JP5215149B2

JP5215149B2 - 絶縁検査方法および絶縁検査装置

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Description

本発明は、検査対象基板に形成された各導体パターンの間の絶縁状態を検査する絶縁検査方法および絶縁検査装置に関するものである。

この種の絶縁検査方法に従って検査処理を実行する絶縁検査装置として、特開２０００−１９３７０２号公報に開示された絶縁検査装置が知られている。この場合、上記公開公報において従来の技術として開示されている絶縁検査方法、および上記公開公報に開示された発明の絶縁検査方法では、回路基板に形成されている導体パターン（検査対象の配線パターン）の個数をＭ個としたときに、第１番目から第Ｍ番目までのＭ本の検査用プローブ（ヘッドピン）を各導体パターンに接触させた状態において各導体パターン間の絶縁状態を検査する。具体的には、一例として、図４に示す回路基板１００を検査対象として検査する際には、まず、導体パターンＰ１〜Ｐ４０に対して第１〜４０番目の４０本の検査用プローブをそれぞれ接触させる。

この場合、上記公開公報において従来の技術として開示されている絶縁検査方法では、図５に示すように、第１回の検査として、第１番目の検査用プローブ（導体パターンＰ１に接触させる検査用プローブ）をＨ電位（正極）に接続すると共に第２〜４０番目の検査用プローブ（導体パターンＰ２〜Ｐ４０に接触させる検査用プローブ）を共通的にＬ電位（負極）に接続して、Ｈ電位に接続した検査用プローブを接触させた導体パターンと、Ｌ電位に接続した各検査用プローブを接触させた各導体パターンとの間の電気的信号のレベルに基づいて絶縁状態を検査する。この際には、導体パターンＰ１と、導体パターンＰ２〜Ｐ４０との間の絶縁状態が検査される。次いで、絶縁状態が良好と検査したときには、第２回の検査として、第２番目の検査用プローブをＨ電位に接続すると共に第３〜４０番目の検査用プローブを共通的にＬ電位に接続して絶縁状態を検査する。この際には、導体パターンＰ２と、導体パターンＰ３〜Ｐ４０との間の絶縁状態が検査される。続いて、絶縁状態が良好と検査したときには、第３回以降の検査として、Ｈ電位に接続する検査用プローブの番号を３番目から第３９番目に向けて１つずつ順に変更すると共に、Ｈ電位に接続した検査用プローブに対して第４０番目側に位置するすべての検査用プローブを共通的にＬ電位に接続して、絶縁状態をそれぞれ検査する。

この後、第３９番目の検査用プローブをＨ電位に接続し、かつ第４０番目の検査用プローブをＬ電位に接続した状態における絶縁状態の検査を終了したとき（導体パターンＰ３９，Ｐ４０の間の絶縁状態の検査を終了したとき）に、この回路基板１００についての絶縁検査処理を終了する。この場合、上記公開公報において従来の技術として開示されている絶縁検査方法では、Ｍ個の導体パターンがすべて良品であると検査するのに必要な（回路基板が良品であると検査するのに必要な）検査回数Ｃは、導体パターンの個数Ｍ（検査用プローブの個数Ｍ）から「１」を差し引いた数、すなわち、「Ｃ＝Ｍ−１」との式によって表される。したがって、「Ｍ＝４０」の上記の回路基板１００における導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべての絶縁状態を検査するためには、検査回数Ｃ＝３９回の検査が必要となっている。

これに対して、上記公開公報に開示された発明の絶縁検査方法では、図６に示すように、第１回の検査として、第１番目および第２番目の検査用プローブ（導体パターンＰ１，Ｐ２に接触させる検査用プローブ）を共通的にＨ電位（正極）に接続すると共に第３〜４０番目の検査用プローブ（導体パターンＰ３〜Ｐ４０に接触させる検査用プローブ）を共通的にＬ電位（負極）に接続して、Ｈ電位に接続した両検査用プローブを接触させた両導体パターンと、Ｌ電位に接続した各検査用プローブを接触させた各導体パターンとの間の電気的信号のレベルに基づいて絶縁状態を検査する。この際には、導体パターンＰ１，Ｐ２と導体パターンＰ３〜Ｐ４０との間の絶縁状態が検査される。次いで、絶縁状態が良好と検査したときには、第２回の検査として、第２〜４番目の検査用プローブを共通的にＨ電位に接続すると共に第１番目および第５〜４０番目の検査用プローブを共通的にＬ電位に接続して絶縁状態を検査する。この際には、導体パターンＰ２〜Ｐ４と導体パターンＰ１，Ｐ５〜Ｐ４０との間の絶縁状態が検査される。続いて、絶縁状態が良好と検査したときには、第３回以降の検査として、Ｈ電位に接続する検査用プローブの番号を第４０番目に向けて２個分だけ順に変更すると共に、Ｈ電位に接続した検査用プローブに対して第１番目側に隣接する１個の検査用プローブ、およびＨ電位に接続した検査用プローブに対して第４０番目側に位置するすべての検査用プローブをＬ電位に接続して絶縁状態を検査する。

