JP2010133836A - 絶縁検査方法および絶縁検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検査時間を一層短縮する。
【解決手段】導体パターンＰ１〜Ｐ４０をＮ個（この例ではＮ＝４）の検査グループＧ１〜Ｇ４にグループ分けすると共に、Ｎ組の検査用プローブを使用して各検査グループＧ毎の第１の導体パターンＰおよび第２の導体パターンＰの間の絶縁状態を、第１の導体パターンＰ同士を同電位（Ｈ電位）にすると共に第２の導体パターンＰ同士を同電位（Ｌ電位）にした状態で各検査グループＧに対して同時に検査する第１の検査処理を各導体パターンＰに対する一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回（この例では第１〜４５回の計４５回）に亘って実行すると共に、異なる検査グループＧにグループ分けした各導体パターンＰのうちの近接する一対の導体パターンＰのうちの一方をＨ電位にすると共に他方をＬ電位にした状態で一対の導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する。
【選択図】図２

Description

本発明は、検査対象基板に形成された各導体パターンの間の絶縁状態を検査する絶縁検査方法および絶縁検査装置に関するものである。

この種の絶縁検査方法に従って検査処理を実行する絶縁検査装置として、出願人は、特開２００３−９８２１６号公報において回路基板検査装置を開示している。出願人が開示しているこの回路基板検査装置では、第１Ｘ−Ｙ移動機構および第２Ｘ−Ｙ移動機構（以下、区別しないときには「移動機構」ともいう）に第１検査プローブおよび第２検査プローブ（以下、区別しないときには「検査プローブ」ともいう）がそれぞれ取り付けられると共に、制御装置が両移動機構を制御して載置台上の回路基板（検査対象基板）に両検査プローブを接触させて電気的に検査する構成が採用されている。具体的には、出願人が開示している回路基板検査装置では、一例として、図３に示す回路基板１００を検査対象として検査する際に、図４に示すようにして、両検査プローブを導体パターンＰ１〜Ｐ４０（以下区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）に対して順次接触させ、両プローブを接触させた導体パターンＰ，Ｐの間の電気的信号のレベルに基づいて絶縁状態を検査する。なお、図４では、出願人が開示している回路基板検査装置の図示しない検査部における電圧供給部の高電位出力部に接続されている検査プローブを「Ｈ」として図示すると共に、電圧供給部の低電位出力部に接続されている検査プローブを「Ｌ」として図示している。

さらに具体的には、第１回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ２に接触させた状態において、電圧供給部から両検査プローブを介して導体パターンＰ１，Ｐ２の間に検査用電圧を供給し、その状態において測定した電気的信号のレベルに基づいて導体パターンＰ１，Ｐ２の間の絶縁状態を検査する。次いで、第２回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ３に接触させて絶縁状態を検査する。続いて、第３回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ４に接触させて絶縁状態を検査する。また、第３９回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ４０に接触させて絶縁状態を検査した後に、第４０回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ２に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ３に接触させて絶縁状態を検査する。次いで、第４１回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ２に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ４に接触させて絶縁状態を検査する。

このように、出願人が開示している回路基板検査装置では、回路基板１００に形成された各導体パターンＰに対する両検査プローブの接触態様を変更して複数回に亘って絶縁状態を検査し、回路基板１００上のすべての導体パターンＰの絶縁状態が良好であったときには、その回路基板１００を良品と検査する。この場合、出願人が開示している回路基板検査装置において実施される上記の検査方法は、「総当たりスキャン検査」として、下記の非特許文献１に開示されている。
特開２００３−９８２１６号公報（第５−８頁、第１図） 編集委員長 原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８

