JP2010135509A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 撮像領域と前記撮像領域の周辺に配された周辺領域とを有し、前記撮像領域が、遮光されていない光電変換部を含む有効画素が複数配列された有効領域と、前記有効領域に隣接した領域であって遮光された光電変換部を含むオプティカルブラック画素が複数配列されたオプティカルブラック領域とを含む撮像装置であって、
   半導体基板と、
   前記半導体基板の上方に配され、前記オプティカルブラック領域と前記周辺領域とを遮光する遮光層と、
   前記周辺領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に配され、前記有効画素又は前記オプティカルブラック画素から出力された信号を一時的に保持するための第１の容量素子と、
   前記オプティカルブラック領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に前記オプティカルブラック画素の光電変換部を遮光するように配された第２の容量素子と、
   を備えたことを特徴とする撮像装置。
2. 前記第２の容量素子は、前記有効領域と前記オプティカルブラック領域との境界に隣接して配された前記オプティカルブラック画素の光電変換部の上方に配されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記第２の容量素子は、
   前記遮光層の下面に沿った方向へ延びた上部電極と、
   前記半導体基板の表面に沿った方向へ延びた下部電極と、
   前記上部電極と前記下部電極との間に配された絶縁膜と、
   を含む
   ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
4. 前記第１の容量素子は、
   前記半導体基板からの高さが前記上部電極と同一である他の上部電極と、
   前記半導体基板からの高さが前記下部電極と同一である他の下部電極と、
   前記半導体基板からの高さが前記絶縁膜と同一である他の絶縁膜と、
   を含む
   ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
5. 前記オプティカルブラック領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に配線層が設けられ、前記配線層に、オプティカルブラック画素で蓄積された信号を伝達するとともに前記第２の容量素子の前記下部電極として機能する配線パターンが配置されている、
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
6. 前記絶縁膜は、酸化膜、窒化膜、及び酸窒化膜のいずれかで形成され、
   前記上部電極及び前記下部電極は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、タングステンシリサイド、及び銅の少なくとも１つで形成されている
   ことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
7. 前記第１の容量素子および前記第２の容量素子は、ＭＩＭ素子を含む、
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
   前記撮像装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
   前記撮像装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
   を備えたことを特徴とする撮像システム。