この後、Ｈ電位に接続する検査用プローブの個数が３個未満になったとき（導体パターンＰ３９と導体パターンＰ４０との間の絶縁状態の検査を終了したとき）に、この回路基板１００についての絶縁検査処理を終了する。この場合、上記公開方向に開示されている発明の絶縁検査方法（以下、この公開公報に開示されている発明の「絶縁検査装置」および「絶縁検査方法」を「従来の絶縁検査装置」および「従来の絶縁検査方法」ともいう）では、Ｍ個の導体パターンがすべて良品であると検査するのに必要な（回路基板が良品であると検査するのに必要な）検査回数Ｃは、導体パターンの個数Ｍ（検査用プローブの個数Ｍ）が偶数のときには「Ｃ＝Ｍ／２＋１」との式によって表され、導体パターンの個数Ｍが奇数のときには「Ｃ＝（Ｍ−１）／２＋１」との式によって表される。したがって、「Ｍ＝４０」の上記の回路基板１００を検査する際には、検査回数Ｃ＝２１回の検査によって導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて絶縁状態を検査することが可能となっている。これにより、上記公開公報に従来の技術として開示されている絶縁検査装置と比較して、半分程度の検査回数で回路基板１００の良否が検査される。
特開２０００−１９３７０２号公報（第３−１０頁、第３，１１図）

ところが、従来の絶縁検査装置および従来の絶縁検査方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の絶縁検査装置による絶縁検査方法では、複数回の検査処理時にＨ電位に接続する検査用プローブの本数を複数本として、複数の導体パターンＰについてその他の導体パターンＰとの間の絶縁状態を一括して検査することにより、１枚の回路基板１００の検査に要する検査処理の回数（検査回数Ｃ）を低減している。しかしながら、検査対象基板の１枚当りに要する検査時間の一層の短縮を図りたいとの要求がある一方で、従来の絶縁検査装置による絶縁検査方法では、上記したように「Ｍ／２＋１」または「（Ｍ−１）／２＋１」との検査回数よりも少数回の検査処理によってすべての導体パターンＰ間の絶縁状態を検査することができないため、従来の絶縁検査装置および従来の絶縁検査方法には、検査時間の一層の短縮が困難となっているという問題点がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査方法および絶縁検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査方法は、検査対象基板に形成された相互に絶縁されているべき複数の導体パターンに複数の検査用プローブをそれぞれ接触させると共に当該各検査用プローブを介して電圧供給部から当該各導体パターンに検査用電圧を供給した状態において、当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続した前記検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した前記検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を当該高電位出力部および当該低電位出力部と当該各検査用プローブとの接続態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンを複数の検査グループにグループ分けして、前記複数回の検査処理として、当該各検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接続態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、当該各検査グループ内の前記各導体パターンを共通的に前記高電位および前記低電位のいずれかの電位にした状態で当該各検査グループの相互間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する。

請求項２記載の絶縁検査方法は、請求項１記載の絶縁検査方法において、前記少なくとも一部の導体パターンをＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記検査グループに等分して前記第１の検査処理および前記第２の検査処理を実行する。なお、本発明における「Ｎ個の検査グループに等分して」との処理には、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いに等しくなるようにグループ分けする」との処理だけでなく、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いにほぼ等しくなるように（僅かに相違するように）グループ分けする」との処理がこれに含まれる。この場合、「各検査グループ毎の導体パターンの数が互いにほぼ等しくなるようにグループ分けする」との処理には、例えば、本発明における「少なくとも一部の導体パターン」の数を検査グループの数で割り切れないときに、各検査グループのうちのいずれかの検査グループにグループ分けした導体パターンの数が他の検査グループにグループ分けした導体パターンの数よりも僅かに多い、または、僅かに少ないとの状態となるようにグループ分けする処理だけでなく、本発明における「少なくとも一部の導体パターン」の数を検査グループの数で割り切れる場合であっても、各検査グループのうちのいずれかの検査グループにグループ分けした導体パターンの数が他の検査グループにグループ分けした導体パターンの数よりも僅かに多い、または、僅かに少ないとの状態となるようにグループ分けする処理がこれに含まれる。

請求項３記載の絶縁検査方法は、請求項１または２記載の絶縁検査方法において、前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各検査グループ毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行する。