ところが、出願人が開示している回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、出願人が開示している回路基板検査装置では、各導体パターンＰに対する一対の検査プローブの接触態様を変更して複数回に亘って導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態を検査することによって回路基板１００の良否を検査している。この場合、この検査方法では、Ｍ個の導体パターンがすべて良好であると検査するのに必要な（検査対象基板が良品であると検査するのに必要な）検査回数Ｃが、「Ｃ＝Ｍ（Ｍ−１）／２」との式によって表される。したがって、「Ｍ＝４０」の上記の回路基板１００における導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべての絶縁状態を検査するためには、検査回数Ｃ＝４０（４０−１）／２＝７８０回の検査が必要となっている。このため、検査対象基板上に形成される導体パターンＰの数が徐々に増加する傾向がある今日、検査対象基板の１枚当りに要する検査時間の一層の短縮を図りたいとの要求があり、この点を改善するのが好ましい。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査方法および絶縁検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査方法は、検査対象基板に形成された複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させると共に、当該一対の検査用プローブのうちの一方を電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続し、かつ、当該一対の検査用プローブのうちの他方を電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した状態において、当該一対の検査用プローブを介して前記電圧供給部から検査用電圧を供給して前記各導体パターンのうちの前記一方の検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの前記他方の検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定し、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の検査グループにグループ分けすると共に、前記複数回の検査処理として、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該各検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、異なる前記検査グループにグループ分けした前記各導体パターンのうちの互いに近接する一対の当該導体パターンのうちの一方を前記高電位にすると共に当該一対の導体パターンのうちの他方を前記低電位にした状態で当該一対の導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する。

請求項２記載の絶縁検査方法は、請求項１記載の絶縁検査方法において、前記少なくとも一部の導体パターンを前記Ｎ個の検査グループに等分して前記第１の検査処理および前記第２の検査処理を実行する。なお、本発明における「Ｎ個の検査グループに等分して」との処理には、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いに等しくなるようにグループ分けする」との処理だけでなく、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いにほぼ等しくなるように（僅かに相違するように）グループ分けする」との処理がこれに含まれる。この場合、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いにほぼ等しくなるようにグループ分けする」との処理には、例えば、本発明における「少なくとも一部の導体パターン」の数を検査グループの数で割り切れないときに、各検査グループのうちのいずれかの検査グループにグループ分けした導体パターンの数が他の検査グループにグループ分けした導体パターンの数よりも僅かに多い、または、僅かに少ないとの状態となるようにグループ分けする処理だけでなく、本発明における「少なくとも一部の導体パターン」の数を検査グループの数で割り切れる場合であっても、各検査グループのうちのいずれかの検査グループにグループ分けした導体パターンの数が他の検査グループにグループ分けした導体パターンの数よりも僅かに多い、または、僅かに少ないとの状態となるようにグループ分けする処理がこれに含まれる。

請求項３記載の絶縁検査方法は、請求項１または２記載の絶縁検査方法において、前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各検査グループ毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行する。

請求項４記載の絶縁検査装置は、検査対象基板に形成された複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記一対の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備え、当該検査部が前記プローブ移動機構を制御して前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、前記検査部は、前記複数回の検査処理として、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをグループ分けしたＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更させて複数回に亘って実行すると共に、異なる前記検査グループにグループ分けされた前記各導体パターンのうちの互いに近接する一対の当該導体パターンのうちの一方を前記高電位にすると共に当該一対の導体パターンのうちの他方を前記低電位にした状態で当該一対の導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する。

請求項１記載の絶縁検査方法および請求項４記載の絶縁検査装置によれば、検査対象基板に形成された複数の導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをＮ個の検査グループにグループ分けすると共にＮ組の検査用プローブを使用して各検査グループ毎の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を、第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を各導体パターンに対する一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、異なる検査グループにグループ分けした各導体パターンのうちの互いに近接する一対の導体パターンのうちの一方を高電位にすると共に一対の導体パターンのうちの他方を低電位にした状態で一対の導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行することにより、第１の検査処理時に各検査グループ内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての検査グループに対して同時に検査する分だけ、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査方法および絶縁検査装置によれば、すべての導体パターンの相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ検査対象基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。

また、請求項２記載の絶縁検査方法によれば、複数の導体パターンのうちの少なくとも一部をＮ個の検査グループに等分して第１の検査処理および第２の検査処理を実行することにより、各検査グループに属する導体パターンの数が相違するようにグループ分けした場合と比較して、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理の回数を最も低減することができる結果、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を最も短縮することができる。

また、請求項３記載の絶縁検査方法によれば、第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各検査グループ毎に第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行することにより、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンを確実に特定することができる。

