JP2009264834A - 絶縁検査装置および絶縁検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】N本の導体パターン21が形成されたM個の同種の基板22〜25における(M×N)本の導体パターン21に接触可能なテストヘッド3と、2本の導体パターン21間に流れる電流I1を測定する測定部4と、(M×N)本の導体パターン21のうちの任意の2本の導体パターン21を選択して測定部4に接続するスキャナ部5と、スキャナ部5に選択させた2本の導体パターン21間の電流I1を測定部4に測定させ、電流I1に基づいて2本の導体パターン21間の絶縁状態を検査する処理部7とを備え、処理部7は、M個の基板22〜25における(M×N)本の導体パターン21全体に対して、log2(M×N)以上であってlog2(M×N)に最も近い整数を検査回数L1に規定して導体パターン21間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する。
【選択図】図1
Description
2 搬送機構
3 テストヘッド
4 測定部
5 スキャナ部
6 マーク付与部
7 処理部
8 記憶部
9 表示部
20 基板
21 導体パターン
22〜25 子基板
L1 検査回数
L2 検査回数
Rref 基準抵抗値
Rx 絶縁抵抗
Claims (6)
- 絶縁検査の対象となるN(4以上の整数)本の導体パターンが形成されたM(2以上の整数)個の同種の基板における(M×N)本の当該導体パターンに接触可能なテストヘッドと、
2本の前記導体パターン間の電気的パラメータを測定する測定部と、
前記(M×N)本の導体パターンのうちの任意の2本の導体パターンを選択して前記測定部に接続するスキャナ部と、
前記スキャナ部を制御して2本の前記導体パターンを選択させると共に、前記測定部を制御して当該選択された2本の導体パターンについての前記電気的パラメータを測定させ、当該測定された電気的パラメータに基づいて当該2本の導体パターン間の絶縁状態を検査する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、
前記処理部は、前記M個の基板における(M×N)本の前記導体パターン全体に対して、log2(M×N)以上であってlog2(M×N)に最も近い整数を検査回数L1に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する絶縁検査装置。 - 前記処理部は、前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在することを検出したときに、検査回数L2をlog2N以上であってlog2Nに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する請求項1記載の絶縁検査装置。
- マーク付与部を備え、前記処理部は、前記個別検査処理において特定した前記基板に対して前記マーク付与部を制御して識別可能なマークを付与させる請求項2記載の絶縁検査装置。
- 表示部を備え、前記処理部は、前記絶縁状態の検査の結果を前記表示部に表示させる請求項1から3のいずれかに記載の絶縁検査装置。
- 絶縁検査の対象となるN(4以上の整数)本の導体パターンが形成されたM(2以上の整数)個の同種の基板に形成されている(M×N)本の前記導体パターン全体に対して、log2(M×N)以上であってlog2(M×N)に最も近い整数を検査回数L1に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する絶縁検査方法。
- 前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在したときに、検査回数L2をlog2N以上であってlog2Nに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する請求項5記載の絶縁検査方法。
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