請求項４記載の絶縁検査装置は、検査対象基板に形成された相互に絶縁されているべき複数の導体パターンにそれぞれ接触させられた複数の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、当該電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部および低電位を出力する低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続を切り替える接続切替部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続させた前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンおよび当該導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続させた前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備えて、当該検査部が前記接続切替部を制御して前記高電位出力部および前記低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、前記検査部が、前記複数回の検査処理として、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをグループ分けした複数の検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士が互いに同電位となり、かつ当該第２の導体パターン同士が互いに同電位となっている状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接続態様を変更させて複数回に亘って実行すると共に、当該各検査グループ内の前記各導体パターンが共通的に前記高電位および前記低電位のいずれかの電位となっている状態で当該各検査グループの相互間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する。

請求項１記載の絶縁検査方法および請求項４記載の絶縁検査装置によれば、検査対象基板に形成された複数の導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンを複数の検査グループにグループ分けして、各検査グループ毎の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を、第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を接続態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、各検査グループ内の各導体パターンを共通的に高電位および低電位のいずれかの電位にした状態で各検査グループの相互間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行することにより、第１の検査処理時に各検査グループ内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての検査グループに対して同時に検査する分だけ、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査方法および絶縁検査装置によれば、すべての導体パターンの相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ検査対象基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。

また、請求項２記載の絶縁検査方法によれば、複数の導体パターンのうちの少なくとも一部をＮ個の検査グループに等分して第１の検査処理および第２の検査処理を実行することにより、各検査グループに属する導体パターンの数が相違するようにグループ分けした場合と比較して、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理の回数を最も低減することができる結果、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を最も短縮することができる。

また、請求項３記載の絶縁検査方法によれば、第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各検査グループ毎に第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行することにより、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンを確実に特定することができる。

以下、本発明に係る絶縁検査方法および絶縁検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。

図１に示す絶縁検査装置１は、本発明に係る絶縁検査装置の一例であって、本発明に係る絶縁検査方法に従って治具型のプローブ装置を用いて図４に示す回路基板１００等の各種回路基板の絶縁状態を検査可能に構成されている。この場合、回路基板１００は、本発明における検査対象基板に相当し、前述したように、一例として、導体パターンＰ１〜Ｐ４０（以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）が形成されている。なお、同図では、本発明についての理解を容易とするために、回路基板１００の一方の面側だけを図示すると共に、隣り合う各導体パターンＰ，Ｐの間隔を等間隔で図示している。

一方、図１に示すように、絶縁検査装置１は、プローブ機構２、接続切替部３、電圧供給部４、測定部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えている。プローブ機構２は、回路基板１００における各導体パターンＰ上に規定された各検査ポイントの位置に応じてプローブ保持部１１に植設された複数の検査用プローブ１２，１２・・と、制御部８からの制御信号Ｓ２に従ってプローブ保持部１１を移動させることによって各検査用プローブ１２，１２・・を回路基板１００における各導体パターンＰ（各検査ポイント）に対して接触または離間させる移動機構１３とを備えている。この場合、上記のプローブ保持部１１および各検査用プローブ１２によって治具型のプローブ装置が構成されている。接続切替部３は、本発明における接続切替部の一例であって、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、電圧供給部４における高電位（以下、「Ｈ電位」ともいう）を出力する高電位出力部４Ｈ、および電圧供給部４における低電位（一例として、接地電位：以下、「Ｌ電位」ともいう）を出力する低電位出力部４Ｌと、上記の各検査用プローブ１２，１２・・との接続を切り替える。

電圧供給部４は、本発明における電圧供給部の一例であって、制御部８からの制御信号Ｓ３に従って図示しない定電圧源から上記の高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）および低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位）の間に検査用電圧Ｖを印加することにより、上記の各検査用プローブ１２，１２・・を介して回路基板１００における各導体パターンＰに検査用電圧（直流定電圧）Ｖを供給する。測定部５は、電圧測定部５ａおよび電流測定部５ｂを備えて、制御部８と相俟って本発明における検査部を構成する。電圧測定部５ａは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって生じる各導体パターンＰ，Ｐ（高電位出力部４Ｈに接続された検査用プローブ１２が接続された導体パターンＰ、および低電位出力部４Ｌに接続された検査用プローブ１２が接続された導体パターンＰ）の間の電圧（電位差：本発明における電気的パラメータの一例）を検出して、その電圧値を示す測定データＤｖを制御部８に出力する。電流測定部５ｂは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって上記の導体パターンＰ，Ｐ間を導通する電流を検出して、その電流値（本発明における電気的パラメータの他の一例）を示す測定データＤｉを制御部８に出力する。操作部６は、電源スイッチや検査開始スイッチ等の各種のスイッチを備えて構成されて、各スイッチの操作に対応する操作信号を出力する。表示部７は、制御部８の制御に従って検査結果等の各種の画像を表示する。