以下、本発明に係る絶縁検査方法および絶縁検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。

図１に示す絶縁検査装置１は、本発明に係る絶縁検査装置の一例であって、本発明に係る絶縁検査方法に従って図３に示す回路基板１００等の各種回路基板の絶縁状態を検査可能に構成されている。この場合、回路基板１００は、本発明における検査対象基板に相当し、前述したように、一例として、導体パターンＰ１〜Ｐ４０（以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）が形成されている。なお、同図では、本発明についての理解を容易とするために、回路基板１００の一方の面側だけを図示すると共に、隣り合う各導体パターンＰ，Ｐの間隔を等間隔で図示している。一方、図１に示すように、絶縁検査装置１は、プローブ機構２、接続切替部３、電圧供給部４、測定部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えている。

プローブ機構２は、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４，１１Ｌ１〜１１Ｌ４（以下、区別しないときには「移動機構１１」ともいう）と、検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４，１２Ｌ１〜１２Ｌ４（本発明における「Ｎ組」が「４組」の例：以下、区別しないときには「検査用プローブ１２」ともいう）とを備えている。各移動機構１１は、制御部８からの制御信号Ｓ２に従って各検査用プローブ１２を回路基板１００における各導体パターンＰ（各検査ポイント）に対して接触させる。また、各検査用プローブ１２は、一例としてピン状の伸縮型プローブで構成されている。この場合、この例では、検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４（以下、これらを総称して「検査用プローブ１２Ｈ」ともいう）が本発明における「一方の検査用プローブ」に相当し、接続切替部３によって電圧供給部４における高電位（以下、「Ｈ電位」ともいう）を出力する高電位出力部４Ｈに接続されている。また、この例では、検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４（以下、これらを総称して「検査用プローブ１２Ｌ」ともいう）が本発明における「他方の検査用プローブ」に相当し、電圧供給部４における低電位（一例として、接地電位：以下、「Ｌ電位」ともいう）を出力する低電位出力部４Ｌに接続されている。接続切替部３は、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、上記の各検査用プローブ１２を電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌのいずれかに接続する。

電圧供給部４は、本発明における電圧供給部の一例であって、制御部８からの制御信号Ｓ３に従って図示しない定電圧源から上記の高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）および低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位）の間に検査用電圧（直流定電圧）Ｖを印加することにより、上記の各検査用プローブ１２を介して回路基板１００における各導体パターンＰに検査用電圧Ｖを供給する。測定部５は、電圧測定部５ａおよび電流測定部５ｂを備えて、制御部８および接続切替部３と相俟って本発明における検査部を構成する。電圧測定部５ａは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって生じる各導体パターンＰ，Ｐ（検査用プローブ１２Ｈが接続された導体パターンＰ、および検査用プローブ１２Ｌが接続された導体パターンＰ）の間の電圧（電位差：本発明における電気的パラメータの一例）を検出して、その電圧値を示す測定データＤｖを制御部８に出力する。電流測定部５ｂは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって上記の導体パターンＰ，Ｐ間を導通する電流を検出して、その電流値（本発明における電気的パラメータの他の一例）を示す測定データＤｉを制御部８に出力する。操作部６は、電源スイッチや検査開始スイッチ等の各種のスイッチを備えて構成されて、各スイッチの操作に対応する操作信号を出力する。表示部７は、制御部８の制御に従って検査結果等の各種の画像を表示する。

制御部８は、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、操作部６から出力される操作信号に従って絶縁検査処理を実行することにより、回路基板１００（導体パターンＰ，Ｐ間）の絶縁状態を検査する。より具体的には、制御部８は、後述するようにして、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従って接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続を切り替えさせる。また、制御部８は、プローブ機構２の各移動機構１１に制御信号Ｓ２を出力することによって各検査用プローブ１２を回路基板１００の各導体パターンＰにそれぞれ接触させると共に、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって各検査用プローブ１２を介して回路基板１００（導体パターンＰ）に検査用電圧Ｖを供給させる。さらに、制御部８は、測定部５を制御して測定処理を実行させる。また、制御部８は、電圧測定部５ａから出力される測定データＤｖおよび電流測定部５ｂから出力される測定データＤｉに基づいて導体パターンＰ，Ｐの間の抵抗値を演算すると共に、その演算結果と記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して回路基板１００の良否（各導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態）を検査する。

