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  1. セラミック製の絶縁基板と、
    前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
    前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された電気素子層と、
    前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
    少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
    前記薄膜導電層が1層以上のメッキ層を含むチップ電気部品であって、
    前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなており、
    前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて前記絶縁保護層によって覆われていない前記表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記1層以上のメッキ層とから構成されており、
    前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記1層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えており、
    前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びていることを特徴とするチップ状電気部品。
  2. セラミック製の絶縁基板と、
    前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
    前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された電気素子層と、
    前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
    少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
    前記薄膜導電層が1層以上のメッキ層を含むチップ電気部品であって、
    前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなていることを特徴とするチップ状電気部品。
  3. 前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて前記絶縁保護層によって覆われていない前記表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記1層以上のメッキ層とから構成されている請求項2に記載のチップ状電気部品。
  4. 前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記1層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えている請求項3に記載のチップ状電気部品。
  5. 前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びている請求項4に記載のチップ状電気部品。
  6. 前記下地導電層は、Cu,Ni,Crを含んでおり、
    前記1層以上のメッキ層は、Niメッキ層の上にSnメッキ層が形成された2層構造である請求項1,3,4または5に記載のチップ状電気部品。
  7. セラミック製の絶縁基板と、
    前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたAgを含有するメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
    前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された抵抗層と、
    前記抵抗層の全部と前記抵抗層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
    少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
    前記薄膜導電層が1層以上のメッキ層を含むチップ抵抗器であって、
    前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記抵抗層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっており、
    前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて、
    前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記1層以上のメッキ層とから構成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
  8. 前記絶縁保護層は、前記抵抗層を覆うガラス層と、前記ガラス層を覆う絶縁樹脂層とからなり、
    前記下地導電層は、Cu,Ni,Crを含んでおり、
    前記1層以上のメッキ層は、Niメッキ層の上にSnメッキ層が形成された2層構造である請求項7に記載のチップ抵抗器。
  9. セラミック製の大型絶縁基板の基板表面上に所定の間隔を開けてメタルグレーズ系の導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により、複数の電極層を縦電極層列及び横電極層列を構成するように形成するステップと、
    前記横電極層列に含まれる前記複数の電極層の隣り合う一対の前記電極層に跨るように電気素子層を前記大型絶縁基板の前記基板表面上に印刷により形成するステップと、
    前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の電極層の一部を覆うように印刷によって電気絶縁材料を用いて絶縁保護層を形成するステップと、
    前記縦電極層列に含まれる前記複数の電極層を中央部の位置で二分割して前記電気素子層の両端に一対の表面電極を形成するために前記大型絶縁基板に複数のスリットを形成するステップと、
    前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極及び前記スリットの内面を覆う下地導電層をスパッタリングまたは蒸着により形成するステップと、
    前記下地導電層を形成した後に、絶縁基板、前記一対の表面電極、前記電気素子層及び前記絶縁保護層を備えたチップ片を分離するステップと、
    分離した前記チップ片の前記下地導電層の上に1層以上のメッキ層を形成するステップとからなり、
    前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっているチップ状電気部品の製造方法。
  10. 前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記1層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えており、
    前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びている請求項9に記載のチップ状電気部品の製造方法。
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