制御部８は、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、操作部６から出力される操作信号に従って絶縁検査処理を実行することにより、回路基板１００（導体パターンＰ，Ｐ間）の絶縁状態を検査する。より具体的には、制御部８は、後述するようにして、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従って接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続を切り替えさせる。また、制御部８は、プローブ機構２の移動機構１３に制御信号Ｓ２を出力することによって各検査用プローブ１２を回路基板１００の各導体パターンＰに接触させると共に、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって各検査用プローブ１２を介して回路基板１００（導体パターンＰ）に検査用電圧Ｖを供給させる。さらに、制御部８は、測定部５を制御して測定処理を実行させる。また、制御部８は、電圧測定部５ａから出力される測定データＤｖおよび電流測定部５ｂから出力される測定データＤｉに基づいて導体パターンＰ，Ｐの間の抵抗値を演算すると共に、その演算結果と記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して回路基板１００の良否（各導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態）を検査する。

記憶部９は、上記の検査手順データＤｔや検査用基準データＤｃなどを記憶する。この場合、この絶縁検査装置１では、上記の検査手順データＤｔとして、図２に示すように、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて（「各導体パターンのうちの少なくとも一部」が「すべて」の例）を４つの検査グループＧ１〜Ｇ４（以下、区別しないときには「検査グループＧ」ともいう）にグループ分けして（導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべてを４等分して：本発明における「Ｎ」が「４」の例）、各検査グループＧに対して、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理をこの順で実行するためのデータで構成されている。具体的には、検査手順データＤｔとしては、回路基板１００に対する複数回の検査処理時に各導体パターンＰをどのようにグループ分けして検査するかを特定可能なデータ（各導体パターンＰがいずれの検査グループＧに属するかを特定可能なデータ）と、各導体パターンＰに接触させる各検査用プローブ１２，１２・・を各検査処理時に高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌのいずれに接続するか（Ｈ電位およびＬ電位のいずれの電位と同電位とするか）を特定可能なデータとで構成されている。

この場合、この絶縁検査装置１では、後述するようにして、本発明における第１の検査処理時において、各検査グループＧ毎に前述した公開公報において「従来の技術」として開示されている絶縁検査方法に従って各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する。なお、各導体パターンＰ１〜Ｐ４０のグループ分けに際しては、回路基板１００上で近接する導体パターンＰ，Ｐ同士が同一の検査グループＧに属するようにグループ分けするのが好ましい。このようなグループ分けの方法を採用することにより、回路基板１００上で近接していることによって絶縁不良が生じ易い導体パターンＰ，Ｐについて、本発明における第１の検査処理時に、その絶縁不良を確実に検出することができる。

次に、絶縁検査装置１を用いて回路基板１００の絶縁状態を検査する絶縁検査方法およびその際の絶縁検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。

まず、検査対象の回路基板１００を図外の基板保持部に保持させた後に、操作部６を操作して検査開始を指示する。この際には、制御部８が、操作部６から出力された操作信号に従って、絶縁検査処理を開始する。この絶縁検査処理では、制御部８は、移動機構１３に制御信号Ｓ２を出力することにより、各検査用プローブ１２，１２・・を回路基板１００上の各導体パターンＰ（検査ポイント）にそれぞれ接触させる（回路基板１００に対するプロービングの実行）。次いで、制御部８は、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従って、各検査グループＧ毎の高電位出力部４Ｈに接続した検査用プローブ１２を接触させた導体パターンＰ（Ｈ電位にした導体パターンＰ：本発明における第１の導体パターン）と低電位出力部４Ｌに接続した検査用プローブ１２を接触させた導体パターンＰ（Ｌ電位にした導体パターンＰ：本発明における第２の導体パターン）との間の絶縁状態をすべての検査グループＧに対して同時に検査する検査処理（本発明における第１の検査処理）を、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続態様を変更して９回に亘って実行する。

具体的には、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、各検査用プローブ１２を電圧供給部４における高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌにそれぞれ接続させる。この際には、図２に示すように、回路基板１００に対する第１回の検査処理として、第１番目、第１１番目、第２１番目および第３１番目の４本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとが接続されて、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１同士が互いにＨ電位に接続されると共に、第２〜１０番目、第１２〜２０番目、第２２〜３０番目、および第３２〜４０番目の３６本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとが接続されて、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ２〜Ｐ１０，Ｐ１２〜Ｐ２０，Ｐ２２〜Ｐ３０，Ｐ３２〜Ｐ４０同士が互いにＬ電位に接続される。次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。

この際に、測定部５では、電圧測定部５ａが、上記の第１の導体パターンと第２の導体パターンとの間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。さらに、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力して検査用電圧Ｖの供給を停止させると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。一方、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。これにより、回路基板１００に対する第１回の検査処理が完了する。