記憶部９は、上記の検査手順データＤｔや検査用基準データＤｃなどを記憶する。この場合、この絶縁検査装置１では、上記の検査手順データＤｔは、図２に示すように、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて（「各導体パターンのうちの少なくとも一部」が「すべて」の例）を４つの検査グループＧ１〜Ｇ４（以下、区別しないときには「検査グループＧ」ともいう）にグループ分けして（導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべてを４等分して：本発明における「Ｎ」が「４」の例）、各検査グループＧに対して、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理をこの順で実行するためのデータで構成されている。具体的には、検査手順データＤｔとしては、回路基板１００に対する複数回の検査処理時に各導体パターンＰをどのようにグループ分けして検査するかを特定可能なデータ（各導体パターンＰがいずれの検査グループＧに属するかを特定可能なデータ）と、検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌをいずれの導体パターンＰに接触させる（各検査処理時に一対の導体パターンＰ，ＰをＨ電位およびＬ電位のいずれの電位と同電位とするか）を特定可能なデータとで構成されている。

なお、図２では、検査用プローブ１２Ｈを「Ｈ」として図示すると共に、検査用プローブ１２Ｌを「Ｌ」として図示している。この場合、この絶縁検査装置１では、後述するようにして、本発明における第１の検査処理時において、出願人が開示している回路基板検査装置において実施していた検査方法（総当たりスキャン検査）を各検査グループＧ毎に実行して各検査グループＧ内の各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する。したがって、各導体パターンＰ１〜Ｐ４０のグループ分けに際しては、回路基板１００上で近接する導体パターンＰ，Ｐ同士が同一の検査グループＧに属するようにグループ分けするのが好ましい。このようなグループ分けの方法を採用することにより、回路基板１００上で近接していることによって絶縁不良が生じ易い導体パターンＰ，Ｐについて、本発明における第１の検査処理時に、その絶縁不良を確実に検出することができる。

次に、絶縁検査装置１を用いて回路基板１００の絶縁状態を検査する絶縁検査方法およびその際の絶縁検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。

まず、検査対象の回路基板１００を図外の基板保持部に保持させた後に、操作部６を操作して検査開始を指示する。この際には、制御部８が、操作部６から出力された操作信号に従って、絶縁検査処理を開始する。この絶縁検査処理では、制御部８は、まず、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、各検査用プローブ１２Ｈを電圧供給部４の高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）に共通的に接続させると共に、各検査用プローブ１２Ｌを電圧供給部４の低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位）に共通的に接続させる。この場合、この絶縁検査装置１では、各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌに対して共通的に接続して１つの測定部５によって以下の測定処理を実行する構成を採用している。したがって、例えば、検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ３，１２Ｌ３用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ４，１２Ｌ４用の電圧供給部４および測定部５とをそれぞれ用意して各検査グループＧ毎の導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁検査を並行して実行する構成と比較して、絶縁検査装置１の製造コストを十分に低減することが可能となっている。

次いで、制御部８は、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従い、図２に示すように、回路基板１００に対する第１回の検査処理として、移動機構１１Ｈ１，１１Ｌ１を制御して検査グループＧ１にグループ分けされている導体パターンＰ１，Ｐ２に検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１を接触させ、移動機構１１Ｈ２，１１Ｌ２を制御して検査グループＧ２にグループ分けされている導体パターンＰ１１，Ｐ１２に検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２を接触させ、移動機構１１Ｈ３，１１Ｌ３を制御して検査グループＧ３にグループ分けされている導体パターンＰ２１，Ｐ２２に検査用プローブ１２Ｈ３，１２Ｌ３を接触させ、移動機構１１Ｈ４，１１Ｌ４を制御して検査グループＧ４にグループ分けされている導体パターンＰ３１，Ｐ３２に検査用プローブ１２Ｈ４，１２Ｌ４を接触させる。

続いて、制御部８は、各検査グループＧ毎の検査用プローブ１２Ｈを接触させた導体パターンＰ（本発明における第１の導体パターン）と検査用プローブ１２Ｌを接触させた導体パターンＰ（本発明における第２の導体パターン）との間の絶縁状態をすべての検査グループＧに対して同時に検査する検査処理（本発明における第１の検査処理）を実行する。具体的には、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。この際に、測定部５では、電圧測定部５ａが、上記の第１の導体パターンと第２の導体パターンとの間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。

