27 2018-07-03 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构、阵列基板、液晶显示面板及像素结构制造方法
KR102207053B1 (ko) * 2016-09-16 2021-01-25 도판 인사츠 가부시키가이샤 표시 장치 및 표시 장치 기판
JP7050460B2 (ja) * 2016-11-22 2022-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN108182872B (zh) * 2016-12-08 2021-01-26 群创光电股份有限公司 具有光感测单元的显示装置
US10424670B2 (en) 2016-12-30 2019-09-24 Intel Corporation Display panel with reduced power consumption
CN110098238A (zh) * 2019-05-15 2019-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
TWI721776B (zh) * 2020-02-06 2021-03-11 友達光電股份有限公司 主動元件基板及其製造方法
CN113534561B (zh) * 2020-04-21 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
WO2022088078A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178563A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPH02234133A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH0444014A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH05127195A (ja) * 1991-11-08 1993-05-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH1039336A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
WO2003098699A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and display comprising same
JP2004014982A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Konica Minolta Holdings Inc 半導体回路および画像表示装置
JP2004341185A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP2005051115A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法
JP2006058730A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Sony Corp 表示装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06194687A (ja) * 1992-10-30 1994-07-15 Nec Corp 透過型アクティブマトリクス型液晶素子
JP2543286B2 (ja) 1992-04-22 1996-10-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
EP0820644B1 (en) * 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
US6069370A (en) * 1997-03-26 2000-05-30 Nec Corporation Field-effect transistor and fabrication method thereof and image display apparatus
KR100209281B1 (ko) * 1996-10-16 1999-07-15 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
JP3784491B2 (ja) * 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
JP3980156B2 (ja) * 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6998656B2 (en) * 2003-02-07 2006-02-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent double-injection field-effect transistor
TWI301915B (ja) * 2000-03-17 2008-10-11 Seiko Epson Corp
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP4099324B2 (ja) * 2000-11-27 2008-06-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4292245B2 (ja) * 2001-02-05 2009-07-08 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体、発光素子、及び発光表示装置
SG103846A1 (en) * 2001-02-28 2004-05-26 Semiconductor Energy Lab A method of manufacturing a semiconductor device
JP3594018B2 (ja) 2002-02-18 2004-11-24 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイ
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7250930B2 (en) * 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
JP2004347838A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 電気光学装置並びに電子機器及び投射型表示装置
JP4522145B2 (ja) * 2004-05-25 2010-08-11 シャープ株式会社 表示装置用基板、その製造方法及び表示装置
JP5117667B2 (ja) * 2005-02-28 2013-01-16 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178563A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPH02234133A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH0444014A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH05127195A (ja) * 1991-11-08 1993-05-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH1039336A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
WO2003098699A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and display comprising same
JP2004014982A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Konica Minolta Holdings Inc 半導体回路および画像表示装置
JP2004341185A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP2005051115A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法
JP2006058730A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Sony Corp 表示装置

Cited By (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211184A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Canon Inc アクティブマトリクス表示装置
JP2008276108A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Sony Corp 液晶表示装置
US11940697B2 (en) 2007-05-18 2024-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10012880B2 (en) 2007-05-18 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11300841B2 (en) 2007-05-18 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11646322B2 (en) 2008-05-16 2023-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having conductive oxide electrode layers in direct contact with oxide semiconductor layer
US10580797B2 (en) 2008-05-16 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US11133332B2 (en) 2008-05-16 2021-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2018072836A (ja) * 2008-05-16 2018-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2010103778A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
US9768280B2 (en) 2008-12-25 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10483290B2 (en) 2008-12-25 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2015222827A (ja) * 2008-12-25 2015-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10720451B2 (en) 2008-12-25 2020-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2018011064A (ja) * 2008-12-25 2018-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11158654B2 (en) 2008-12-25 2021-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11996416B2 (en) 2008-12-25 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010156805A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Casio Computer Co Ltd 液晶表示素子
US11233132B2 (en) 2009-03-05 2022-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021121017A (ja) * 2009-03-05 2021-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102068152B1 (ko) 2009-03-05 2020-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP7144567B2 (ja) 2009-03-05 2022-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20190092360A (ko) * 2009-03-05 2019-08-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP7432675B2 (ja) 2009-03-05 2024-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018142730A (ja) * 2009-03-05 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11961894B2 (en) 2009-03-05 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9705003B2 (en) 2009-03-27 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first and second gate electrodes and stack of insulating layers
US9012918B2 (en) 2009-03-27 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor
JP2013201436A (ja) * 2009-03-27 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2019140409A (ja) * 2009-07-10 2019-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10916566B2 (en) 2009-07-10 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11374029B2 (en) 2009-07-10 2022-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2021015983A (ja) * 2009-07-10 2021-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発光表示装置
US11715741B2 (en) 2009-07-18 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2018186273A (ja) * 2009-07-18 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11177289B2 (en) 2009-07-18 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2017028298A (ja) * 2009-07-18 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10461098B2 (en) 2009-07-18 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2011044702A (ja) * 2009-07-23 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101702608B1 (ko) * 2009-08-07 2017-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
JP2022106858A (ja) * 2009-08-07 2022-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101760241B1 (ko) * 2009-08-07 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2017083890A (ja) * 2009-08-07 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP2011054942A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP7320103B2 (ja) 2009-08-07 2023-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20110015380A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
KR101842869B1 (ko) * 2009-08-07 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
KR101770548B1 (ko) * 2009-08-07 2017-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2015079969A (ja) * 2009-08-07 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2019049714A (ja) * 2009-08-07 2019-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
KR20110015388A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101709750B1 (ko) * 2009-08-07 2017-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US11532488B2 (en) 2009-08-27 2022-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10373843B2 (en) 2009-08-27 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11923206B2 (en) 2009-08-27 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11024516B2 (en) 2009-08-27 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2021108374A (ja) * 2009-09-04 2021-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP7174093B2 (ja) 2009-09-04 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2015228032A (ja) * 2009-09-04 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10505049B2 (en) 2009-12-04 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal
US11342464B2 (en) 2009-12-04 2022-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first and second insulating layer each has a tapered shape
JP2016129250A (ja) * 2009-12-04 2016-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10014415B2 (en) 2009-12-04 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a C-axis aligned crystal
US9735284B2 (en) 2009-12-04 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US10861983B2 (en) 2009-12-04 2020-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal
US11728437B2 (en) 2009-12-04 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal
US9583510B2 (en) 2013-08-07 2017-02-28 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2015133490A (ja) * 2014-01-13 2015-07-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示パネル
US10073314B2 (en) 2014-09-10 2018-09-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, liquid crystal display device, and semiconductor device manufacturing method
JP2017211656A (ja) * 2017-06-30 2017-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び電子機器
JP2021513106A (ja) * 2018-09-30 2021-05-20 云谷（固安）科技有限公司 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
JP7053858B2 (ja) 2018-09-30 2022-04-12 云谷（固安）科技有限公司 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
US11263964B2 (en) 2018-09-30 2022-03-01 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display panel, display screen, and display terminal
JP2021006915A (ja) * 2019-07-25 2021-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006093029A1 (en) 2006-09-08
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US7633090B2 (en) 2009-12-15
CN101128939A (zh) 2008-02-20

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