次いで、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、回路基板１００に対する第２回の検査処理として、第２番目、第１２番目、第２２番目および第３２番目の４本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ２，Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２同士を互いにＨ電位に接続すると共に、第３〜１０番目、第１３〜２０番目、第２３〜３０番目、および第３３〜４０番目の３２本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ３〜Ｐ１０，Ｐ１３〜Ｐ２０，Ｐ２３〜Ｐ３０，Ｐ３３〜Ｐ４０同士を互いにＬ電位に接続する。続いて、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。また、制御部８は、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃとを比較して、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する。これにより、回路基板１００に対する第２回の検査処理が完了する。

続いて、制御部８は、回路基板１００に対する第３回から第９回までの検査処理として、高電位出力部４Ｈに接続する４本の検査用プローブ１２の番号を第３番目、第１３番目、第２３番目および第３３番目から、第９番目、第１９番目、第２９番目および第３９番目に向けて１つずつ順に変更すると共に、高電位出力部４Ｈに接続した検査用プローブに対して第１０番目、第２０番目、第３０番目および第４０番目側に位置するすべての検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、絶縁状態をそれぞれ検査する。これにより、回路基板１００に対する９回の第１の検査処理が完了する。なお、この絶縁検査方法では、上記の９回の第１の検査処理の完了時点において、各検査グループＧ内の導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。

次いで、制御部８は、上記の各検査グループＧの相互間の絶縁状態（他の検査グループＧに属する導体パターンＰ，Ｐ同士の絶縁状態）を検査する検査処理（本発明における第２の検査処理）を２回に分けて実行する。具体的には、制御部８は、回路基板１００に対する第１０回の検査処理（上記の２回の第２の検査処理のうちの第１回）として、第１〜１０番目および第２１〜第３０番目の２０本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ１〜Ｐ１０，Ｐ２１〜Ｐ３０を共通的にＨ電位に接続すると共に、第１１〜２０番目および第３１〜４０番目の２０本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ１１〜Ｐ２０，Ｐ３１〜Ｐ４０を共通的にＬ電位に接続する。続いて、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。また、制御部８は、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃとを比較して、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態（各検査グループの相互間の絶縁状態）を検査する。

続いて、制御部８は、回路基板１００に対する第１１回の検査処理（上記の２回の第２の検査処理のうちの第２回）として、第１〜２０番目の２０本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ１〜Ｐ２０を共通的にＨ電位に接続すると共に、第２１〜４０番目の２０本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ２１〜Ｐ４０を共通的にＬ電位に接続する。続いて、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。また、制御部８は、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃとを比較して、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態（各検査グループの相互間の絶縁状態）を検査する。これにより、回路基板１００に対する２回の第２の検査処理が完了する。なお、この絶縁検査方法では、上記の２回の第２の検査処理の完了時点において、回路基板１００上のすべての導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。

したがって、上記の１１回の検査処理のすべてにおいて、絶縁状態が良好であったときには、制御部８は、その回路基板１００を良品の回路基板１００と判定して、一連の検査処理を終了する。この場合、前述した公開公報において「従来の技術」として開示されている絶縁検査方法では、回路基板１００の良否を検査するのに３９回の検査処理が必要であり、前述した公開公報に開示されている発明の絶縁検査方法では、回路基板１００の良否を検査するのに２１回の検査処理が必要となっている。これに対して、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、良品の回路基板１００については、上記したように、１１回の検査処理によって良品であると検査される。一方、上記の９回の第１の検査処理時のいずれかにおいて絶縁状態を不良と検査したときには、各検査グループＧ毎に上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（本発明における第３の検査処理）を実行する。

具体的には、例えば第４回の検査処理時に絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、一例として、まず、上記の検査グループＧ１に対する第３の検査処理を実行する。より具体的には、第４番目の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ４をＨ電位に接続すると共に、第５〜１０番目の６本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ５〜Ｐ１０同士をＬ電位に接続した状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、絶縁状態が良好と検査したときには、制御部８は、上記の検査グループＧ２に対する第３の検査処理を実行する。具体的には、第１４番目の検査用プローブ１２を高電位出力部４Ｈに接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ１４をＨ電位に接続すると共に、第１５〜２０番目の６本の検査用プローブ１２を低電位出力部４Ｌに接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ１５〜Ｐ２０同士をＬ電位に接続した状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。

この際に、絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、導体パターンＰ１４と、６つの導体パターンＰ１５〜Ｐ２０との間の絶縁状態を個別的に検査する。これにより、一例として、導体パターンＰ１４と導体パターンＰ１８との間に絶縁不良が生じていると検査される。この後、制御部８は、上記の検査グループＧ３，Ｇ４に対する第３の検査処理をそれぞれ実行する。この際に、検査グループＧ３，Ｇ４の双方について絶縁状態が良好と検査したときには、制御部８は、導体パターンＰ１４，Ｐ１８の間に絶縁不良が生じた不良の回路基板１００として、この回路基板１００についての一連の検査処理を終了する。なお、この例では、回路基板１００についての第３の検査処理を１０回に亘って実行しているため、回路基板１００のいずれの導体パターンＰ，Ｐの間に不良が生じているかを特定するのに要した検査回数が合計２１回となっている。