また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。さらに、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力して検査用電圧Ｖの供給を停止させると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。一方、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する第１回の検査処理が完了する。

続いて、制御部８は、回路基板１００に対する第２回の検査処理として、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１に接触させた状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を導体パターンＰ３，Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３３にそれぞれ接触させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４を制御して検査用電圧Ｖの供給を開始させ、これに応じて、測定部５が上記したように測定データＤｖ，Ｄｉを出力する。また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。また、制御部８は、演算結果と検査用基準データＤｃとを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する第２回の検査処理が完了する。

次いで、制御部８は、回路基板１００に対する第３回〜第９回までの各検査処理として、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１に接触させた状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を接触させる導体パターンＰを導体パターンＰ４，Ｐ１４，Ｐ２４，Ｐ３４から導体パターンＰ１０，Ｐ２０，Ｐ３０，Ｐ４０に向かってそれぞれ１つずつ順に変更させる。また、制御部８は、上記の第１回および第２回の両検査処理時と同様にして、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。さらに、制御部８は、回路基板１００に対する第１０回〜第１７回までの各検査処理時には、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ２，Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２に接触させてその状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を接触させる導体パターンＰを導体パターンＰ３，Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３３から導体パターンＰ１０，Ｐ２０，Ｐ３０，Ｐ４０に向かってそれぞれ１つずつ順に変更させ、その都度、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。

この後、制御部８は、回路基板１００に対する第１７回〜第４５回までの各検査処理として、各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを接触させる導体パターンＰを検査手順データＤｔに従って変更させて（各導体パターンＰに対する検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌの接触態様を変更させて）、その都度、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する４５回の第１の検査処理が完了し、第４５回の第１の検査処理の完了時点において、各検査グループＧ内の導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。この場合、１枚の検査対象基板に対する第１の検査処理の処理回数（検査回数）Ｃは、各検査グループＧにグループ分けされている導体パターンＰの数を「Ｍ」としたときに、「Ｃ＝Ｍ（Ｍ−１）／２」との式によって表される。したがって、回路基板１００に形成されている導体パターンＰ１〜Ｐ４０を検査グループＧ１〜Ｇ４の４つに等分した「Ｍ＝１０」のこの例では、各検査グループＧ毎のすべての導体パターンＰの絶縁状態を検査するためには、上記したように、検査回数Ｃ＝１０（１０−１）／２＝４５回の検査（第１の検査処理）が必要となっている。

次いで、制御部８は、回路基板１００に対する第２の検査処理を複数回に亘って実行する。具体的には、制御部８は、第２の検査処理として、異なる検査グループＧにグループ分けされている各導体パターンＰのうちの互いに近接する一対の導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態をそれぞれ検査する。この場合、この絶縁検査装置１では、本発明における第２の検査処理時において、一例として、検査グループＧ１，Ｇ２の間において近接している導体パターンＰ，Ｐ、検査グループＧ３，Ｇ４の間において近接している導体パターンＰ，Ｐ、検査グループＧ１，Ｇ３の間において近接している導体パターンＰ，Ｐ、検査グループＧ２，Ｇ４の間において近接している導体パターンＰ，Ｐ、検査グループＧ１，Ｇ４の間において近接している導体パターンＰ，Ｐ、および検査グループＧ２，Ｇ３の間において近接している導体パターンＰ，Ｐの優先順位でその絶縁状態を検査すると共に、優先順位の高い導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態を検査する際にその導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態の検査には使用しない検査用プローブ１２が存在するときに、その検査用プローブ１２を使用して絶縁状態を検査可能な優先順位の低い導体パターンＰ，Ｐについて並行して検査処理を実行する。

具体的には、図３に示すように、回路基板１００では、例えば、検査グループＧ１にグループ分けされている導体パターンＰ２と検査グループＧ２にグループ分けされている導体パターンＰ１１とが互いに近接すると共に、検査グループＧ３にグループ分けされている導体パターンＰ２１と検査グループＧ４にグループ分けされている導体パターンＰ３８とが互いに近接した状態となっている。また、この回路基板１００では、検査グループＧ２にグループ分けされている導体パターンＰ１４と検査グループＧ４にグループ分けされている導体パターンＰ３１とが互いに近接した状態となっている。したがって、制御部８は、検査手順データＤｔに従い、移動機構１１Ｈ１，１１Ｈ２，１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｈ２，１２Ｈ４を導体パターンＰ２，Ｐ１４，Ｐ３８（本発明における第１の導体パターン）にそれぞれ接触させると共に、移動機構１１Ｌ２〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ２〜１２Ｌ４を導体パターンＰ１１，Ｐ２１，Ｐ３１（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４を制御して検査用電圧Ｖの供給を開始させ、これに応じて、測定部５が上記したように測定データＤｖ，Ｄｉを出力する。また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。さらに、制御部８は、演算結果と検査用基準データＤｃとを比較して、上記の近接している第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する第４６回の検査処理が完了する。

また、この回路基板１００では、検査グループＧ１にグループ分けされている導体パターンＰ２と検査グループＧ２にグループ分けされている導体パターンＰ１２とが互いに近接し、検査グループＧ３にグループ分けされている導体パターンＰ２１と検査グループＧ４にグループ分けされている導体パターンＰ４０とが互いに近接した状態となっている。また、この回路基板１００では、検査グループＧ２にグループ分けされている導体パターンＰ１４と検査グループＧ４にグループ分けされている導体パターンＰ３２とが互いに近接した状態となっている。したがって、制御部８は、検査手順データＤｔに従い、移動機構１１Ｈ１，１１Ｈ２，１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｈ２，１２Ｈ４を導体パターンＰ２，Ｐ１４，Ｐ４０（本発明における第１の導体パターン）にそれぞれ接触させると共に、移動機構１１Ｌ２〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ２〜１２Ｌ４を導体パターンＰ１２，Ｐ２１，Ｐ３２（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させ、上記の第４６回の検査処理時と同様にして、上記の近接している第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する第４７回の検査処理が完了する。

この後、制御部８は、第４８回から第５７回の検査処理として、近接している第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する１２回の第２の検査処理が完了する。この場合、検査対象の回路基板１００においては、いずれかの検査グループＧにグループ分けされているいずれかの導体パターンＰが、その他のすべての検査グループＧにグループ分けされているすべての導体パターンＰと近接した状態となることはない。したがって、１枚の回路基板１００に対して実行する第２の検査処理の処理回数（検査回数）は、各導体パターンＰの形成状態や、各導体パターンＰをどのようにグループ分けするかによって相違するものの、比較的少数回（上記の例では、１２回）となる。なお、図３に示す回路基板１００を検査対象とするこの例では、上記の４５回の第１の検査処理と、上記の１２回の第２の検査書体が完了した時点において、回路基板１００上のすべての導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。したがって、合計５７回の検査処理のすべてにおいて、絶縁状態が良好であったときには、制御部８は、その回路基板１００を良品の回路基板１００と判定して、一連の検査処理を終了する。

この場合、出願人が開示している回路基板検査装置による検査方法（前述した非特許文献において「総当たりスキャン検査」として開示されている検査方法）では、前述したように、回路基板１００の良否を検査するのに７８０回の検査処理が必要となっている。これに対して、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、良品の回路基板１００については、上記したように、５７回の検査処理によって良品であると検査される。一方、この絶縁検査装置１では、上記の４５回の第１の検査処理時のいずれかにおいて絶縁状態を不良と検査したときには、各検査グループＧ毎に上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（本発明における第３の検査処理）を実行する。

具体的には、例えば第４４回の検査処理時に絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、一例として、まず、上記の検査グループＧ１に対する第３の検査処理を実行する。より具体的には、制御部８は、移動機構１１Ｈ１，１１Ｌ１を制御して検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１を導体パターンＰ８（本発明における第１の導体パターン）および導体パターンＰ１０（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させた状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、絶縁状態が良好と検査したときには、制御部８は、検査グループＧ２に対する第３の検査処理を実行する。具体的には、移動機構１１Ｈ２，１１Ｌ２を制御して検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２を導体パターンＰ１８（本発明における第１の導体パターン）および導体パターンＰ２０（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させた状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。