一方、この絶縁検査装置１では、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔを変更することにより、本発明における第１の検査処理時において、各検査グループＧ毎に前述した公開公報に開示された発明の絶縁検査方法に従って各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査することもできる。具体的には、図３に示すように、この絶縁検査処理では、制御部８が、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従って、各検査グループＧ毎の高電位出力部４Ｈに接続した検査用プローブ１２を接触させた導体パターンＰ（Ｈ電位に接続した導体パターンＰ：本発明における第１の導体パターン）と、低電位出力部４Ｌに接続した検査用プローブ１２を接触させた導体パターンＰ（Ｌ電位に接続した導体パターンＰ：本発明における第２の導体パターン）との間の絶縁状態をすべての検査グループＧに対して同時に検査する検査処理（本発明における第１の検査処理）を、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続態様を変更して６回に亘って実行する。

より具体的には、制御部８は、回路基板１００に対する第１回の検査処理として、第１番目、第２番目、第１１番目、第１２番目、第２１番目、第２２番目、第３１番目および第３２番目の８本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１，Ｐ３２同士をＨ電位に接続すると共に、第３〜１０番目、第１３〜２０番目、第２３〜３０番目、および第３３〜４０番目の３２本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ３〜Ｐ１０，Ｐ１３〜Ｐ２０，Ｐ２３〜Ｐ３０，Ｐ３３〜Ｐ４０同士をＬ電位に接続する。次いで、制御部８は、電圧供給部４から検査用電圧Ｖを供給させると共に、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。続いて、制御部８は、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する。これにより、回路基板１００に対する第１回の検査処理が完了する。

次いで、制御部８は、回路基板１００に対する第２回の検査処理として、第２〜４番目、第１２〜１４番目、第２２〜２４番目、および第３２〜３４番目の１２本の検査用プローブ１２と高電位出力部４Ｈとを接続して、本発明における第１の導体パターンに相当する導体パターンＰ２〜Ｐ４，Ｐ１２〜Ｐ１４，Ｐ２２〜Ｐ２４，Ｐ３２〜Ｐ３４同士をＨ電位に接続すると共に、第１番目、第５〜１１番目、第１５〜２１番目、第２５〜３１番目、および第３５〜４０番目までの２８本の検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌとを接続して、本発明における第２の導体パターンに相当する導体パターンＰ１，Ｐ５〜Ｐ１１，Ｐ１５〜Ｐ２１，Ｐ２５〜Ｐ３１，Ｐ３５〜Ｐ４０同士をＬ電位に接続する。次いで、制御部８は、電圧供給部４から検査用電圧Ｖを供給させると共に、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。続いて、制御部８は、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する。これにより、回路基板１００に対する第２回の検査処理が完了する。

続いて、制御部８は、回路基板１００に対する第３回から第７回までの検査処理として、高電位出力部４Ｈに接続する１２本の検査用プローブ１２の番号を第４〜６番目、第１４〜１６番目、第２４〜２６番目、および第３４〜３６番目から、第１０番目、第２０番目、第３０番目および第４０番目に向けて２個分だけ順に変更すると共に、高電位出力部４Ｈに接続した検査用プローブに対して第１番目側、第１１番目側、第２１番目側および第３１番目側に隣接する各１個（計４個）の検査用プローブ１２と、高電位出力部４Ｈに接続した検査用プローブに対して第１０番目側、第２０番目側、第３０番目側および第４０番目側に位置するすべての検査用プローブ１２とを低電位出力部４Ｌに接続した状態において、各導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態を各検査グループＧに対して同時に検査する処理を順次実行する。この後、高電位出力部４Ｈに接続する検査用プローブの個数が１２個未満になったとき（導体パターンＰ９，Ｐ１０の間、導体パターンＰ１９，Ｐ２０の間、導体パターンＰ２９，Ｐ３０の間、および導体パターンＰ３９，Ｐ４０の間の絶縁状態の検査を終了したとき）に、この回路基板１００に対する６回の第１の検査処理が完了する。なお、この絶縁検査方法では、上記の６回の第１の検査処理の完了時点において、各検査グループＧ内の導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。

次いで、制御部８は、上記の各検査グループＧの相互間の絶縁状態（他の検査グループＧに属する導体パターンＰ，Ｐ同士の絶縁状態）を検査する検査処理（本発明における第２の検査処理）を２回に分けて実行する。なお、この２回の第２の検査処理については、図２を参照しつつ説明した上記の絶縁検査方法と同様のため、詳細名説明を省略する。これにより、回路基板１００に対する２回の第２の検査処理が完了する。なお、この絶縁検査方法では、上記の２回の第２の検査処理の完了時点において、回路基板１００上のすべての導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。したがって、上記の８回の検査処理のすべてにおいて、絶縁状態が良好であったときには、制御部８は、その回路基板１００を良品の回路基板１００と判定して、一連の検査処理を終了する。この場合、前述した公開公報において「従来の技術」として開示されている絶縁検査方法では、回路基板１００の良否を検査するのに３９回の検査処理が必要であり、前述した公開公報に開示されている発明の絶縁検査方法では、回路基板１００の良否を検査するのに２１回の検査処理が必要となっている。これに対して、この絶縁検査装置１による上記の絶縁検査方法では、良品の回路基板１００については、上記したように、８回の検査処理によって良品であると検査される。

一方、上記の６回の第１の検査処理時のいずれか（一例として、第６回の検査処理時）において絶縁不良が生じていると検査したときには、各検査グループＧ毎に上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（本発明における第３の検査処理）を実行する。具体的には、検査グループＧ１に対する第３の検査処理として、導体パターンＰ９，Ｐ１０の間の絶縁状態を検査し、検査グループＧ２に対する第３の検査処理として、導体パターンＰ１９，Ｐ２０の間の絶縁状態を検査し、検査グループＧ３に対する第３の検査処理として、導体パターンＰ２９，Ｐ３０の間の絶縁状態を検査し、検査グループＧ４に対する第３の検査処理として、導体パターンＰ３９，Ｐ４０の間の絶縁状態を検査する。これにより、例えば導体パターンＰ２９，Ｐ３０の間に絶縁不良が生じていると検査される。なお、この例では、４回の第３の検査処理が実行される結果、回路基板１００のいずれの導体パターンＰ，Ｐの間に不良が生じているかを特定するのに要した検査回数が合計１２回となる。

このように、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、回路基板１００に形成された導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの少なくとも一部（この例では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて）を検査グループＧ１〜Ｇ４にグループ分けして、各検査グループＧ毎の本発明における第１の導体パターン（Ｈ電位に接続した検査用プローブ１２が接触している導体パターンＰ）および本発明における第２の導体パターン（Ｌ電位に接続した検査用プローブ１２が接触している導体パターンＰ）の間の絶縁状態を、第１の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｈ電位）にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｌ電位）にした状態で各検査グループに対して同時に検査する検査処理（第１の検査処理）をＨ電位およびＬ電位に対する各検査用プローブ１２の接続態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、各検査グループＧ内の各導体パターンＰを共通的にＨ電位およびＬ電位のいずれかの電位にした状態で各検査グループＧの相互間の絶縁状態を検査する検査処理（第２の検査処理）を実行することにより、第１の検査処理時に各検査グループＧ内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての検査グループＧに対して同時に検査する分だけ、１枚の回路基板１００を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、すべての導体パターンＰ１〜Ｐ４０の相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ回路基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。

また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、回路基板１００に形成された導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの少なくとも一部（この例では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべて）をＮ個（この例では、４個）の検査グループＧ１〜Ｇ４に等分して本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行することにより、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数が相違するようにグループ分けした場合と比較して、１枚の回路基板１００を検査するのに要する検査処理の回数を最も低減することができる結果、回路基板１００の絶縁検査に要する時間を最も短縮することができる。

さらに、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、本発明における第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各検査グループＧ毎に本発明における第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（第３の検査処理）を実行することにより、回路基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンＰ，Ｐを確実に特定することができる。

なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべてについて検査グループＧ１〜Ｇ４のいずれかに属するようにグループ分けして本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行する例について説明したが、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの一部（例えば、導体パターンＰ１〜Ｐ３０）だけをグループ分けして本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行すると共に、導体パターンＰ１〜Ｐ４０のうちの他の一部（この例では、導体パターンＰ３１〜Ｐ４０）については、例えば従来の絶縁検査方法に従って個々に絶縁状態を検査する方法および構成を採用することができる。このように、すべての導体パターンＰのうちの少なくとも一部について本発明に係る絶縁検査方法に従ってグループ分けして検査することにより、１枚の回路基板１００に要する検査処理回数を十分に低減して、検査処理に要する時間を十分に短縮することができる。また、回路基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０について４等分して本発明における第１の検査処理および第２の検査処理を実行する例について説明したが、各導体パターンＰをグループ分けする数（本発明における「Ｎ」）は「４」に限定されず、「２」、「３」または「５以上の数」に規定することができる。