この際に、絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、導体パターンＰ１８，Ｐ２０の間に絶縁不良が生じているとの検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させた後に、検査グループＧ３，Ｇ４に対する第３の検査処理をそれぞれ実行し、導体パターンＰ２８，Ｐ３０の間の絶縁状態、および導体パターンＰ３８，Ｐ４０の間の絶縁状態をそれぞれ検査して検査結果（判定結果：一例として、良好との検査結果）を記憶部９に記憶させる。この後、制御部８は、導体パターンＰ１８，Ｐ２０の間に絶縁不良が生じた不良の回路基板１００として、この回路基板１００についての一連の検査処理を終了する。なお、この例では、回路基板１００についての第３の検査処理を４回に亘って実行しているため、回路基板１００のいずれの導体パターンＰ，Ｐの間に不良が生じているかを特定するのに要した検査回数が６１回となっている。

このように、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、回路基板１００に形成された各導体パターンＰのうちの少なくとも一部（この例では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて）をＮ個（この例では、Ｎ＝４個）の検査グループＧ１〜Ｇ４にグループ分けすると共にＮ組（この例では、Ｎ＝４組）の検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを使用して各検査グループＧ毎の本発明における第１の導体パターン（検査用プローブ１２Ｈが接触している導体パターンＰ）および本発明における第２の導体パターン（検査用プローブ１２Ｌが接触している導体パターンＰ）の間の絶縁状態を、第１の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｈ電位）にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｌ電位）にした状態で各検査グループに対して同時に検査する検査処理（第１の検査処理）を各導体パターンＰに対する各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌの接触態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、異なる検査グループＧにグループ分けした各導体パターンＰのうちの互いに近接する一対の導体パターンＰのうちの一方（例えば、導体パターンＰ２）をＨ電位にすると共に一対の導体パターンＰのうちの他方（例えば、導体パターンＰ１１）をＬ電位にした状態で一対の導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態を検査する検査処理（第２の検査処理）を実行することにより、第１の検査処理時に各検査グループＧ内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての検査グループＧに対して同時に検査する分だけ、１枚の回路基板１００を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、すべての導体パターンＰ１〜Ｐ４０の相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ回路基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。

また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、回路基板１００に形成された導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの少なくとも一部（この例では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて）をＮ個（この例では、４個）の検査グループＧ１〜Ｇ４に等分して本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行することにより、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数が相違するようにグループ分けした場合と比較して、１枚の回路基板１００を検査するのに要する検査処理の回数を最も低減することができる結果、回路基板１００の絶縁検査に要する時間を最も短縮することができる。

さらに、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、本発明における第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各検査グループＧ毎に本発明における第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（第３の検査処理）を実行することにより、回路基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンＰ，Ｐを確実に特定することができる。

なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべてについて検査グループＧ１〜Ｇ４のいずれかに属するようにグループ分けして本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行する例について説明したが、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの一部（例えば、導体パターンＰ１〜Ｐ３０）だけをグループ分けして本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行すると共に、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの他の一部（この例では、導体パターンＰ３１〜Ｐ４０）については、導体パターンＰ１〜Ｐ３０とは別個に絶縁状態をそれぞれ検査する方法および構成を採用することができる。このように、すべての導体パターンＰのうちの少なくとも一部について本発明に係る絶縁検査方法に従ってグループ分けして検査することにより、１枚の回路基板１００に要する検査処理回数を十分に低減して、検査処理に要する時間を十分に短縮することができる。また、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０について４等分して本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行する例について説明したが、各導体パターンＰをグループ分けする数（本発明における「Ｎ」）は「４」に限定されず、「２」、「３」または「５以上の数」に規定することができる。

さらに、各導体パターンＰをグループ分けする際に、各導体パターンＰを等分割せずに、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数を相違させるようにグループ分けすることもできる。この場合、前述したように、絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０を４等分したことで、各検査グループＧ１〜Ｇ４にグループ分けされた導体パターンＰの数が互いに等しい数（この例では、「１０」）となっている。これに対して、一例として、導体パターンＰ１〜Ｐ８を検査グループＧ１とし、導体パターンＰ９〜Ｐ２０を検査グループＧ２とし、導体パターンＰ２１〜Ｐ２８を検査グループＧ３とし、導体パターンＰ２９〜Ｐ４０を検査グループＧ４としてグループ分けした場合（各検査グループＧにグループ分けする導体パターンＰの数を相違させたとき）には、検査グループＧ１，Ｇ３に対する上記の第１の検査処理の回数が検査グループＧ２，Ｇ４に対する上記の第１の検査処理の回数よりも多数となることに起因して、１枚の回路基板１００を検査するのに必要な検査処理の回数が等分割した場合よりも多数となる。したがって、各導体パターンＰをグループ分けする場合には、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数の差が大きくならないようにグループ分けするのが好ましく、検査処理の時間短縮のためには、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数が同数となる（各導体パターンＰを等分する）ようにグループ分けするのが最も好ましい。

また、本発明における第１の検査処理、第２の検査処理および第３の検査処理をこの順で実行する例について説明したが、本発明における絶縁検査方法および絶縁検査装置の構成はこれに限定されない。具体的には、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理については、第２の検査処理を実行した後に第１の検査処理を実行する方法および構成を採用することができる。また、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理のいずれかにおいて絶縁状態を不良と検査したときに、本発明における第３の検査処理を実行することなく、例えば第１の検査処理および第２の検査処理を完了した時点において、検査対象基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成や、不良と検査した時点において、他のすべての検査処理を実行することなく、検査対象基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成を採用することができる。このような方法および構成を採用することにより、不良の検査対象基板についての検査時間を一層短縮することができる。

絶縁検査装置１の構成を示すブロック図である。 絶縁検査装置１による回路基板１００の絶縁検査方法について説明するための説明図である。 回路基板１００の平面図である。 回路基板１００を検査対象とする従来の絶縁検査方法について説明するための説明図である。

符号の説明

１ 絶縁検査装置
２ プローブ機構
３ 接続切替部
４ 電圧供給部
４Ｈ 高電位出力部
４Ｌ 低電位出力部
５ 測定部
８ 制御部
１１Ｈ１〜１１Ｈ４，１１Ｌ１〜１１Ｌ４ 移動機構
１２Ｈ１〜１２Ｈ４，１２Ｌ１〜１２Ｌ４ 検査用プローブ
１００ 回路基板
Ｄｔ 検査手順データ
Ｇ１〜Ｇ４ 検査グループ
Ｐ１〜Ｐ４０ 導体パターン
Ｓ１〜Ｓ３ 制御信号
Ｖ 検査用電圧

Claims (4)

1. 検査対象基板に形成された複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させると共に、当該一対の検査用プローブのうちの一方を電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続し、かつ、当該一対の検査用プローブのうちの他方を電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した状態において、当該一対の検査用プローブを介して前記電圧供給部から検査用電圧を供給して前記各導体パターンのうちの前記一方の検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの前記他方の検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定し、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、
   前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の検査グループにグループ分けすると共に、前記複数回の検査処理として、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該各検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、異なる前記検査グループにグループ分けした前記各導体パターンのうちの互いに近接する一対の当該導体パターンのうちの一方を前記高電位にすると共に当該一対の導体パターンのうちの他方を前記低電位にした状態で当該一対の導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する絶縁検査方法。
2. 前記少なくとも一部の導体パターンを前記Ｎ個の検査グループに等分して前記第１の検査処理および前記第２の検査処理を実行する請求項１記載の絶縁検査方法。
3. 前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各検査グループ毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行する請求項１または２記載の絶縁検査方法。
4. 検査対象基板に形成された複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記一対の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備え、当該検査部が前記プローブ移動機構を制御して前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、
   前記検査部は、前記複数回の検査処理として、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをグループ分けしたＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更させて複数回に亘って実行すると共に、異なる前記検査グループにグループ分けされた前記各導体パターンのうちの互いに近接する一対の当該導体パターンのうちの一方を前記高電位にすると共に当該一対の導体パターンのうちの他方を前記低電位にした状態で当該一対の導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する絶縁検査装置。

Images