さらに、各導体パターンＰをグループ分けする際に、各導体パターンＰを等分割せずに、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数を相違させるようにグループ分けすることもできる。この場合、前述したように、絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、導体パターンＰ１〜Ｐ４０を４等分したことで、各検査グループＧ１〜Ｇ４にグループ分けされた導体パターンＰの数が互いに等しい数（この例では、「１０」）となっている。これに対して、一例として、導体パターンＰ１〜Ｐ８を検査グループＧ１とし、導体パターンＰ９〜Ｐ２０を検査グループＧ２とし、導体パターンＰ２１〜Ｐ２８を検査グループＧ３とし、導体パターンＰ２９〜Ｐ４０を検査グループＧ４としてグループ分けした場合（各検査グループＧにグループ分けする導体パターンＰの数を相違させたとき）には、検査グループＧ１，Ｇ３に対する上記の第１の検査処理の回数が検査グループＧ２，Ｇ４に対する上記の第１の検査処理の回数よりも多数となることに起因して、１枚の回路基板１００を検査するのに必要な検査処理の回数が等分割した場合よりも多数となる。したがって、各導体パターンＰをグループ分けする場合には、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数の差が大きくならないようにグループ分けするのが好ましく、検査処理の時間短縮のためには、各検査グループＧに属する導体パターンＰの数が同数となるようにグループ分けするのが最も好ましい。

また、本発明における第１の検査処理、第２の検査処理および第３の検査処理をこの順で実行する例について説明したが、本発明における絶縁検査方法および絶縁検査装置の構成はこれに限定されない。具体的には、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理については、第２の検査処理を実行した後に第１の検査処理を実行する方法および構成を採用することができる。また、本発明における第１の検査処理および第２の検査処理のいずれかにおいて絶縁状態を不良と検査したときに、本発明における第３の検査処理を実行することなく、例えば第１の検査処理および第２の検査処理を完了した時点において、検査対象基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成や、不良と検査した時点において、他のすべての検査処理を実行することなく、検査対象基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成を採用することができる。このような方法および構成を採用することにより、不良の検査対象基板についての検査時間を一層短縮することができる。

絶縁検査装置１の構成を示すブロック図である。絶縁検査装置１による回路基板１００の絶縁検査方法について説明するための説明図である。絶縁検査装置１による回路基板１００の他の絶縁検査方法について説明するための説明図である。回路基板１００の平面図である。回路基板１００を検査対象とする従来の絶縁検査方法について説明するための説明図である。回路基板１００を検査対象とする従来の他の絶縁検査方法について説明するための説明図である。

符号の説明

１絶縁検査装置
３接続切替部
４電圧供給部
４Ｈ高電位出力部
４Ｌ低電位出力部
５測定部
８制御部
１２検査用プローブ
１００回路基板
Ｄｔ検査手順データ
Ｇ１〜Ｇ４検査グループ
Ｐ１〜Ｐ４０導体パターン
Ｓ１〜Ｓ３制御信号
Ｖ検査用電圧

Claims

検査対象基板に形成された相互に絶縁されているべき複数の導体パターンに複数の検査用プローブをそれぞれ接触させると共に当該各検査用プローブを介して電圧供給部から当該各導体パターンに検査用電圧を供給した状態において、当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続した前記検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した前記検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を当該高電位出力部および当該低電位出力部と当該各検査用プローブとの接続態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、
前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンを複数の検査グループにグループ分けして、前記複数回の検査処理として、当該各検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接続態様を変更して複数回に亘って実行すると共に、当該各検査グループ内の前記各導体パターンを共通的に前記高電位および前記低電位のいずれかの電位にした状態で当該各検査グループの相互間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する絶縁検査方法。
前記少なくとも一部の導体パターンをＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記検査グループに等分して前記第１の検査処理および前記第２の検査処理を実行する請求項１記載の絶縁検査方法。
前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各検査グループ毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第３の検査処理を実行する請求項１または２記載の絶縁検査方法。
検査対象基板に形成された相互に絶縁されているべき複数の導体パターンにそれぞれ接触させられた複数の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、当該電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部および低電位を出力する低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続を切り替える接続切替部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続させた前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンおよび当該導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続させた前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備えて、当該検査部が前記接続切替部を制御して前記高電位出力部および前記低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、
前記検査部は、前記複数回の検査処理として、前記各導体パターンのうちの少なくとも一部の導体パターンをグループ分けした複数の検査グループ毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、当該第１の導体パターン同士が互いに同電位となり、かつ当該第２の導体パターン同士が互いに同電位となっている状態で当該各検査グループに対して同時に検査する第１の検査処理を前記接続態様を変更させて複数回に亘って実行すると共に、当該各検査グループ内の前記各導体パターンが共通的に前記高電位および前記低電位のいずれかの電位となっている状態で当該各検査グループの相互間の絶縁状態を検査する第２の検査処理を実行する絶縁検査装置。